DK141107B - Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande - Google Patents
Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande Download PDFInfo
- Publication number
- DK141107B DK141107B DK89176AA DK89176A DK141107B DK 141107 B DK141107 B DK 141107B DK 89176A A DK89176A A DK 89176AA DK 89176 A DK89176 A DK 89176A DK 141107 B DK141107 B DK 141107B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- silk film
- preparing
- procedure
- condensers
- resistors
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Weting (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
HD FREMLÆGS ELSESSKRIFT 1 i»· 1 1 07 DANMARK w into.»· et_· 4/10 «(21) Ansegnino nr. 891/76 (22) IncBavérat dan 2· 081*'. Ϊ575 (23) Lebedag 2. mST. 1976 (44) Ansegnlngen fremlagt og fremlseggeteesekrfftet offentliggjort den 14. Jan. 198Ο DIREKTORATET FOR 4 ^ t ^ PATENT-OG VAREMÆRKEVÆSENET <3°> Prioritet begæret fre den
27. mar. 1975# 2513660, DE
(71) SIEMENS AKTIENGESELLSCHAPT, Berlin und Muenchen, 8 Muenchen 2, Wit*=
Telsbacherplatz 2, DE.
(72) Opfinder: Wllfrled Anders# 8012 Rlemerllng, Auenstrasse 53a# DE.
(74) Fuldmesgtlg under sagens behandling: .Internationalt Patent-Bureau.
(64) Fremgangsmåde til fremstilling af en af tantal bestående film til tyndfllmkondensatorer eller tyndflimmodstande.
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af en af tantal bestående film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande, hvorved der på et substrat påføres en tantalfilm og derefter et fotolaklag, og det således fremstillede produkt derpå tørres, belyses, fremkaldes og skylles i vand, hvorefter lakken hærdes, og tantalfilmen ved hjælp af en ætseopløsning indeholdende en blanding af salpetersyre og flussyre bortætses på de ikke af laklaget dækkede steder, hvorpå der foretages en skylning i vand, en opløsning af lakmasken og en yderligere skyl-leproces.
Fra beskrivelsen til USA patent nr. 3.391.373 er det kendt at bortætse tantalfilmen på tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande ί bestemte områder ved hjælp af blandinger af flussyre og salpetersyre. Herved forsynes de steder, som ikke skal bortætses, med en lakmaske ved hjælp af fotolitografi. Ofte er lakmaskens 2 141107 vedhæftning imidlertid ikke tilstrækkelig, således at der afhængigt af beskaffenheden og tykkelsen af tantalfilmen kan optræde en stærk underætsning og/eller bortsvømning af lakmasken før afslutningen af ætseprocessen.
For at undgå denne ulempe er det almindeligt at forstærke fotolakkernes ved-hæftningsevne ved opvarmning af substratet med specielle laktilsætninger eller vedhæftningsformidlere. Denne fremgangsmåde kan imidlertid ikke anvendes ved tantalfilm. Ved disse er en tørring ved en temperatur over 150°C nemlig problematisk, da der allerede her optræder diffusionsfænomener samt overfladeoxidering. Kendte laktilsætninger er derimod ikke tilstrækkelige til anvendelse inden for tantaltynd-filmteknikken eller kræver en høj bearbejdningsteknisk indsats.
Opfindelsen tager sigte på at angive en fremgangsmåde til fremstilling af en af tantal bestående film, som skal ætses bort i områder, der skal fjernes i overensstemmelse med en belægningskonfiguration, hvorved angreb på eller underætsning af lakmasken undgås.
Fremgangsmåden ifølge opfindelsen er ejendommelig ved, at der til den af en blanding af omkring 40% flussyre og omkring 65% salpetersyre bestående ætseopløs-ning tilsættes en eddikesyre-tilsætning, og at blandingsforholdet for de nævnte bestanddele vælges til omkring 1:3:3.
Ætseopløsninger bestående af blandinger af flussyre og omkring 65% salpetersyre med eddikesyretilsætninger er i og for sig kendt, f.eks. fra A.F. Bogenschutz: "Atzpraxis fur Halbleiter", Carl Manser Verlag, Miinchen 1967, side 61-68. Ved disse tjener eddikesyretilsætningen imidlertid kun til pufferdannelse. Alle hidtil kendte bestræbelser på at forhindre underætsning og/eller bortsvømning af lakmasken har udelukkende været rettet mod beskaffenheden eller behandlingen af lakmasken. Ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen opnås der overraskende den størst mulige skånelse af lakmasken. Som følge heraf kan opvarmningen ved høje temperaturer falde bort, hvilken opvarmning på grund af de ovenfor anførte ulemper er problematisk. Den af eddikesyre bestående tilsætning til ætsemidlet overgår yderligere virkningen af de kendte laktilsætninger mange gange. Samtidigt udnyttes den kendte puffer- og fortyndingseffekt af eddikesyren.
I det følgende forklares opfindelsen nærmere under henvisning til et udførelseseksempel.
Udførelseseksemplet angår en fremgangsmåde til fremstilling af grundelektroden i en tantaltyndfilmkondensator. Grundmaterialet består af et hårdtglassubstrat, som ved hjælp af katodeforstøvningen er belagt med en tantalfilm på ca. 4500 k. Herefter påføres uden speciel tørring af det belagte hårdtglassubstrat et ca. 2^u tykt fotolaklag gennem centrifugering. En efterfølgende tørring foregår i en halv time ved 80°C i en cirkulationsovn. Derefter belyses produktet med en 200 W belysningsmaskine i ca. 12 sekunder og fremkaldes i ca. 50 sekunder i en fortyndet alkalisk fremkalder. Efter skylning i vand (10 min.) og udhærdning af lakken på en
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752513860 DE2513860C3 (de) | 1975-03-27 | Verfahren zur Herstellung einer aus Tantal bestehenden Schicht für Dünnschichtkondensatoren bzw. Dünnschichtwiderständen | |
| DE2513860 | 1975-03-27 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK89176A DK89176A (da) | 1976-09-28 |
| DK141107B true DK141107B (da) | 1980-01-14 |
| DK141107C DK141107C (da) | 1980-07-07 |
Family
ID=5942665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK89176A DK141107C (da) | 1975-03-27 | 1976-03-02 | Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende filmtil tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823735B2 (da) |
| BE (1) | BE840074A (da) |
| CH (1) | CH604352A5 (da) |
| DK (1) | DK141107C (da) |
| FR (1) | FR2305838A1 (da) |
| GB (1) | GB1504264A (da) |
| IT (1) | IT1058515B (da) |
| NL (1) | NL7603138A (da) |
| SE (1) | SE7602902L (da) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722075B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-03-08 | 日通工株式会社 | 固体電解コンデンサの半導体層形成方法 |
| US4934033A (en) * | 1987-01-23 | 1990-06-19 | Nitsuko Corporation | Method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
| US4805074A (en) * | 1987-03-20 | 1989-02-14 | Nitsuko Corporation | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same |
| CN109881204B (zh) * | 2017-12-06 | 2021-07-09 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种镁银合金清洗剂及清洗方法 |
-
1976
- 1976-01-27 CH CH96476A patent/CH604352A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-27 SE SE7602902A patent/SE7602902L/xx unknown
- 1976-03-02 DK DK89176A patent/DK141107C/da not_active IP Right Cessation
- 1976-03-16 GB GB10433/76A patent/GB1504264A/en not_active Expired
- 1976-03-24 FR FR7608510A patent/FR2305838A1/fr active Granted
- 1976-03-24 IT IT21523/76A patent/IT1058515B/it active
- 1976-03-25 NL NL7603138A patent/NL7603138A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-03-26 JP JP51034115A patent/JPS5823735B2/ja not_active Expired
- 1976-03-26 BE BE165593A patent/BE840074A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE840074A (fr) | 1976-09-27 |
| GB1504264A (en) | 1978-03-15 |
| DE2513860A1 (de) | 1976-09-30 |
| DE2513860B2 (de) | 1977-06-08 |
| IT1058515B (it) | 1982-05-10 |
| FR2305838B1 (da) | 1981-02-13 |
| FR2305838A1 (fr) | 1976-10-22 |
| NL7603138A (nl) | 1976-09-29 |
| DK141107C (da) | 1980-07-07 |
| DK89176A (da) | 1976-09-28 |
| JPS5823735B2 (ja) | 1983-05-17 |
| CH604352A5 (da) | 1978-09-15 |
| JPS51121174A (en) | 1976-10-22 |
| SE7602902L (sv) | 1976-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4411735A (en) | Polymeric insulation layer etching process and composition | |
| US4353778A (en) | Method of etching polyimide | |
| JPS56122130A (en) | Method for forming pattern of thin film transistor | |
| JPH0259452B2 (da) | ||
| US3935117A (en) | Photosensitive etching composition | |
| DK141107B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af en af tantal bestaaende film til tyndfilmkondensatorer eller tyndfilmmodstande | |
| US3542550A (en) | Photosensitive glass technique for forming contact holes in protective glass layers | |
| US4202703A (en) | Method of stripping photoresist | |
| KR860007562A (ko) | 사진용 소재의 제조방법 | |
| KR100372995B1 (ko) | 반도체기판위에목적하는패턴의수지막을형성하는방법,반도체칩,반도체패키지,및레지스트상박리액 | |
| US3592691A (en) | Photoresist removal method | |
| JPS583984A (ja) | クロム・エッチング用の酸性の水性エッチャント組成物 | |
| JPH06275511A (ja) | ポリイミドパターンの形成方法 | |
| RU2195047C2 (ru) | Способ формирования фоторезистивной маски | |
| JP3359080B2 (ja) | 耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JPH01151237A (ja) | 透明導電性膜のエツチング方法 | |
| JPH02299234A (ja) | ポリイミド膜のエッチング方法 | |
| JPS58162041A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH02135352A (ja) | 剥離液 | |
| JP2589471B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58108230A (ja) | ポリイミド樹脂用エツチング液 | |
| JPH1116883A (ja) | ベンゾシクロブテン樹脂層のウェットエッチング処理方法 | |
| KR970067664A (ko) | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법(a cleaning solution and a method of cleaning a semiconductor device suing the same) | |
| KR950025953A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
| JPS6035727A (ja) | パタ−ンの製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PBP | Patent lapsed |