DK1178595T3 - Kredslöbsindretning med lav induktivitet - Google Patents

Kredslöbsindretning med lav induktivitet

Info

Publication number
DK1178595T3
DK1178595T3 DK01115975T DK01115975T DK1178595T3 DK 1178595 T3 DK1178595 T3 DK 1178595T3 DK 01115975 T DK01115975 T DK 01115975T DK 01115975 T DK01115975 T DK 01115975T DK 1178595 T3 DK1178595 T3 DK 1178595T3
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
parallel
tracks
substrate
close together
strip
Prior art date
Application number
DK01115975T
Other languages
English (en)
Inventor
Paul Dr Mourick
Original Assignee
Semikron Elektronik Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Elektronik Gmbh filed Critical Semikron Elektronik Gmbh
Application granted granted Critical
Publication of DK1178595T3 publication Critical patent/DK1178595T3/da

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
DK01115975T 2000-08-01 2001-06-30 Kredslöbsindretning med lav induktivitet DK1178595T3 (da)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10037533A DE10037533C1 (de) 2000-08-01 2000-08-01 Induktivitätsarme Schaltungsanordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK1178595T3 true DK1178595T3 (da) 2007-01-08

Family

ID=7650997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK01115975T DK1178595T3 (da) 2000-08-01 2001-06-30 Kredslöbsindretning med lav induktivitet

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6381161B2 (da)
EP (1) EP1178595B1 (da)
JP (1) JP3796529B2 (da)
CN (1) CN100397769C (da)
AT (1) ATE339798T1 (da)
DE (2) DE10037533C1 (da)
DK (1) DK1178595T3 (da)
ES (1) ES2270928T3 (da)
PT (1) PT1178595E (da)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10110100B4 (de) * 2001-03-02 2008-03-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung für einen Treiber für Leistungsableitermodule
DE10127947C1 (de) * 2001-08-22 2002-10-17 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
DE10141114C1 (de) 2001-06-08 2002-11-21 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
JP3862980B2 (ja) * 2001-08-23 2006-12-27 Tdk株式会社 整流回路及びこれを備えるスイッチング電源装置
DE10237561C1 (de) 2002-08-16 2003-10-16 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung bzw. Schaltungsaufbau für Leistungshalbleitermodule
DE10344633A1 (de) * 2003-09-25 2005-06-09 Robert Bosch Gmbh Umrichter für eine elektrische Maschine, insbesondere für einen Starter oder einen Starter-Generator für ein Kraftfahrzeug
DE102004037078A1 (de) * 2004-07-30 2006-03-23 Siemens Ag Planare Verbindungstechnik für Stromführung im Fehlerfall
US7327024B2 (en) * 2004-11-24 2008-02-05 General Electric Company Power module, and phase leg assembly
DE102004059313B3 (de) 2004-12-09 2006-05-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit verringerten parasitären Induktivitäten
DE102006039975B4 (de) * 2006-08-25 2012-01-12 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Niederinduktives Leistungshalbleitermodul für stromeingeprägte Leistungsschaltungen
KR101194609B1 (ko) 2008-07-10 2012-10-25 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력용 반도체 모듈
US8622754B2 (en) * 2011-07-31 2014-01-07 General Electric Company Flexible power connector
US8637964B2 (en) * 2011-10-26 2014-01-28 Infineon Technologies Ag Low stray inductance power module
EP2862202B1 (en) * 2012-06-19 2016-04-27 ABB Technology AG Substrate for mounting multiple power transistors thereon and power semiconductor module
CN103022022A (zh) * 2012-12-25 2013-04-03 浙江大学 一种低寄生电感的igbt功率模块
KR102034717B1 (ko) * 2013-02-07 2019-10-21 삼성전자주식회사 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈
DE102013104522B3 (de) * 2013-05-03 2014-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Subeinheiten und Anordnung hiermit
DE102014102018B3 (de) 2014-02-18 2015-02-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit niederinduktiv ausgestalteten modulinternen Last- und Hilfsverbindungseinrichtungen
DE102014111931B4 (de) 2014-08-20 2021-07-08 Infineon Technologies Ag Niederinduktive Schaltungsanordnung mit Laststromsammelleiterbahn
DE102016102744B4 (de) * 2015-11-12 2017-11-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiteranordnung mit einer Mehrzahl von Leistungshalbleiter-Schaltelementen und verringerter Induktivitätsasymmetrie und Verwendung derselben
IT202200013243A1 (it) * 2022-06-22 2023-12-22 St Microelectronics Srl Modulo di potenza per circuito a semiponte con architettura scalabile e layout perfezionato
CN115085514A (zh) * 2022-07-25 2022-09-20 广东汇芯半导体有限公司 一种智能功率模块
DE102022209806A1 (de) 2022-09-19 2024-03-21 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Kondensatorbauelement und Bauteilanordnung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4907068A (en) * 1987-01-21 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
US5537074A (en) * 1993-08-24 1996-07-16 Iversen; Arthur H. Power semiconductor packaging
DE4130160A1 (de) * 1991-09-11 1993-03-25 Export Contor Aussenhandel Elektronische schaltung
JP2725952B2 (ja) * 1992-06-30 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
DE59304797D1 (de) * 1992-08-26 1997-01-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
EP0609528A1 (en) * 1993-02-01 1994-08-10 Motorola, Inc. Low inductance semiconductor package
DE4421319A1 (de) * 1994-06-17 1995-12-21 Abb Management Ag Niederinduktives Leistungshalbleitermodul
US5550436A (en) * 1994-09-01 1996-08-27 International Rectifier Corporation MOS gate driver integrated circuit for ballast circuits
DE59509057D1 (de) * 1994-11-07 2001-04-05 Eupec Gmbh & Co Kg Brücken-Modul
US5773320A (en) * 1995-11-13 1998-06-30 Asea Brown Boveri Ag Method for producing a power semiconductor module
US5705848A (en) * 1995-11-24 1998-01-06 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module having a plurality of submodules
EP0914708B1 (en) * 1996-07-22 2002-09-04 Hydro-Quebec Low stray interconnection inductance power converting module for converting a dc voltage into an ac voltage, and a method therefor
DE19630173C2 (de) * 1996-07-26 2001-02-08 Semikron Elektronik Gmbh Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen
DE19826731C2 (de) * 1998-06-16 2000-10-26 Gruendl & Hoffmann Halbbrückenbaugruppe

