EP2143306B1 - Elektrode für plasmaerzeuger - Google Patents

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EP2143306B1
EP2143306B1 EP08718192A EP08718192A EP2143306B1 EP 2143306 B1 EP2143306 B1 EP 2143306B1 EP 08718192 A EP08718192 A EP 08718192A EP 08718192 A EP08718192 A EP 08718192A EP 2143306 B1 EP2143306 B1 EP 2143306B1
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slot
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plasma
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Andreea Cristina Andrei
Stephan Buchholz
Silvio Kühn
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    • H05H2277/10—Medical devices
    • H05H2277/11—Radiotherapy

Definitions

  • the invention relates to an electrode for a plasma generator for producing plasmas at atmospheric pressure or atmospheric pressures by excitation with microwaves.
  • Plasmas are used in many sedimentation, etching and layering processes.
  • vacuum-operated plasma reactors Apart from the costs associated with vacuum-operated plasma reactors, the use of vacuum is often prohibitive in this area, so the use of plasma at atmospheric pressure is a prerequisite. Also, treatment of vacuum sensitive materials such as certain polymers or sensitive foods is possible with low temperature plasmas at atmospheric or near atmospheric pressure.
  • the invention has for its object to provide an electrode for a plasma generator, which ignites safely especially in the near-atmospheric pressure range at low power and is able to generate a plasma with sufficiently high density, so that a penetrating gas flow is activated with high efficiency.
  • the electrode consists of a metal strip, in the longitudinal direction of which at least one slot is introduced having a length which is one or more times a quarter of the wavelength of the open circuit voltage of the microwave, so that form at least two partial electrodes, wherein the voltage supply to the sub-electrodes takes place in the region of the closed slot end or the closed slot ends.
  • the structure of the electrode exploits frequency-dependent, resonant properties of the structure and generates at a defined location a high electric field strength, at which the ignition of the plasma is made possible.
  • the strong field is typically formed by at least two electrodes physically close to each other. If electric power in the form of microwaves is introduced into the structure at a suitable point, a high alternating potential difference arises at the end of the slot. Due to the short distance between the opposing electrodes, the resulting field strength is very high. At the point of the highest electric field, the ignition of a plasma at atmospheric pressure or at atmospheric pressure is possible with sufficiently high feed power. After ignition, only a fraction of the required ignition power is required to operate.
  • the frequency of the feed-in power depends on the physical dimensions of the electrode. In particular, the length of the slot has a significant influence on the frequency and is approximately the multiple of the quarter wavelength.
  • the feed takes place in the case of a unilaterally open slot, for example by a coaxial line, wherein the Inner conductor is guided on one side of the slot to the point in which there is approximately in idle adjustment.
  • the electrode is bent in this case U-shaped or circular.
  • the feed takes place in the latter case, for example, by a coaxial line, wherein the inner conductor branches in a T-shape and is guided on both sides in the region of the two slot ends to the electrode.
  • the electrode is preferably powered by a free-running oscillator circuit, the electrode itself being the frequency-determining element.
  • the oscillator circuit can be constructed integrated with the electrode.
  • the electrode may be preferred for medical treatment purposes, especially the treatment of human skin, as well be used for modifying the surface energy of workpieces or for plasma-chemical deposition of layers.
  • Fig. 1 shows an example of a resonator of a plasma generator.
  • a slot 2 is introduced in a metal strip 1, which serves as an electrode.
  • the slot 2 separates the sheet metal strip 1 into two sub-electrodes 3, which generate a high electric field strength during operation with a high-frequency voltage which is conducted via the inner conductor 4 of a coaxial line 5 to the sheet metal strip 1.
  • the slot 2 is typically ⁇ / 4 long. In a real running design for a supply voltage with a frequency of 2 GHz, this resulted in a slot 2 of 37.5 mm. Its width was 0.1 mm.
  • the inner conductor 4 of the coaxial line 5 is guided in the region of the slot end to the outside edge of the metal strip 1, to a point at the resonance is generated with an oscillator.
  • the outer conductor 6 of the coaxial line 5 is guided on the opposite side of the metal strip 1 at its outer edge.
  • Fig. 2 shows an electrode of a U-shaped bent sheet metal strip 1 with a slot 2.
  • the slot 2 in this case ⁇ / 2 long.
  • the inner conductor 4 of the coaxial line 5 is branched in a T-shape and guided on the two opposite sides of the sheet metal strip 1 in the region of the slot end.
  • the outer conductor 6 is connected to the opposite sides of the sheet metal strip 1.
  • the highest field strength arises in this embodiment in the middle of the slot 2, that is at the leading edge of the sheet metal strip 1. After the ignition of the plasma at this point, the plasma expands at least over the entire region of the front edge of the sheet metal strip 1.
  • Fig. 3 schematically shows the structure of a completed by a housing 7 resonator.
  • the housing 7 (shown here in the quasi-open state) has a reflective effect and thus prevents electromagnetic radiation to the outside.
  • a gas feed line 8 is provided in the rear housing wall and a slot-shaped gas outlet 9 is provided in the front wall.

