ES2241986T3 - Semiconductor laser comprimiendo una pluralidad de regiones activas opticamente. - Google Patents

Semiconductor laser comprimiendo una pluralidad de regiones activas opticamente.

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ES2241986T3 ES02700475T ES02700475T ES2241986T3 ES 2241986 T3 ES2241986 T3 ES 2241986T3 ES 02700475 T ES02700475 T ES 02700475T ES 02700475 T ES02700475 T ES 02700475T ES 2241986 T3 ES2241986 T3 ES 2241986T3
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Abstract

Un dispositivo láser semiconductor de área amplia (10) que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas (240); y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas (245) ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser, incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum (77), estando separadas unas de otras regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región ópticamente pasiva de pozo de quantum entremezclado (245), formando cada región ópticamente pasiva (245) una región de difracción que actúa como un filtro de modo espacial para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.

Description

Semiconductor láser comprimiendo una pluralidad de regiones activas ópticamente.
Ámbito de la invención
La presente invención se relaciona con dispositivos láser semiconductor, y en particular, aunque no exclusivamente, a un láser semiconductor de área amplia con un modelo de campo con un solo lóbulo extremo.
La presente solicitud está relacionada con la solicitud pendiente número GB 01 01 641.9 de 23 de Enero de 2001, también por el mismo Solicitante y titulada "Mejoras en o Relacionadas con Láseres Semiconductores".
Antecedentes a la invención
Los láseres de área ancha se usan para las aplicaciones de elevada potencia, pero sufren varios de problemas tales como filamentación, inestabilidades en el modo transversal, y pobre características de campo lejano. Una razón para la formación de filamento está relacionada con el comportamiento no lineal de autoenfoque que ocurre en la sección de ganancia de un láser semiconductor de franja ancha.
Un objeto de la presente invención es obviar o mitigar los precitados problemas en la técnica anterior.
Un objeto adicional de la presente invención es proveer un láser semiconductor de área amplia que muestre una elevada potencia de salida sin sacrificar la calidad de haz transversal.
J. T. Getty et al en "Láseres de cresta segmentada de 1.55 micrones monolíticos conectados en serie", Electronic Letters Vol. 35 No. 15 Julio 1999, describe la formación de un conjunto de láseres de cresta segmentada, guiaondas estrecho (1.55 micrones) conectados en serie empleando desordenación de pozo de quantum por implantación iónica mejorada para formar secciones aisladas. La US 5657157 describe un amplificador óptico semiconductor con regiones ópticas no lineales alternantes de autoenfoque positivo y negativo.
Resumen de la invención
De acuerdo con la presente invención, se provee un dispositivo láser semiconductor de área amplia que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser, incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum, estando separadas unas de otras las regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región pasiva ópticamente de Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI) 
\;
pZ, formando cada región ópticamente pasiva una región de difracción que actúa como un filtro espacial de modo para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.
La separación entre regiones ópticamente activas adyacentes puede llamarse convenientemente "segmentación".
Preferentemente cada región ópticamente activa está asociada funcionalmente con una región respectiva de inyección de corriente.
Preferentemente las regiones de inyección de corriente están dispuestas en relación sustancialmente lineal una con la otra, sobre una superficie del dispositivo.
Preferentemente las regiones de inyección de corriente están sustancialmente equiespaciadas una de la próxima.
Preferentemente la primera y la última de las regiones de inyección de corriente están cada una separadas del primer y segundo extremos del dispositivo.
Preferentemente, las regiones ópticamente activas se proveen en una capa activa que comprenda un material activo de orientación de rayos láser incluyendo una estructura de Pozo de Quantum (QW), como se ha desarrollado.
Preferentemente, la estructura de Pozo de Quantum se retiene dentro de áreas de la capa ópticamente activa que corresponden a las regiones de inyección de corriente, mientras áreas de la capa ópticamente activa entre regiones de inyección de corriente son Pozos de Quantum Entremezclados (QWI).
Preferentemente también, las áreas de la capa ópticamente activa entre la primera de la pluralidad de regiones de inyección de corriente y el primer extremo del dispositivo y entre la última de la pluralidad de regiones de inyección de corriente y el segundo extremo del dispositivo son Pozos de Quantum Entremezclados(QWI).
Preferentemente también, las áreas de la capa ópticamente activa que limitan a la pluralidad de regiones de inyección de corriente son Pozos de Quantum Entremezclados (QWI).
