EP0675559A1 - Umschalter für den Hochfrequenzbereich - Google Patents

Umschalter für den Hochfrequenzbereich Download PDF

Info

Publication number
EP0675559A1
EP0675559A1 EP95104168A EP95104168A EP0675559A1 EP 0675559 A1 EP0675559 A1 EP 0675559A1 EP 95104168 A EP95104168 A EP 95104168A EP 95104168 A EP95104168 A EP 95104168A EP 0675559 A1 EP0675559 A1 EP 0675559A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
output
diodes
switching
branch
switched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP95104168A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0675559B1 (de
Inventor
Axel Dipl.-Ing. Brokmeier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Airbus Defence and Space GmbH
Original Assignee
Daimler Benz Aerospace AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19503300A external-priority patent/DE19503300A1/de
Application filed by Daimler Benz Aerospace AG filed Critical Daimler Benz Aerospace AG
Publication of EP0675559A1 publication Critical patent/EP0675559A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0675559B1 publication Critical patent/EP0675559B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

Definitions

  • the invention relates to a switch for the high frequency range according to the preamble of claim 1.
  • Such switches include an input gate and two output gates and have the effect that a high-frequency signal (RF signal) coupled into the input gate can alternatively be switched to one of the output gates as a function of a control signal.
  • RF signal high-frequency signal
  • Such switches are used in particular in radar technology in so-called T / R modules and are used in this Field of application also called SPDT switch (" S ingle P ole D ouble T hrow").
  • SPDT switch S ingle P ole D ouble T hrow
  • Such SPDT switches are for the maximum frequency range, for. B. designed the gigahertz (GHz) range.
  • the invention has for its object to provide a generic switch that enables the lossless switching of an RF signal with high power, with the highest possible isolation in the blocked branch and between the output gates and which can be produced in a cost-effective and reliable manner.
  • a first advantage of the invention is that in the X-band range (approximately 10 GHz) a structure with a power compatibility greater than or equal to 20 watts with an insertion loss in the switched branch of less than or equal to 1.0 dB and an insulation in the blocked branch greater than or equal 30 dB, isolation between the output gates greater than or equal to 30 dB and a standing wave ratio VSWR at all gates less than or equal to 2: 1 is possible.
  • a second advantage is that a mechanically compact and robust construction is possible in hybrid circuit technology.
  • a third advantage is that the diodes required for switching, e.g. PIN diodes are not directly in the RF signal path.
  • the non-blocking (switched through) branch can have a very high RF power, for example 25 W, with very little insertion loss.
  • the figure shows an exemplary circuit arrangement, which on a substrate, for. B. a ceramic substrate for a frequency range of z. B. 8 GHz can be produced.
  • the arrangement contains a y-shaped waveguide which is adapted to the specified frequency range and the RF power to be switched, the input branch EZ of which is coupled to the input gate TO and which branches at a branching point P1 into the two output branches AZ1, AZ2.
  • Each output branch AZ1, AZ2 contains a switchable filter for the specified frequency range, for example a band or low-pass filter.
  • the diodes D1 to D4 and D1 'to D4' preferably consist of PIN diodes for the specified HF range.
  • Two diode quartets D1 to D4 and D1 'to D4' are created. Each diode quartet contains two diode pairs D1, D4 and D2, D3 and D1 ', D4' and D2 ', D3'. For each pair of diodes, the associated diodes are on opposite sides of the associated output waveguide.
  • each diode quartet similar connections, for example anodes, are connected to the associated output waveguide, while the other connections (cathodes) are at reference potential (ground).
  • the diodes are polarized in opposite directions, so that depending on the switching voltage UB a filter, e.g. B. in the output branch AZ1, can be switched into the pass band, while the other filter, for. B. in the output branch AZ2, is switched to the locked state.
  • a filter e.g. B. in the output branch AZ1
  • the other filter for. B. in the output branch AZ2
  • the diodes are connected in opposite directions. This advantageously means that only a single switching voltage UB is required, which enables the filters in the output branches to always have opposite switching states for the RF signal.
  • a type of circuit polarity of the respective diode quartet can be set by selecting the spacing of the diode pairs within a diode quartet depending on the frequency range used. For example, it is possible to choose the distance between the two diode pairs in such a way that, in the case of high-resistance diodes (for the HF signal), this becomes transparent within a diode quartet for the prevailing RF signal, that is, the filter is switched to the on state. In the blocked state, each filter acts as a short circuit for the RF signal.
  • This short circuit is transformed in such a way that there is an open circuit for the relevant output branch at the branching point P1.
  • the RF power coupled into the input branch EZ is then advantageously conducted almost losslessly into the respective other output branch to the corresponding output gate.
  • the switching voltage UB a direct voltage, causes a direct current which is supplied to the switching points P2, P2 'via filters L, C or L', C '. These are coupled to the associated diode quartets via a line S or S ', which is also a component determining the filter.
  • the arrangement described also has the advantage that through the switchable filters present in the output branches AZ1, AZ2, the z. B. are carried out in a so-called quasi-lumped element design, in the RF signal at the input gate TO possibly existing harmonics are suppressed.
  • an insertion loss of less than or equal to 0.6 dB can be achieved in continuous operation with an RF power of greater than or equal to 20 watts (measured between an unlocked output gate and the Entrance gate TO).
  • the RF isolation in the blocked output branch is greater than 35 dB.
  • the RF isolation between the output gates T1, T2 is greater than 35 dB.
  • the invention is not limited to the example described, but can be applied analogously to others.
  • it is known to a person skilled in the art to choose a waveguide structure matched to it and corresponding switching diodes (diode quartets) for each RF range to be selected.