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Description

  • Die Erfindung betrifft eine Elektrode für einen Plasmaerzeuger zur Erzeugung von Plasmen bei Atmosphärendruck oder atmosphärennahen Drücken durch Anregung mit Mikrowellen.
  • Plasmen werden bei vielen Sedimentations-, Ätz- und Schichtbildungsprozessen eingesetzt.
  • Jüngste Bestrebungen gehen dahin, geeignete Niedertemperaturplasmen auch unter Nichtvakuum-Bedingungen zu erzeugen. Derartige Reaktoren arbeiten mit Corona-Entladungen oder Glimmentladungen. Eine Übersicht über solche Plasmaerzeuger findet sich in Laroussi, Nonthermal Decontamination of Biological Media by Atmospheric-Pressure Plasmas: Review, Analysis, and Prospects, IEEE Transactions on Plasma Science, Vol. 30, No. 4, August 2002, S. 1409-1415 oder auch in Schütze et al., The Atmospheric-Pressure Plasma Jet: A Review and Comparison to Other Plasma Sources, a.a.O., Vol. 26, No. 6, December 1998. Die hier beschriebenen Plasmareaktoren sollen u. a. für biologische und medizinische Zwecke eingesetzt werden. Abgesehen von den Kosten, die bei Plasmareaktoren entstehen, die unter Vakuum arbeiten, verbietet sich in diesem Bereich oftmals die Anwendung von Unterdruck, so dass hier die Anwendung von Plasma bei Atmosphärendruck eine Voraussetzung ist. Auch eine Behandlung von vakuumempfindlichen Materialien wie bestimmte Polymere oder von empfindlichen Lebensmitteln wird mit Niedertemperaturplasmen bei atmosphärischem oder atmosphärennahem Druck möglich.
  • Ein weiteres Beispiel eines Mikrowellen-Plasmaerzeugersbei Atmosphärendruck ist in JAEHO et Al. ; "2.45 GHz microwave-excited atmospheric pressure air microplasmas based on microstripo technology" - Applied Physics Letters - BD 86, Nr.19, 9. Mai 2005, seiten 191504/1-3.
  • Für die Plasmaerzeuger müssen Stromversorgungen mit hoher Leistung bereitgehalten werden, wobei die hohe Leistung nur zur Zündung benötigt wird.
  • Für den Elektrodenabstand muss immer ein Kompromiss zwischen dem Zündverhalten und dem stabilen Plasmabetrieb geschlossen werden. Für die Zündung optimale kleine Elektrodenabstände führen zu sehr kleinen Plasmavolumina und hoher Punktbelastung der Elektroden. Größere Elektrodenabstände führen zu extrem hohen Zündspannungen und instabilem Plasmaverhalten.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Elektrode für einen Plasmaerzeuger anzugeben, die insbesondere im atmosphärennahen Druckbereich bei kleinen Leistungen sicher zündet und ein Plasma mit genügend hoher Dichte zu generieren vermag, sodass ein durchdringender Gasstrom mit hoher Effizienz aktiviert wird.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch eine Elektrode mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Zweckmäßige Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Danach besteht die Elektrode aus einem Blechstreifen, in dessen Längsrichtung mindestens ein Schlitz mit einer Länge eingebracht ist, die das Ein- oder Mehrfache eines Viertels der Wellenlänge der Leerlaufspannung der Mikrowelle beträgt, so dass sich mindestens zwei Teilelektroden bilden, wobei die Spannungszuleitung an die Teilelektroden im Bereich des geschlossenen Schlitzendes oder der geschlossenen Schlitzenden erfolgt.
  • Bei der erfindungsgemäßen Elektrode gibt es unter Berücksichtigung der Anregungsfrequenz im Leerlauf einen geometrischen Punkt hoher Feldstärke, an dem das Plasma zündet. Bei gezündetem Plasma verändert sich durch die Plasmaimpedanz die Feldverteilung in der Elektrodenstruktur und das Plasma wandert an einen anderen Ort bzw. verbreitert sich innerhalb des Elektrodenschlitzes und breitet sich in einem größeren Volumen aus.
  • Die Struktur der Elektrode nutzt frequenzabhängige, resonante Eigenschaften des Aufbaues aus und generiert an definierter Stelle eine hohe elektrische Feldstärke, an der die Zündung des Plasmas ermöglicht wird. Das starke Feld entsteht typischerweise an mindestens zwei Elektroden die sich physikalisch nah gegenüber stehen. Wird nun elektrische Leistung in Form von Mikrowellen an geeigneter Stelle in die Struktur eingebracht, entsteht am Ende des Schlitzes eine hohe alternierende Potentialdifferenz. Durch den geringen Abstand der sich gegenüberstehenden Elektroden ist die resultierende Feldstärke sehr hoch. An der Stelle des höchsten elektrischen Feldes ist, bei genügend hoher Speiseleistung, die Zündung eines Plasmas bei Atmosphärendruck bzw. bei atmosphärennahem Druck möglich. Nach erfolgter Zündung ist zum Betrieb nur ein Bruchteil der erforderlichen Zündleistung nötig. Die Frequenz der Einspeiseleistung ist abhängig von den physikalischen Dimensionen der Elektrode. Besonders die Länge des Schlitzes hat maßgeblichen Einfluss auf die Frequenz und beträgt in etwa das Vielfache der Viertelwellenlänge.