Preferentemente las regiones ópticamente activas y pasivas van preparadas dentro de una capa núcleo o guía entre las capas que confinan el revestimiento/carga portador óptico primero (inferior) y segundo (superior), la cual capa guía puede comprender un material activo de guiado de rayos láser.
Preferentemente se forma una cadena en por lo menos la segunda capa de revestimiento y se extiende longitudinalmente desde el primer extremo del dispositivo al segundo extremo del dispositivo.
Las regiones QWI pueden tener una brecha de banda mayor que la región activa.
Las regiones QWI pueden por lo tanto tener una absorción óptica inferior que las regiones activas.
Preferentemente el dispositivo puede ser de construcción monolítica.
Más preferentemente el dispositivo puede incluir una capa substrato sobre que puede proveerse la primera capa de revestimiento, capa nuclear, y la secunda capa de revestimiento, respectivamente.
Preferentemente un extremo o faceta del dispositivo puede comprender una salida del dispositivo láser semiconductor.
El QWI cancela el confinamiento del Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI) dentro de los pozos de la capa nuclear. Más preferentemente, el QWI puede estar sustancialmente libre de impurezas. Las regiones QWI pueden ser "desplazadas a azul", esto es, típicamente mayor de 20-30 meV, y más típicamente, existe una diferencia de 100 meV o más de energía de brecha de banda entre la región ópticamente activa cuando se bombea con portadores y las regiones QWI pasivas. Las regiones ópticamente pasivas, por lo tanto, actúan como un filtro de modo espacial según los modos de orden superior experimenten mayores pérdidas de difracción según se propagan a través del primer material guía de rayos láser desordenado en composición que el modo fundamental. Por tanto, el modo fundamental tendrá una superposición mayor con la región activa y se amplificará selectivamente. Por tanto, el dispositivo láser semiconductor puede adaptarse para proveer sustancialmente una salida de modo úni-
co.
Preferentemente el dispositivo láser semiconductor comprende además capas respectivas de material de contacto (metalizaciones) en contacto con una porción de una superficie del dispositivo correspondiente a las regiones de inyección de corriente y con una superficie opuesta al substrato. Las capas de contacto pueden proveer la corriente de impulsión a las regiones ópticas activas o "de ganancia".
Preferentemente el dispositivo láser semiconductor se fabrica en un sistema III-V de materiales tal como arseniuro de galio (AsGa) o como arseniuro de galio y aluminio (AsGaAl) o fosfuro de aluminio, galio e indio (PAlGaIn), y puede por lo tanto emitir haz láser a una longitud de onda de sustancialmente entre 600 y 1300 nm. El primero y segundo de los materiales desordenados en composición pueden comprender substancialmente arseniuro de indio y galio (AsInGa). Sin embargo, se apreciará que pueden ser empleados otros sistemas materiales, p. ej. fosfuro de indio (PIn), y puede por lo tanto emitir haz láser con una longitud de onda substancialmente entre 1200 y 1700 nm.
Además se describe aquí un método para fabricar un dispositivo láser semiconductor de acuerdo con el precitado aspecto que comprende los pasos de:
(i)
formar en orden:
una primera capa confinante portadora óptica de revestimiento/carga;
un capa núcleo (material orientador de haz láser), en la que se forma una estructura de Pozos de Quantum Entremezclados(QWI); y
una segunda capa confinante portadora óptica de revestimiento/carga;
(ii)
formar regiones pasivas en la capa núcleo.
El método puede incluir también el paso de:
(iii)
formar una cadena desde por lo menos una porción de la segunda capa de revestimiento.
El paso (i) puede ser efectuado por técnicas conocidas de crecimiento tal como Haz Molecular Epitaxial (MBE) Epitaxial (MBE) o Deposición Metálica Orgánica de Vapor Químico (MOCVD).
Los pasos (ii) y (iii) pueden ser intercambiados, aunque se prefiere que se efectúe el paso (ii) y luego el paso (iii).
Preferentemente la(s) región(es) pasiva(s) puede(n) formarse mediante una técnica de Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI) que puede comprender preferentemente generar huecos en la región(es) pasiva(s), o puede comprender alternativamente implantación o difusión de iones en la región(es) pasiva(s), y recocido de la capa núcleo para crear región(es) desordenada(s) en composición, con una brecha de banda mayor que la estructura de Pozos de Quantum Entremezclados(QW).
