EP2340604A1 - Leistungsendstufe für einen pulswechselrichter - Google Patents

Leistungsendstufe für einen pulswechselrichter

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Publication number
EP2340604A1
EP2340604A1 EP09783153A EP09783153A EP2340604A1 EP 2340604 A1 EP2340604 A1 EP 2340604A1 EP 09783153 A EP09783153 A EP 09783153A EP 09783153 A EP09783153 A EP 09783153A EP 2340604 A1 EP2340604 A1 EP 2340604A1
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EP
European Patent Office
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power
bridge
phase
controlled
output stage
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP09783153A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jochen Kuehner
Albrecht Schwarz
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Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode

Definitions

  • the invention relates to a power output stage for a pulse-controlled inverter.
  • FIG. 1 An example of a known IGBT half-bridge is shown in FIG.
  • the IGBT half-bridge shown there has control terminals Sl and S2, a first IGBT T1, a second IGBT T2, a first diode D1, a second diode D2 and power terminals plus, phase and minus.
  • the power connection Plus is a connection for a positive supply voltage
  • the power connection phase is a phase voltage connection
  • the power connection is a negative connection for a negative supply voltage.
  • the gate of the IGBT Tl is connected to the control terminal Sl.
  • the gate of the IGBT T2 is connected to the control terminal S2.
  • the control terminals Sl and S2 are supplied by a not-shown control unit with control signals.
  • the collector of the IGBT T1 is connected to the power connection Plus, the emitter of the IGBT T1 is connected to the power supply. connection phase. Furthermore, a diode D1 is provided between the power connection phase and the power connection Plus, whose anode is connected to the power connection phase and whose cathode is connected to the power connection Plus.
  • the collector of the IGBT T2 is connected to the power connection phase, the emitter of the IGBT T2 to the power connection minus. Furthermore, a diode D2 is provided between the power connection minus and the power connection phase, whose anode is connected to the power connection minus and whose cathode is connected to the power connection phase.
  • the half-bridge HB1 has control terminals S1 and S2, a first IGBT T3, a second IGBT T4, a first diode D3, a second diode D4 and power terminals plus, phase and minus.
  • the gate of the first IGBT T3 is connected to the control terminal Sl, the gate of the IGBT T4 to the control terminal S2.
  • the collector of the first IGBT T3 is connected to the power terminal plus, the emitter of the first IGBT T3 with the power connection phase.
  • a diode D3 is provided between the power connection phase and the power connection Plus, whose anode is connected to the power connection phase and whose cathode is connected to the power connection Plus.
  • the collector of the second IGBT T4 is connected to the power connection phase, the emitter of the second IGBT T4 to the power connection minus. Furthermore, it is between the power connection minus and the power connection phase, a diode D4 is provided whose anode is connected to the power connection minus and whose cathode is connected to the power connection phase.
  • the half-bridge HB 2 is connected in parallel to the half-bridge HB 1 with respect to the control terminals and the power terminals.
  • a first control terminal of the second half-bridge HB 2 is connected to the control terminal Sl of the first half-bridge HB 1 and a second control terminal of the second half-bridge HB 2 is connected to the control terminal S2 of the first half-bridge.
  • the second half-bridge HB2 has a third IGBT T5, a fourth IGBT T6, a third diode D5, a fourth diode D6 and power terminals plus, phase and minus, wherein each of these power terminals is connected to a respectively associated power terminal of the first half-bridge ,
  • the gate of the third IGBT T5 is connected to the control terminal Sl, the gate of the fourth IGBT T6 to the control terminal S2.
  • the collector of the third IGBT T5 is connected to the power connection Plus, the emitter of the third IGBT T5 to the power connection phase.
  • a diode D5 is provided between the power connection phase and the power connection Plus, whose anode is connected to the power connection phase and whose cathode is connected to the power connection Plus.
  • the collector of the fourth IGBT T6 is connected to the power connection phase, the emitter of the fourth IGBT T6 to the power connection minus. Furthermore, a diode D6 is provided between the power connection minus and the power connection phase, whose anode is connected to the power connection minus and whose cathode is connected to the power connection phase.
