ES2248831T3 - Suspension para el pulido quimico-mecanico de sustratos de cobre. - Google Patents
Suspension para el pulido quimico-mecanico de sustratos de cobre.Info
- Publication number
- ES2248831T3 ES2248831T3 ES97309806T ES97309806T ES2248831T3 ES 2248831 T3 ES2248831 T3 ES 2248831T3 ES 97309806 T ES97309806 T ES 97309806T ES 97309806 T ES97309806 T ES 97309806T ES 2248831 T3 ES2248831 T3 ES 2248831T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- suspension
- weight
- abrasive
- composition according
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
- C23F3/04—Heavy metals
- C23F3/06—Heavy metals with acidic solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
- H10P52/40—Chemomechanical polishing [CMP]
- H10P52/403—Chemomechanical polishing [CMP] of conductive or resistive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
UNA LECHADA DE PULIDO QUIMICO MECANICO QUE CONTIENE UN AGENTE FORMADOR DE PELICULAS, UN OXIDANTE TAL COMO PEROXIDO DE HIDROGENO DE UREA, UN AGENTE COMPLEJANTE TAL COMO OXALATO AMONICO O ACIDO TARTARICO, UN ABRASIVO Y UN TENSIOACTIVO OPCIONAL. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA LA UTILIZACION DE LA COMPOSICION DE LECHADA DE PULIDO QUIMICO MECANICO PARA RETIRAR DE UN SUSTRATO CAPAS QUE CONTIENEN UNA ALEACION DE COBRE, TITANIO Y NITRURO DE TITANIO.
Description
Suspensión para el pulido
químico-mecánico de sustratos de cobre.
Esta invención se refiere a una suspensión para
el pulido químico-mecánico que incluye un agente
complejante, al menos un oxidante, al menos un abrasivo y un agente
formador de película. La suspensión para el pulido
químico-mecánico es de utilidad para pulimentar
capas y películas finas metálicas asociadas con la fabricación de
semiconductores. Más particularmente, esta invención se refiere a
una suspensión para el pulido químico-mecánico que
está especialmente adaptada para pulimentar múltiples capas y
películas finas metálicas en donde una de las capas o películas está
constituida por cobre o una aleación que contiene cobre.
Los circuitos integrados están constituidos por
millones de dispositivos activos formados en o sobre un sustrato de
silicio. Los dispositivos activos, que inicialmente están aislados
unos de otros, se unifican para formar circuitos y componentes
funcionales. Los dispositivos se interconectan por medio del uso de
interconexiones de varios niveles ya bien conocidas. Las
estructuras de interconexión tienen normalmente una primera capa de
metalizado, una capa de interconexión, un segundo nivel de
metalizado y a veces un tercero y posteriores niveles de
metalizado. Se emplean dieléctricos entre los niveles, tal como
dióxido de silicio (SiO_{2}) dopado y sin dopar, para aislar
eléctricamente los diferentes niveles de metalizado en un sustrato
o pocillo de silicio. Las conexiones eléctricas entre los
diferentes niveles de interconexión se efectúan a través del uso de
vías metalizadas. La Patente US No. 4.789.648, que se incorpora
aquí solo con fines de referencia, describe un método para la
preparación de múltiples capas metalizadas y vías metalizadas en
películas aislantes. De manera similar, se emplean contactos
metálicos para formar conexiones eléctricas entre los niveles de
interconexión y dispositivos formados en un pocillo. Las vías y
contactos de metal se pueden cargar con varios metales y aleaciones,
incluyendo titanio (Ti), nitruro de titanio (TiN),
aluminio-cobre (Al-Cu),
aluminio-silicio (Al-Si), cobre
(Cu), tungsteno (W) y combinaciones de los mismos. Las vías y
contactos de metal utilizan normalmente una capa de adhesión tal
como nitruro de titanio (TiN) y/o titanio para adherir la capa
metálica al sustrato de SiO_{2}. En el nivel del contacto, la capa
de adhesión actúa como una barrera a la difusión para evitar que
reaccionen el metal cargado y el SiO_{2}.
Según un proceso de fabricación de
semiconductores, se forman vías o contactos metalizadas mediante
una deposición protegida de metal seguido por una etapa de pulido
químico-mecánico (CMP). Según un proceso habitual,
se mordentan orificios de vía a través de un dieléctrico entre los
niveles (ILD) a líneas de interconexión o a un sustrato del
semiconductor. A continuación, se forma generalmente una capa de
adhesión fina, tal como nitruro de titanio y/o titanio, sobre el ILD
y se dirige al interior del orificio de vía mordentado. Se deposita
entonces, de forma protegida, una película de metal sobre la capa
de adhesión y dentro de la vía. La deposición se continúa hasta que
el orificio de vía se llena con el metal depositado protegido. Por
último, el exceso de metal se separa mediante pulido
químico-mecánico (CMP) para formar vías metálicas.
En las Patentes US Nos. 4.671.851, 4.910.155 y 4.944.836 se
describen procedimientos de fabricación y/o CMP de vías.
En un proceso típico de pulido
químico-mecánico, el sustrato se coloca en contacto
directo con un disco de pulido rotativo. Un soporte aplica presión
contra el lado posterior del sustrato. Durante el proceso de
pulido, el disco y la mesa se hacen girar al tiempo que se mantiene
una fuerza descendente contra la parte posterior del sustrato.
Durante el pulido se deposita, sobre el disco, una solución
abrasiva y químicamente reactiva, conocida normalmente como
"suspensión". La suspensión inicia el proceso de pulido al
reaccionar químicamente con la película que está siendo pulimentada.
El proceso de pulido es facilitado por el movimiento de rotación
del disco con respecto al sustrato a medida que se deposita la
suspensión en la interfase oblea/disco. El pulido se continúa de
esta manera hasta separar la película deseada sobre el aislante. La
composición de la suspensión es un factor importante en la etapa
CMP. En función de la elección del agente oxidante, abrasivo y otros
aditivos útiles, la suspensión para el pulido puede ser adaptada
para proporcionar una pulido eficaz en capas metálicas a velocidades
de pulido deseadas, al tiempo que se reducen al mínimo las
imperfecciones superficiales, los defectos, la corrosión y la
erosión. Además, la suspensión para el pulido se puede emplear para
proporcionar selectividades de pulido controladas en otros
materiales de película fina usados en la tecnología actual de
circuitos integrados, tales como titanio, nitruro de titanio y
similares.
Habitualmente, las suspensiones para el pulido
CMP contienen un material abrasivo, tal como sílice o alúmina,
suspendido en un medio oxidante, acuoso. Por ejemplo, la Patente US
No. 5.244.523 de Yu et al. describe una suspensión que
contiene alúmina, peróxido de hidrógeno e hidróxido potásico o
amónico que es de utilidad para separar tungsteno a velocidades
predecibles y con poca separación de la capa aislante subyacente.
La Patente US No. 5.209.816 de Yu et al. describe una
suspensión que comprende ácido perclórico, peróxido de hidrógeno y
un material abrasivo sólido en un medio acuoso. La Patente US No.
5.340.370 de Cadien y Feller describe una suspensión para el pulido
de tungsteno que comprende ferricianuro potásico 0,1M
aproximadamente, alrededor de 5% en peso de sílice y acetato
potásico. Se añade ácido acético para amortiguar el pH en 3,5
aproximadamente.
La Patente US No. 4.789.648 de Bayer et
al. describe una formulación de suspensión que utiliza
abrasivos de alúmina en combinación con ácidos sulfúrico, nítrico y
acético y agua desionizada. Las Patentes US Nos. 5.391.258 y
5.476.606 describen suspensiones para pulimentar un material
compuesto de metal y sílice que incluye un medio acuoso, partículas
abrasivas y un anión que controla la velocidad de separación de la
sílice. Otras suspensiones para pulimentar y que son de utilidad en
aplicaciones CMP se describen en la Patente US No. 5.527.423 de
Neville et al., Patente US No. 5.354.490 de Yu et
al., Patente US No. 5.340.370 de Cadien et al., Patente
US No. 5.209.816 de Yu et al., Patente US No. 5.157.876 de
Medellin, Patente US No. 5.137.544 de Medellin y Patente US No.
4.956.313 de Cote et al.
En EP 0 831 136 se describen suspensiones para
pulimentar que comprenden al menos dos oxidantes y además un ácido
orgánico y un abrasivo, así como su uso para eliminar de un
sustrato titanio, nitruro de titanio o aleación de aluminio. En WO
96/16436 se describe una suspensión para pulimentar que comprende
partículas abrasivas de pequeño diámetro medio premezcladas con un
agente de suspensión surfactante, antes de combinarse con un
oxidante.
En el estado de la técnica se describen diversos
mecanismos por los cuales las superficies metálicas pueden ser
pulimentadas con suspensiones. La superficie metálica puede ser
pulimentada empleando una suspensión en donde no se forma una
película superficial en cuyo caso el proceso procede a través de la
eliminación mecánica de partículas metálicas y su disolución en la
suspensión. En dicho mecanismo, la velocidad de disolución química
deberá ser lenta con el fin de evitar el mordentado en húmedo. Sin
embargo, un mecanismo más preferido es aquel en donde se forma de
manera continua una capa fina abrasible por reacción entre la
superficie metálica y uno o más componentes de la suspensión tal
como un agente complejante y/o un capa formadora de película. La
capa fina abrasible se elimina entonces de manera controlada
mediante acción mecánica. Una vez detenido el proceso de pulido
mecánico, permanece una película fina pasiva sobre la superficie que
controla el proceso de mordentado en húmedo. El control del proceso
de pulido mecánico-químico es mucho más sencillo
cuando el pulido se efectúa con una suspensión CMP empleando este
mecanismo.
En la bibliografía al respecto pueden encontrarse
propuestas realizadas para desarrollar suspensiones CMP para cobre.
La propuesta RPI (J. M. Stigerwald et al, Electrochemical
Potencial Measurements during the
Chemical-Mechanical Polishing of Copper Thin
Films, Mat. Res. Soc. Symp. 337, 133 (1994)) se centra en el
uso de compuestos amónicos (nitrato, cloruro, hidróxido amónico),
ácido nítrico y alúmina abrasiva. Se asume que, a partir de una
superficie libre de película se consigue una disolución de cobre de
2 nm/minuto (medida electroquímicamente). Sin embargo, se indican
velocidades de pulimentación superiores a 400 nm/minuto. Esta
discrepancia se explica por la importancia dada a la acción
mecánica, que forma restos de Cu, los cuales se disuelven entonces
por solución. No se ofrecen factores de selectividad.