Preferentemente la técnica QWI puede realizarse generando huecos libres de impureza, y más preferentemente pueden usarse una técnica de detrimento inducido para lograr el Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI). En una implementación preferida de tal técnica, el método puede incluir los pasos de:
depositar por el uso de un rociador de diodo y dentro de una atmósfera substancialmente de argón una capa dieléctrica tal como sílice (SiO_{2}) sobre por lo menos parte de una superficie del material del dispositivo láser semiconductor para introducir defectos estructurales puntuales en por lo menos en una porción del material adyacente a la capa dieléctrica;
depositar opcionalmente mediante una técnica no rociante tal como Deposición Química de Vapor de Plasma Mejorado (PECVD) una capa dieléctrica adicional sobre por lo menos otra parte de la superficie del material;
recocer el material transfiriendo por medio de esto átomos o iones desde el material a la capa dieléctrica. Tal técnica se describe en la solicitud simultáneamente pendiente Número GB 01 01 635.1 titulada "Método para Fabricar Dispositivos Opticos y Mejoras Relacionadas" también por el presente solicitante, y con una fecha de publicación de 23 Enero 2001 el contenido de la cual se incorpora aquí como referencia.
Preferentemente en el paso (ii) la región pasiva puede formarse por QWI en la región para crear regiones desordenadas en composición del material emisor láser con una brecha de banda mayor que la estructura de Pozo de Quantum (QW).
Preferentemente paso (iii) puede lograrse por técnicas de grabado conocidas, p. ej., grabación seca o húmeda.
Preferentemente el método puede incluir el paso de proveer inicialmente un substrato en que se hace crecer la primera capa de revestimiento, la capa de núcleo, y la secunda capa de revestimiento, respectivamente.
Preferentemente, el paso (ii) puede realizarse generando huecos libres de impureza liberado los vacantes, y más preferentemente se puede usar una técnica mejorada de detrimento para lograr el Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI).
La pluralidad de regiones ópticamente activas puede comprender una sección de ganancia cuya anchura puede variar a lo largo de la longitud del dispositivo, p. ej. la anchura de la misma puede estrecharse o abocardarse hacia un extremo de salida del dispositivo.
El espaciamiento entre una región ópticamente activa y una próxima región ópticamente activa y entre la próxima región ópticamente activa e incluso una próxima región ópticamente activa puede ser substancialmente el mismo o puede ser de período variable o no periódico.
Descripción breve de los dibujos
Se describirá ahora una realización de la presente invención, por vía de ejemplo solo, y con la referencia a los dibujos que se acompañan, que son:
la Fig. 1 una vista perspectiva esquemática simplificada desde un de lateral al de extremo y encima de un dispositivo láser semiconductor según una primera realización de la presente invención;
la Fig. 2 una vista en planta del dispositivo láser semiconductor de la Fig. 1;
la Fig. 3 son espectros fotoluminiscentes de regiones para Pozos de Quantum no Entremezclados (QWI) y para QWI de un dispositivo según una segunda realización de la presente invención; y
la Fig. 4 un diagrama de potencia óptica de salida en función de la corriente para el dispositivo de la Fig. 3.
Descripción detallada de los dibujos
En referencia inicialmente a las Figs. 1 y 2, se muestra un dispositivo láser semiconductor, designado de forma general como 10, según una realización de la presente invención.
El dispositivo láser semiconductor 10 comprende; una pluralidad de regiones ópticamente activas 240, cada región ópticamente activa 240 incluyendo una estructura de Pozo de Quantum (QW) 77; estando separadas las regiones ópticamente activas 240 por una respectiva región ópticamente pasiva 245, siendo cada región ópticamente pasiva 245 un Pozo de Quantum Entremezclado (QWI). La separación entre regiones ópticamente activas adyacentes 240 se llama convenientemente "segmentación".
Como poder verse por las Figs. 1 y 2, cada región ópticamente activa 240 está asociada funcionalmente con una respectiva región de inyección de corriente 250. Las regiones de inyección de corriente 250 se disponen en relación substancialmente lineal, una con la otra, sobre una superficie 255 del dispositivo 10. En esta realización las regiones de inyección de corriente 250 substancialmente se espacian igualmente una de la próxima.
Además, la primera y la última de las regiones de inyección de corriente 250 están cada una separadas de un primer y un segundo extremos 30, 50 del dispositivo 10 respectivamente.