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Umschalter für den Hochfrequenzbereich, insbesondere einen Leistungs-SPDT-Schalter für das X-Band. Dabei sind in den Ausgangszweigen des Schalters durch Schaltdioden schaltbare Filter vorhanden, die durch lediglich eine Schaltspannung jeweils in entgegengesetzte HF-Schaltzustände (Sperrzustand oder Durchlaßzustand) geschaltet werden. <IMAGE>

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Umschalter für den Hochfrequenzbereich nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Solche Umschalter enthalten ein Eingangstor sowie zwei Ausgangstore und bewirken, daß ein in das Eingangstor eingekoppeltes Hochfrequenzsignal (HF-Signal) in Abhängigkeit von einem Steuersignal, alternativ auf eines der Ausgangstore geschaltet werden kann.
  • Solche Umschalter werden insbesondere in der Radartechnik in sogenannten T/R-Modulen verwendet und werden in diesem Anwendungsbereich auch SPDT-Schalter ("Single Pole Double Throw") genannt. Solche SPDT-Schalter sind für den Höchstfrequenzbereich, z. B. den Gigahertz(GHz)-Bereich ausgelegt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen gattungsgemäßen Umschalter anzugeben, der ein möglichst verlustloses Schalten eines HF-Signales mit hoher Leistung ermöglicht, wobei eine möglichst hohe Isolation im gesperrten Zweig und zwischen den Ausgangstoren vorhanden ist und der in kostengünstiger und zuverlässiger Weise herstellbar ist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Ausgestaltungen und/oder Weiterbildungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.
  • Ein erster Vorteil der Erfindung besteht darin, daß im X-Band-Bereich (ungefähr 10 GHz) ein Aufbau mit einer Leistungsverträglichkeit größer gleich 20 Watt bei einer Einfügungsdämpfung im durchgeschalteten Zweig mit kleiner gleich 1,0 dB, einer Isolation im gesperrten Zweig größer gleich 30 dB, einer Isolation zwischen den Ausgangstoren größer gleich 30 dB sowie einem Stehwellenverhältnis VSWR an allen Toren kleiner gleich 2:1 möglich ist.
  • Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß ein mechanisch kompakter sowie robuster Aufbau in hybrider Schaltungstechnologie möglich ist.
  • Ein dritter Vorteil besteht darin, daß die für den Schaltvorgang erforderlichen Dioden, z.B. PIN-Dioden, nicht direkt in dem HF-Signalweg liegen. Dadurch kann der nicht sperrende (durchgeschaltete) Zweig bei sehr geringer Einfügungsdämpfung eine sehr hohe Hf-Leistung, beispielsweise 25 W, führen.
  • Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispieles unter Bezugnahme auf eine schematisch dargestellte Figur näher erläutert.
  • Die Figur zeigt eine exemplarische Schaltungsanordnung, die auf einem Substrat, z. B. einem Keramiksubstrat, für einen Frequenzbereich von z. B. 8 GHz herstellbar ist. Die Anordnung enthält einen an den angegebenen Frequenzbereich und die zu schaltende HF-Leistung angepaßten y-förmig verzweigten Wellenleiter, dessen Eingangszweig EZ an das Eingangstor TO angekoppelt ist und der sich an einem Verzweigungspunkt P1 in die beiden Ausgangszweige AZ1, AZ2 verzweigt. Diese führen zu Ausgangstoren T1, T2, an denen die am Eingangstor EZ eingekoppelte HF-Leistung je nach Schaltzustand alternativ ausgekoppelt werden kann. Jeder Ausgangszweig AZ1, AZ2 enthält für den angegebenen Frequenzbereich ein schaltbares Filter, z.B ein Band- oder Tiefpaßfilter. Dieses besteht im wesentlichen aus dem Ausgangswellenleiter AZ1, bzw. AZ2, in den jeweils eine durch eine Schaltspannung UB schaltbare Diodenanordnung D1 bis D4 bzw. D1' bis D4' eingefügt ist. Dabei bestehen die Dioden D1 bis D4 sowie D1' bis D4' vorzugsweise aus PIN-Dioden für den angegebenen HF-Bereich. Es entstehen zwei Dioden-Quartette D1 bis D4 sowie D1' bis D4'. Jedes Dioden-Quartett enthält zwei Dioden-Paare D1, D4 sowie D2, D3 bzw. D1', D4' sowie D2', D3'. Bei