DE69523807T2 - Elektrisch isoliertes Bildelement in einer mit niedriger Spannung zu betreibenden Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen eine Pixelstruktur für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix (AMLCD) und betrifft insbesondere eine Pixelstruktur für eine mit niedriger Spannung betriebene AMLCD und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
• Flüssigkristallanzeigen (LCDs) ersetzen zunehmend Kathodenstrahlröhren als Anzeigeelemente in Computern und anderen Videodarstellungsanwendungen. Dies gilt insbesondere für Geräte, in denen eine minimale Größe und ein minimales Gewicht entscheidende Gestaltungskriterien sind. In tragbaren Computern und Laptops werden beispielsweise fast ausschließlich LCDs verwendet. Zwei Arten von standardmäßigen Architekturen für LCDs haben sich durchgesetzt: die passive und die aktive Matrix. In passiven LCDs wird ein Paar Elektrodenplatten verwendet, wobei eine Flüssigkristallschicht dazwischen angeordnet ist. Jede Platte einer passiven LCD weist einen Satz mit Leitungen auf, die senkrecht zu den Leitungen in der gegenüberliegenden Platte verlaufen. Das Adressieren einzelner Pixel in einer passiven LCD erfordert das Anlegen eines Signals an das Leitungspaar, dessen Kreuzungspunkt die Pixelposition definiert.
• Obwohl AMLCDs geringfügig teurer als passive LCDs sind, werden diese aufgrund ihres besseren Betrachtungswinkels und wegen des höheren Kontrasts und der höheren Auflösung als passive LCDs bevorzugt für erhöhte Anforderungen verwendet. Zur Zeit gibt es mehrere Tendenzen, die gegenwärtig die Akzeptanz auf dem Markt für beide Arten von Flüssigkristallanzeigen (d. h. aktive Matrix und passive Anzeigen) erhöhen - fallende Herstellungskosten, steigende Pixeldichten und Auflösung, ständig ansteigende Bildschirmauffrischungsgeschwindigkeiten - um nur einige zu nennen.
• EP-A-0 449 124 offenbart eine Flüssigkristallanzeige, wobei ein Drain- und Source- und ein Kanalgebiet auf einem Substrat ausgebildet sind. Eine aus Metall bestehende Datenleitung ist in direkter Verbindung mit dem Sourceanschluss des Dünnfilmtransistors. Über dem Kanalgebiet auf einer Isolierschicht ist eine aus polykristallinem Silizium bestehende Gateelektrode gebildet. Die gesamte Struktur ist mittels einer Isolierschicht geschützt, wobei eine Kontaktöffnung über dem Draingebiet des Dünnfilmtransistors ausgebildet ist. Die ITO-Elektrode des Pixelelements ist an den inneren Oberflächen des Kontaktloches gebildet und ist entsprechend in direktem Kontakt mit dem Drain des Dünnfilmtransistors.
• Die tragbaren elektronischen Geräte, in denen AMLCDs verwendet sind, sind typischerweise batteriegespeist. Ein attraktives Kriterium für den Verbraucher ist die "mittlere Zeit zwischen dem Batteriewechseln" für ein entsprechendes Gerät - je länger ein Gerät mit einem vollständig geladenen Satz Batterien zu betreiben ist, desto attraktiver ist es. Es ist daher wünschenswert für Komponentenzulieferer, dass derartige tragbare Geräte energieeffiziente Komponenten aufweisen. Das gleiche gilt für die Hersteller von AMLCDs.
• Typischerweise umfasst eine AMLCD eine Flüssigkristallschicht, die zwischen einer aktiven Matrix und einer gemeinsamen Elektrodenplatte angeordnet ist. Die aktive Matrix selbst umfasst eine Ansammlung an Pixelstrukturen. Jede derartige Pixelstruktur umfasst einen Dünnfilmtransistor (TFT) und ein Pixelelement, die derart verbunden sind, dass die Source- und Drainleitungen des TFT jeweils mit einer Datenleitung und dem Pixelelement verbunden sind. Für gewöhnlich wird eine Passivierungsschicht, die im Allgemeinen aus Indium-Zinn-Oxyd (ITO) besteht, über dem TFT und dem Pixelelement abgeschieden, so dass diese bedeckt sind. Eine derartige AMLCD-Struktur, die gegenwärtig verwendet wird, ist eine Anzeige mit einer Diagonalen von 32,7 cm (13 Inch) mit 6.3 Millionen Pixel, die von Xerox Corporation hergestellt wird.
