DK141107B - Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande - Google Patents

Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande Download PDF

Info

Publication number
DK141107B
DK141107B DK89176AA DK89176A DK141107B DK 141107 B DK141107 B DK 141107B DK 89176A A DK89176A A DK 89176AA DK 89176 A DK89176 A DK 89176A DK 141107 B DK141107 B DK 141107B
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
silk film
preparing
procedure
condensers
resistors
Prior art date
Application number
DK89176AA
Other languages
English (en)
Other versions
DK141107C (da
DK89176A (da
Inventor
W Anders
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19752513860 external-priority patent/DE2513860C3/de
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of DK89176A publication Critical patent/DK89176A/da
Publication of DK141107B publication Critical patent/DK141107B/da
Application granted granted Critical
Publication of DK141107C publication Critical patent/DK141107C/da

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

HD FREMLÆGS ELSESSKRIFT 1 i»· 1 1 07 DANMARK w into.»· et_· 4/10 «(21) Ansegnino nr. 891/76 (22) IncBavérat dan 2· 081*'. Ϊ575 (23) Lebedag 2. mST. 1976 (44) Ansegnlngen fremlagt og fremlseggeteesekrfftet offentliggjort den 14. Jan. 198Ο DIREKTORATET FOR 4 ^ t ^ PATENT-OG VAREMÆRKEVÆSENET <3°> Prioritet begæret fre den
27. mar. 1975# 2513660, DE
(71) SIEMENS AKTIENGESELLSCHAPT, Berlin und Muenchen, 8 Muenchen 2, Wit*=
Telsbacherplatz 2, DE.
(72) Opfinder: Wllfrled Anders# 8012 Rlemerllng, Auenstrasse 53a# DE.
(74) Fuldmesgtlg under sagens behandling: .Internationalt Patent-Bureau.
(64) Fremgangsmåde til fremstilling af en af tantal bestående film til tyndfllmkondensatorer eller tyndflimmodstande.
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af en af tantal bestående film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande, hvorved der på et substrat påføres en tantalfilm og derefter et fotolaklag, og det således fremstillede produkt derpå tørres, belyses, fremkaldes og skylles i vand, hvorefter lakken hærdes, og tantalfilmen ved hjælp af en ætseopløsning indeholdende en blanding af salpetersyre og flussyre bortætses på de ikke af laklaget dækkede steder, hvorpå der foretages en skylning i vand, en opløsning af lakmasken og en yderligere skyl-leproces.
Fra beskrivelsen til USA patent nr. 3.391.373 er det kendt at bortætse tantalfilmen på tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande ί bestemte områder ved hjælp af blandinger af flussyre og salpetersyre. Herved forsynes de steder, som ikke skal bortætses, med en lakmaske ved hjælp af fotolitografi. Ofte er lakmaskens 2 141107 vedhæftning imidlertid ikke tilstrækkelig, således at der afhængigt af beskaffenheden og tykkelsen af tantalfilmen kan optræde en stærk underætsning og/eller bortsvømning af lakmasken før afslutningen af ætseprocessen.
For at undgå denne ulempe er det almindeligt at forstærke fotolakkernes ved-hæftningsevne ved opvarmning af substratet med specielle laktilsætninger eller vedhæftningsformidlere. Denne fremgangsmåde kan imidlertid ikke anvendes ved tantalfilm. Ved disse er en tørring ved en temperatur over 150°C nemlig problematisk, da der allerede her optræder diffusionsfænomener samt overfladeoxidering. Kendte laktilsætninger er derimod ikke tilstrækkelige til anvendelse inden for tantaltynd-filmteknikken eller kræver en høj bearbejdningsteknisk indsats.
Opfindelsen tager sigte på at angive en fremgangsmåde til fremstilling af en af tantal bestående film, som skal ætses bort i områder, der skal fjernes i overensstemmelse med en belægningskonfiguration, hvorved angreb på eller underætsning af lakmasken undgås.
Fremgangsmåden ifølge opfindelsen er ejendommelig ved, at der til den af en blanding af omkring 40% flussyre og omkring 65% salpetersyre bestående ætseopløs-ning tilsættes en eddikesyre-tilsætning, og at blandingsforholdet for de nævnte bestanddele vælges til omkring 1:3:3.
Ætseopløsninger bestående af blandinger af flussyre og omkring 65% salpetersyre med eddikesyretilsætninger er i og for sig kendt, f.eks. fra A.F. Bogenschutz: "Atzpraxis fur Halbleiter", Carl Manser Verlag, Miinchen 1967, side 61-68. Ved disse tjener eddikesyretilsætningen imidlertid kun til pufferdannelse. Alle hidtil kendte bestræbelser på at forhindre underætsning og/eller bortsvømning af lakmasken har udelukkende været rettet mod beskaffenheden eller behandlingen af lakmasken. Ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen opnås der overraskende den størst mulige skånelse af lakmasken. Som følge heraf kan opvarmningen ved høje temperaturer falde bort, hvilken opvarmning på grund af de ovenfor anførte ulemper er problematisk. Den af eddikesyre bestående tilsætning til ætsemidlet overgår yderligere virkningen af de kendte laktilsætninger mange gange. Samtidigt udnyttes den kendte puffer- og fortyndingseffekt af eddikesyren.
I det følgende forklares opfindelsen nærmere under henvisning til et udførelseseksempel.
Udførelseseksemplet angår en fremgangsmåde til fremstilling af grundelektroden i en tantaltyndfilmkondensator. Grundmaterialet består af et hårdtglassubstrat, som ved hjælp af katodeforstøvningen er belagt med en tantalfilm på ca. 4500 k. Herefter påføres uden speciel tørring af det belagte hårdtglassubstrat et ca. 2^u tykt fotolaklag gennem centrifugering. En efterfølgende tørring foregår i en halv time ved 80°C i en cirkulationsovn. Derefter belyses produktet med en 200 W belysningsmaskine i ca. 12 sekunder og fremkaldes i ca. 50 sekunder i en fortyndet alkalisk fremkalder. Efter skylning i vand (10 min.) og udhærdning af lakken på en
DK89176A 1975-03-27 1976-03-02 Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende filmtil tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande DK141107C (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752513860 DE2513860C3 (de) 1975-03-27 Verfahren zur Herstellung einer aus Tantal bestehenden Schicht für Dünnschichtkondensatoren bzw. Dünnschichtwiderständen
DE2513860 1975-03-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DK89176A DK89176A (da) 1976-09-28
DK141107B true DK141107B (da) 1980-01-14
DK141107C DK141107C (da) 1980-07-07