Also Published As

Publication number Publication date
ES2270928T3 (es) 2007-04-16
EP1178595B1 (de) 2006-09-13
EP1178595A3 (de) 2006-02-22
EP1178595A2 (de) 2002-02-06
DE50110990D1 (de) 2006-10-26
PT1178595E (pt) 2007-01-31
US20020018353A1 (en) 2002-02-14
CN100397769C (zh) 2008-06-25
JP2002151691A (ja) 2002-05-24
ATE339798T1 (de) 2006-10-15
US6381161B2 (en) 2002-04-30
JP3796529B2 (ja) 2006-07-12
CN1336689A (zh) 2002-02-20
DE10037533C1 (de) 2002-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE50110990D1 (de) Induktivitätsarme Schaltungsanordnung
ATE383658T1 (de) Leistungshalbleitermodul in druckkontaktierung
TW200503132A (en) Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
DE3871968D1 (de) Halbleiteranordnung mit mindestens einem halbleiterkoerper.
DE69923194D1 (de) Leitfähiger kontakt
DK0986130T3 (da) Antenne for radiodrevne kommunikationsterminaler
DK1209696T3 (da) Elektrisk ledning
DE69933038D1 (de) Leitfähiger kontakt
SE9802157D0 (sv) Elektrisk komponent
DE60109836D1 (de) Einbruchhemmende Vorrichtung
DE50210352D1 (de) Träger für eine elektrische schaltung, insbesondere für einen elektrischen schalter
WO2007131648A3 (de) Elektrischer sensor und dessen herstellung und verwendung
WO2003003472A3 (de) Transistor-anordnung, verfahren zum betreiben einer transistor-anordnung als datenspeicher und verfahren zum herstellen einer transistor-anordnung
DE50113759D1 (de) Eingedecktes Gleis
ATE457083T1 (de) Halbleitervorrichtung mit sicherungen und verfahren zu deren herstellung
DE10333315A1 (de) Leistungshalbleitermodul
ATE541312T1 (de) Chip mit zwei gruppen von chipkontakten
ATE513354T1 (de) Leiterplatte für eine dreiphasen- leistungseinrichtung mit eingebetteten richtungs- impedanzsteuerkanälen
DK1174922T3 (da) Hus til et integreret kredslöb med ledninger i samme plan
ATE282889T1 (de) Elektrische flachleiter-bandleitung
DE50107097D1 (de) Folienleiterplatte sowie deren Herstellungs- und Montageverfahren
FR2864688B1 (fr) Organe de contact electrique pour appareillage electrique en moyenne ou haute tension, procede et appareillage correspondants.
DE50010202D1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit stabilisierten Leiterbahnen
DE68910150D1 (de) Zweirichtungs-MOS-Schalter.
ATE219264T1 (de) Integrierte schaltung mit elektrischem kontakt