• Eine Möglichkeit, um die Energieaufnahme einer AMLCD zu reduzieren, besteht darin, die Höhe der zur Aktivierung der Flüssigkristallschicht benötigten Spannung zu verringern. Um den Flüssigkristall zu aktivieren, muss eine Schwellwertspannung zwischen dem Pixelelement und der gemeinsamen Elektrodenplatte angelegt werden. Daher würde eine beliebige Änderung in der Gestaltung, die es ermöglicht, dass ein Pixelelement und die gemeinsame Elektrodenplatte die Schwellwertspannung mit einer geringeren Ladungsmenge erreichen, den Energieverbrauch senken. Eine Möglichkeit, die Schwellwertspannung mit einer geringeren Ladungsmenge zu erhalten, besteht darin, sicherzustellen, dass kein unnötiger Spannungsabfall zwischen dem Pixelelement und der gemeinsamen Elektrodenplatte auftritt.
• Daher ist es wünschenswert, eine AMLCD-Pixelstruktur zu entwerfen, die unnötige Spannungsabfälle zwischen dem Pixelelement und der gemeinsamen Elektrodenplatte vermeiden könnte.
• Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine AMLCD-Pixelstruktur zu entwerfen, die den Betrag des verlustbehaftenden Spannungsabfalls verringert, der sonst zur Erreichung der Schwellwertspannung, die zur Aktivierung des Flüssigkristalls notwendig ist, verwendbar wäre. Daher stellt die vorliegende Erfindung eine Pixelstruktur und ein Verfahren zur Herstellung derselben bereit, wie dies in den angefügten Patentansprüchen definiert ist.
• Zusammenfassend: die vorliegende Erfindung ist eine Pixelstruktur und ein Verfahren zur Herstellung derselben, wobei der Spannungsabfallverlust, der typischerweise bei Pixelstrukturen auftritt, verringert ist. Die erfindungsgemäße Pixelstruktur ist eine Kombination eines Dünnfilmtransistors (TFT), eines zugeordneten Pixelelements und einer Passivierungsschicht. Der TFT wird zunächst auf einem geeigneten Substrat abgeschieden und strukturiert. Anschließend wird die Passivierungsschicht auf dem Dünnfilmtransistor abgeschieden. Es werden Kontakteinschnitte auf der Passivierungsschicht ausgebildet, an denen das Pixelelement mit dem TFT in Kontakt ist. Abschließend wird das Pixelelement auf der Passivierungsschicht abgeschieden. Die Drain- und Source- leitungen des TFT sind durch eine Aluminiumschicht gebildet, die von TiW-Schichten eingeschlossen ist, wobei eine der TiW-Schichten mit dem Pixelelement in Kontakt ist.
• Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist die Verringerung verlustbehafteter Spannungsabfälle. In typischen Pixelstrukturen wird die Passivierungsschicht auf dem Pixelelement abgeschieden. Das dazwischenliegende Dielektrikum der Passivierungsschicht erzeugt einen unerwünschten Spannungsabfall über der Flüssigkristalllücke. Die Anordnung des Pixelelements als die oberste Schicht der Pixelstruktur verhindert diesen Abfall und verbessert die Energieeffizienz der gesamten Struktur.
• Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist eine vollständigere elektrische Isolation des Pixelelements. In einigen Pixelstrukturausführungsformen verursacht der geringe Abstand des Pixelelements und der Metallleitung einen gewissen Kurzschluss und Leckströme. Die vorliegende Erfindung verbessert jedoch die elektrische Isolierung des Pixelelements, indem ein Abstand zwischen dem Pixelelement und den Metallleitungen in der vertikalen Richtung angeordnet wird, und indem die Passivierungsschicht (die selbst ein Dielektrikum ist) zwischen dem Pixelelement und den Metallleitungen angeordnet wird.
• Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung beispielhaft mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen beschrieben; es zeigen:
• Fig. 1 zeigt die Pixelstruktur einer AMLCD, die in der momentanen Anzeige mit einer Diagonalen von 32,7 cm (13 Inch) mit 6.3 Millionen Pixel verwendet wird, die von der Xerox Corporation hergestellt ist.
• Fig. 2 zeigt eine teilweise durchscheinende schematische Ansicht der Pixelstruktur, die gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
• Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht der Pixelstruktur entlang der Richtung der Linie A-A', die in Fig. 2 gezeigt ist; und