  • a power output stage with the features specified in claim 1 has the advantage that due to the use of half-controlled half bridges no longer comes to compensation currents and vibrations that can affect the switching behavior of the IGBTs and even cause destruction of one or more IGBTs. This advantage is due to the fact that the control terminals of the IGBTs, in contrast to the prior art are no longer connected in parallel. Consequently, no mass loops can occur.
  • Another advantage of the invention is that only one IGBT is provided per half-controlled half-bridge used. Since fewer components are needed overall, the required components can be made larger.
  • a further advantage of the invention is that only the control lines of an IGBT have to be led to an external connection. Consequently, a larger IGBT area can be achieved without parallel connection of the control terminals.
  • FIG. 3 shows a sketch of two interconnected half-controlled half-bridges according to the invention
  • Figure 4 is a diagram in which the course of a phase current and its division is illustrated on the components of the semi-controlled half-bridges.
  • FIG. 3 shows a sketch of two interconnected, half-controlled half bridges HB3, HB4 according to the invention.
  • the half-bridge HB3 has a control terminal Sl, a single IGBT T7, a diode D8 and power connections plus, phase and minus.
  • the gate of the IGBT T7 is connected to the control terminal Sl, the collector of the IGBT T7 to the power terminal Plus.
  • the emitter of the IGBT T7 is connected to the power connection phase.
  • the diode D8 is connected between the power terminal minus and the power terminal phase, the anode of the diode D8 being connected to the power terminal minus and the cathode of the diode D8 being connected to the power terminal phase.
  • the half-bridge HB4 has a control terminal S2, a single IGBT T10, a diode D9 and power terminals plus, phase and minus.
  • the gate of the IGBT T10 is connected to the control terminal S2, the collector of the IGBT T10 is connected to the power connection phase.
  • IGBT TlO is connected to the minus power connection.
  • the diode D9 is connected between the power connection phase and the power connection plus, wherein the anode of the diode D9 is connected to the power connection phase and the cathode of the diode D9 is connected to the power connection Plus.
  • the power terminal Plus of the first half-bridge HB3 is connected to the power terminal Plus of the second half-bridge HB4.
  • the power connection phase of the first half-bridge HB3 is connected to the power connection phase of the second half-bridge HB4.
  • the power connection minus of the first half-bridge HB3 is connected to the power connection minus of the second half-bridge HB4. Consequently, the power terminals of the second half-bridge HB4 are connected to a respectively associated power terminal of the first half-bridge.
  • the control terminals Sl and S2 of the two half-bridges are not connected to each other.
  • the two half-bridges are in each case a half-controlled half-bridge, since the diode of the respective half-bridge used as the switching element is not an externally controlled component. This has the consequence that it requires only a single control terminal per half-bridge.
  • the half-half bridges described above can be used, for example, in inverters in hybrid vehicles and in electric vehicles.
  • the advantages of such semi-controlled half-bridges are, in particular, that they have no parallel-connected control terminals, whereby an occurrence of ground loops is prevented.
  • a larger chip area is possible.
  • the wiring complexity of the half bridges is reduced within a respective half bridge and also with respect to the outer terminals of the respective half bridge.
  • the IGBTs each connected in parallel Diodes have smaller effective parasitic inductances.
  • FIG. 4 shows a diagram in which the profile of the phase current flowing via the phase connection of a half-bridge and its division onto the components of the associated half-controlled half-bridge is illustrated.
  • the ratio Iphal / lMax is plotted along the ordinate and the time t / T along the abscissa. It can be seen that the phase current has a sinusoidal profile and only changes between the IGBT and the diode of the respective half-bridge. Only at a zero crossing of the phase current is a current change from one half-bridge to the other.

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Leistungsendstufe für einen Pulswechselrichter, wobei diese Leistungsendstufe eine Halbbrücke aufweist. Diese enthält einen Steueranschluss und Leistungsanschlüsse. Zu den Leistungsanschlüssen gehören ein Anschluss für eine positive Versorgungsspannung, ein Anschluss für eine negative Versorgungsspannung und ein Phasenspannungsanschluss. Insbesondere weist die Leistungsendstufe zwei halbgesteuerte Halbbrücken auf, deren Leistungsanschlüsse parallel geschaltet sind und deren Steueranschlüsse nicht miteinander verbunden sind.