Q. Luo et al, Chemical Mechanical
Polishing of Copper in Acidic Media, Proceedings - First
International Chemica-Mechanical Polish (CMP) for
VLSI/LSI Multilevel Interconnection Conference
(CMP-MIC), Santa Barbara, Feb.
22-23, (1996) describen el uso de una suspensión
CMP que incluye un mordentante muy agresivo, nitrato de Fe, pH
1-2, en combinación con un inhibidor
(benzotriazol), un surfactante estabilizante de la suspensión
(polietilenglicol) y alúmina. La reacción química es controlada
aparentemente por la formación de una película inhibidora de la
corrosión, concretamente Cu-BTA, con surfactante,
socavando ello su capacidad de protección. Se indica que la
selectividad a óxido es de 15:1 a 45:1.
Un trabajo electroquímico CMP realizado en los
laboratorios Sematech se describe en R. Carpio et al,
Initial Study On Copper CMP Slurry Chemistries, Thin Solid
Films, 262 (1995). Esta referencia explora el uso de la
electroquímica en la caracterización fundamental de suspensiones
plausibles. Además de otros diversos, se emplea permanganato
potásico como oxidante en la suspensión.
H. Hirabayashi et al, Chemical
Mechanical Polishing of Copper Using A Slurry Composed of Glycine
and Hydrogen Peroxide, Proceedings - First International
Chemical-Mechanical Polish (CMP) for VLSI/LSI
Multilevel Interconnection Conference (CMP-MIC),
Santa Barbara, Feb 22-23, (1996) y la Patente US
No. 5.770.095 describen una mezcla de glicina, peróxido de hidrógeno
y sílice, con o sin benzotriazol, para el proceso CMP de Cu con una
baja velocidad de corrosión y un bajo nivel de defectos. La
referencia describe que la suspensiones CMP que incorporan un agente
químico, tal como benzotriazol y
n-benzoil-n-fenilhidroxilamina,
forman una película protectora sobre el cobre. La velocidad de
eliminación varía en función de la concentración de los componentes
de la suspensión. Se indica una velocidad óptima de 120 nm/minuto,
con una velocidad para TiN de 30 nm/minuto y un abombamiento de 200
nm a través de las estructuras con un ancho de 15 \mum.
En la bibliografía disponible se han expuesto
diversas químicas relevantes para Cu, pero sin mencionar cada una
de ellas un procedimiento que enfoque con éxito todos los
requisitos clave de una suspensión para el pulido
químico-mecánico; concretamente, una velocidad de
separación de metal mayor de 200 nm/minuto, una selectividad a
revestimientos de metal de <5, una selectividad a capa de óxido
dieléctrico de >50 y una profundidad de defectos en total de
<10%.
A pesar de la conveniencia de utilizar un
mecanismo formador de película en un proceso CMP, siguen existiendo
problemas con la formulación de suspensiones CMP que puedan
controlar el espesor de la capa de película formada, así como
problemas que aseguren que la película formada sea abrasible. Estos
problemas pueden dar lugar a una suspensión CMP que exhibe
velocidades de pulimentación inaceptablemente bajas o pobres
resultados en la pulimentación. Por tanto, sigue existiendo la
necesidad de disponer de una suspensión CMP que sea capaz de formar
una capa fina abrasible eliminable sobre la superficie de un
sustrato y, más particularmente, sobre la superficie de un sustrato
que contiene aleación de cobre. Una suspensión CMP deseable deberá
exhibir buenas selectividades para la pulimentación de películas
finas y, de manera simultánea, deberá proporcionar sustratos pulidos
con un mínimo de abombamiento y una baja proporción de
defectos.
La presente invención está dirigida a una
suspensión para el pulido químico-mecánico que es
capaz de pulir sustratos que contienen metal a velocidades
aceptables.
Además, la suspensión para el pulido
químico-mecánico tiene una baja selectividad para
pulir material aislante, al tiempo que exhibe alta selectividades de
pulimentación hacia capas metálicas que contiene cobre y aleaciones
de cobre.
Por otro lado, esta invención está dirigida a
métodos para utilizar una sola suspensión para el pulido
químico-mecánico de capas metálicas y
particularmente de capas que contienen cobre o aleación de cobre en
una circuito integrado.
En una modalidad, la suspensión para el pulido
químico-mecánico incluye
urea-peróxido de hidrógeno como un agente oxidante
eficaz y estable.
La suspensión CMP incluye un abrasivo, un
oxidante, un agente complejante y un agente formador de película.
En una modalidad preferida, la suspensión CMP incluye de 1 a 15% en
peso de una alúmina abrasiva, de 0,3 a 12% en peso de peróxido de
hidrógeno, de 0,5 a 3% en peso de oxalato amónico o ácido tartárico
y 0,01 a 0,2% en peso de benzotriazol. En otra modalidad preferida,
la suspensión CMP incluye de 1 a 15% en peso de alúmina abrasiva,
de 1 a 12% en peso de urea-peróxido de hidrógeno,
de 0,5 a 3% en peso de oxalato amónico o ácido tartárico y 0,01 a
0,2% en peso de benzotriazol. Todas las modalidades de suspensiones
CMP incluyen también agua desionizada.
En una modalidad, el método para pulir un
sustrato que incluye al menos una capa de metal comienza mezclando
de 1 a 15% en peso de un abrasivo, de 0,3 a 12% en peso de un
oxidante y preferentemente con urea-peróxido de
hidrógeno, de 0,5 a 3% en peso de al menos un agente complejante,
de 0,01 a 0,2% en peso de al menos un agente formador de película y
agua desionizada, para proporcionar así una suspensión para el
pulido químico-mecánico. A continuación, la
suspensión para el pulido químico-mecánico se aplica
al sustrato. Por último, se separa del sustrato al menos una
porción de la capa metálica poniendo en contacto una almohadilla con
el sustrato y moviendo la almohadilla en relación al sustrato.
La figura 1 muestra curvas de polarización
potenciodinámica medidas sobre cobre en soluciones que contienen 4%
en peso de persulfato amónico y o bien 1% en peso de glicina
(curvas 1 y 2) o bien 1% en peso de oxalato amónico (curvas 3 y 4).
Cada conjunto de curvas se midió durante la abrasión de la
superficie de cobre (curvas 1 y 3) y de nuevo una vez que cesó la
abrasión (curvas 2 y 4).
La figura 2 muestra curvas de polarización
potenciodinámica sobre cobre en: solución de oxidante de 11% en
peso de H_{2}O_{2} (curva 1 después de la abrasión); en
electrolito con el mismo oxidante y 1% en peso de glicina (curva 2,
después de la abrasión); y en el mismo oxidante con 1% en peso de
oxalato amónico (curva 3, después de la abrasión).
La figura 3 muestra la reproducibilidad de la
realización del pulido, es decir, velocidad de pulido y no
uniformidad dentro de la oblea, para cobre empleando una suspensión
CMP de esta invención que comprende 5% en peso de alúmina abrasiva,
11% en peso de H_{2}O_{2}, 1,5% en peso de oxalato amónico,
0,04% en peso de benzotriazol y 50 ppm de agente humectante (TRITON®
DF-16).
La presente invención se refiere a una suspensión
para el pulido químico-mecánico que comprende un
abrasivo, al menos un oxidante, un agente complejante y un agente
formador de película. El agente complejante es capaz de formar un
complejo con un metal oxidado y se elige del grupo de compuestos
que incluyen ácido cítrico, ácido láctico, ácido tartárico, ácido
oxálico y sales de los mismos. El agente formador de película
facilita la formación de una capa de pasivación de óxido metálico
sobre la superficie de una capa metálica. La suspensión para el
pulido químico-mecánico es de utilidad para pulir
metales, especialmente capas metálicas que contiene cobre y aleación
de cobre, asociadas con un sustrato seleccionado del grupo que
comprende circuitos integrados, películas finas, semiconductores de
múltiples niveles y obleas.
Antes de describir los detalles de las diversas
modalidades preferidas de esta invención, se definirán algunos de
los términos aquí utilizados. La suspensión para el pulido
químico-mecánico ("suspensión CMP") es un
producto útil de esta invención que comprende un oxidante, un
abrasivo, un agente complejante, un agente formador de película y
otros ingredientes opcionales. La suspensión CMP es útil para pulir
una metalización de múltiples niveles que puede incluir, pero no de
forma limitativa, películas finas para semiconductores, películas
finas para circuitos integrados y cualesquiera otras películas y
superficies en donde sean útiles los procesos CMP. Los términos
"cobre" y "aleaciones que contiene cobre" se emplean aquí
de manera intercambiable y queda dentro del conocimiento del
experto en la materia que dichos términos incluyen, pero no de forma
limitativa, sustratos que comprenden capas de cobre puro,
aleaciones de cobre-aluminio y sustratos de
múltiples capas de Ti/TiN/Cu y Ta/TaN/Cu.
La suspensión CMP de esta invención incluye al
menos un oxidante. El oxidante facilita la oxidación de la capa o
capas metálicas del sustrato a su correspondiente óxido, hidróxido
o iones. Por ejemplo, en la presente invención, el oxidante se puede
emplear para oxidar una capa metálica a su correspondiente óxido o
hidróxido, por ejemplo, titanio a óxido de titanio, tungsteno a
óxido de tungsteno, cobre a óxido de cobre y aluminio a óxido de
aluminio. El agente oxidante es de utilidad cuando se incorpora en
una suspensión CMP para pulir metales y componentes a base de
metales, incluyendo titanio, nitruro de titanio, tántalo, cobre
tungsteno, aluminio y aleaciones de aluminio tales como aleaciones
de aluminio/cobre, y diversas mezclas y combinaciones de los
anteriores, mediante un pulido mecánico de los metales para
eliminar la respectiva capa de óxido.
El oxidante empleado en la suspensión CMP de esta
invención se puede elegir entre compuestos que, tras la reducción,
forman radicales hidroxilo. Dichos oxidantes exhiben una buena
selectividad de pulimentado hacia capas de metal y capas de
sustratos que contiene metal y en particular hacia capas de
aleación de cobre. Ejemplos no exclusivos de compuestos que oxidan
metal que, tras la reducción, forman radicales hidroxilo incluyen
ácido peracético, urea-peróxido de hidrógeno,
peróxido de urea y peróxido de hidrógeno y mezclas de los mismos,
siendo los oxidantes preferidos el peróxido de hidrógeno y
urea-peróxido de hidrógeno. El oxidante puede estar
presente en la suspensión para el pulido
químico-mecánico en una cantidad de 0,3 a 30% en
peso. Es preferible que el oxidante esté presente en la suspensión
CMP de esta invención en una cantidad de 0,3 a 17% en peso y con
suma preferencia de 1 a 12% en peso.