Las regiones ópticamente activas 240 se proveen dentro de una capa activa de núcleo 55 que comprende un material activo emisor láser incluyendo una estructura de Pozo de Quantum (QW) 77, como haya crecido. La estructura de Pozo de Quantum (QW) 77 está retenida en las áreas de la capa ópticamente activa 55 correspondientes a las regiones de inyección de corriente 250, mientras que las áreas de la capa ópticamente activa 55 entre las regiones de inyección de corriente 240 son Pozos de Quantum Entremezclados (QWI).
Además, las áreas 260, 265 entre la primera de la pluralidad de regiones de inyección de corriente 250 y el primer extremo 30 del dispositivo 10 y entre la última de la pluralidad de regiones de inyección de corriente 250 y el segundo extremo 50 del dispositivo 10 respectivamente, son Pozos de Quantum Entremezclados (QWI).
Además, las áreas 32, 35 de la capa ópticamente activa 55 que limita lateralmente con la pluralidad de regiones de inyección de corriente 250 son también Pozos de Quantum Entremezclados (QWI).
Las regiones ópticamente activas y pasivas 240, 245 se proveen dentro de la capa núcleo o guía 55 provista entre la primera y la segunda capas ópticas de revestimiento 60, 65, la capa guía 55 comprendiendo un material activo emisor láser.
En una modificación puede formarse una cadena guiaondas en por lo menos la segunda capa de revestimiento 65, la cual cadena se extiende longitudinalmente desde el primer extremo 30 del dispositivo 10 al segundo extremo 50 del dispositivo 10, o por lo menos de parte del paso que los separa, y desde luego puede en sí mismo estar segmentado.
Se apreciará que las regiones QWI tendrán una brecha de banda mayor que las regiones activas. Las regiones QWI por lo tanto también tendrán una absorción inferior a las regiones activas.
El dispositivo 10 de la Fig. 1 es de construcción substancialmente monolítica, estando formado el dispositivo 10 sobre un substrato 80 sobre que se hace crecer la primera capa de revestimiento 60, la capa de núcleo 55, y la segunda capa de revestimiento 65 respectivamente.
En esta realización el segundo extremo 50 del dispositivo 10 comprende una salida del dispositivo láser semiconductor 10.
El dispositivo láser semiconductor 10 comprende además materiales de contacto (metalizaciones) 270, 275, que están en contacto con respectivas porciones de superficie 255 de dispositivo de láser 10 correspondientes a regiones de inyección de corriente 250, y con una superficie opuesta al substrato 80. Las capas de contacto 270, 275 por tanto proveen el paso de la corriente de accionamiento a las regiones ópticamente activas o de ganancia 240, en funcionamiento.
En una modificación, la pluralidad de regiones ópticamente activas 240 comprende una sección de ganancia del dispositivo 10, y la anchura de la sección de ganancia varía a lo largo de la longitud del dispositivo 10. La anchura puede ser variada por alterando la anchura de contactos adyacentes 270, y puede estrecharse o abocardarse hacia un extremo de salida del dispositivo 10.
En una modificación adicional la separación entre una región ópticamente activa 240 y una próxima región ópticamente activa 240 y la separación entre la próxima región ópticamente activa y una próxima región ópticamente activa es substancialmente la misma o de período variable o no periódica.
En esta realización el dispositivo láser semiconductor 10 se fabrica en el sistema III-V de materiales semiconductores que comprende fosfuro de aluminio, galio e indio (PAlGaIn), y puede operar por lo tanto en la región de longitud de onda 610 a 700 nm. No obstante, se apreciará que en otras realizaciones pueden usarse otros sistemas III-V de materiales semiconductores en la fabricación del dispositivo.
El dispositivo 10 se fabrica según los pasos de método siguientes:
(i)
formar en orden la primera capa óptica de revestimiento 60 sobre el substrato 80, formar la capa núcleo 55 sobre la primera capa óptica de revestimiento 60, estando provista la capa núcleo 15 de una estructura Pozo de Quantum (QW) 77, y formar la segunda capa óptica de revestimiento 65 sobre la capa núcleo 55, y
(ii)
formar las regiones pasivas 245 en la capa núcleo 55.
El paso (i) es efectuado convenientemente mediante técnicas conocidas de crecimiento, particularmente, por ejemplo, Haz Molecular Epitaxial (MBE) o Deposición Metálica Orgánica de Vapor Químico (MOCVD).