Description

Leistungsendstufe für einen Pulswechselrichter
Die Erfindung betrifft eine Leistungsendstufe für einen Pulswechselrichter .
Stand der Technik
Es ist bekannt, beispielsweise in industriellen Antrieben, in Hybridfahrzeugen und in Elektrofahrzeugen PuIs- Wechselrichter zu verwenden. Derartige Pulswechselrichter weisen Leistungsendstufen auf, die unter Verwendung von Halbleiterschaltern realisiert werden. Oftmals werden bei bekannten Leistungsendstufen IGBT-Halbbrücken verwendet.
Ein Beispiel für eine bekannte IGBT-Halbbrücke ist in der Figur 1 gezeigt. Die dort dargestellte IGBT-Halbbrücke weist Steueranschlüsse Sl und S2, einen ersten IGBT Tl, einen zweiten IGBT T2, eine erste Diode Dl, eine zweite Diode D2 und Leistungsanschlüsse Plus, Phase und Minus auf. Bei dem Leistungsanschluss Plus handelt es sich um einen Anschluss für eine positive Versorgungsspannung, bei dem Leistungsanschluss Phase um einen Phasenspan- nungsanschluss und bei dem Leistungsanschluss Minus um einen Anschluss für eine negative Versorgungsspannung.
Das Gate des IGBT Tl ist mit dem Steueranschluss Sl verbunden. Das Gate des IGBT T2 ist mit dem Steueranschluss S2 verbunden. Die Steueranschlüsse Sl und S2 werden von einer nicht gezeichneten Steuereinheit mit Steuersignalen versorgt.
Der Kollektor des IGBT Tl ist mit dem Leistungsanschluss Plus verbunden, der Emitter des IGBT Tl mit dem Leis- tungsanschluss Phase. Des weiteren ist zwischen dem Leis- tungsanschluss Phase und dem Leistungsanschluss Plus eine Diode Dl vorgesehen, deren Anode mit dem Leistungsanschluss Phase und deren Kathode mit dem Leistungsan- Schluss Plus verbunden ist.
Der Kollektor des IGBT T2 ist mit dem Leistungsanschluss Phase verbunden, der Emitter des IGBT T2 mit dem Leistungsanschluss Minus. Des weiteren ist zwischen dem Leis- tungsanschluss Minus und dem Leistungsanschluss Phase eine Diode D2 vorgesehen, deren Anode mit dem Leistungsanschluss Minus und deren Kathode mit dem Leistungsanschluss Phase verbunden ist.
Des weiteren ist des bereits bekannt, mehrere Halbbrücken parallel zu schalten, um größere Ausgangsströme bereit zu stellen. Ein Beispiel für eine derartige Parallelschaltung zweier Halbbrücken HBl, HB2 ist in der Figur 2 gezeigt .
Die Halbbrücke HBl weist Steueranschlüsse Sl und S2, einen ersten IGBT T3, einen zweiten IGBT T4, eine erste Diode D3, eine zweite Diode D4 und Leistungsanschlüsse Plus, Phase und Minus auf.
Das Gate des ersten IGBT T3 ist mit dem Steueranschluss Sl verbunden, das Gate des IGBT T4 mit dem Steueranschluss S2. Der Kollektor des ersten IGBT T3 ist mit dem Leistungsanschluss Plus verbunden, der Emitter des ersten IGBT T3 mit dem Leistungsanschluss Phase. Des weiteren ist zwischen dem Leistungsanschluss Phase und dem Leistungsanschluss Plus eine Diode D3 vorgesehen, deren Anode mit dem Leistungsanschluss Phase und deren Kathode mit dem Leistungsanschluss Plus verbunden ist.
Der Kollektor des zweiten IGBT T4 ist mit dem Leistungsanschluss Phase verbunden, der Emitter des zweiten IGBT T4 mit dem Leistungsanschluss Minus. Des weiteren ist zwischen dem Leistungsanschluss Minus und dem Leistungs- anschluss Phase eine Diode D4 vorgesehen, deren Anode mit dem Leistungsanschluss Minus und deren Kathode mit dem Leistungsanschluss Phase verbunden ist.