Un oxidante preferido es
urea-peróxido de hidrógeno. Debido a que la
combinación urea-peróxido de hidrógeno consiste en
34,5% en peso de peróxido de hidrógeno y 65,5% en peso de urea,
debe incluirse una cantidad mayor en peso de
urea-peróxido en las suspensiones CMP de esta
invención, para conseguir la carga deseada de oxidante indicada
anteriormente. Por ejemplo, una cantidad de 1 a 12% en peso de
oxidante corresponde a un peso de urea-peróxido de
hidrógeno tres veces tan grande o bien de 3 a 36% en peso.
La suspensión CMP que comprende
urea-peróxido de hidrógeno puede ser formulada por
diversos métodos incluyendo la combinación de peróxido de urea con
agua, así como la combinación de urea y peróxido de hidrógeno en
una solución acuosa en una relación molar de 0,75:1 a 2:1, para
proporcionar así el oxidante de urea-peróxido de
hidrógeno.
La suspensión CMP de esta invención incluye
también un agente formador de película. El agente formador de
película es cualquier compuesto o mezclas de compuestos que sean
capaces de facilitar la formación de una capa de pasivación de
óxidos metálicos y capas inhibidoras de la disolución sobre la
superficie de la capa metálica. La pasivación de la capa superficial
del sustrato es importante para evitar el mordentado en húmedo de
la superficie del sustrato. Agentes formadores de película útiles
son los compuestos cíclicos tales como imidazol, benzotriazol,
bencimidazol y benzotriazol y sus derivados con grupos
sustituyentes hidroxi, amino, imino, carboxi, mercapto, nitro y
alquilo, y así como urea, tiourea y otros. Un agente formador de
película preferido es benzotriazol ("BTA"). El agente formador
de película deberá estar presente en la suspensión para el pulido
químico-mecánico de esta invención en una cantidad
que sea capaz de promover la formación rápida, y preferentemente
casi instantánea, de capas de pasivación y capas inhibidoras de la
disolución sobre la superficie del sustrato. El agente formador de
película deberá estar presente en la suspensión CMP de esta
invención en una cantidad de 0,01 a 1% en peso. Es preferible que
el agente formador de película esté presente en la suspensión CMP en
una cantidad de 0,01 a 0,2% en peso.
Una vez formada la capa de pasivación sobre la
superficie del sustrato, es importante poder perturbar la capa de
la capa de pasivación con el fin de abradir óxidos metálicos de la
superficie del sustrato con el componente abrasivo de la suspensión
CMP de esta invención. Una clase de compuestos que son de utilidad
a la hora de perturbar la capa de pasivación son los agentes
complejantes. Los agentes complejantes usados en la suspensión CMP
de la invención se eligen del grupo de compuestos que incluyen
ácidos cítrico, láctico, tartárico y oxálico, así como sus sales. Un
agente complejante preferido es el oxalato amónico. Otro agente
complejante preferido es el ácido tartárico.
Los agentes complejantes prestan al menos dos
funciones útiles en la suspensión CMP de esta invención. El agente
complejante perturba a la capa de pasivación durante la etapa de
abrasión mecánica sin destruir la capa o inhibir su formación
durante la etapa de abrasión y especialmente una vez finalizada la
etapa de abrasión. En segundo lugar, se cree que el agente
complejante forma un complejo con el metal oxidado y no con el
metal sin oxidar subyacente, limitando con ello la profundidad de
la capa oxidada. El agente complejante estará presente
preferentemente en la suspensión CMP de esta invención en una
cantidad de 0,5 a 5% en peso y más preferentemente en una cantidad
de 0,5 a 3% en peso.
En la suspensión para el pulido
químico-mecánico de esta invención se pueden
incorporar otros aditivos bien conocidos en tales suspensiones para
realizar dicho pulido. Una clase de aditivos opcionales son los
ácidos inorgánicos y/o sus sales, los cuales se pueden añadir a la
suspensión para mejorar o aumentar adicionalmente la velocidad de
pulido de las capas de barrera presentes en la oblea, tal como
titanio y tántalo. Aditivos inorgánicos útiles incluyen ácido
sulfúrico, ácido fosfórico, ácido nítrico, ácido HF, fluoruro
amónico, sales amónicas, sales potásicas, sales sódicas u otras
sales catiónicas de sulfatos, fosfatos y fluoruros.
El BTA u otros agentes formadores de película en
la suspensión CMP de esta invención puede desestabilizar la
dispersión uniforme de abrasivo en la suspensión. Con el fin de
promover la estabilización de una suspensión CMP de esta invención
contra la sedimentación, floculación y descomposición, se puede
emplear una variedad de aditivos opcionales para la suspensión CMP,
tales como surfactantes, estabilizantes o agentes dispersantes. Si
se añade un surfactante a la suspensión CMP, éste puede ser un
surfactante aniónico, catiónico, no iónico o anfótero, o bien se
puede emplear una combinación de dos o más surfactantes. Además, se
ha comprobado que la adición de un surfactante puede ser útil para
reducir la no uniformidad dentro de la oblea (WIWNU), mejorando con
ello la superficie de la oblea y reduciendo los defectos en esta
última.
En general, la cantidad de aditivo, tal como un
surfactante, que se puede emplear en la presente invención deberá
ser suficiente para conseguir una estabilización eficaz de la
suspensión y habitualmente variará en función del surfactante
particular seleccionado y de la naturaleza de la superficie del
óxido metálico abrasivo. Por ejemplo, si no se utiliza una cantidad
suficiente de un surfactante seleccionado, éste tendrá poco o
ningún efecto sobre la estabilización de la suspensión CMP. Por
otro lado, una cantidad demasiado grande de surfactante en la
suspensión CMP puede dar lugar a espumado y/o floculación
indeseables en la suspensión. Como resultado, los estabilizantes,
tal como surfactantes, deberán estar presentes en general en la
suspensión de esta invención en una cantidad de 0,001 a 0,2% en
peso, y con preferencia de 0,001 a 0,1% en peso. Además, el aditivo
se puede añadir directamente a la suspensión o puede tratarse sobre
la superficie del óxido metálico abrasivo empleando técnicas
conocidas. En cualquier caso, la cantidad de aditivo se ajusta para
conseguir la concentración deseada en la suspensión de
pulimentación. Surfactantes preferidos incluyen la sal
dodecilsulfato sódico, la sal laurilsulfato sódico, la sal
dodecilsulfato amónico y mezclas de las mismas. Ejemplos de
surfactantes útiles incluyen TRITON® DF-16
producido por Union Carbide y SURFYNOL® producido por Air Products
and Chemicals.
La suspensión CMP de esta invención incluye un
abrasivo. El abrasivo es habitualmente un abrasivo de óxido
metálico. El óxido metálico abrasivo se puede seleccionar del grupo
consistente en alúmina, titania, circonia, germania, sílice, ceria y
mezclas de los mismos. La suspensión CMP de esta invención incluye
preferentemente de 1 a 15% en peso o más de un abrasivo. Sin
embargo, es más preferible que la suspensión CMP de esta invención
incluya de 3 a 6% en peso de abrasivo.
El óxido metálico abrasivo se puede producir por
cualquier técnica ya conocida para el experto en la materia. Los
óxidos metálicos abrasivos se pueden producir usando cualquier
proceso de alta temperatura tal como un proceso
sol-gel, hidrotérmico, plasma, o mediante procesos
para la producción de óxidos metálicos ahumados o precipitados.
Preferentemente, el óxido metálico es un abrasivo ahumado o
precipitado y, más particularmente, es un abrasivo ahumado tal como
sílice ahumada o alúmina ahumada. Por ejemplo, la producción de
óxidos metálicos ahumados es un proceso bien conocido que implica
la hidrólisis de un vapor de alimentación adecuado (tal como cloruro
de aluminio para un abrasivo de alúmina) en una llama de hidrógeno
y oxígeno. En el proceso de combustión se forman partículas
fundidas de formas aproximadamente esféricas, cuyos diámetros varían
según los parámetros del proceso. Estas esferas fundidas de alúmina
o de un óxido similar, referidas normalmente como partículas
primarias, se funden entre sí al experimentar colisiones en sus
puntos de contacto para formar agregados de tipo cadena,
ramificados, tridimensionales. La fuerza necesaria para romper los
agregados es considerable y con frecuencia se considera
irreversible. Durante el enfriamiento y la recogida, los agregados
experimentan una colisión adicional que puede dar como resultado
cierto enmarañamiento mecánico para formar aglomerados. Se cree que
los aglomerados se mantienen juntos de forma suelta a través de
fuerzas de van der Waals y pueden ser invertidos, es decir,
desaglomerados, mediante la adecuada dispersión en un medio
apropiado.
Los abrasivos precipitados pueden ser producidos
por técnicas convencionales tal como por coagulación de las
partículas deseadas en un medio acuoso bajo la influencia de altas
concentraciones de sal, ácidos u otros coagulantes. Las partículas
son filtradas, lavadas, secadas y separadas de residuos de otros
productos de reacción mediante técnicas convencionales conocidas
para el experto en la materia.
Un óxido metálico preferido tendrá un área
superficial, calculada por el método de S.Brunauer, P.H. Emmert e
I. Teller, J.Am. Chemical Society, Volumen 60, página 309 (1938) y
conocida normalmente como BET, de 5 a 430 m^{2}/g y
preferentemente de 30 a 170 m^{2}/g. Debido a los rigurosos
requisitos de pureza en la industria IC, el óxido metálico preferido
deberá ser de alta pureza. El término "alta pureza" significa
que el contenido total en impurezas, derivadas de fuentes tales como
las impurezas de las materias primas y trazas de contaminantes del
procesado, es normalmente menor del 1% y con preferencia menor de
0,01% (es decir, 100 ppm).
El óxido metálico abrasivo útil en la dispersión
de esta invención puede consistir en agregados de óxidos metálicos
o partículas esféricas simples individuales. El término
"partícula" tal como aquí se emplea, se refiere tanto a
agregados de más de una partícula primaria como a partículas
individuales.
Es preferible que el óxido metálico abrasivo
consista en partículas de óxidos metálicos que tienen una
distribución de tamaños menor de alrededor de 1 micrómetro, un
diámetro medio de los agregados menor de alrededor de 0,4
micrómetros y una fuerza suficiente para repeler y contrarrestar
las fuerzas de van der Waals entre los propios agregados abrasivos.