jedem Dioden-Paar liegen die zugehörigen Dioden auf gegenüberliegenden Seiten des zugehörigen Ausgangswellenleiters. Bei jedem Dioden-Quartett sind jeweils gleichartige Anschlüsse, z.B. Anoden, mit dem zugehörigem Ausgangswellenleiter verbunden, während die jeweils andern Anschlüsse (Kathoden) auf Bezugspotential (Masse) liegen. In jedem Dioden-Quartett D1 bis D4 bzw. D1' bis D4' sind die Dioden entgegengesetzt gepolt, so daß in Abhängigkeit von der Schaltspannung UB immer ein Filter, z. B. im Ausgangszweig AZ1, in den Durchlaßbereich geschaltet werden kann, während das andere Filter, z. B. im Ausgangszweig AZ2, in den Sperrzustand geschaltet ist. Durch Änderung der Schaltspannung UB werden entgegengesetzte Schaltzustände der Filter erreicht. So sind z.B. in dem ersten Dioden-Quartett D1 bis D4 alle Kathoden mit dem zugehörigen Ausgangszweig AZ1 verbunden, während die Anoden auf Masse liegen. Bei dem zweiten Dioden-Quartett sind die Dioden entgegengesetzt geschaltet. Dadurch wird also vorteilhafterveise lediglich eine einzige Schaltspannung UB benötigt, die ermöglicht, daß die Filter in den Ausgangszweigen immer entgegengesetzte Schaltzustände für das HF-Signal besitzen. Durch eine von dem verwendeten Frequenzbereich abhängige Wahl des Abstandes der Dioden-Paare innerhalb eines Dioden-Quartettes ist eine Art Schaltungspolarität des betreffenden Dioden-Quartettes einstellbar. So ist es beispielsweise möglich, den Abstand zwischen den zwei Dioden-Paaren so zu wählen, daß bei hochohmig geschalteten Dioden (für das HF-Signal), innerhalb eines Dioden-Quartettes, dieses durchlässig wird für das anligende HF-Signal, das heißt, das Filter ist in den Durchlaßzustand geschaltet. Im Sperrzustand wirkt jedes Filter als Kurzschluß für das HF-Signal. Dieser Kurzschluß wird so transformiert, daß an dem Verzweigungspunkt P1 ein Leerlauf für den betreffenden Ausgangszweig entsteht. Die in den Eingangszweig EZ eingekoppelte HF-Leistung wird dann vorteilhafterveise nahezu verlustlos in den jeweils anderen Ausgangszweig zu dem entsprechenden Ausgangstor geführt. Die Schaltspannung UB, eine Gleichspannung, bewirkt einen Gleichstrom, der über Filter L, C bzw. L', C' den Schaltungspunkten P2, P2' zugeführt wird. Diese sind mit den zugehörigen Diodenquartetten über jeweils eine Leitung S bzw. S', die gleichzeitig ein das Filter bestimmender Bestandteil ist, gekoppelt. Die Schaltungspunkte P2, P2' liegen für das HF-Signal an Masse (kapazitiver Kurzschluß). Somit kann an diese Schaltungspunkte P2, P2' über eine induktive Zuleitung (L, L') die Steuerspannung für die Diodenquartette angelegt werden.
  • Die beschriebene Anordnung hat außerdem den Vorteil, daß durch die in den Ausgangszweigen AZ1, AZ2 vorhandenen schaltbaren Filter, die z. B. in einem sogenannten Quasi-Lumped-Element-Design ausgeführt sind, in dem HF-Signal am Eingangstor TO möglicherweise vorhandenen Harmonischen unterdrückt werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel für den Frequenzbereich von 8 GHz bis 12 GHz ist mit der beschriebenen Anordnung bei einer zu schaltenden HF-Leistung von größer gleich 20 Watt im Dauerbetrieb eine Einfügungsdämpfung von kleiner gleich 0,6 dB erreichbar (gemessen zwischen einem nicht gesperrten Ausgangstor sowie dem Eingangstor TO). Dabei ist die HF-Isolation in dem jeweils gesperrten Ausgangszweig größer 35 dB. Die HF-Isolation zwischen den Ausgangstoren T1, T2 ist größer 35 dB. An jedem Tor T0, T1, T2 ist vorteilhafterweise ein sehr geringes Stehwellenverhältnis vorhanden, z. B. ist VSWR kleiner gleich 1,1:1.
  • Die Erfindung ist nicht auf das beschriebene Beispiel beschränkt, sondern sinngemäß auf weitere anwendbar. Beispielsweise ist es einem Fachmann geläufig, bei jedem zu wählenden HF-Bereich eine daran angepaßte Wellenleiterstruktur sowie entsprechende Schaltdioden (Diodenquartette) zu wählen.