Die Halbbrücke HB 2 ist der Halbbrücke HB 1 bezüglich der Steueranschlüsse und der Leistungsanschlüsse parallel geschaltet .
So ist ein erster Steueranschluss der zweiten Halbbrücke HB 2 mit dem Steueranschluss Sl der ersten Halbbrücke HB 1 und ein zweiter Steueranschluss der zweiten Halbbrücke HB 2 mit dem Steueranschluss S2 der ersten Halbbrücke verbunden. Weiterhin weist die zweite Halbbrücke HB2 ei- nen dritten IGBT T5, einen vierten IGBT T6, eine dritte Diode D5, eine vierte Diode D6 und Leistungsanschlüsse Plus, Phase und Minus auf, wobei jeder dieser Leistungsanschlüsse mit einem jeweils zugehörigen Leistungsanschluss der ersten Halbbrücke verbunden ist.
Das Gate des dritten IGBT T5 ist mit dem Steueranschluss Sl verbunden, das Gate des vierten IGBT T6 mit dem Steueranschluss S2. Der Kollektor des dritten IGBT T5 ist mit dem Leistungsanschluss Plus verbunden, der Emitter des dritten IGBT T5 mit dem Leistungsanschluss Phase. Des weiteren ist zwischen dem Leistungsanschluss Phase und dem Leistungsanschluss Plus eine Diode D5 vorgesehen, deren Anode mit dem Leistungsanschluss Phase und deren Kathode mit dem Leistungsanschluss Plus verbunden ist.
Der Kollektor des vierten IGBT T6 ist mit dem Leistungsanschluss Phase verbunden, der Emitter des vierten IGBT T6 mit dem Leistungsanschluss Minus. Des weiteren ist zwischen dem Leistungsanschluss Minus und dem Leistungs- anschluss Phase eine Diode D6 vorgesehen, deren Anode mit dem Leistungsanschluss Minus und deren Kathode mit dem Leistungsanschluss Phase verbunden ist. Bei einer derartigen Parallelschaltung mehrerer Halbbrücken kann es zu Ausgleichsströmen und Schwingungen kommen, die das Schaltverhalten der IGBTs stark beinträchtigen können und sogar eine Zerstörung eines oder mehrerer IGBTs hervorrufen können.
Vorteile der Erfindung
Eine Leistungsendstufe mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen weist demgegenüber den Vorteil auf, dass es aufgrund der Verwendung halbgesteuerter Halbbrücken nicht mehr zu Ausgleichsströmen und Schwingungen kommt, die das Schaltverhalten der IGBTs beeinträchtigen können und so- gar eine Zerstörung eines oder mehrerer IGBTs hervorrufen können. Dieser Vorteil ist darauf zurückzuführen, dass die Steueranschlüsse der IGBTs im Unterschied zum Stand der Technik nicht mehr parallel geschaltet sind. Folglich können keine Massenschleifen auftreten.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass pro verwendeter halbgesteuerter Halbbrücke nur noch ein IGBT vorgesehen ist. Da insgesamt weniger Bauteile benötigt werden, können die benötigten Bauteile größer ausge- führt werden.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass nur noch die Steuerleitungen eines IGBT' s zu einem externen Anschluss geführt werden müssen. Folglich kann eine größere IGBT-Fläche ohne Parallelschaltung der Steueranschlüsse erreicht werden.
Ein noch weiterer Vorteil der Erfindung ist aufgrund der kleineren parasitären Induktivitäten gegeben. Parasitäre Induktivitäten erzeugen bei Schaltvorgängen der Halbbrücken einer Leistungsendstufe Überspannungen. Diese Überspannungen sind bei einer Verwendung von halbgesteuerten Halbbrücken reduziert. Weitere Vorteilhafte Eigenschaften der Erfindung ergeben sich aus derer nachfolgender Erläuterung anhand der weiteren Zeichnungen.
Zeichnung
Figur 3 zeigt eine Skizze zweier miteinander verschalte- ter halbgesteuerter Halbbrücken gemäß der Erfindung und
Figur 4 ein Diagramm, in welchem der Verlauf eines Phasenstromes und dessen Aufteilung auf die Bauteile der halbgesteuerten Halbbrücken veranschaulicht ist.