• Fig. 4A-4F zeigen den Herstellungsprozess der erfindungsgemäßen Pixelstruktur und die resultierenden Strukturen nach jedem Schritt.
• Die folgende Beschreibung wird dargelegt, um es einem Fachmann auf dem Gebiet zu ermöglichen, die Erfindung nachzuvollziehen und zu verwenden, und die Beschreibung bezieht sich auf eine spezielle Anwendung und die entsprechenden Erfordernisse. Für den Fachmann auf dem Gebiet sind diverse Modifikationen an der bevorzugten Ausführungsform offensichtlich und die allgemeinen Prinzipien, die hierin definiert sind, können auf andere Ausführungsformen und Anwendungen verwendet werden, ohne vom Schutzbereich der vorliegenden Erfindung, wie sie in den angefügten Patentansprüchen definiert ist, abzuweichen. Es ist somit nicht beabsichtigt, die vorliegende Erfindung auf die gezeigte Ausführungsform einzuschränken, sondern ist als übereinstimmend mit dem weitesten Schutzbereich zu betrachten, der mit den Prinzipien und den hierin offenbarten Merkmalen verträglich ist.
• Gemäß Fig. 1 ist eine Pixelstruktur 10 einer AMLCD dargestellt, die gegenwärtig in einem Anzeigeelement mit einer Diagonalen von 32,7 cm (13 Inch) mit 6.3 Millionen Pixel verwendet wird, die von der Xerox Corporation hergestellt wird. Die Struktur umfasst ein Glassubstrat 12, ein Gatemetall 14, eine untere Nitridschicht (typischerweise SiN) 16, eine aktive intrinsische amorphe Siliziumschicht 18, eine obere Nitridschicht (typischerweise SiN) 19, ein ITO-Pixelelement 20, eine N&spplus; amorphe Siliziumschicht 22, eine Barrieremetallschicht 24, eine Datenmetallschicht 26 und eine Passivierungsschicht 28.
• Das hinsichtlich Fig. 1 wichtige Merkmal ist die Anordnung des ITO-Pixels 20 in Bezug auf die Passivierungsschicht 28. Die Passivierungsschicht liegt über dem Pixelelement, wodurch ein unerwünschter Spannungsabfall erzeugt wird, der wirkungsvoll verwendbar wäre, um die Schwellwertspannung in dem Flüssigkristall zu erreichen.
• Die vorliegende Erfindung vermeidet diesen unerwünschten Spannungsabfall, indem das Pixelelement über der Passivierungsschicht - näher an dem Flüssigkristallmaterial - angeordnet wird. Fig. 2 ist eine teilweise durchscheinende schematische Ansicht einer Pixelstruktur 30, die gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung hergestellt ist. Die Grenzen des Pixelelements 30 sind ungefähr durch Datenleitungen 32 und Gateleitungen 34 definiert. Diese Leitungen stellen den Verbindungsweg für die elektrischen Signale dar, die entweder Bilddaten (in Form einer Ladung) in das Pixelelement 38 führen oder den Datenstrom ermöglichen. Die Gateleitungen und die Datenleitungen erstrecken sich über die gesamte Länge und Breite des Arrays, das diese Pixelstrukturen umfasst und sind mit einer externen Elektronik (nicht gezeigt) mittels Metall- "Anschlussflächen" 56a und 56a' verbunden.
• Der Dünnfilmtransistor (TFT) gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Struktur, die sich entlang der Linie A-A' erstreckt. Man kann erkennen, dass sich die Gateleitung 34 in das Gebiet erstreckt, das durch die Elektrode 44 definiert ist. Diese Gateelektrode 44 ist die unterste Schicht, die unterhalb aller anderen Schichten in dem TFT liegt. Über der Gateelektrode ist eine Erweiterung der Datenleitung 32 (mit der Souceleitung des TFT), eine obere Metallschicht 40, die das Pixelelement 38 mit dem Rest des TFT (mit der Drainleitung des TFT) verbindet, abgeschieden. Ein Inselkanal 42 verbindet die obere Metallschicht 40 elektrisch mit der Datenleitung 32. Über dem TFT ist eine Passivierungsschicht (nicht gezeigt) abgeschieden. Es sind Einschnitte 43 und 36 durch die Passivierungsschicht vorgesehen, um einen elektrischen Kontakt zu dem Pixelelement 38 und dem TFT zu ermöglichen. Schließlich wird das Pixelelement 38 über der Passivierungsschicht abgeschieden und strukturiert.