Se ha comprobado que dicho óxido metálico abrasivo resulta eficaz a
la hora de reducir al mínimo o evitar rasguños, marcas de
picaduras, tepes y otras imperfecciones superficiales durante el
pulido. La distribución de tamaños de los agregados en la presente
invención se puede determinar utilizando técnicas conocidas tales
como microscopía de transmisión electrónica (TEM). El diámetro
medio de los agregados se refiere al diámetro esférico equivalente
medio cuando se emplea análisis de imagen TEM, es decir, está basado
en el área en sección transversal del agregado. Por el término
"fuerza" se quiere indicar que el potencial superficial o la
fuerza de hidratación de las partículas de óxido metálico deberá ser
suficiente para repeler y contrarrestar las fuerzas de atracción de
van der Waals entre las partículas.
En otra modalidad preferida, el óxido metálico
abrasivo puede consistir en partículas separadas, individuales, de
óxidos metálicos que tienen un diámetro de partículas primarias
menor de 0,4 micrómetros (400 nm) y un área superficial entre 10 y
250 m^{2}/g.
Preferentemente, el óxido metálico abrasivo se
incorpora en el medio acuoso de la suspensión para pulido como una
dispersión acuosa concentrada de óxidos metálicos, cuya dispersión
acuosa concentrada de óxidos metálicos abrasivos tiene normalmente
un contenido en sólidos de 3 a 45%, preferentemente de 10 a 20%. La
dispersión acuosa de óxidos metálicos se puede obtener empleando
técnicas convencionales, tal como añadiendo lentamente el óxido
metálico abrasivo a un medio adecuado, por ejemplo, agua
desionizada para formar una dispersión coloidal. La dispersión se
completa habitualmente sometiéndola a condiciones de mezcla de alto
esfuerzo cortante como ya es conocido por el experto en la materia.
El pH de la suspensión se puede ajustar en un valor distante del
punto isoeléctrico para lograr así la máxima estabilidad
coloidal.
Es conveniente mantener el pH de la suspensión
CMP de esta invención en el intervalo de 2 a 12, preferentemente de
4 a 9 y con suma preferencia de 5 a 8, con el fin de facilitar el
control del proceso CMP. Se encuentran problemas en la manipulación
de la suspensión y respecto a la calidad de pulimentación del
sustrato cuando el pH de la suspensión CMP de esta invención es
demasiado bajo, por ejemplo, menor de 2. Cuando el oxalato amónico
es el agente complejante, el precursor o suspensión CMP tendrá
habitualmente un pH de 7,5, de manera que puede no ser necesario
realizar un ajuste del pH. Sin embargo, cuando se elige ácido
tartárico como agente complejante, el precursor o suspensión CMP
tendrá habitualmente un pH de 2 y es preferible realizar un ajuste
del pH.
El pH de los precursores y suspensiones CMP de
esta invención se puede ajustar empleando cualquier ácido, base o
amina, como ya es bien conocido. Sin embargo, se prefiere el uso de
un ácido o base que contenga iones metálicos, tal como hidróxido
amónico y aminas, o ácidos nítrico, fosfórico, sulfúrico o ácidos
orgánicos, para evitar la introducción de componentes metálicos
indeseables en la suspensión CMP de esta invención.
Aunque la suspensión CMP de esta invención se
puede emplear para pulir cualquier tipo de capa metálica, se ha
comprobado que la suspensión para el pulido
químico-mecánico de esta invención presenta altas
velocidades de pulimentación de cobre, titanio, nitruro de titanio y
nitrato de tántalo y velocidades de pulimentación aceptables de
tántalo. Además, la suspensión para el pulido
químico-mecánico exhibe bajas velocidades de
pulimentación convenientes hacia la capa aislante dieléctrica.
La suspensión CMP de esta invención se puede
producir empleando técnicas convencionales conocidas para los
expertos en la materia. Normalmente, el agente oxidante y los otros
componentes no abrasivos se mezclan en un medio acuoso, tal como
agua desionizada o destilada, en concentraciones predeterminadas,
en condiciones de bajo esfuerzo cortante, hasta que todos los
componentes se disuelven por completo en el medio. Se añade al medio
una dispersión concentrada del óxido metálico abrasivo, tal como
alúmina ahumada, y se diluye al nivel de carga deseado de abrasivo
en la suspensión CMP final.
Las suspensiones CMP de la presente invención se
pueden suministrar como un sistema de un solo envase (agente
oxidante, abrasivo, agente formador de película y agente de
pasivación en un medio acuoso estable). Sin embargo, para evitar
cualquier degradación posible de la suspensión CMP, es preferible
emplear un sistema de al menos dos envases en donde el primer envase
comprende el agente formador de película y cualesquiera aditivos
opcionales, y el segundo envase comprende la dispersión abrasiva
acuosa y un oxidante. El restante componente, el agente complejante,
se puede colocar en el primer recipiente, en el segundo recipiente
o en un tercer recipiente. Para los expertos en la materia
resultarán evidentes otras combinaciones de dos recipientes para los
ingredientes de la suspensión CMP de esta invención.
Se ha descubierto que la suspensiones CMP de esta
invención que incluyen urea-peróxido de hidrógeno,
pueden ser formuladas añadiendo peróxido de hidrógeno a un precursor
de la suspensión que comprende urea y cualesquiera otros
componentes útiles en la suspensión, para proporcionar una
suspensión CMP que contiene urea-peróxido de
hidrógeno. La formulación de suspensiones CMP de esta invención a
partir de un precursor de la suspensión que contiene urea elimina
problemas de estabilidad, transporte, y seguridad asociados con las
suspensiones que contienen peróxido de hidrógeno. Esto es debido a
que el precursor de la suspensión CMP que contiene urea puede ser
preparado y transportado al lugar en donde se utilizará, para
mezclarse entonces con peróxido de hidrógeno disponible in
situ para proporcionar una suspensión CMP que incluye
urea-peróxido de hidrógeno.
Un precursor preferido para la suspensión de esta
invención comprenderá una mezcla seca o acuosa de urea y al menos
un óxido metálico abrasivo. Se pueden incorporar otros ingredientes
en el precursor de la suspensión que contiene urea, incluyendo al
menos un agente complejante, al menos un agente formador de
película y cualesquiera otros aditivos tales como surfactantes que
sean útiles en suspensiones CMP.
Un precursor sumamente preferido para la
suspensión de esta invención incluye una dispersión acuosa de 2 a
24% en peso de urea, alúmina ahumada, un agente complejante
seleccionado entre oxalato amónico, ácido tartárico o mezclas de los
mismos, y preferentemente ácido tartárico, benzotriazol, y un
surfactante en las cantidades anteriormente descritas. El precursor
de la suspensión o mezclas del mismo, tendrán preferentemente un pH
de 4 a 9.
Se puede emplear un sistema de suspensión CMP de
varios envases con cualquiera de las instalaciones de pulimentación
estándar adecuadas para utilizarse en la capa metálica deseada de
la oblea. El sistema de varios envases incluye uno o más componentes
de la suspensión CMP, cuando resulte adecuado, en forma acuosa o
seca en dos o más recipientes. El sistema de varios envases se
emplea combinando los componentes de los diversos recipientes en las
cantidades deseadas para proporcionar una suspensión CMP que
comprende al menos un agente oxidante, un agente formador de
película, un agente complejante y al menos un abrasivo en las
cantidades descritas anteriormente, antes de o al mismo tiempo de
aplicar la suspensión a un sustrato. El sistema de envases preferido
comprende un primer recipiente que incluye un precursor de la
suspensión CMP que comprende alúmina, urea, un agente complejante
seleccionado entre oxalato amónico, ácido tartárico y mezclas de los
mismos, benzotriazol, y un surfactante a un pH de 4 a 9, y un
segundo recipiente que incluye peróxido de hidrógeno. En el punto
en donde se realiza el pulido, se combinan, en el momento de
realizar el pulido, una cantidad preseleccionada del precursor CMP
y una cantidad seleccionada de peróxido de hidrógeno, para
proporcionar la suspensión CMP de esta invención.
La suspensión CMP de la presente invención no
aumenta de manera importante la velocidad de pulimentación de
dióxido de silicio. Sin embargo, la suspensión CMP de esta
invención pule capas de cobre, nitruro de titanio, tántalo y nitruro
de tántalo a buenas velocidades y bajo condiciones controlables. De
este modo, la suspensión CMP de esta invención es eficaz a la hora
de controlar las selectividades de pulimentación de titanio, cobre
y nitruro de titanio. La suspensión para pulimentación de la
presente invención se puede emplear durante las diversas etapas de
la fabricación de circuitos integrados de semiconductores, para
proporcionar un pulido eficaz a las velocidades de pulimentación
deseadas, al tiempo que se reduce al mínimo las imperfecciones y
defectos superficiales.
La entidad solicitante ha descubierto que una
suspensión CMP que incluye al menos un oxidante, un agente
complejante y un agente formador de película es capaz de pulir
múltiples capas metálicas que comprenden aleaciones de cobre,
titanio y nitruro de titanio a elevadas velocidades, exhibiendo al
mismo tiempo una velocidad de pulimentación baja aceptable hacia
capas dieléctricas.
Los siguientes ejemplos ilustran modalidades
preferidas de esta invención, así como métodos preferidos para
utilizar las composiciones de esta invención.
Se emplean ensayos electroquímicos para evaluar
los mecanismos CMP y para proporcionar una guía a la hora de
seleccionar los componentes de la suspensión. La cuba
electroquímica utilizada fue desarrollada en IBM Laboratories y se
describe en V. Brusic et al., Corrosion And Inhibition Of
Thin Line Conductors In VLSI Structures, IBM J R&D, 37, 173
(1993), cuyo documento se incorpora aquí sólo con fines de
referencia. La cuba electroquímica permite la evaluación del
potencial de los electrodos y la velocidad de disolución de metal
de un sustrato, con y sin abrasión superficial. El método utiliza
un potenciostato PAR modelo 273 con software de corrosión PAR.