  • Die Einspeisung erfolgt im Fall eines einseitig offenen Schlitzes zum Beispiel durch eine Koaxialleitung, wobei der Innenleiter an einer Seite des Schlitzes an die Stelle geführt ist, bei der im Leerlauf in etwa Anpassung herrscht.
  • Auch Aufbauten mit beidseitig geschlossenem Schlitz sind nach diesem Prinzip möglich. Das höchste elektrische Feld und somit auch das Plasma entstehen dann in der Mitte des Schlitzes. Zweckmäßig ist die Elektrode in diesem Fall U-förmig oder kreisförmig gebogen.
  • Die Einspeisung erfolgt im letztgenannten Fall zum Beispiel durch eine Koaxialleitung, wobei der Innenleiter sich T-förmig verzweigt und auf beiden Seiten im Bereich der beiden Schlitzenden an die Elektrode geführt ist.
  • Zum Beispiel für die Behandlung von Prozessgasen ist die Elektrode zweckmäßig von einem Abschirmgehäuse umgeben, in dem sich eine Öffnung zum Zuführen und eine weitere Öffnung zum Herausführen der vom Plasma aktivierten Prozessgase befindet. Die Öffnungen sollten eine solche Größe haben, dass die Abstrahlung von Mikrowellenenergie im zulässigen Bereich bleibt.
  • Die Elektrode wird in bevorzugter Weise von einer freilaufenden Oszillatorschaltung versorgt, wobei die Elektrode selbst das die Frequenz bestimmende Element darstellt. Die Oszillatorschaltung kann mit der Elektrode integriert aufgebaut werden.
  • Die Elektrode kann bevorzugt für medizinische Behandlungszwecke, insbesondere die Behandlung menschlicher Haut, aber auch zur Modifizierung der Oberflächenenergie von Werkstücken oder zur plasmachemischen Abscheidung von Schichten eingesetzt werden.
  • Die Erfindung soll nachstehend anhand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen
    • Fig. 1
    ein Beispiel für eine erfindungsgemäße Elektrode eines Resonators,
    Fig. 2
    ein Beispiel für eine geschlossene Bauform einer Elektrode eines Resonators und
    Fig. 3
    den Resonator gemäß Fig. 2 in ein Gehäuse eingebet- tet.
  • Fig. 1 zeigt ein Beispiel für einen Resonator eines Plasmaerzeugers. In einen Blechstreifen 1, der als Elektrode dient, ist ein Schlitz 2 eingebracht. Der Schlitz 2 trennt den Blechstreifen 1 in zwei Teilelektroden 3 auf, die beim Betrieb mit einer hochfrequenten Spannung, die über den Innenleiter 4 einer Koaxialleitung 5 an den Blechstreifen 1 geführt wird, eine hohe elektrische Feldstärke erzeugen. Der Schlitz 2 ist typischerweise λ/4 lang. Bei einer real ausgeführten Ausführung für eine Versorgungsspannung mit einer Frequenz von 2 GHz ergab sich damit ein Schlitz 2 von 37,5 mm. Seine Breite betrug 0,1 mm. Der Innenleiter 4 der Koaxialleitung 5 ist im Bereich des Schlitzendes an den Außerrand des Blechstreifens 1 geführt, an einen Punkt, an dem Resonanz mit einem Oszillator erzeugt wird. Der Außenleiter 6 der Koaxialleitung 5 ist an der gegenüberliegenden Seite des Blechstreifens 1 an dessen Außenrand geführt.
  • Nach Anlegen der Versorgungsspannung entsteht am Schlitzende eine hohe Feldstärke, die zum Zünden eines Plasmas bei Atmosphärendruck reicht. Nach dem Zünden bewegt sich das Plasma in den Schlitz 2 hinein und vergrößert sein Volumen, wobei es ein stabiles Verhalten zeigt.
  • Fig. 2 zeigt eine Elektrode aus einem U-förmig gebogenen Blechstreifen 1 mit einem Schlitz 2. Der Schlitz 2 ist in diesem Fall λ/2 lang. Der Innenleiter 4 der Koaxialleitung 5 wird T-förmig verzweigt und an die zwei sich gegenüberstehenden Seiten des Blechstreifens 1 im Bereich des Schlitzendes geführt. Der Außenleiter 6 wird mit den gegenüberliegenden Seiten des Blechstreifens 1 verbunden. Die höchste Feldstärke entsteht bei dieser Ausführungsform in der Mitte des Schlitzes 2, das heißt an der Vorderkante des Blechstreifens 1. Nach dem Zünden des Plasmas an dieser Stelle dehnt sich das Plasma mindestens auf den gesamten Bereich der Vorderkante des Blechstreifens 1 aus.
  • Fig. 3 zeigt schematisch den Aufbau eines durch ein Gehäuse 7 komplettierten Resonators. Das Gehäuse 7 (hier im quasi geöffneten Zustand dargestellt) wirkt reflektierend und unterbindet so eine elektromagnetische Abstrahlung nach außen. Um mit diesem Plasmaerzeuger ein Prozessgas zu behandeln, ist in der hinteren Gehäusewand eine Gaszuleitung 8 und in der Vorderwand eine schlitzförmige Gasausleitung 9 vorgesehen.
    • Bezugszeichenliste
    • 1
    Blechstreifen
    2
    Schlitz
    3
    Teilelektrode
    4
    Innenleiter
    5
    Koaxialleitung
    6
    Außenleiter
    7
    Gehäuse
    8
    Gaszuleitung
    9
    Gasausleitung