• Im Betrieb ermöglicht eine auf dem Gateanschluss 44 platzierte Ladung, dass sich ein leitender Kanal zwischen der oberen Metallschicht 40 und der Datenleitung 32, über die aktive amorphe Siliziumschicht (wie dies detaillierter im Anschluss mit Bezug zu Fig. 3 beschrieben wird) ausbildet. Dies ermöglicht es, dass die Bilddaten (repräsentiert durch die auf der Datenleitung vorhandenen Ladung) in das Pixelelement 38 eingelesen werden können. Wenn die Ladung von dem Gate entfernt wird, wird der Ladungsstrom zwischen dem Pixelelement und der Datenleitung unterbrochen. Kondensatoren, etwa 35 und 35', stellen sicher, dass eine durch Leckströme verlorene Ladung im Laufe der Zeit erneuert wird.
• Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht der Pixelstruktur 50 entlang der Kurve A-A', die in Fig. 2 gezeigt ist. Anzumerken ist, dass Fig. 3 hinsichtlich der diversen Abmessungen der Schichten weder maßstabsgetreu ist, noch dass die Länge zusammenhängend wiedergegeben ist. Die Unterbrechung in der Länge deutet an, dass sich die Halbleiterschichten bis zu dem Anschluss 56a erstrecken.
• Das Substrat 52 ist aus einem geeigneten Material für AMLCD-Anwendungen, im Allgemeinen Glas, hergestellt. Das Gatemetall 44 und das Anschlussflächenmetall 56a werden über dem Substrat 52 abgeschieden und strukturiert. Eine untere Nitridschicht 56 (typischerweise SiN), eine aktive amorphe Siliziumschicht 58 und eine obere Nitridschicht 60 (typischerweise SiN) werden abgeschieden und die obere Nitridschicht 60 wird strukturiert. Anschließend wird N&spplus;-dotiertes Silizium 62 abgeschieden. Schließlich bilden eine Titan-Wolfram (TiW) Legierungsschicht 64, eine Aluminiumschicht 66 und eine weitere TiW-Schicht 68 die obere Metallschicht der Pixelstruktur 50. Die Metall- und N&spplus;-Schichten werden anschließend mittels einer Maske geätzt. Eine Passivierungsschicht 70 wird abgeschieden und so strukturiert, dass die letzte ITO-Pixelschicht 38 elektrisch die TFT-Oberseitenmetallschicht 68 und das Anschlussflächenmetall 56a kontaktiert. Die Schichten 58, 62, 64, 66 und 68, die das Pixelelement 38 mit dem TFT verbinden, definieren in etwa die Sourceleitung des TFT. Die entsprechenden Schichten, die die Anschlussflächenabdeckung 72' mit dem TFT verbinden, definieren in etwa die Drainleitung des TFT.
• Um den TFT einzuschalten, wird eine Ladung auf dem Gate 44 platziert. Die Ladung induziert einen leitenden Kanal, durch den ein Strom durch das aktive amorphe Silizium 60 fließt, wenn eine Potentialdifferenz zwischen dem Source (mit den Schichten 62', 64', 66' und 68') und der Drainleitung (mit den Schichten 62, 64, 66 und 68) besteht. Die eigentliche physikalische Funktionsweise und die Eigenschaften des leitenden Kanals sind dem Fachmann vertraut.
• Eine der Vorteile der in Fig. 3 dargestellten Pixelstruktur besteht in der Reduzierung eines Verlustspannungsabfalls. In der erfindungsgemäßen Pixelstruktur ist das Pixelelement 38 über seiner Passivierungsschicht 70 angeordnet - im Gegensatz zum Vergraben des Pixelelements unter der Passivierungsschicht. Wie zuvor erläutert ist, verhindert diese Anordnung den Verlustspannungsabfall über dem passivierenden Dielektrikum, der normalerweise auftreten würde, wenn die Passivierungsschicht zwischen dem Pixelelement und der Flüssigkristallschicht der AMLCD angeordnet wäre.
• Der andere Vorteil, der aus Fig. 3 zu erkennen ist, ist die verbesserte elektrische Isolation des Pixelelements 38 von den Metallleitungen 68, 66, 64 und 62 - mit Ausnahme, wo bewusst ein Kontakt durch Ausbilden von Einschnitten in der Passivierungsschicht 70 hergestellt ist. Die elektrische Isolierung ist auf zwei Arten verbessert. Erstens besitzt das oben geschichtete Pixelelement in der vertikalen Richtung einen größeren Abstand von diesen Leitungen. Zweitens wird erfindungsgemäß die Passivierungsschicht (die selbst ein Dielektrikum ist) zwischen dem Pixelelement und den Metallleitungen angeordnet.