La figura 1 ilustra los procesos que gobiernan la
disolución de cobre en presencia de un oxidante, es decir, 4% en
peso de persulfato amónico con glicina (1 y 2) (comparativo) o bien
oxalato amónico (3 y 4), ambos presentes en la cantidad de 15 en
peso a pH 5,1. En ambos casos, la pendiente anódica Tafel es muy
baja y la diferencia entre las curvas de polarización
potenciodinámica con y sin abrasión es muy pequeña. Los resultados
de la cuba electroquímica indican que la superficie de Cu no está
cubierta por una película de óxido. Sin embargo, la disolución de
cobre es al menos 20 veces más lenta en presencia de oxalato
amónico. En una comparación con glicina, el oxalato es un inhibidor
más eficaz para la disolución de cobre. También existe una
diferencia persistente en los potenciales de corrosión, siendo el
potencial en el oxalato amónico consistentemente más bajo que el
potencial medido en glicina, indicando ello que un proceso de
disolución preferencial conduciría a iones Cu^{+} mientras que con
glicina es posible la formación de iones Cu^{++}.
A valores pH más altos, el oxalato se adsorbe
todavía en la superficie de cobre, pero el oxalato amónico actúa
también para aumentar la velocidad de disolución de cobre a través
de la formación de complejos de
Cu(NH_{3})_{x}^{+} y
Cu(NH_{3})_{x}^{++}. La figura 2 muestra la
disolución y pasivación de cobre en 11% H_{2}O_{2} (curva 1,
después de la abrasión superficial), en el mismo oxidante con 1% en
peso de glicina (curva 2) y en el mismo oxidante con 1% de oxalato
amónico (curva 3). El potencial de corrosión es el más bajo en
presencia de oxalato amónico. Aunque en oxalato amónico la
disolución de cobre aumenta en comparación con el peróxido por sí
sólo, alcanzando alrededor de 200 nm/minuto durante la abrasión, de
hecho se presenta una repasivación de la superficie, conduciendo a
una velocidad de disolución después de la abrasión de sólo 5,5
nm/minuto. Las adiciones de pequeñas cantidades de BTA aseguran que
la pasivación se presente de forma rápida, proporcionando el
Cu-BTA un factor adicional en el control de la
disolución de cobre. En contraste, la disolución de cobre en glicina
es la misma con y sin abrasión, alcanzando los valores
incontrolables de más de 300 nm/minuto sin repasivación de la
superficie.
Se pulieron obleas de Cu y Ti con una suspensión
CMP empleando una pulidora Strasbaugh con una fuerza descendente de
3 psi, una velocidad de la mesa de 45 rpm y una velocidad del
husillo de 50 rpm. La suspensión CMP fue formulada para variar la
concentración de peróxido de hidrógeno, oxalato amónico,
benzotriazol y agente humectante, como se muestra en la Tabla 1. Se
midieron las velocidades de separación de Cu y Ti. Se determinaron
también varias velocidades para las suspensiones del estado de la
técnica que incluyen peróxido de hidrógeno y glicina, mostrándose en
la Tabla 2 los valores obtenidos. Todas las suspensiones contenían
alúmina abrasiva, con 5% de sólidos. El agente humectante empleado
fue TRITON® DF 16 producido por Union Carbide Chemicals &
Plastics Co., Danbury, Connecticut.
| Peróxido (H_{2}O_{2}) | Oxalato amónico | BTA | Agente humectante | Velocidad Cu | Velocidad Ti |
| nm/minuto | nm/minuto | ||||
| 7% | 0% | 0 | 50 ppm | 21,7 | 80,6 |
| 7% | 0,5% | 0 | 50 ppm | 278 | 30,7 |
| 11% | 0,5% | 0 | 10 ppm | 251,7 | 25,4 |
| 11% | 1,0% | 0 | 10 ppm | 402,9 | 80,4 |
| 9% | 1,0% | 0,04% | 30 ppm | 170,7 | 94,1 |
| 7% | 1,5% | 0,08% | 10 ppm | 304,7 | 108,6 |
| Peróxido (H_{2}O_{2}) | Glicina | BTA | Agente humectante | Velocidad Cu | Velocidad Ti |
| nm/minuto | nm/minuto | ||||
| 11% | 0,1% | 0 | 0 | 52,8 | 101,4 |
| 8% | 1,1% | 0 | 25 ppm | 493,7 | 75,6 |
| 11% | 2,1% | 0 | 0 | 778,3 | 53,4 |
Los resultados de los ensayos de pulimentación
CMP indicados en las Tablas 1 y 2 demuestran que las suspensiones
CMP de esta invención son capaces de conseguir velocidades y
selectividades de pulimentación preferidas de cobre y titanio,
incluyendo una velocidad para Cu de al menos 100 nm/minuto y una
selectividad a [Cu:Ti] de cómo máximo 4:1.
En este ejemplo se evalúo la reproducibilidad de
las velocidades de separación de Cu y los resultados de la no
uniformidad dentro de la oblea (WIWNU) para una suspensión CMP que
contiene 11% en peso de peróxido de hidrógeno, 1,5% de oxalato
amónico, 0,04% de BTA, 50 ppm de surfactante TRITON® DF 16
producido por Union Carbide y 5% de alúmina abrasiva. La suspensión
CMP se aplicó sucesivamente a obleas de cobre en una pulidora
Strasbaugh, empleando una almohadilla de cuero Rodel 1158 con un
inserto DF 200, una fuerza descendente de 4 psi, una velocidad de la
mesa de 50 rpm y una velocidad del husillo de 50 rpm.
Los resultados experimentales, trazados
gráficamente en la figura 3, demuestran que el comportamiento de la
suspensión en el pulido es muy consistente y muestra una buena
uniformidad de una oblea a otra.
(Al margen de las presentes
reivindicaciones)
Este ejemplo compara la eficacia de
urea-peróxido de hidrógeno y de peróxido de
hidrógeno como oxidantes CMP útiles. Concretamente, este ejemplo
compara la estabilidad en el tiempo de los dos oxidantes.
Se prepararon dos suspensiones que tienen las
siguientes composiciones en un medio acuoso (agua desionizada).
Cada suspensión se preparó empleando una dispersión de alúmina
SEMI-SPERSE® W-A335 y se diluyó a 5%
en peso de alúmina con agua desionizada.
Suspensión A: 5% de alúmina, 3% de peróxido de
hidrógeno [HP], 3% de ácido succínico, pH original = 3,50.
Suspensión B: 5% de alúmina, 8,5% de
urea-peróxido de hidrógeno [UHP] (que corresponde a
3% en peso aproximadamente de H_{2}O_{2} acuoso), 3% de ácido
succínico, pH original = 3,55.
Las suspensiones A y B se dejaron en reposo a
temperatura ambiente durante un período de siete semanas. Se
analizaron periódicamente muestras de las suspensiones A y B
respecto al pH y se valoraron con permanganato potásico en solución
ácida para determinar el porcentaje de peróxido activo. Los
resultados se ofrecen en la siguiente Tabla 3.
| % H_{2}O_{2} activo | PH | |||
| Suspensión A | Suspensión B | Suspensión A | Suspensión B | |
| HP | UHP | HP | UHP | |
| 0 semanas | 3,35 | 3,28 | 3,50 | 3,55 |
| 1 semana | 3,30 | 3,48 | ||
| 2 semanas | 2,85 | 3,62 | ||
| 3 semanas | 3,24 | 3,52 | ||
| 5 semanas | 3,12 | 3,49 | ||
| 7 semanas | 1,82 | 3,54 | ||
| Cambio | -0,22 | -0,03 | 0,006 | -0,012 |
| medio/semana |
Los resultados del ensayo indican que el peróxido
activo en la suspensión que incluye peróxido de hidrógeno se
degrada a una velocidad mucho más rápida que en la suspensión que
incluye urea-peróxido de hidrógeno. La estabilidad
del pH en ambas suspensiones es similar.
Un oxidante sumamente preferido es
urea-peróxido de hidrógeno. El oxidante
urea-peróxido de hidrógeno puede estar presente en
la suspensión total para el pulido químico-mecánico
en una cantidad de 1,5 a 30% en peso aproximadamente. Es preferible
que el oxidante de urea-peróxido de hidrógeno esté
presente en la suspensión en una cantidad de 3 a 17% en peso
aproximadamente y con suma preferencia de 5 a 13% en peso
aproximadamente.
En este ejemplo se evalúo la eficacia de las
suspensiones de pulimentación que comprenden
urea-peróxido de hidrógeno para pulir obleas de Cu y
Ti. Las suspensiones descritas en las siguiente Tabla 4 fueron
aplicadas a obleas de Cu y Ti en una pulidora IPEC 472 que utiliza
una almohadilla IC1000/SUBA IV y fabricada por Rodel, Inc., a una
fuerza descendente de 5 psi, una velocidad de la mesa de 50 rpm y
una velocidad del husillo de 60 rpm. Cada suspensión incluía 5% en
peso de alúmina abrasiva. El agente humectante empleado fue TRITON®
DF-16.
En la Tabla 4 se ofrecen las velocidades de
pulimentación de Cu y Ti.
| Urea- peróxido | Oxalato amónico | BTA | Agente humectante | Velocidad Cu | Velocidad Ti |
| nm/minuto | nm/minuto | ||||
| 5,65% | 0% | 0% | 0% | 9,5 | 260,7 |
| 5,65% | 1% | 0% | 50 ppm | 796,3 | 249,4 |
| 5,65% | 1% | 0,08% | 50 ppm | 673,5 | 271,0 |
Los resultados de la pulimentación indican que
las suspensiones CMP de esta invención son capaces de conseguir
velocidades preferidas de pulimentación de Cu y Ti de más de 500
nm/minuto y una relación de selectividad Cu:Ti menor de 2,5.
En este ejemplo se evaluó la eficacia de las
suspensiones de pulimentación CMP que comprenden un precursor de la
suspensión de pulimentación y la pulimentación de cobre con
peróxido de hidrógeno. Se prepararon las suspensiones descritas en
la siguiente Tabla 5 combinando una dispersión acuosa de un
precursor de la suspensión CMP consistente en 5% en peso alúmina,
urea, oxalato amónico, BTA y agente humectante (TRITON®
DF-16) con una solución al 30% en peso de
H_{2}O_{2}. Las suspensiones CMP resultantes fueron aplicadas a
obleas de Cu en una pulidora IPEC 472 que utiliza una almohadilla
IC1000/SUBA 500 y fabricada por Rodel Inc., con una fuerza
descendente de 5 psi, una velocidad de la mesa de 40 rpm y una
velocidad del husillo de 60 rpm. En la siguiente Tabla 5 se ofrecen
las velocidades de pulimentación de Cu.
| Urea | Oxalato amónico | BTA | Agente humectante | Peróxido de | Velocidad Cu |
| hidrógeno (30%) | nm/minuto | ||||
| 0% | 1% | 0,08% | 50 ppm | 6,67% | 572,7 |
| 3,65% | 1% | 0,08% | 50 ppm | 6,67% | 508,3 |
| 7,3% | 1% | 0,08% | 50 ppm | 6,67% | 506,5 |
Los resultados indican que las suspensiones CMP
de esta invención son capaces de conseguir velocidades preferidas
de pulimentación de Cu (y de Ti) de más de 500 nm/minuto y una
relación de selectividad Cu:Ti menor de 2,5. Se pueden preparar
suspensiones útiles bien con un oxidante de
urea-peróxido sólido como se muestra en la Tabla 4
del Ejemplo 5 o bien combinando el peróxido de hidrógeno líquido
(envasado como una solución al 30%), con un precursor de la
suspensión CMP que comprende urea sólida como se muestra en la
Tabla 5.