En esta realización, las regiones pasivas 245 se forman mediante una técnica de Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI) que comprende generar huecos libres de impureza. La implementación preferida de la técnica QWI comprende los pasos siguientes:
depositar mediante el uso de un rociador de diodo y dentro de una atmósfera de argón una capa dieléctrica tal como sílice (SiO_{2}) sobre por lo menos parte de una superficie 255 del dispositivo láser semiconductor 10, para introducir defectos estructurales puntuales en por lo menos en una porción del material adyacente a la capa dieléctrica;
depositar opcionalmente mediante una técnica no rociante tal como Deposición Química de Vapor de Plasma Mejorado (PECVD) una capa dieléctrica adicional sobre por lo menos parte de la superficie del dispositivo 10;
recocer el dispositivo 10 transfiriendo por medio de esto átomos o iones de galio desde el material del dispositivo a la capa dieléctrica.
Se apreciará que la capa núcleo activa 55, la primera capa de revestimiento 60, y la segunda capa de revestimiento 65, cada tendrá cada una un índice de refracción de alrededor 3.0 a 3.5, teniendo la capa núcleo 55 un índice de refracción superior que la capa de revestimiento 60, 65.
Ejemplo
Como ejemplo de rendimiento de dispositivo mejorado, se dará ahora una segunda realización de un dispositivo láser de sección de ganancia segmentada según la presente invención fabricado en el sistema de material PInGaAs/AsGa.
La estructura de oblea usada era una capa láser de Pozo de Quantum doble (QW) de 670 nm, crecida sobre un substrato (100) de Si dopado con AsGa desorientado 10º hacia la dirección (111) A. La oblea desorientada asegura que la ordenación del PAlGaIn cuaternario se minimizó garantizando un buen rendimiento láser. La estructura de capa epitaxial se enumera en la Tabla 1. El espectro de emisión láser se centró sobre 676 nm con un voltaje de encendido de 1.987V. Una típico densidad umbral de corriente para la longitud de cavidad infinita era 330 A cm ^{-2}.
TABLA 1
1
Los pasos del procedimiento de fabricación son como se indica a continuación:
(a)
modelo fotorresistente para Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI);
(b)
rociamiento de sílice;
(c)
levantamiento de la sílice;
(d)
evaporación de sílice mediante haz-E;
(e)
recocido térmico rápido;
(f)
remoción de sílice;
(g)
modelado fotorresistente para contacto-p;
(h)
evaporación de sílice mediante haz-E;
(i)
levantamiento de la sílice;
(j)
metalización de contacto-p;
(k)
adelgazamiento;
(l)
metalización de contacto-n;.
El proceso QWI incluye rociar 20 nm de SiO_{2} seguido por un rápido recocido térmico a 750ºC durante 30 segundos. La supresión del proceso de entremezclamiento puede ser lograda mediante protección de las regiones activas durante la etapa de rociado con capa fotorresistente. Las capas resistente en inferior se eliminan después por levantamiento en acetona, y la muestra entera se revistió con una capa de 200 nm de SiO_{2} por evaporación con haz de electrones, para proteger las regiones expuestas durante el recocido posterior. Después del recocido, se emplearon medidas de fotoluminiscencia 77K para determinar el desplazamiento de brecha de banda resultante en las regiones pasivas, en este caso 30 nm, como se muestra en la Fig. 3.
La Fig. 4 muestra las características luz corriente del dispositivo con una apertura de 80 \mum, 1500 \mum de longitud, 100 \mum de período y 40 \mum de sección de ganancia y 60 \mum de sección difractiva en cada período. Se midió una potencia pulsante de salida de 200 mW a 4.5 A. La intercalación en la Fig. 4 muestra la distribución lateral de campo lejano, que se aproxima al perfil gaussiano. Para todo los niveles de potencia el ángulo de campo lejano permaneció constante a 2.6º (aproximadamente 4x el límite de difracción, pero sin lentes correctoras). Se prevé que una optimización adicional del diseño de dispositivo, del período de segmentación incluyendo el uso posible de período variable y segmentación no periódica, y de condiciones de proceso, permitirán que la corriente umbral se reduzca y la potencia de salida se aumente.
Se apreciará que las realizaciones de la invención antes descritas se dan solo a modo de ejemplo, y no se pretende limitar el alcance de la misma de ninguna forma.