• Fig. 4A-4F zeigen den Herstellungsvorgang der erfindungsgemäßen Pixelstruktur und die entsprechenden Strukturen nach jedem Schritt. Fig. 4A zeigt das Ergebnis des ersten Maskierungsschritts. Es werden jeweils Gate- und Anschlussmetallschichten 44 und 56a mit einer Dicke von 1500 Å abgeschieden. Die Metallschicht kann ein Sputter- abgeschiedenes MoCr oder eine Mehrschichtstruktur aus abwechselnden Schichten aus Aluminium und TiW, oder Aluminium und einer dualen dielektrischen Deckschicht mit bei tiefer Temperatur abgeschiedenen SiON mit SiN, das mit Plasma verstärkter chemischer Dampfabscheidung (PECVD) bei hoher Temperatur abgeschieden ist, umfasst. Dies ist detaillierter in den folgenden US-Anmeldungen erläutert: US 5 486 939, US 5 518 805. Diese Verfahren zur Bildung des Gates und der Anschlussmetallleitungen haben den Vorteil, dass ein geringer Widerstand in den Gateleitungen erzeugt wird. Ein separater Maskierungs/Ätzschritt wird anschließend durchgeführt, um die Abmessungen des Gates und der Anschlussfläche zu definieren.
• Fig. 4B zeigt die untere Nitridschicht 56 (typischerweise SiN), eine intrinsische Siliziumschicht 58, und eine obere Nitridschicht, die durch ein PECVD-Verfahren abgeschieden werden. Die untere Nitridschicht wird bei ungefähr 300-380ºC mit einer Dicke von ungefähr 3000 Å abgeschieden. Die intrinsische Siliziumschicht (mit 5-12% Wasserstoff) wird bei ungefähr 230-300ºC bei einer Dicke von ungefähr 300-500 Å abgeschieden. Die obere Nitridschicht wird hauptsächlich als eine Ätzstopschicht bei 200-250ºC mit einer Dicke von ungefähr 1000-1500 Å abgeschieden. Anschließend wird auf das obere Nitrid eine Fotomaske aufgebracht und geätzt - woraus die "Insel"-Struktur 60 entsteht.
• In Fig. 4C wird das N&spplus; Silizium 62 (mit 0.5-2% Phosphor und 5-15% Wasserstoff) bei 200-250ºC für eine Dicke von ungefähr 1000 Å abgeschieden. Mittels eines Maskierungs/Ätzschrittes wird die Anschlussfläche 56a durch die Schichten 56, 58 und 62 hindurch freigelegt.
• In Fig. 4D wird eine dünne (ungefähr 500 Å) Schicht aus TiW 64 durch Sputtern abgeschieden, gefolgt von einer dickeren Schicht (3000-4000 Å) aus Aluminiummetall 66, und abgedeckt von einer letzten (ungefähr 500-1000 Å) Schicht aus TiW 68. Diese drei Metallschichten werden mittels Sputtern nacheinander in einer Prozesskammer ohne Unterbrechung des Vakuums zwischen den Abscheidevorgängen abgelagert. Es wird ein Maskierungsschritt ausgeführt und ein Ätzschritt wird in drei Stufen durchgeführt: H&sub2;O&sub2; für das Ätzen des TiW, gefolgt von einem standardmäßigen Aluminiumätzen und letztlich einem weiteren H&sub2;O&sub2;-Ätzschritt für die untere TiW-Schicht. Ein letzter N&spplus;-Si- Ätzschritt mit 10 : 1 CF/O&sub2; erzeugt die endgültige TFT-Struktur.
• Anschließend wird eine Passivierungsschicht 70 abgeschieden, wie in Fig. 4E dargestellt ist. In einer Ausführungsform wird als das Passivierungsmaterial SiON mit einer Dicke von 6000 Å verwendet. Die Passivierungsschicht wird dann maskiert und geätzt, um den Kontakt mit dem TFT und der Anschlussfläche 56a bereitzustellen. Schließlich wird das ITO mittels reaktiven Sputterabscheidens in 0.5-1.5% O&sub2; mit einer Dicke von ungefähr 500-1000 Å abgeschieden. Das ITO wird mit einer Maske versehen und strukturiert, um das Pixelelement 38 und die Anschlussflächenschutzabdeckung 72' zu bilden. Schließlich wird das Pixelelement bei einer Temperatur von 200-230ºC für ungefähr eine Stunde ausgeheizt.
• Anzumerken ist, dass die Materialien oder die Prozessverfahren, die für eine der obigen Schichten ausgewählt sind, für die vorliegende Erfindung nicht entscheidend sind. Einer der neuen Aspekte der vorliegenden Erfindung ist das Anbringen des Pixelelements als die oberste Schicht auf der aktiven Matrixstruktur. Daher sollte die vorliegende Erfindung nicht auf die oben detailliert erläuterten Schritte der Herstellung eingeschränkt betrachtet werden.
• Zusammengefasst: Die vorliegende Erfindung ist eine neue Pixelstruktur für ein AMLCD- Element, wobei das Pixelelement als die oberste Schicht der AMLCD-Pixelstruktur abgeschieden und strukturiert ist. Diese Gestaltung verringert den unnötigen und unerwünschten Spannungsabfall, der auftritt, wenn das Pixelelement unterhalb einer Schicht, einschließlich der Passivierungsschicht der Pixelstruktur, angeordnet ist.