En este ejemplo se evalúo la eficacia de las
suspensiones de pulimentación CMP que comprenden ácido tartárico y
oxalato amónico en la pulimentación de cobre, tántalo y PTEOS. Se
prepararon dos suspensiones combinando los ingredientes para
proporcionar una suspensión CMP que incluye 3% en peso de alúmina,
3,65% en peso de urea, 2% en peso de peróxido de hidrógeno, 50 ppm
de surfactante Triton DF-16 y 0,04% en peso de
benzotriazol. La suspensión 1 incluía 1% en peso de oxalato amónico
mientras que la suspensión 2 incluía 3% en peso de ácido tartárico.
El pH de la suspensión que contiene oxalato amónico fue de forma
natural de 7,5, el pH de la suspensión que contiene ácido tartárico
se ajustó a 7,5 por adición de hidróxido amónico a la
suspensión.
Ambas suspensiones CMP se aplicaron a obleas de
Cu, Ta y PETOS con una pulidora IPEC 472 que utiliza una
almohadilla IC1000/SUBA 500 y fabricada por Rodel, Inc., con una
fuerza descendente de 3 psi, una retro-presión de 2
psi, una velocidad de la mesa de 55 rpm y una velocidad del husillo
de 30 rpm. Las velocidades de pulimentación se indican en la
siguiente Tabla 6.
| Suspensión | Velocidad Separación Cu | Velocidad Separación Ta | Velocidad PTEOS Separación |
| (\ring{A}/min) | (\ring{A}/min) | (\ring{A}/min) | |
| 1 | 4485 | 345 | 80 |
| 2 | 3746 | 208 | 67 |
Las velocidades de pulimentación de la suspensión
que contiene ácido tartárico son ligeramente más bajas que las
velocidades de la suspensión que contiene oxalato amónico. Sin
embargo, la suspensión CMP que contiene ácido tartárico es más
pasivante que la suspensión que contiene oxalato amónico,
proporcionando con ello un control más fuerte de la corrosión.
Se evaluó electroquímicamente, según el método
del Ejemplo 1 la velocidad de corrosión de Cu empleando cinco
suspensiones diferentes. Las cinco suspensiones contenían todas
ellas 5% de alúmina dispersa, 2% de H_{2}O_{2}, 3,65% de urea y
50 ppm de surfactante Triton DF-16. El agente
complejante, la presencia o ausencia de un inhibidor y el pH de la
suspensión se indican en la Tabla 7, junto con las velocidades de
corrosión medidas.
| Suspensión | Agente complejante | BTA | pH | Velocidad Corrosión |
| \ring{A}/min | ||||
| 1 | 1% oxalato amónico | 0% | 7,5 (natural) | 48 |
| 2 | 1% oxalato amónico | 0,4% | 7,5 (natural) | 1,54 |
| 3 | 1% ácido tartárico | 0% | 7,5 (w/NH_{4}OH) | 20 |
| 4 | 1% ácido tartárico | 0,4% | 7,5 (w/NH_{4}OH) | 0,6 |
| 5 | 1% ácido tartárico | 0,4% | 7,5 (w/TMAH) | 0,5 |
Los datos de corrosión indican que el ácido
tartárico disminuye la velocidad de corrosión de Cu en comparación
con el oxalato amónico. La velocidad de corrosión se reduce aún más
en presencia de hidróxido de tetraalquilamonio.
Claims (36)
1. Una composición de una suspensión para el
pulido químico-mecánico que comprende:
un abrasivo;
al menos un oxidante;
un agente complejante que es capaz de formar un
complejo con un metal oxidado y que se elige del grupo de
compuestos que incluyen ácido cítrico, ácido láctico, ácido
tartárico, ácido oxálico y sales de los mismos;
un agente formador de película que facilita la
formación de una capa de pasivación de óxidos metálicos sobre la
superficie de una capa metálica.
2. Una composición de una suspensión para el
pulido químico-mecánico según la reivindicación 1,
en donde dicho oxidante o cada uno de dichos oxidantes consiste en
urea-peróxido de hidrógeno.
3. Una composición según la reivindicación 1 ó 2,
en donde el agente complejante es oxalato amónico.
4. Una composición según la reivindicación 3, en
donde oxalato amónico está presente en una cantidad de 0,5 a 3% en
peso.
5. Una composición de una suspensión para el
pulido químico-mecánico según la reivindicación 1,
en donde dicho oxidante o cada uno de dichos oxidantes consiste en
urea-peróxido de hidrógeno; y el agente complejante
es ácido tartárico.
6. Una composición según la reivindicación 5, en
donde ácido tartárico está presente en una cantidad de 0,5 a 5% en
peso.
7. Una composición según las reivindicaciones 1 a
6, en donde el agente formador de película es benzotriazol.
8. Una composición según la reivindicación 7, en
donde en benzotriazol está presente en una cantidad comprendida
entre 0,01 y 0,1% en peso.
9. Una composición según la reivindicación 1, en
donde el oxidante es un compuesto que forma radicales hidroxilo
tras la reducción.
10. Una composición según la reivindicación 1 ó
9, en donde el oxidante se elige del grupo consistente en peróxido
de hidrógeno, urea-peróxido de hidrógeno y
combinaciones de los mismos.
11. Una composición según las reivindicaciones 1
a 10, en donde el oxidante es peróxido de hidrógeno o
urea-peróxido de hidrógeno, presente en una cantidad
de 0,03 a 12% en peso.
12. Una composición según las reivindicaciones 1
a 11, en donde el abrasivo es al menos un óxido metálico.
13. Una composición según las reivindicaciones 1
a 12, en donde el óxido metálico abrasivo se elige del grupo
consistente en alúmina, ceria, germania, sílice, titania, zirconia
y mezclas de los mismos.
14. Una composición según las reivindicaciones 1
a 13, en donde el abrasivo es una dispersión acuosa de un óxido
metálico.
15. Una composición según las reivindicaciones 1
a 14, en donde el óxido metálico abrasivo consiste en agregados de
óxidos metálicos que tienen una distribución de tamaños menor de 1
micrómetro y un diámetro medio del agregado menor de 0,4
micrómetros.
16. Una composición según las reivindicaciones 1
a 14, en donde el óxido metálico abrasivo consiste en esferas de
óxido metálico individuales, separadas que tienen un diámetro de
partículas primarias menor de 0,400 micrómetros y un área
superficial de 10 a 250 m^{2}/g.
17. Una composición según las reivindicaciones 1
a 16, en donde el abrasivo tiene un área superficial de 5 a 430
m^{2}/g.
18. Una composición según la reivindicación 17,
en donde el abrasivo tiene un área superficial de 30 a 170
m^{2}/g.
19. Una composición según las reivindicaciones 1
a 18, en donde el abrasivo se elige del grupo consistente en
abrasivos precipitados o abrasivos ahumados.
20. Una composición según las reivindicaciones 1
a 19, en donde la composición tiene un pH de 2 a 12.
21. Una composición según la reivindicación 20,
en donde la composición tiene un pH de 4 a 9.
22. Una composición según la reivindicación 21,
en donde la composición tiene un pH de 5 a 8.
23. Una composición de una suspensión para el
pulido químico-mecánico según la reivindicación 1,
en donde al menos el oxidante o cada uno de dichos oxidantes se
elige del grupo consistente en peróxido de hidrógeno,
urea-peróxido de hidrógeno y mezclas de los mismos;
el agente complejante es oxalato amónico; y el agente formador de
película es benzotriazol.
24. Una composición según la reivindicación 23,
en donde la composición comprende:
de 1 a 15% en peso de un óxido metálico
abrasivo;
de 0,3 a 12% en peso de peróxido de hidrógeno o
urea-peróxido de hidrógeno;
de 0,5 a 3% en peso de oxalato amónico; y
benzotriazol.
25. Una composición según las reivindicación 23 ó
24, en donde el benzotriazol está presente en una cantidad de 0,01
a 0,2% en peso.
26. Una composición según las reivindicación 23 a
25, en donde el abrasivo es alúmina.
27. Una composición para el pulido
químico-mecánico según la reivindicación 23, que
comprende:
urea-peróxido de hidrógeno;
de 0,5 a 3% en peso de oxalato amónico; y
de 0,01 a 0,2% en peso de benzotriazol.
28. Una composición según la reivindicación 27,
en donde dicha composición incluye de 1 a 15% en peso de una
alúmina abrasiva y 0,3 a 12% en peso de
urea-peróxido de hidrógeno.
29. Una composición de una suspensión para el
pulido químico-mecánico según la reivindicación 1,
que comprende:
un abrasivo en una cantidad de 1 a 15% en peso de
una alúmina;
un agente oxidante en una cantidad de 0,3 a 12%
en peso de urea-peróxido de hidrógeno;
un agente complejante en una cantidad de 0,5 a 3%
en peso de ácido tartárico; y
un agente formador de película en una cantidad de
0,01 a 0,2% en peso de benzotriazol;
teniendo la composición un pH de 4 a 9.
30. Una composición según las reivindicaciones 1
a 29, que incluye además al menos un surfactante.
31. Un método para pulir un sustrato, que
comprende las etapas de;
(a) aplicar al sustrato la composición de la
suspensión para el pulido químico-mecánico de las
reivindicaciones 1 a 30; y
(b) separar al menos una porción de la capa
metálica del sustrato poniendo en contacto una almohadilla con el
sustrato y moviendo la almohadilla en relación al sustrato.
32. Un método según la reivindicación 31, en
donde el sustrato incluye una capa que contiene aleación de
cobre.
33. Un método según la reivindicación 31 ó 32, en
donde el sustrato incluye además una capa de titanio y nitruro de
titanio en donde al menos se separa una porción de la capa de
titanio y nitruro de titanio.
34. Un método según las reivindicaciones 31 a 33,
en donde la composición de la suspensión para el pulido
químico-mecánico se aplica a la almohadilla antes de
poner en contacto esta última con el sustrato.