Claims (5)

  1. Umschalter für den Hochfrequenzbereich, bestehend aus einem Eingangstor und mindestens zwei Ausgangstoren sowie mindestens einem aktiven Halbleiterbauelement, mit dem ein an dem Eingangstor anliegendes Hochfrequenzsignal wahlweise auf eines der Ausgangstore umschaltbar ist, dadurch gekennzeichnet,
    - daß an das Eingangstor (T0) ein y-förmiger Wellenleiter (W) mit einem Eingangszweig (EZ) sowie zwei Ausgangszweigen (AZ1, AZ2) angeschlossen ist,
    - daß in jedem Ausgangszweig (AZ1, AZ2) ein durch Schaltdioden (D1 bis D4, D1' bis D4') schaltbares HF-Filter vorhanden ist und
    - daß die in den Ausgangszweigen (AZ1, AZ2) vorhandene Schaltdioden entgegengesetzt gepolt (geschaltet) sind, derart, daß lediglich eine Schaltspannung (UB) erforderlich ist, um die HF-Filter in entgegengesetzte HF-Schaltzustände (Durchlaßzustand bzw. Sperrzustand) zu schalten.
  2. Umschalter nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Filter in einem Quasi-Lumped-Element-Design ausgeführt ist.
  3. Umschalter nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
    - daß die Schaltdioden (D1 bis D4 bzw. D1' bzw. D4') als PIN-Dioden ausgebildet sind und
    - daß die Schaltdioden (D1 bis D4) jeweils eines Ausgangszweiges (AZ1) über einen Steuer-Wellenleiter (S) an eine Schaltspannung (UB) angeschlossen sind.
  4. Umschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der im jeden Ausgangszweig (AZ1, AZ2) vorhandene schaltbare HF-Bandpaß im gesperrten HF-Zustand einen HF-Kurzschluß bildet, der an dem Verzweigungspunkt (P1) der Wellenleiter (EZ, AZ1, AZ2) zu einem HF-Leerlauf transformiert ist.
  5. Umschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Verzweigungspunkt (P1) die Wellenleiter der Ausgangszweige (AZ1, AZ2) gekrümmt sind und daß der Wellenleiter des Eingangszweiges (EZ) an den Scheitelpunkt der Krümmung angekoppelt ist.
EP19950104168 1994-03-31 1995-03-22 Umschalter für den Hochfrequenzbereich Expired - Lifetime EP0675559B1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4411250 1994-03-31
DE4411250 1994-03-31
DE19503300 1995-02-02
DE19503300A DE19503300A1 (de) 1994-03-31 1995-02-02 Umschalter für den Hochfrequenzbereich