Beschreibung
Die Figur 3 zeigt eine Skizze zweier miteinander ver- schalteter halbgesteuerter Halbbrücken HB3, HB4 gemäß der Erfindung. Die Halbbrücke HB3 weist einen Steueranschluss Sl, einen einzigen IGBT T7, eine Diode D8 und Leistungs- anschlüsse Plus, Phase und Minus auf.
Das Gate des IGBT T7 ist mit dem Steueranschluss Sl verbunden, der Kollektor des IGBT T7 mit dem Leistungsan- schluss Plus. Der Emitter des IGBT T7 ist mit dem Leis- tungsanschluss Phase verbunden. Die Diode D8 ist zwischen den Leistungsanschluss Minus und den Leistungsanschluss Phase geschaltet, wobei die Anode der Diode D8 mit dem Leistungsanschluss Minus und die Kathode der Diode D8 mit dem Leistungsanschluss Phase verbunden ist.
Die Halbbrücke HB4 weist einen Steueranschluss S2, einen einzigen IGBT TlO, eine Diode D9 und Leistungsanschlüsse Plus, Phase und Minus auf. Das Gate des IGBT TlO ist mit dem Steueranschluss S2 verbunden, der Kollektor des IGBT TlO mit dem Leistungsanschluss Phase. Der Emitter des
IGBT TlO steht mit dem Leistungsanschluss Minus in Verbindung. Die Diode D9 ist zwischen den Leistungsanschluss Phase und den Leistungsanschluss Plus geschaltet, wobei die Anode der Diode D9 mit dem Leistungsanschluss Phase und die Kathode der Diode D9 mit dem Leistungsanschluss Plus verbunden ist.
Der Leistungsanschluss Plus der ersten Halbbrücke HB3 ist mit dem Leistungsanschluss Plus der zweiten Halbbrücke HB4 verbunden.
Der Leistungsanschluss Phase der ersten Halbbrücke HB3 ist mit dem Leistungsanschluss Phase der zweiten Halbbrücke HB4 verbunden. Der Leistungsanschluss Minus der ersten Halbbrücke HB3 ist mit dem Leistungsanschluss Minus der zweiten Halbbrücke HB4 verbunden. Folglich sind die Leistungsanschlüsse der zweiten Halbbrücke HB4 mit einem jeweils zugehörigen Leistungsanschluss der ersten Halbbrücke verbunden. Dies entspricht einer Parallelschaltung der Leistungsanschlüsse der beiden Halbbrücken. Die Steueranschlüsse Sl und S2 der beiden Halbbrücken sind nicht miteinander verbunden. Bei den beiden Halbbrücken handelt es sich jeweils um eine halbgesteuerte Halbbrücke, da es sich bei der als Schaltelement verwendeten Diode der jeweiligen Halbbrücke nicht um ein von außen gesteuertes Bauelement handelt. Dies hat zur Folge, dass es pro Halbbrücke nur eines einzigen Steueranschlusses bedarf.
Die vorstehend beschriebenen halbgesteuerten Halbbrücken können beispielsweise in Wechselrichtern in Hybridfahrzeugen und in Elektrofahrzeugen verwendet werden. Die Vorteile derartiger halbgesteuerter Halbbrücken bestehen insbesondere darin, dass sie keine parallel geschalteten Steueranschlüsse aufweisen, wodurch ein Auftreten von Masseschleifen verhindert wird. Des weiteren ist im Vergleich zum Stand der Technik eine größere Chipfläche möglich. Ferner ist der Verdrahtungsaufwand der Halbbrücken innerhalb einer jeweiligen Halbbrücke und auch in Bezug auf die äußeren Anschlüsse der jeweiligen Halbbrücke reduziert. Ferner liegen im Vergleich zum Stand der Technik, bei welchem die IGBTs jeweils parallel geschaltete Dioden aufweisen, kleinere wirksame parasitäre Induktivitäten vor.