35. Un sistema de varios envases de una
composición para el pulido químico-mecánico, que
comprende:
(a) un primer recipiente que incluye un agente
formador de película que facilita la formación de una capa de
pasivación de óxidos metálicos sobre la superficie de una capa
metálica, y un agente complejante que es capaz de formar un complejo
con un metal oxidado y que se elige del grupo consistente en ácido
cítrico, ácido láctico, ácido tartárico, ácido oxálico y sales de
los mismos;
(b) un segundo recipiente que comprende un agente
oxidante; y
(c) un abrasivo colocado en un recipiente
seleccionado del grupo consistente en el primer recipiente, el
segundo recipiente o un tercer recipiente.
36. Una composición según la reivindicación 1, en
donde el óxido metálico abrasivo es alúmina.
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/763,705 US5954997A (en) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US763705 | 1996-12-09 | ||
| US891649 | 1997-07-11 | ||
| US08/891,649 US6126853A (en) | 1996-12-09 | 1997-07-11 | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US944036 | 1997-09-29 | ||
| US08/944,036 US6309560B1 (en) | 1996-12-09 | 1997-09-29 | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2248831T3 true ES2248831T3 (es) | 2006-03-16 |
Family
ID=27419572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES97309806T Expired - Lifetime ES2248831T3 (es) | 1996-12-09 | 1997-12-05 | Suspension para el pulido quimico-mecanico de sustratos de cobre. |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6309560B1 (es) |
| EP (2) | EP0846742B1 (es) |
| JP (1) | JP4494538B2 (es) |
| KR (1) | KR100690470B1 (es) |
| AT (1) | ATE304040T1 (es) |
| AU (1) | AU5373998A (es) |
| DE (1) | DE69734138T2 (es) |
| DK (1) | DK0846742T3 (es) |
| ES (1) | ES2248831T3 (es) |
| IL (1) | IL130393A0 (es) |
| MY (2) | MY134702A (es) |
| TW (1) | TW419714B (es) |
| WO (1) | WO1998026025A1 (es) |
Families Citing this family (140)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258137B1 (en) * | 1992-02-05 | 2001-07-10 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | CMP products |
| US6126853A (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US8092707B2 (en) | 1997-04-30 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication |
| US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
| US6592776B1 (en) * | 1997-07-28 | 2003-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for metal CMP |
| US6432828B2 (en) * | 1998-03-18 | 2002-08-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| KR20010042616A (ko) * | 1998-04-10 | 2001-05-25 | 페로 코포레이션 | 금속 표면의 화학적-기계적 연마용 슬러리 |
| GB2384003B (en) * | 1998-06-15 | 2003-09-03 | Fujimi Inc | Polishing composition |
| JP3998813B2 (ja) * | 1998-06-15 | 2007-10-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
| US6217416B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates |
| FR2781922B1 (fr) * | 1998-07-31 | 2001-11-23 | Clariant France Sa | Procede de polissage mecano-chimique d'une couche en un materiau a base de cuivre |
| EP1137056B1 (en) * | 1998-08-31 | 2013-07-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive liquid for metal and method for polishing |
| CN1126152C (zh) * | 1998-08-31 | 2003-10-29 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体制程用的化学机械研磨组合物 |
| DE19842709A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Polierflüssigkeit zum Polieren von Bauelementen, vorzugsweise Wafern, insbesondere zum Chemisch-Mechanischen Polieren derartiger Bauelemente |
| US6572449B2 (en) * | 1998-10-06 | 2003-06-03 | Rodel Holdings, Inc. | Dewatered CMP polishing compositions and methods for using same |
| US6241586B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-06-05 | Rodel Holdings Inc. | CMP polishing slurry dewatering and reconstitution |
| US6447693B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-09-10 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Slurries of abrasive inorganic oxide particles and method for polishing copper containing surfaces |
| NZ511080A (en) | 1998-10-21 | 2003-05-30 | W | Aqueous alkaline (pH 10.8) slurries prepared from slurries with a particle size from 0.1-0.5 microns heated or autoclaved to increase abrasivity |
| SG99289A1 (en) * | 1998-10-23 | 2003-10-27 | Ibm | Chemical-mechanical planarization of metallurgy |
| US6245690B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films |
| US6276996B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| US6206756B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| SG73683A1 (en) * | 1998-11-24 | 2000-06-20 | Texas Instruments Inc | Stabilized slurry compositions |
| JP5429104B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2014-02-26 | 日立化成株式会社 | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2000252243A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| CN1803964B (zh) * | 1998-12-28 | 2010-12-15 | 日立化成工业株式会社 | 金属研磨液材料、金属研磨液、其制造方法及使用它的研磨方法 |
| JP4866831B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2012-02-01 | 日立化成工業株式会社 | 金属用研磨液を用いる研磨方法 |
| JP4816836B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2011-11-16 | 日立化成工業株式会社 | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| KR100313573B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2001-11-07 | 안복현 | 연마용 조성물 |
| US6238592B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-05-29 | 3M Innovative Properties Company | Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication |
| DE19927286B4 (de) * | 1999-06-15 | 2011-07-28 | Qimonda AG, 81739 | Verwendung einer Schleiflösung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Edelmetall-Oberfläche |
| TW486514B (en) * | 1999-06-16 | 2002-05-11 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing |
| JP4555936B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2010-10-06 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨液 |
| CN1107097C (zh) * | 1999-07-28 | 2003-04-30 | 长兴化学工业股份有限公司 | 化学机械研磨组合物及方法 |
| JP4391715B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2009-12-24 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 化学機械的研磨系 |
| CN1209430C (zh) * | 1999-08-13 | 2005-07-06 | 卡伯特微电子公司 | 化学机械抛光系统及其使用方法 |
| JP2006191132A (ja) * | 1999-08-17 | 2006-07-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 化学機械研磨用研磨剤及び基板の研磨法 |
| TW501197B (en) * | 1999-08-17 | 2002-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate |
| WO2001017006A1 (en) | 1999-08-26 | 2001-03-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method |
| JP4505891B2 (ja) | 1999-09-06 | 2010-07-21 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体 |
| JP4759779B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2011-08-31 | 日立化成工業株式会社 | 基板の研磨方法 |
| CN1125862C (zh) * | 1999-09-20 | 2003-10-29 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体加工用化学机械研磨组合物 |
| JP4075247B2 (ja) | 1999-09-30 | 2008-04-16 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
| US6435944B1 (en) | 1999-10-27 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | CMP slurry for planarizing metals |
| US6720264B2 (en) | 1999-11-04 | 2004-04-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Prevention of precipitation defects on copper interconnects during CMP by use of solutions containing organic compounds with silica adsorption and copper corrosion inhibiting properties |
| KR100563166B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2006-03-27 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 기판의 연마 또는 평탄화 방법 |
| JP3805588B2 (ja) | 1999-12-27 | 2006-08-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3490038B2 (ja) | 1999-12-28 | 2004-01-26 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 金属配線形成方法 |
| TW572980B (en) * | 2000-01-12 | 2004-01-21 | Jsr Corp | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process |
| JP3772059B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2006-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| TW503154B (en) * | 2000-02-04 | 2002-09-21 | Showa Denko Kk | LSI device polishing composition and method for reproducing LSI device |
| US6355075B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-03-12 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP2001269859A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| JP4078787B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2008-04-23 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
| US6451697B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method for abrasive-free metal CMP in passivation domain |
| US6447375B2 (en) | 2000-04-19 | 2002-09-10 | Rodel Holdings Inc. | Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition |
| US6313038B1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates |
| JP3837277B2 (ja) | 2000-06-30 | 2006-10-25 | 株式会社東芝 | 銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
| US6653242B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Solution to metal re-deposition during substrate planarization |
| US6872329B2 (en) | 2000-07-28 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
| JP2002050595A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Hitachi Ltd | 研磨方法、配線形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2002075927A (ja) | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6541384B1 (en) * | 2000-09-08 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Method of initiating cooper CMP process |
| US6569349B1 (en) | 2000-10-23 | 2003-05-27 | Applied Materials Inc. | Additives to CMP slurry to polish dielectric films |
| US6524167B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for the selective removal of residual materials and barrier materials during substrate planarization |
| US6740591B1 (en) | 2000-11-16 | 2004-05-25 | Intel Corporation | Slurry and method for chemical mechanical polishing of copper |
| KR100396883B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마용 슬러리 및 이를 이용한 구리 금속배선제조방법 |
| JP3825246B2 (ja) | 2000-11-24 | 2006-09-27 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
| JP3816743B2 (ja) | 2000-11-24 | 2006-08-30 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
| JP2002164307A (ja) | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6896776B2 (en) | 2000-12-18 | 2005-05-24 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for electro-chemical processing |
| KR100407296B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 티타늄알루미늄나이트라이드의 화학적기계적연마 방법 |
| JP2002231666A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6756308B2 (en) | 2001-02-13 | 2004-06-29 | Ekc Technology, Inc. | Chemical-mechanical planarization using ozone |
| US6899804B2 (en) | 2001-04-10 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing |
| US7160432B2 (en) | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US6811680B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
| US7582564B2 (en) | 2001-03-14 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing |
| US7232514B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7323416B2 (en) | 2001-03-14 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7128825B2 (en) | 2001-03-14 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US6783432B2 (en) | 2001-06-04 | 2004-08-31 | Applied Materials Inc. | Additives for pressure sensitive polishing compositions |
| US20040011991A1 (en) * | 2001-06-13 | 2004-01-22 | Markle Richard J. | Use of a gettering agent in a chemical mechanical polishing and rinsing operation and apparatus therefor |
| US6592742B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-07-15 | Applied Materials Inc. | Electrochemically assisted chemical polish |
| SG144688A1 (en) | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
| US6953389B2 (en) | 2001-08-09 | 2005-10-11 | Cheil Industries, Inc. | Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching |
| TW591089B (en) | 2001-08-09 | 2004-06-11 | Cheil Ind Inc | Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring |
| JP3804009B2 (ja) | 2001-10-01 | 2006-08-02 | 触媒化成工業株式会社 | 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材 |
| US7077880B2 (en) | 2004-01-16 | 2006-07-18 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization |
| TWI276682B (en) * | 2001-11-16 | 2007-03-21 | Mitsubishi Chem Corp | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method |
| KR100415617B1 (ko) | 2001-12-06 | 2004-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법 |
| KR100449054B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-09-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 선택비를 향상시킨 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및이를 이용한 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| KR100474540B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 콘택플러그 형성방법 |
| US20030138201A1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-24 | Cabot Microelectronics Corp. | Self-aligned lens formed on a single mode optical fiber using CMP and thin film deposition |
| JP4187497B2 (ja) | 2002-01-25 | 2008-11-26 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体基板の化学機械研磨方法 |
| US20030162398A1 (en) | 2002-02-11 | 2003-08-28 | Small Robert J. | Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same |
| US7513920B2 (en) | 2002-02-11 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations |
| FR2835844B1 (fr) * | 2002-02-13 | 2006-12-15 | Clariant | Procede de polissage mecano-chimique de substrats metalliques |
| US20030168627A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Singh Rajiv K. | Slurry and method for chemical mechanical polishing of metal structures including refractory metal based barrier layers |
| JP2004006628A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US20040007690A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-01-15 | Cabot Microelectronics Corp. | Methods for polishing fiber optic connectors |
| KR100442549B1 (ko) * | 2002-10-16 | 2004-07-30 | 제일모직주식회사 | 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한ｃｍｐ용 슬러리 조성물 및 그 제조방법 |
| CN100336881C (zh) * | 2002-10-31 | 2007-09-12 | 长兴开发科技股份有限公司 | 化学机械研磨浆液组合物及其使用方法 |
| KR100649859B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2006-11-24 | 제일모직주식회사 | 구리배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 |
| US6893476B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-05-17 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal |
| US20040144038A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-07-29 | Junaid Ahmed Siddiqui | Composition and associated method for oxide chemical mechanical planarization |
| WO2004090937A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Technion Research & Development Foundation Ltd | Copper cmp slurry composition |
| US7390429B2 (en) | 2003-06-06 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing |
| US7186653B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-03-06 | Climax Engineered Materials, Llc | Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing |
| US20050045852A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Ameen Joseph G. | Particle-free polishing fluid for nickel-based coating planarization |
| TWI347969B (en) | 2003-09-30 | 2011-09-01 | Fujimi Inc | Polishing composition |
| JP4428995B2 (ja) | 2003-12-03 | 2010-03-10 | 関東化学株式会社 | 金属膜のエッチング液組成物 |
| US6843709B1 (en) | 2003-12-11 | 2005-01-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for reducing slurry reflux |
| US7390744B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7435712B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
| JP4644434B2 (ja) | 2004-03-24 | 2011-03-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US20050279964A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Ming-Tseh Tsay | Chemical mechanical polishing slurry for polishing copper layer on a wafer |
| US6979252B1 (en) | 2004-08-10 | 2005-12-27 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Low defectivity product slurry for CMP and associated production method |
| JP2006080388A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Nitta Haas Inc | 金属研磨用組成物 |
| US7084064B2 (en) | 2004-09-14 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing |
| JP2006176631A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Topcon Corp | イオン結合材料用の研磨スラリー、それに含まれる分散剤の選定方法、選定された分散剤の調合濃度設定方法およびこの研磨スラリーを用いた研磨方法 |
| US7435162B2 (en) | 2005-10-24 | 2008-10-14 | 3M Innovative Properties Company | Polishing fluids and methods for CMP |
| FI120793B (fi) * | 2006-01-25 | 2010-03-15 | Coefa Company Ltd Oy | Menetelmä tykin putken puhdistamiseksi |
| CN101496143B (zh) | 2006-07-28 | 2011-04-06 | 昭和电工株式会社 | 研磨组合物 |
| SG139699A1 (en) | 2006-08-02 | 2008-02-29 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing process |
| US20080148652A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Compositions for chemical mechanical planarization of copper |
| JP2007221170A (ja) * | 2007-05-18 | 2007-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液の調製方法 |
| JP4730358B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2011-07-20 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2009164186A (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP4710915B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2011-06-29 | 日立化成工業株式会社 | 研磨方法 |
| US8506661B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-08-13 | Air Products & Chemicals, Inc. | Polishing slurry for copper films |
| JP2009152647A (ja) * | 2009-04-06 | 2009-07-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法 |
| US8551887B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-10-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for chemical mechanical planarization of a copper-containing substrate |
| KR101396232B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2014-05-19 | 한양대학교 산학협력단 | 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 |
| US8821751B2 (en) * | 2010-06-24 | 2014-09-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical mechanical planarization composition and method with low corrosiveness |
| US8980122B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-03-17 | General Engineering & Research, L.L.C. | Contact release capsule useful for chemical mechanical planarization slurry |
| KR101971459B1 (ko) * | 2017-06-05 | 2019-04-23 | 재원산업 주식회사 | 유기발광소자 제조용 도전 부재 세정용 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
| CN116334671A (zh) * | 2021-12-23 | 2023-06-27 | 嘉庚创新实验室 | 一种铜催化剂及其制备方法和应用 |
| KR20240083017A (ko) | 2022-12-02 | 2024-06-11 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 연마 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3385682A (en) | 1965-04-29 | 1968-05-28 | Sprague Electric Co | Method and reagent for surface polishing |
| GB1198312A (en) | 1967-07-22 | 1970-07-08 | Geigy Uk Ltd | Corrosion Inhibiting Chemical Compositions |
| US3668131A (en) | 1968-08-09 | 1972-06-06 | Allied Chem | Dissolution of metal with acidified hydrogen peroxide solutions |
| CA1014038A (en) * | 1971-02-11 | 1977-07-19 | Colgate-Palmolive Company | Free flowing nonionic inclusion compounds |
| JPS49109223A (es) * | 1973-02-21 | 1974-10-17 | ||
| SE400581B (sv) | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for kemisk polering av koppar och dess legeringar |
| DE2847267C2 (de) * | 1978-10-31 | 1993-12-23 | Decker Gmbh & Co Kg Geb | Stabilisator für eine wäßrige Lösung zum Beizen und/oder chemischen Glänzen von Gegenständen aus Kupfer oder Kupferlegierungen in einem mehrstufigen Verfahren und Verwendung des Stabilisators |
| US4789648A (en) | 1985-10-28 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate and for forming patterned conductive lines simultaneously with stud vias |
| US4944836A (en) | 1985-10-28 | 1990-07-31 | International Business Machines Corporation | Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate |
| US4671851A (en) | 1985-10-28 | 1987-06-09 | International Business Machines Corporation | Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique |
| US4956313A (en) | 1987-08-17 | 1990-09-11 | International Business Machines Corporation | Via-filling and planarization technique |
| US4910155A (en) | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
| US5244523A (en) | 1990-02-07 | 1993-09-14 | Tollini Dennis R | Bandage for replaceable dressing and method of fabrication thereof |
| US5157876A (en) | 1990-04-10 | 1992-10-27 | Rockwell International Corporation | Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing |
| US5137544A (en) | 1990-04-10 | 1992-08-11 | Rockwell International Corporation | Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing |
| US5225034A (en) | 1992-06-04 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing |
| US5209816A (en) | 1992-06-04 | 1993-05-11 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing |
| US5575837A (en) | 1993-04-28 | 1996-11-19 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US5391258A (en) | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
| US5407526A (en) * | 1993-06-30 | 1995-04-18 | Intel Corporation | Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system |
| US5340370A (en) | 1993-11-03 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Slurries for chemical mechanical polishing |
| JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
| US5527423A (en) | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
| WO1996016436A1 (en) | 1994-11-18 | 1996-05-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making a chemical-mechanical polishing slurry and the polishing slurry |
| US5478435A (en) * | 1994-12-16 | 1995-12-26 | National Semiconductor Corp. | Point of use slurry dispensing system |
| US6039891A (en) | 1996-09-24 | 2000-03-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing |
| US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US6126853A (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
-
1997
- 1997-09-29 US US08/944,036 patent/US6309560B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-05 EP EP97309806A patent/EP0846742B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-05 DE DE69734138T patent/DE69734138T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-05 AU AU53739/98A patent/AU5373998A/en not_active Abandoned
- 1997-12-05 ES ES97309806T patent/ES2248831T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-05 WO PCT/US1997/022285 patent/WO1998026025A1/en not_active Ceased
- 1997-12-05 AT AT97309806T patent/ATE304040T1/de active
- 1997-12-05 KR KR1019997005133A patent/KR100690470B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-05 EP EP05004891A patent/EP1559762B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-05 IL IL13039397A patent/IL130393A0/xx unknown
- 1997-12-05 DK DK97309806T patent/DK0846742T3/da active
- 1997-12-08 MY MYPI97005901A patent/MY134702A/en unknown
- 1997-12-08 MY MYPI20053185A patent/MY185089A/en unknown
- 1997-12-09 TW TW086118539A patent/TW419714B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-09 JP JP33880997A patent/JP4494538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK0846742T3 (da) | 2005-10-03 |
| TW419714B (en) | 2001-01-21 |
| EP0846742A3 (en) | 1998-10-28 |
| DE69734138T2 (de) | 2006-01-19 |
| WO1998026025A1 (en) | 1998-06-18 |
| IL130393A0 (en) | 2000-06-01 |
| EP0846742B1 (en) | 2005-09-07 |
| KR20000057476A (ko) | 2000-09-15 |
| JPH1121546A (ja) | 1999-01-26 |
| ATE304040T1 (de) | 2005-09-15 |
| KR100690470B1 (ko) | 2007-03-09 |
| MY185089A (en) | 2021-04-30 |
| US6309560B1 (en) | 2001-10-30 |
| AU5373998A (en) | 1998-07-03 |
| DE69734138D1 (de) | 2005-10-13 |
| EP1559762B1 (en) | 2012-09-05 |
| EP1559762A2 (en) | 2005-08-03 |
| EP1559762A3 (en) | 2006-06-07 |
| MY134702A (en) | 2007-12-31 |
| EP0846742A2 (en) | 1998-06-10 |
| JP4494538B2 (ja) | 2010-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2248831T3 (es) | Suspension para el pulido quimico-mecanico de sustratos de cobre. | |
| US6126853A (en) | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates | |
| US6593239B2 (en) | Chemical mechanical polishing method useful for copper substrates | |
| KR100491061B1 (ko) | 구리/탄탈륨 기판에 유용한 화학 기계적 연마용 슬러리 | |
| KR100491060B1 (ko) | 구리/탄탈륨 기판에 유용한 화학 기계적 연마용 슬러리 | |
| US6432828B2 (en) | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates | |
| EP0896042B1 (en) | A polishing composition including an inhibitor of tungsten etching | |
| WO1998013536A1 (en) | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing | |
| JP4657408B2 (ja) | 金属膜用研磨剤 |