Family

ID=5942665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK89176A DK141107C (da) 1975-03-27 1976-03-02 Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende filmtil tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande

Country Status (9)

Country Link
JP (1) JPS5823735B2 (da)
BE (1) BE840074A (da)
CH (1) CH604352A5 (da)
DK (1) DK141107C (da)
FR (1) FR2305838A1 (da)
GB (1) GB1504264A (da)
IT (1) IT1058515B (da)
NL (1) NL7603138A (da)
SE (1) SE7602902L (da)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722075B2 (ja) * 1987-01-23 1995-03-08 日通工株式会社 固体電解コンデンサの半導体層形成方法
US4934033A (en) * 1987-01-23 1990-06-19 Nitsuko Corporation Method of manufacturing a solid electrolytic capacitor
US4805074A (en) * 1987-03-20 1989-02-14 Nitsuko Corporation Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same
CN109881204B (zh) * 2017-12-06 2021-07-09 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种镁银合金清洗剂及清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
BE840074A (fr) 1976-09-27
GB1504264A (en) 1978-03-15
DE2513860A1 (de) 1976-09-30
DE2513860B2 (de) 1977-06-08
IT1058515B (it) 1982-05-10
FR2305838B1 (da) 1981-02-13
FR2305838A1 (fr) 1976-10-22
NL7603138A (nl) 1976-09-29
DK141107C (da) 1980-07-07
DK89176A (da) 1976-09-28
JPS5823735B2 (ja) 1983-05-17
CH604352A5 (da) 1978-09-15
JPS51121174A (en) 1976-10-22
SE7602902L (sv) 1976-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4411735A (en) Polymeric insulation layer etching process and composition
US4353778A (en) Method of etching polyimide
JPS56122130A (en) Method for forming pattern of thin film transistor
JPH0259452B2 (da)
US3935117A (en) Photosensitive etching composition
DK141107B (da) Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande
US3542550A (en) Photosensitive glass technique for forming contact holes in protective glass layers
US4202703A (en) Method of stripping photoresist
KR860007562A (ko) 사진용 소재의 제조방법
KR100372995B1 (ko) 반도체기판위에목적하는패턴의수지막을형성하는방법,반도체칩,반도체패키지,및레지스트상박리액
US3592691A (en) Photoresist removal method
JPS583984A (ja) クロム・エッチング用の酸性の水性エッチャント組成物
JPH06275511A (ja) ポリイミドパターンの形成方法
RU2195047C2 (ru) Способ формирования фоторезистивной маски
JP3359080B2 (ja) 耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH01151237A (ja) 透明導電性膜のエツチング方法
JPH02299234A (ja) ポリイミド膜のエッチング方法
JPS58162041A (ja) 薄膜形成方法
JPH02135352A (ja) 剥離液
JP2589471B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS58108230A (ja) ポリイミド樹脂用エツチング液
JPH1116883A (ja) ベンゾシクロブテン樹脂層のウェットエッチング処理方法
KR970067664A (ko) 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법(a cleaning solution and a method of cleaning a semiconductor device suing the same)
KR950025953A (ko) 반도체소자의 소자분리막 형성방법
JPS6035727A (ja) パタ−ンの製造法

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed