EP0334751B1 - Procédé et dispositif de clivage d'une plaquette de silicium - Google Patents

Procédé et dispositif de clivage d'une plaquette de silicium Download PDF

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EP0334751B1
EP0334751B1 EP19890400793 EP89400793A EP0334751B1 EP 0334751 B1 EP0334751 B1 EP 0334751B1 EP 19890400793 EP19890400793 EP 19890400793 EP 89400793 A EP89400793 A EP 89400793A EP 0334751 B1 EP0334751 B1 EP 0334751B1
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wafer
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tool
base
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Claude Cornu
André Poinard
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rectilinearly
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking

Definitions

  • the invention relates to the field of cleavage of silicon wafers having at least one flat on their circumference intended to be used as integrated circuit supports.
  • the invention relates to a device for cleaving such a wafer.
  • Cleavage that is to say the action of splitting an object in the direction of the layers which constitute it, is necessary at different stages of the manufacture of silicon wafers. Indeed, it is essential to carry out, during manufacture, several analyzes on these silicon wafers, in order to monitor and verify their correct manufacture. Observations and verifications under the microscope are generally always practiced. For this purpose, it is therefore necessary to take samples of platelets by splitting them. Currently, these verifications are carried out by operators, either manually with all the uncertainties that this represents, or by means of different equipment. Grinding wheels, diamond saws can be used to perform the cutting, but have many disadvantages. These are among others, a high cost, long production times, polluting work.
  • the object of the invention is to overcome these drawbacks.
  • the insert support can be moved horizontally and perpendicular to the horizontal movement of the tool, thanks to a micrometric screw.
  • the tightening of the wafer by tightening the flange towards the base, and in particular towards the "V" of the base, can be carried out by means of the jack actuating the support of the wafer vertically.
  • a silicon wafer 2 is shown, placed on a support 4, against a base 6.
  • a silicon wafer of this type has at minus one flat, two flat 8 have been shown here. It is by bringing a flat 8 into contact with the base 6 that we position along an axis XX ′ perpendicular to the contact surface of the base, the silicon wafer 2. Its positioning along an axis YY ′, perpendicular to the first axis XX ′ is ensured by a displacement of the support 4 along this axis YY ′.
  • the silicon wafers have, by their crystal structure, cleavage lines, identified in this figure, generally oriented at 90 ° relative to each other. This orientation is identified by the two flats 8 machined on the circumference of the silicon wafer 2. It is recalled that mechanical stresses exist inside the silicon wafer, and are arranged in the axis of the cleavage lines. They allow instant breakage of the wafer, when a slight pressure is exerted on these stresses, using a tip of a material of very high hardness, for example a diamond tip.
  • the means for positioning the silicon wafer 2 are completed by a first small-sized jack 12, called a micro jack, which actuates the support 4 of the wafer 2 vertically.
  • the transverse displacement of the wafer along the axis YY ′ is obtained using a micrometric screw 32 which drives the micro-jack 12 and the support 4. This movement makes it possible to bring the wafer on the axis XX ′ of the figure 1.
  • the method according to the invention uses a constraint tool 14 to exert pressure on the wafer.
  • This constraint tool 14 should preferably act perpendicular to the surface of the silicon wafer 2. It consists of a point made of a material of very high hardness, preferably a diamond point.
  • this constraint tool 14 is carried by a tool holder 16 which is mounted movable in translation along the axis XX ′ previously defined, and this by means of two guide bars 18.
  • an aiming device 20 is used, also mounted in translation on the two guide bars 18.
  • Fixing means are used for this purpose, which here consist mainly of the base 6 previously used for positioning the wafer. The clamping of the latter against the base 6 is ensured by a flange 22.
  • the clamping lugs 24 of the flange 22 can be lowered against the silicon wafer 2, which is in abutment against the base 6.
  • a means for separating the latter from the two sides of the cleavage line on which the pressure is applied are provided.
  • a V-shaped edge 26 is provided on the base 6, the point of the "V” being oriented upwards and constituting a support for the plate. This "V" point 26 is oriented along the cleavage line which will be used during the cleavage, that is to say perpendicular to the flat 8 bearing against the base.
  • This “V” point 26 furthermore makes it possible to prevent the flange 22 from flaking during cleavage, or even in certain cases, breaking the silicon wafer 2. On the other hand, it eliminates parasitic stresses and allows the symmetrical distribution of the tensions created by the flange 22.
  • a possible embodiment of the tightening can be controlled by the micro-jack 12 used for positioning the support 4.
  • an arm 30 is used which is integral with the movable piston of the jack and carrying a rod 28, placed vertically, so as to come to bear below the flange 22.
  • the support is also in the high position, as is this rod 28.
  • the plate of silicon 2 is in the cleavage position, and the flange 22 is raised by the rod 28, the fixing means being in the loosened position.
  • the mobile piston of the micro-jack 12 is lowered, as well as the support 4 and the rod 28.
  • the flange 22 can therefore descend to come and tighten the silicon wafer 2.
  • the force of this tightening is calibrated and can be obtained by means of a second cylinder 34.
  • the following operation consists in putting the constraint tool 14 in position for cleavage.
  • the latter is located as close as possible to the base 6, between the two clamping tabs 24 of the flange 22.
  • the constraint tool is as close as possible to the silicon wafer 2, the cleavage can take place.
  • the method according to the invention provides that the pressure action exerted by the constraint tool on the wafer is controlled, and calibrated.
  • This pressure action is not carried out by the operator but is applied for example by a calibrated spring, housed in the tool holder 16 of the constraint tool 14.
  • This pressure is preferably perpendicular to the plane of the insert.
  • the cleavage of the silicon wafer is instantaneous and is carried out along the cleavage line perpendicular to the flat surface 8 for positioning against the base 6.
  • the method according to the invention allows, after a first cleavage, to carry out a second. Indeed, and for this purpose, it is possible to use a second flat, perpendicular to the first in the case where it is desired to carry out a cleavage perpendicular to the first. If we want to make this second cleavage parallel to the first, it is possible to use as a flat positioning the new edge created by the previous cleavage.
  • the method and the device according to the invention offer the following advantages.
  • the state of the wafer after cleavage allows direct control of the sample taken.
  • the system according to the invention makes it possible to eliminate polishing and cleaning operations.
  • the limitation or absence of machining permitted by the use of the device according to the invention eliminates or limits the splashing of splinters which are, in certain machining cases, a danger for the operator.
  • the device according to the invention In the case of a circuit very advanced in its production, the device according to the invention remains of rapid use, although reduced operations of polishing and cleaning are in this case necessary.

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Description

  • L'invention concerne le domaine du clivage des plaquettes de silicium possédant au moins un méplat sur leur circonférence destinées à être utilisées en tant que supports de circuits intégrés.
  • L'invention a trait à un dispositif de clivage d'une telle plaquette.
  • Le clivage, c'est-à-dire l'action de fendre un objet suivant la direction des couches qui le constituent, est nécessaire à différents stades de la fabrication des plaquettes de silicium. En effet, il est indispensable d'effectuer, en cours de fabrication, plusieurs analyses sur ces plaquettes de silicium, pour en surveiller et vérifier la correcte fabrication. Des observations et vérifications au microscope sont généralement toujours pratiquées. Dans ce but, il faut donc prélever des échantillons de plaquettes en fendant ces dernières. Actuellement, ces vérifications sont effectuées par des opérateurs, soit manuellement avec toutes les incertitudes que cela représente, soit par l'intermédiaire de différents appareillages. Des meules, des scies-diamant peuvent être utilisées pour effectuer le découpage, mais présentent de nombreux inconvénients. Ces derniers sont entre autres, un coût élevé, des temps de réalisation longs, un travail polluant.
  • Le but de l'invention est de pallier ces inconvénients.
  • D'autre part, le brevet USA-4 653 680 divulgue un dispositif de clivage comprenant :
    • des moyens de positionnement ;
    • des moyens de fixation ;
    • un outil de contrainte, mobile perpendiculairement à ladite surface d'appui de l'embase pour son positionnement et mobile perpendiculairement au support pour son action sur l'objet ;
    • un dispositif de visée optique, mobile parallèlement au support pour positionner de façon précise la plaquette sur le support.
  • L'objet de l'invention est un dispositif de clivage d'une plaquette de silicium utilisant des moyens mettant en oeuvre un procédé comprenant les étapes suivantes, déjà connues du US-A- 4 498 451:
    • positionnement de la plaquette par rapport à un outil de contrainte,
    • fixation de la plaquette dans une position déterminée à l'aide de moyens de fixation,
    • clivage de la plaquette par action contrôlée sur la plaquette dudit outil de contrainte qui est constitué d'une pointe en un matériau de grande dureté, est mobile perpendiculairement à une surface d'appui des moyens de positionnement et mobile perpendiculairement à un support pour son action sur la plaquette,
      et comprenant un dispositif de visée optique mobile parallèlement au support pour positionner de façon précise la plaquette sur le support.
  • Selon l'invention, il comprend :
    • des moyens de positionnement constitués d'un micro-vérin actionnant le support de la plaquette et d'une embase contre une surface d'appui de laquelle la plaquette est positionnée, le positionnement de la plaquette se faisant par positionnement d'au moins un méplat par rapport aux moyens de fixation qui sont eux-mêmes positionnés par rapport à l'outil de contrainte,
    • des moyens de fixation constitués de l'embase qui comprend une arête en "V" et constituant un moyen de séparation de la plaquette, des deux côtés de la ligne de clivage sur laquelle on applique la contrainte, et perpendiculairement au méplat utilisé pour le positionnement, d'une bride et de moyens de rapprochement de cette embase et de cette bride pour fixer la plaquette.
  • On peut prévoir que le dispositif de visée et l'outil de contrainte puissent être déplacés parallèlement au support de la plaquette à l'aide des mêmes guides. Le support de plaquette peut être mobile horizontalement et perpendiculairement au déplacement horizontal de l'outil, grâce à une vis micrométrique.
  • D'une façon avantageuse, le serrage de la plaquette, par resserrement de la bride vers l'embase, et en particulier vers le "V" de l'embase, peut être effectué grâce au vérin actionnant verticalement le support de la plaquette.
  • L'invention et ses caractéristiques seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit, et qui est annexée des quatre figures suivantes représentant :
    • la figure 1, un schéma d'une plaquette positionnée par rapport à ses lignes de clivage,
    • la figure 2, le dispositif selon l'invention pendant la phase de positionnement de la plaquette,
    • la figure 3, une réalisation possible des moyens de fixation du dispositif selon l'invention, et
    • la figure 4, le dispositif selon l'invention pendant la phase de clivage.
  • Sur la figure 1, est représentée une plaquette de silicium 2, placée sur un support 4, contre une embase 6. De manière générale, une plaquette de silicium de ce type possède au moins un méplat, deux méplats 8 ont été ici représentés. C'est en mettant en contact un méplat 8 avec l'embase 6 que l'on positionne selon un axe XX′ perpendiculaire à la surface de contact de l'embase, la plaquette de silicium 2. Son positionnement selon un axe YY′, perpendiculaire au premier axe XX′ est assuré par un déplacement du support 4 le long de cet axe YY′.
  • Les plaquettes de silicium possèdent, de par leur structure cristalline, des lignes de clivage, repérées 10 sur cette figure, orientées généralement à 90° les unes par rapport aux autres. Cette orientation est repérée par les deux méplats 8 usinés sur la circonférence de la plaquette de silicium 2. On rappelle que des contraintes mécaniques existent à l'intérieur de la plaquette de silicium, et sont disposées dans l'axe des lignes de clivage. Elles permettent la rupture instantanée de la plaquette, lorsqu'on exerce une légère pression au niveau de ces contraintes, à l'aide d'une pointe d'un matériau de très grande dureté, par exemple une pointe diamantée.
  • En se référant maintenant à la figure 2, les moyens de positionnement de la plaquette de silicium 2 sont complétés d'un premier vérin 12 de petites dimensions, appelé micro-vérin, qui actionne verticalement le support 4 de la plaquette 2. Le déplacement transversal de la plaquette selon l'axe YY′ est obtenu à l'aide d'une vis micrométrique 32 qui entraîne le micro-vérin 12 et le support 4. Ce déplacement permet d'amener la plaquette sur l'axe XX′ de la figure 1. Pour effectuer le clivage, le procédé selon l'invention utilise un outil de contrainte 14 pour exercer une pression sur la plaquette. Cet outil de contrainte 14 doit agir de préférence perpendiculairement à la surface de la plaquette de silicium 2. Il est constitué d'une pointe en un matériau de très grande dureté, de préférence une pointe diamantée.
  • Dans la réalisation représentée par la figure 2, cet outil de contrainte 14 est porté par un porte-outil 16 qui est monté mobile en translation selon l'axe XX′ précédemment défini, et ceci à l'aide de deux barres de guidage 18. Dans ce cas, et pour faciliter le positionnement de la plaquette de silicium 2, on utilise un dispositif de visée 20, monté également en translation sur les deux barres de guidage 18.
  • Une fois la plaquette de silicium 2 positionnée, il est nécessaire de la fixer dans la position déterminée. On utilise à cet effet des moyens de fixation, qui sont ici constitués principalement de l'embase 6 précédemment utilisée pour le positionnement de la plaquette. Le serrage de celle-ci contre l'embase 6 est assuré par une bride 22.
  • Ce serrage est mieux représenté sur la figure 3, où l'on voit la bride 22 montée pivotante en rotation autour d'un axe ZZ′, placée dans le même plan que celui de la plaquette de silicium 2 et perpendiculaire à l'axe transversal XX′.
  • Par rotation de cette bride 22 autour de l'axe ZZ′, on peut abaisser les pattes de serrage 24 de la bride 22 contre la plaquette de silicium 2, qui est en appui contre l'embase 6. Pour faciliter la séparation de la plaquette de silicium 2 pendant le clivage, on prévoit d'utiliser un moyen de séparation de celle-ci des deux côtés de la ligne de clivage sur laquelle on applique la pression. Pour réaliser ces moyens de séparation, on a prévu sur l'embase 6 une arête en "V" 26, la pointe du "V" étant orientée vers le haut et constituant un appui pour la plaquette. Cette pointe en "V" 26 est orientée selon la ligne de clivage qui va être exploitée pendant le clivage, c'est-à-dire perpendiculairement au méplat 8 en appui contre l'embase. Cette pointe en "V" 26 permet en outre d'éviter que, lors du clivage, la bride 22 ne puisse écailler, ou même dans certains cas, casser la plaquette de silicium 2. D'autre part, elle élimine les contraintes parasites et permet la répartition symétrique des tensions créées par la bride 22.
  • En référence aux figures 2 et 4, une réalisation possible du serrage peut être commandée par le micro-vérin 12 utilisé pour le positionnement du support 4. On utilise dans ce cas un bras 30 solidaire du piston mobile du vérin et portant une tige 28, placée verticalement, de façon à venir en appui en-dessous de la bride 22. Lorsque le piston mobile du micro-vérin 12 est monté, le support est également en position haute, de même que cette tige 28. La plaquette de silicium 2 se trouve dans la position de clivage, et la bride 22 se trouve soulevée par la tige 28, les moyens de fixation étant en position désserrée.
  • Comme le montre la figure 4, dans la position de serrage, le piston mobile du micro-vérin 12 est descendu, de même que le support 4 et la tige 28. La bride 22 peut donc descendre pour venir serrer la plaquette de silicium 2. La force de ce serrage est calibrée et peut être obtenue par l'intermédiaire d'un deuxième vérin 34.
  • L'opération suivante consiste à mettre l'outil de contrainte 14 en position pour le clivage. Cette dernière se situe au plus près de l'embase 6, entre les deux pattes de serrage 24 de la bride 22. Quand l'outil de contrainte est au plus près de la plaquette de silicium 2, le clivage peut avoir lieu.
  • Le procédé selon l'invention prévoit que l'action de pression exercée par l'outil de contrainte sur la plaquette est contrôlée, et calibrée. Cette action de pression n'est pas effectuée par l'opérateur mais est appliquée par exemple par un ressort taré, logé dans le porte-outil 16 de l'outil de contrainte 14. Cette pression est de préférence perpendiculaire au plan de la plaquette de silicium 2. On utilise comme outil de contrainte 14, de préférence, une pointe diamantée. Le clivage de la plaquette de silicium est instantané et est effectué suivant la ligne de clivage perpendiculaire au méplat 8 de positionnement contre l'embase 6.
  • Le procédé selon l'invention permet, après un premier clivage, d'en effectuer un deuxième. En effet, et dans ce but, on peut utiliser un deuxième méplat, perpendiculaire au premier dans le cas où l'on veut effectuer un clivage perpendiculaire au premier. Si on veut effectuer ce deuxième clivage parallèlement au premier, il est possible d'utiliser comme méplat de positionnement le nouveau bord créé par le clivage précédent.
  • Le procédé et le dispositif selon l'invention offrent les avantages suivants.
  • Selon l'avancement de la réalisation des circuits sur la plaquette de silicium, l'état de la tranche après clivage, permet un contrôle direct de l'échantillon prélevé.
  • Divers défauts d'usinage inhérents aux dispositifs et systèmes de l'art antérieur, tels que les écailles, la forte pente, ainsi que des pollutions dues à l'abrasion disparaissent.
  • Le système selon l'invention permet de supprimer des opérations de polissage et de nettoyage. De plus, la limitation ou l'absence d'usinage permise par l'emploi du dispositif selon l'invention supprime ou limite les projections d'éclats qui sont, dans certains cas d'usinage, un danger pour l'opérateur.
  • Dans le cas d'un circuit très avancé dans sa réalisation, le dispositif selon l'invention reste d'un emploi rapide, bien que des opérations réduites de polissage et de nettoyage soient dans ce cas nécessaires.
  • On remarque également que, par rapport au système utilisant des opérateurs en permanence, le coût du système selon l'invention est diminué.

Claims (5)

1. Dispositif de clivage d'une plaquette de silicium (2), possédant au moins un méplat (8) sur sa circonférence comprenant :
- des moyens de positionnement de la plaquette (2) par rapport à un outil de contrainte (14) ;
- des moyens de fixation (6,22) de la plaquette (2) dans une position déterminée;
- des moyens de clivage de la plaquette (2) par action contrôlée sur la plaquette (2) dudit outil de contrainte (14) qui est constitué d'une pointe en un matériau de grande dureté, est mobile perpendiculairement à une surface d'appui des moyens de positionnement et mobile perpendiculairement à un support (4) pour son action sur la plaquette (2)
et comprenant un dispositif de visée optique (20), mobile parallèlement au support (4) pour positionner de façon précise la plaquette (2) sur le support (4),
caractérisé en ce que :
- les moyens de positionnement sont constitués d'un micro-vérin (12) actionnant le support (4) de la plaquette (2) et d'une embase (6) contre une surface d'appui de laquelle la plaquette (2) est positionnée, le positionnement de la plaquette (2) se faisant par positionnement d'au moins un méplat (8) par rapport aux moyens de fixation (6, 22) qui sont eux-mêmes positionnés par rapport à l'outil de contrainte (14) ;
- les moyens de fixation sont constitués de l'embase (6) qui comprend une arête en "V" et constituant un moyen de séparation de la plaquette (2), des deux côtés de la ligne de clivage sur laquelle on applique la contrainte, et perpendiculairement au méplat (8) de la plaquette (2) utilisé pour le positionnement, d'une bride (22) et de moyens de rapprochement de cette embase (6) et de cette bride (22) pour fixer la plaquette (2).
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'outil de contrainte (14) est monté sur un porte-outil (16), et en ce que ce porte-outil (16) et le dispositif de visée (20) sont montés mobiles en translation selon deux mêmes barres de guidage (18).
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le support (4) est mobile en translation perpendiculairement au déplacement du dispositif de visée (20) et au porte-outil (16), ceci grâce à une vis micrométrique (32).
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'axe mobile du micro-vérin (12) est solidaire d'une tige (28) pour commander le serrage de la plaquette (2) en même temps que la descente du support (4).
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'outil de contrainte (14) est constitué d'une pointe diamantée.
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EP0334751A1 EP0334751A1 (fr) 1989-09-27
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105082385A (zh) * 2015-08-10 2015-11-25 浙江辉弘光电能源有限公司 一种硅碇夹具用定位支撑座

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03181131A (ja) * 1989-12-11 1991-08-07 Naoetsu Denshi Kogyo Kk 半導体ウエハの補強材形成方法および装置
US7262115B2 (en) 2005-08-26 2007-08-28 Dynatex International Method and apparatus for breaking semiconductor wafers
US10773420B2 (en) 2011-11-10 2020-09-15 LatticeGear, LLC Device and method for cleaving a substrate
US10065340B2 (en) 2011-11-10 2018-09-04 LatticeGear, LLC Device and method for cleaving
CN103713102B (zh) * 2013-12-30 2015-04-29 哈尔滨工业大学 大口径光学元件表面微缺陷修复用二维大行程联动装置
CN107527841A (zh) * 2017-08-25 2017-12-29 浙江羿阳太阳能科技有限公司 一种硅片生产用加工装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3790051A (en) * 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
FR2192481A5 (fr) * 1972-07-13 1974-02-08 Bosonnet Mauric
GB2063149B (en) * 1979-11-13 1983-02-16 Arndrove Fabrications Ltd Pressure-applying hand tools for severing a scored ceramic tile
US4498451A (en) * 1983-08-05 1985-02-12 At&T Technologies, Inc. Cutting articles along known planes
US4653680A (en) * 1985-04-25 1987-03-31 Regan Barrie F Apparatus for breaking semiconductor wafers and the like

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105082385A (zh) * 2015-08-10 2015-11-25 浙江辉弘光电能源有限公司 一种硅碇夹具用定位支撑座

Also Published As

Publication number Publication date
DE68901566D1 (de) 1992-06-25
FR2629008B1 (fr) 1991-10-11
EP0334751A1 (fr) 1989-09-27
FR2629008A1 (fr) 1989-09-29

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