Claims (11)

  1. Elektrode für einen Plasmaerzeuger zur Erzeugung von Plasmen bei Atmosphärendruck oder atmosphärennahen Drücken durch Anregung mit Mikrowellen,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie aus einem Blechstreifen (1) besteht, in dessen Längsrichtung mindestens ein Schlitz (2) mit einer Länge eingebracht ist, die das Ein- oder Mehrfache eines Viertels der Wellenlänge der Leerlaufspannung der Mikrowelle beträgt, so dass sich mindestens zwei Teilelektroden (3) bilden, wobei die Spannungszuleitung an die Teilelektroden (3) im Bereich des geschlossenen Schlitzendes oder der geschlossenen Schlitzenden erfolgt.
  2. Elektrode nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    der Schlitz (2) an seinem einen Ende geschlossen, am anderen Ende offen ist.
  3. Elektrode nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    der Schlitz (2) an beiden Seiten geschlossen ist.
  4. Elektrode nach Anspruch 3,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie U-förmig gebogen ist.
  5. Elektrode nach Anspruch 3,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie kreisförmig gebogen ist.
  6. Elektrode nach Anspruch 1 oder 2,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie durch eine koaxiale Einspeisung (5) versorgt wird, wobei der Innenleiter (4) an einer Seite des Schlitzes (2) an die Stelle geführt ist, bei der im Leerlauf in etwa Anpassung herrscht.
  7. Elektrode nach einem der Ansprüche 3 bis 5,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie durch eine koaxiale Einspeisung (5) versorgt wird, wobei der Innenleiter (4) sich T-förmig verzweigt und auf beiden Seiten im Bereich der beiden Schlitzenden an die Elektrode geführt ist.
  8. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie von einem Abschirmgehäuse (7) umgeben ist.
  9. Elektrode nach Anspruch 8,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sich in dem Abschirmgehäuse (7) eine Öffnung zum Zuführen von Prozessgasen und eine weitere Öffnung zum Herausführen der vom Plasma aktivierten Prozessgase befindet.
  10. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie von einer freilaufenden Oszillatorschaltung versorgt ist, wobei die Elektrode selbst das die Frequenz bestimmende Element darstellt.
  11. Elektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
    dadurch gekennzeichnet, dass
    sie zusammen mit einer Oszillatorschaltung integriert ist.
EP08718192A 2007-04-27 2008-03-25 Elektrode für plasmaerzeuger Not-in-force EP2143306B1 (de)

