DE881973C - Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen

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DE881973C
DE881973C DENDAT881973D DE881973DA DE881973C DE 881973 C DE881973 C DE 881973C DE NDAT881973 D DENDAT881973 D DE NDAT881973D DE 881973D A DE881973D A DE 881973DA DE 881973 C DE881973 C DE 881973C
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DE
Germany
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semiconductor
carbon
vapor
vapor deposition
systems
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DENDAT881973D
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English (en)
Inventor
Guenther Dipl-Ing Dobke
Werner Dr Phil Koch
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Description

  • Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen Zur Erzeugung kristalliner Halbleiterschichten auf einem Trägermaterial, insbesondere zur Erzeugung von Germaniumschichten, ist es erforderlich, daß die Trägerschicht selbst definiert kristallin gehalten ist. Dieses ist bei Kohlenstoff der bisher technisch brauchbaren Art normalerweise nicht der Fall. Man muß außerdem zur Erzielung geeigneter kristalliner Flächen definierter Zusammensetzung sauberen Kohlenstoff verwenden, weil dieser beim Aufdampfen des kristallinen Halbleiters auf Kohlenstoff als Trägersubstanz erhitzt werden muß und dann dabei die Schmelzbestandteile in den kristallinen Halbleiter übergehen würden und dort zur Bildung unerwünschter Störstellen führen würde.
  • Die Erfindung betrifft nun ein Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere Sperrschichtgleichrichtern oder gesteuerten Halbleitersystemen mit einem Halbleiter aus einem Element der IV. Gruppe des Periodischen Systems, vorzugsweise Germanium oder Silicium oder einer Verbindung bzw. Legierung der Elemente, das sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß das Halbleitermaterial auf eine Kohlenstoffschicht aufgedampft wird, die ihrerseits durch Aufdampfen auf einen Träger im Vakuum oder unter vermindertem Druck erzeugt ist.
  • Es hat sich als besonders günstig erwiesen, die Kohlenstoffschicht durch Kondensation von Kohlenstoffdampf herzustellen, der in den Fußpunkten eines zwischen Kohlenelektroden im Vakuum oder unter vermindertem Druck brennenden Lichtbogens erzeugt wird. Weiterhin ist es unter Umständen vorteilhaft, vor dem Aufdampfen des Halbleiters einige Atomlagen eines Materials aufzudampfen, das gegenüber dem Kohlenstoff Bindungskräfte besitzt und eine gleichmäßige flächenhafte Kondensation des Halbleiters fördert. Als solcher Stoff ist zum Aufbringen von Germanium z. B. Silicium zu nennen.
  • Bei der Verwendung eines Zwischenmaterials ist es zweckmäßig, das System vor dem Aufbringen der Halbleitersubstanz auf eine so hohe Temperatur zu erhitzen, daß zum mindesten teilweise I,#arbidbildung eintritt. Im angefübrten Beispiel wird das durch Tempern bei etwa zooo° C im Vakuum erreicht.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: r. Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere Sperrschichtgleichrichtern oder steuerbaren Halbleitersystemen, mit einem Halbleiter aus einem Element der IV. Gruppe des Periodischen Systems, vorzugsweise Germanium oder Silicium oder einer Verbindung der Elemente, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial auf eine Kohlenstoffschicht aufgedampft wird, die ihrerseits durch Aufdampfen auf einen Träger im Vakuum oder unter vermindertem Druck erzeugt ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, däß die Kohlenstoffschicht durch Kondensation von Kohlenstoffdampf hergestellt wird, der in den Fußpunkten eines zwischen Kohlenelektroden im Vakuum oder unter vermindertem Druck brennenden Lichtbogens erzeugt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch z und 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufdampfen des Halbleiters -einige Atomlagen eines Materials aufgedampft werden, das gegenüber dem Kohlenstoff Bindungskräfte besitzt und eine gleichmäßige Flächenkondensation des Halbleiters fördert. q.. Verfahren nach Anspruch z oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der Kohlenstoffträgerschicht beim Aufdampfen des Halbleitermaterials mindestens 300°'C beträgt. S. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das System vor dem Aufbringen der Halbleitersubstanz auf eine so hohe Temperatur erhitzt wird, daß mindestens teilweise Karbidbildung eintritt.
DENDAT881973D 1951-09-03 Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen Expired DE881973C (de)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1041163B (de) * 1955-03-02 1958-10-16 Licentia Gmbh Elektrisch steuerbares Halbleitersystem, z. B. Flaechentransistor, aus einem einkristallinen Halbleiterkoerper
DE1054802B (de) * 1956-03-05 1959-04-09 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Verdampfung von Stoffen, insbesondere zur Erzeugung der UEbergangszonen (junctions) von Transistoren
DE1201073B (de) * 1954-07-30 1965-09-16 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Legierung
DE1212640B (de) * 1952-10-24 1966-03-17 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem durch Waermebehandeln zusammengefuegten Halbleiterkoerper
DE1239766B (de) * 1962-07-12 1967-05-03 Telefunken Patent Verfahren zum Aufbringen einer haftfesten Nickelschicht auf eine auf einem Keramiktraeger aufgebrachte Glanzkohle-Widerstandsschicht
DE1269102B (de) * 1960-11-10 1968-05-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Siliciumschicht auf einer Graphitunterlage

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