Die Figur 4 zeigt ein Diagramm, in welchem der Verlauf des über den Phasenanschluss einer Halbbrücke fließenden Phasenstromes und dessen Aufteilung auf die Bauteile der zugehörigen halbgesteuerten Halbbrücke veranschaulicht ist. In diesem Diagramm ist längs der Ordinate das Verhältnis Iphase/lMax und längs der Abszisse die Zeit t/T aufgetragen. Es ist ersichtlich, dass der Phasenstrom einen sinusförmigen Verlauf hat und nur jeweils zwischen dem IGBT und der Diode der jeweiligen Halbbrücke wechselt. Erst bei einem Nulldurchgang des Phasenstromes erfolgt ein Stromwechsel von einer Halbbrücke auf die ande- re . So fließt beim gezeigten Ausführungsbeispiel während der ersten positiven Halbwelle zwischen t/T = 0 und t/T = 0,5 Strom durch den Transistor TlO und die Diode D9, während der ersten negativen Halbwelle zwischen t/T = 0,5 und t/T = 1 Strom durch den Transistor T7 und die Diode D8 und während der zweiten positiven Halbwelle zwischen t/T = 1 und t/T =1,5 wiederum Strom durch den Transistor TlO und die Diode D9.
Es wirken folglich nur die parasitären Induktivitäten in- nerhalb einer Halbbrücke. Diese parasitären Induktivitäten sind deutlich kleiner als die parasitären Induktivitäten, die in den Verbindungen zwischen zwei Halbbrücken auftreten würden.

Claims

Patentansprüche
1. Leistungsendstufe für einen Pulswechselrichter, d a du r ch ge ke n n z e i ch n e t , dass sie eine halbgesteu- erte Halbbrücke aufweist.
2. Leistungsendstufe nach Anspruch 1, d a du r ch g e k e n n z e i ch n e t , dass die halbgesteuerte Halbbrücke ei¬ nen Steueranschluss und Leistungsanschlüsse aufweist.
3. Leistungsendstufe nach Anspruch 2, dadurch ge ¬ kenn z e i chne t , dass zu den Leistungsanschlüssen ein Anschluss (Plus) für eine positive Versorgungsspannung, ein Anschluss (Minus) für eine negative Versorgungsspan- nung und ein Phasenspannungsanschluss (Phase) gehören.
4. Leistungsendstufe nach Anspruch 3, dadurch ge ¬ kenn z e i chne t , dass die halbgesteuerte Halbbrücke (HB3) einen einzigen IGBT (T7) aufweist, dessen Gate mit dem Steueranschluss (Sl) , dessen Kollektor mit dem Anschluss (Plus) für die positive Versorgungsspannung und dessen Emitter mit dem Phasenspannungsanschluss (Phase) verbunden ist.
5. Leistungsendstufe nach Anspruch 3 oder 4, dadurch ge kenn z e i chne t , dass die halbgesteuerte Halbbrücke (HB3) eine einzige Diode (D8) aufweist, deren Anode mit dem Anschluss (Minus) für die negative Versorgungsspan¬ nung und deren Kathode mit dem Phasenspannungsanschluss (Phase) verbunden ist.
6. Leistungsendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, , dadurch gekennzeichnet , dass sie eine weitere halbgesteuerte Halbbrücke (HB4) aufweist, deren Leistungsanschlüsse mit einem jeweils zugehörigen Leistungsanschluss der halbgesteuerten Halbbrücke (HB3) verbunden sind.
7. Leistungsendstufe nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , dass die weitere halbgesteuerte HaIb- brücke (HB4) einen einzigen IGBT (TlO) aufweist, dessen Gate mit einem weiteren Steueranschluss (S2), dessen Kollektor mit dem Phasenspannungsanschluss (Phase) und dessen Emitter mit dem Leistungsanschluss (Minus) verbunden ist .
8. Leistungsendstufe nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet , dass die weitere halbgesteuerte Halbbrücke (HB4) eine einzige Diode (D9) aufweist, deren Anode mit dem Phasenspannungsanschluss (Phase) und deren Kathode mit dem Leistungsanschluss (Plus) verbunden ist.
EP09783153A 2008-10-22 2009-09-18 Leistungsendstufe für einen pulswechselrichter Withdrawn EP2340604A1 (de)

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