Claims (7)

1. Pixelstruktur (50) für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix, wobei die Struktur umfasst:

einen Dünnfilmtransistor mit einem auf einem Substrat (52) gebildeten Gatemetall (44), einer Source- (68', 66', 64') und einer Drain- (68, 66, 64) Leitung, die über dem Substrat gebildet sind, und einem Kanalbereich (58), und

ein Pixelelement (38) als die letzte Schicht der Pixelstruktur, die über dem Substrat (52) abgeschieden ist und eine Elektrode aufweist,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Drainleitung und die Sourceleitung aus einer Aluminiumschicht (66), die von TiW-Schichten (68, 64) eingeschlossen ist, gebildet sind, wobei eine der TiW- Schichten in Kontakt mit der Elektrode ist.

2. Eine Pixelstruktur nach Anspruch 1, wobei das Pixelelement (20) Indium-Zinn-Oxyd umfasst.

3. Die Pixelstruktur nach Anspruch 1 oder 2, die ferner eine periphere Metallanschlussfläche aufweist, die auf dem Substrat gebildet ist.

4. Die Pixelstruktur nach Anspruch 2 oder 3, die ferner eine Passivierungsschicht umfasst, die Öffnungen aufweist, die einen elektrischen Kontakt zu dem Dünnfilmtransistor und der peripheren Metallanschlussfläche ermöglicht.

5. Verfahren zum Herstellen einer Pixelstruktur (50) für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix mit den Schritten:

Bereitstellen eines Substrats (52);

Abscheiden einer Metallschicht auf dem Substrat und Strukturieren eines Gategebiets (44),

Abscheiden einer Isolierschicht (56) über dem Substrat;

Abscheiden eines dotierten Halbleitermaterials, wobei ein Drain, ein Source und ein Kanal bereitgestellt werden;

Bilden einer Drainleitung und einer Sourceleitung, die jeweils mit dem Drain und Source verbunden sind,

Bilden eines Pixelelements als die letzte Schicht der Pixelstruktur mit einer Elektrode, wobei die Elektrode mit der Drainleitung in Kontakt ist,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Drainleitung und die Sourceleitung gebildet werden durch

Abscheiden einer ersten TiW-Schicht;

Abscheiden einer Aluminiumschicht auf der ersten TiW-Schicht, und

Abscheiden einer zweiten TiW-Schicht auf der Aluminiumschicht, wobei die zweite TiW-Schicht mit der Elektrode in Kontakt ist.

6. Das Verfahren nach Anspruch 5, wobei eine periphere Metallanschlussfläche auf dem Substrat gleichzeitig mit der Strukturierung der Gateelektrode strukturiert wird.

7. Das Verfahren nach Anspruch 6, das ferner umfasst:

Bilden einer Passivierungsschicht über dem Dünnfilmtransistor und der peripheren Metallanschlussfläche; und

Bilden von Öffnungen in der Passivierungsschicht, um damit einen elektrischen Zugang zu dem Dünnfilmtransistor und der peripheren Metallanschlussfläche bereitzustellen.