EP0902459B1 - Eine Vorrichtung zur Herstellung von einem Halbleiter-Bauelement und ein diese Vorrichtung verwendenden Verfahren zur Herstellung einer Polysilizium-Schicht - Google Patents

Eine Vorrichtung zur Herstellung von einem Halbleiter-Bauelement und ein diese Vorrichtung verwendenden Verfahren zur Herstellung einer Polysilizium-Schicht Download PDF

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EP0902459B1
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wafer
cooling
reaction chamber
wafer transfer
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Cha-Young Yoo
Young-Sun Kim
Seung-Hee Nam
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    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Definitions

  • a cassette chamber in which a carrier having a wafer is loaded, a reaction chamber in which a processing for fabricating a semiconductor device proceeds, and a wafer cooling chamber after completing the processing are respectively connected to a polyhedral transfer chamber having a robot arm for transferring the wafer to the respective chambers.
  • the wafer for forming the polysilicon film is loaded in the cassette chamber 200.
  • the robot arm 212 places the wafer on the susceptor 394 in the reaction chamber 220 through the wafer transfer chamber 210. Then, the temperature of the reaction chamber 220 is raised to a certain temperature by the heater 390 in the heating block 392.

Claims (10)

  1. Vorrichtung zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements umfassend:
    eine Kassettenkammer (200) zum Laden eines Halbleiterwafers;
    eine Wafertransferkammer (210) mit einem Vorderteil, der mit der Kassettenkammer (200) verbunden ist;
    eine Reaktionskammer (220), die mit einem Hinterteil der Wafertransferkammer (210) verbunden ist; und eine Waferkühlkammer (230), die mit einem Seitenteil der Wafertransferkammer (210) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktionskammer (220) erste bis vierte Kühlmäntel (400, 410, 420, 430) aufweist, die jeweils an einer ersten Seitenwand (300) benachbart zur Wafertransferkammer (210), einer zweiten Seitenwand (320) gegenüberliegend zur ersten Seitenwand (300), einer oberen Wand (340) bzw. einer unteren Wand (360) angebracht sind.
  2. Vorrichtung von Anspruch 1, femer umfassend:
    ein Absperrventil (310) zwischen der Reaktionskammer (220) und der Wafertransferkammer (210) gelegen zum Trennen der Reaktionskammer (220) von der Wafertransferkammer (210), wobei das Absperrventil (310) einen fünften Kühlmantel (440) aufweist.
  3. Vorrichtung von Anspruch 2, worin der erste (400), zweite (410), dritte (420) und fünfte (440) Kühlmantel jeweils ein Kühlmittel ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kühlwasser und einer Mischung von Kühlwasser und Ethylenglykol aufweist.
  4. Verfahren zur Herstellung eines Polysiliciumfilms in der Vorrichtung nach Anspruch 1, umfassend die Schritte:
    , Laden eines Wafers zum Ausbilden eines Polysiliciumfilms in der Kassettenkammer;
    Überführen des geladenen Wafers zur Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer;
    Einströmen von Kühlmittel in den ersten bis vierten Kühlmantel;
    Ausbilden eines amorphen Siliciumfilms auf dem Wafer durch Einspritzen von Gas ausgewählt aus Silan, Disilan und einer Silan-Disilan-Gasmischung in die Reaktionskammer, wobei das Verhältnis von Si-Ian:Disilan im Bereich von 30:1 bis 1:30 liegt;
    Überführen des amorphen Siliciumfilms in einen Polysiliciumfilm, auf dem HSG-Si durch thermisches Behandeln des Wafers mit dem amorphen Siliciumfilm ausgebildet wird; und
    Überführen des Wafers, auf dem das HSG-Si ausgebildet ist, in die Kühlkammer und Kühlen des Wafers.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, worin die Temperatur des Kühlmittels im Wesentlichen weniger als 9 °C beträgt.
  6. Verfahren nach Anspruch 4, worin der Polysiliciumfilm eine untere Elektrode eines Kondensators ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 4, worin der Druck der Kassettenkammer auf weniger als 6,67x103 Pa (0,05 mtorr) eingestellt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 4 oder 6, worin der Druck der Kassettenkammer durch zehn bis dreißig Minuten langes Auspumpen eingestellt wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 4, worin der Druck der Kühlkammer und der Wafertransferkammer so eingestellt wird, dass er gleich ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, worin der Druck der Kühlkammer und der Wafertransferkammer auf weniger als 133x106 Pa (1,0 µtorr) eingestellt wird.
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