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EP2143306A1 EP2143306A1 (de) 2010-01-13
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EP (1) EP2143306B1 (de)
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KR (1) KR101555385B1 (de)
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3042091B1 (fr) * 2015-10-05 2017-10-27 Sairem Soc Pour L'application Ind De La Rech En Electronique Et Micro Ondes Dispositif elementaire d’application d’une energie micro-onde avec applicateur coaxial
KR102190524B1 (ko) * 2020-02-24 2020-12-14 이엠코어텍 주식회사 저전압 플라즈마 이오나이저

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3848196A (en) * 1973-11-08 1974-11-12 Rca Corp Broadband trapatt diode amplifier
JPS6011417B2 (ja) * 1979-10-23 1985-03-26 株式会社東芝 ホロ−カソ−ド放電装置
JPS6087200U (ja) * 1983-11-15 1985-06-15 新日本無線株式会社 マイクロ波プラズマ発生装置
JPS62115700A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 キヤノン株式会社 気相励起装置
JPH01109699A (ja) * 1987-10-23 1989-04-26 Japan Synthetic Rubber Co Ltd プラズマ処理装置
DE3830430A1 (de) * 1987-09-11 1989-03-23 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Verfahren zur herstellung von ueberzuegen
JPH0719674B2 (ja) * 1992-06-24 1995-03-06 徳芳 佐藤 マイクロ波放電反応装置の電極装置
US5537004A (en) * 1993-03-06 1996-07-16 Tokyo Electron Limited Low frequency electron cyclotron resonance plasma processor
US5838111A (en) * 1996-02-27 1998-11-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma generator with antennas attached to top electrodes
US6518703B1 (en) * 1998-03-16 2003-02-11 Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. Electrodeless discharge energy supply apparatus and electrodeless discharge lamp device using surface wave transmission line
US6350417B1 (en) * 1998-11-05 2002-02-26 Sharper Image Corporation Electrode self-cleaning mechanism for electro-kinetic air transporter-conditioner devices
JP2000299199A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Plasma System Corp プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置
DE19955671B4 (de) * 1999-11-19 2004-07-22 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
US6576202B1 (en) * 2000-04-21 2003-06-10 Kin-Chung Ray Chiu Highly efficient compact capacitance coupled plasma reactor/generator and method
US6759808B2 (en) * 2001-10-26 2004-07-06 Board Of Trustees Of Michigan State University Microwave stripline applicators
WO2004062326A2 (en) * 2002-12-30 2004-07-22 Northeastern University Low power plasma generator
DE10335523B4 (de) * 2003-07-31 2009-04-30 Koch, Berthold, Dr.-Ing. Vorrichtung zur Plasmaerregung mit Mikrowellen
JP4631046B2 (ja) * 2004-10-01 2011-02-16 国立大学法人 東京大学 マイクロ波励起プラズマ装置及びシステム
JP4035568B2 (ja) * 2004-11-29 2008-01-23 株式会社エーイーティー 大気圧大面積プラズマ発生装置
US8216433B2 (en) * 2006-03-07 2012-07-10 University Of The Ryukyus Plasma generator and method of generating plasma using the same
JP4967784B2 (ja) * 2007-04-25 2012-07-04 凸版印刷株式会社 マイクロ波プラズマ発生装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2143306A1 (de) 2010-01-13
KR101555385B1 (ko) 2015-09-23
JP5683262B2 (ja) 2015-03-11
ATE521217T1 (de) 2011-09-15
US8339047B2 (en) 2012-12-25
US20100171425A1 (en) 2010-07-08
WO2008131997A1 (de) 2008-11-06
DE102007020419A1 (de) 2008-11-06
KR20100015978A (ko) 2010-02-12
JP2010525534A (ja) 2010-07-22

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