Por ejemplo, se entenderá que las secciones de ganancia pueden ser guiadas por índice a través de diversos medios guiaondas como un cadena o una heteroestructura guiaondas oculta, o un Guiaondas Optico Reflector Antirresonante (ARROW).
Además, se comprenderá que en esta invención, se usan tecnologías de Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI) para crear secciones guiaondas pasivas de brecha de banda ampliada a lo largo de la longitud del dispositivo. La invención se refiere a todas las estructuras de láser semiconductor compuesto que contienen Pozo de Quantum (QW) en las que el perfil de Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI) puede modificarse usando Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI). Las ventajas del Entremezclamiento de Pozo de Quantum (QWI) en esta invención incluyen:
alineación de guiaondas activos y pasivos;
procedimiento simple de fabricación;
coeficiente de reflexión despreciable en interfaces activos/pasivos.
Finalmente, se entenderá que un dispositivo láser semiconductor según la presente invención puede incorporar rejillas, si se desea.

Claims (16)

1. Un dispositivo láser semiconductor de área amplia (10) que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas (240); y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas (245) ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser,
incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum (77), estando separadas unas de otras regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región ópticamente pasiva de pozo de quantum entremezclado (245),
formando cada región ópticamente pasiva (245) una región de difracción que actúa como un filtro de modo espacial para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.
2. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 1, donde cada región ópticamente activa (240) está asociada funcionalmente con una región respectiva de inyección de corriente (250).
3. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 2, donde las regiones de inyección de corriente (250) están dispuestas en relación sustancialmente lineal una con la otra, sobre una superficie (255) del dispositivo.
4. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 2 o en la reivindicación 3, donde las regiones de inyección de corriente (250) están sustancialmente equiespaciadas una de la siguiente.
5. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en cualquiera de las reivindicaciones 3 o en 4, donde la primera y la última de las regiones de inyección de corriente (250) están cada una separadas del primer y segundo extremos (30, 40) del dispositivo.
6. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 2, donde las regiones ópticamente activas (240) se proveen en una capa ópticamente activa que comprenda un material activo de orientación de rayos láser incluyendo una estructura de Pozo de Quantum (77), como se ha desarrollado.
7. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 6, donde la estructura de Pozo de Quantum (77) se retiene dentro de áreas de la capa ópticamente activa que corresponden a regiones de inyección de corriente, mientras que las áreas de la capa ópticamente activa entre regiones de inyección de corriente son Pozos de Quantum Entremezclados (QWI).
8. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en las reivindicaciones 6 o 7, donde áreas (260) de la capa ópticamente activa (55) entre la primera de la pluralidad de regiones de inyección de corriente (250) y el primer extremo (30) del dispositivo y entre la última de la pluralidad de regiones de inyección de corriente (250) y el segundo extremo (40) del dispositivo son Pozos de Quantum Entremezclados.
9. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en cualquiera de las reivindicaciones 7 u 8, donde áreas (32, 35) de la capa ópticamente activa que limitan con la pluralidad de regiones de inyección de corriente (250) son Pozos de Quantum Entremezclados.
10. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9, donde las regiones ópticamente activas y pasivas (240, 245) van provistas dentro de una capa guía óptica (55), entre capas de revestimiento óptico primera y segunda (60, 65).
11. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 6, donde se forma una cadena en por lo menos la segunda capa de revestimiento y se extiende longitudinalmente desde el primer extremo del dispositivo al segundo extremo del dispositivo.
12. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en cualquier reivindicación precedente, donde las regiones de pozo de quantum entremezcladas (245) tienen una brecha de banda mayor que las regiones ópticamente activas.
13. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado cualquier reivindicación precedente, donde el dispositivo (10) es de una construcción monolítica, incluyendo el dispositivo una capa substrato (80) sobre que se provee la primera capa de revestimiento (60), la capa núcleo (55), y la secunda capa de revestimiento (65), respectiva-
mente.
14. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado cualquier reivindicación precedente, donde dispositivo láser semiconductor se fabrica en un sistema III-V de materiales.
\newpage
15. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 14, donde el sistema III-V de materiales se selecciona de entre arseniuro de galio (AsGa) o como arseniuro de galio y aluminio (AsGaAl) o fosfuro de aluminio, galio e indio (PAlGaIn), o fosfuro de indio (PIn).
16. Un dispositivo láser semiconductor como el reivindicado en la reivindicación 14, donde el primero y segundo de los materiales desordenados en composición comprenden substancialmente arseniuro de indio y galio (AsInGa).
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