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0675559A1 true EP0675559A1 (de) 1995-10-04
EP0675559B1 EP0675559B1 (de) 2000-05-24

Family

ID=25935275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19950104168 Expired - Lifetime EP0675559B1 (de) 1994-03-31 1995-03-22 Umschalter für den Hochfrequenzbereich

Country Status (1)

Country Link
EP (1) EP0675559B1 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4078217A (en) * 1976-04-05 1978-03-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microwave isolation switch
US4502027A (en) * 1982-03-01 1985-02-26 Raytheon Company Bidirectional switch

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4078217A (en) * 1976-04-05 1978-03-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microwave isolation switch
US4502027A (en) * 1982-03-01 1985-02-26 Raytheon Company Bidirectional switch

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
G.H. NESBIT ET AL.: "Monolithic transmit/receive switch for millimeter-wave application", GAAS IC SYMPOSIUM 1987,TECHNICAL DIGEST;PORTLAND,US, 13 October 1987 (1987-10-13) - 16 October 1987 (1987-10-16), pages 147 - 148 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0675559B1 (de) 2000-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2645898C2 (de)
DE68907613T2 (de) Anordnung mit bandsperrfiltern.
DE112012002264B4 (de) Hochfrequenzschalter
DE19909521A1 (de) Elektronischer einpoliger Umschalter
DE69005075T2 (de) Hybrider Schalter mit GaAs-MMIC-FET und PIN-Diode.
DE2645899A1 (de) Phasenschieber in form einer pi-schaltung
DE68922177T2 (de) Schaltungsanordnung für Funkempfänger.
DE69307412T2 (de) Antennenumschaltanordnung zum Selektiven Verbinden einer Antenne mit einem Sender oder einem Empfänger
DE3712003A1 (de) Schalt-schaltungsanordnung
DE2255207A1 (de) Anordnung zum ableiten des fehlersignals in einem system zum selbsttaetigen nachfuehren einer mikrowellenantenne
DE2058485C3 (de) Anordnung für die Umschaltung und Verteilung von Hochfrequenz-Energie
DE10100559B4 (de) Einfachsymmetrischer Mischer
DE3202329C2 (de)
DE4341301C2 (de) Vielfach-Bit-Phasenschieber
DE60101089T2 (de) Multifunktionelle integrierte schaltungsanordnung hoher frequenz
DE3817772A1 (de) Phasenschieberkombinator
DE2518306C3 (de) Amplitudenbegrenzer
EP0675559B1 (de) Umschalter für den Hochfrequenzbereich
DE19635175A1 (de) Telekommunikationsgerät mit als Ringschaltung ausgeführter Schaltvorrichtung
DE3324540C2 (de) Breitbandiger Mikrowellenverstärker
DE19731085A1 (de) Einrichtung zum Senden und Empfangen von Radarwellen, insbesondere für einen Abstandssensor
DE19902346A1 (de) Kopplungsstruktur als Signalschalter
DE3507779A1 (de) Ueberlastschutz fuer hf-empfaenger
DE19503300A1 (de) Umschalter für den Hochfrequenzbereich
EP0328013B1 (de) Elektrischer Hohlleiterschalter

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE FR GB NL

17P Request for examination filed

Effective date: 19960320

17Q First examination report despatched

Effective date: 19971203

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: DAIMLERCHRYSLER AEROSPACE AG

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR GB NL

REF Corresponds to:

Ref document number: 59508368

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20000629

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 20000627

ET Fr: translation filed
PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20130321

Year of fee payment: 19

Ref country code: FR

Payment date: 20130408

Year of fee payment: 19

Ref country code: GB

Payment date: 20130321

Year of fee payment: 19

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 20130320

Year of fee payment: 19

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 59508368

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: V1

Effective date: 20141001

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20140322

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

Effective date: 20141128

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 59508368

Country of ref document: DE

Effective date: 20141001

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20140331

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20141001

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20140322

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20141001