JPH1121546A - 銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリー - Google Patents
銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリーInfo
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Abstract
層の金属層と薄膜を研磨するのに適した化学的・機械的
研磨用スラリーの提供。 【解決手段】 膜生成剤、酸化剤(例えば尿素−過酸化
水素)、錯生成剤(例えばシュウ酸アンモニウムや酒石
酸)、研磨材、及び随意の界面活性剤を含む化学的・機
械的研磨用スラリー。また、本化学的・機械的研磨用ス
ラリー組成物を使用し、銅合金、チタン、窒化チタンを
含む層を基材から除去する方法。
Description
とも1種の酸化剤、少なくとも1種の研磨材、及び膜生
成剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーに関する。本
化学的・機械的研磨用スラリーは、半導体の製造に付随
する金属層と薄膜の研磨に有用である。より詳しくは、
本発明は、層又は膜の1つが銅又は銅含有合金を含む多
層の金属層と薄膜を研磨するのに特に適する化学的・機
械的研磨用スラリーに関する。
路は、シリコン基板の中又は上に形成された数百万個の
活性デバイスから形成される。最初は互いに独立した活
性デバイスは相互に接続され、機能性の回路とコンポー
ネントを形成する。デバイスは、周知の多重レベル相互
接続を使用して相互に接続される。相互接続構造は、一
般に、第1のメラタイゼーション層、相互接続層、第2
メラタイゼーションレベル、及び場合により第3以降の
メラタイゼーションレベルを有する。ドーピングされた
又はドーピングされていない二酸化ケイ素(SiO2 )
のような中間レベル誘電体が使用され、シリコン基板又
はウェルのいろいろなメラタイゼーションベルを電気絶
縁する。いろいろな相互接続レベルの間の電気接続は、
金属化ビアの使用によって行われる。本願でも参考にし
て取り入れられている米国特許第4789648号は、
絶縁体膜中の多重金属化層と金属化ビアを調製する方法
を記載している。同様な仕方で金属接点が使用され、ウ
ェルの中に形成された相互接続レベルとデバイスの間の
電気接続を形成する。金属ビアと接点は、チタン(T
i)、窒化チタン(TiN)、タンタル(Ta)、アル
ミニウム−銅(Al−Cu)、アルミニウム−ケイ素
(Al−Si)、銅(Cu)、タングステン(W)、及
びこれらの組み合わせのなどの種々の金属又は金属合金
で装填されることができる。金属ビアと接点は、一般
に、金属層をSiO2 基板に接着するため、窒化チタン
(TiN)及び/又はチタン(Ti)のような接着層を
使用する。接点レベルにおいて、接着層は、装填された
金属とSiO2 が反応することを防ぐための拡散バリヤ
として作用する。
化ビア又は接点は、ブランケット金属の堆積と、それに
続く化学的・機械的研磨(CMP)工程によって形成さ
れる。一般的なプロセスにおいて、ビアホールは、中間
レベル誘電体(ILD)を貫いて相互接続ライン又は半
導体基板までエッチングされる。次いで、一般に、中間
レベル誘電体を覆って窒化チタン及び/又はチタンのよ
うな薄い接着層が形成され、エッチングされたビアホー
ルの中に導かれる。次いで金属膜が、接着層を覆って且
つビアホールの中にブランケット堆積される。堆積は、
ビアホールがブランケット堆積金属で装填されるまで続
けられる。最後に、化学的・機械的研磨(CMP)によ
って余剰金属が除去され、金属ビアを形成する。ビアの
形成及び/又は化学的・機械的研磨プロセスは、米国特
許第4671851号、同4910155号、及び同4
944836号に開示されている。
いて、基板は、回転する研磨パッドに直接接触して配置
される。支持体は、基板の裏側に圧力を加える。研磨プ
ロセスの際に、基板の裏側に対する下方力を維持しなが
ら、パッドとテーブルが回転される。通常「スラリー」
と称される研磨性で化学的反応性の溶液が、研磨中にパ
ッドに施される。スラリーは、研磨されている膜と化学
反応することによって研磨プロセスを開始する。研磨プ
ロセスは、スラリーがウェハー/パッドの境界に施され
ながら、基板に対するパッドの回転運動によって促進さ
れる。研磨は、絶縁体上の所望の膜が除去されるまで、
この状態で継続される。スラリー組成物は、化学的・機
械的研磨工程の重要な要素である。酸化剤や研磨材その
他の有用な添加剤の選択によって研磨用スラリーは調整
されることができ、表面の欠陥、欠損、腐食、浸蝕など
を抑えながら所望の研磨速度で金属層に対する有効な研
磨を行うことができる。また、研磨用スラリーは、チタ
ンや窒化チタンなどの現状の集積回路技術に使用される
他の薄膜材料に対する制御された研磨選択性を提供する
ように使用されることができる。
は、酸化性の水系媒体中に懸濁したシリカやアルミナの
ような研磨材を含む。例えば、Yuらの米国特許第52
44523号は、予測可能な速度でタングステンを除去
するのに有用であると同時に下に位置する絶縁層を殆ど
除去しないアルミナ、過酸化水素、及び水酸化カリウム
若しくは水酸化アンモニウムを含むスラリーを記載して
いる。Yuらの米国特許第5209816号は、アルミ
ニウムを研磨するのに有用な、水系媒体中に過塩素酸、
過酸化水素、及び固体研磨材を含むスラリーを開示して
いる。CadienとFellerの米国特許第534
0370号は、約0.1Mのフェリシアン化カリウム、
約5重量%のシリカ、及び酢酸カリウムを含むタングス
テンの研磨用スラリーを開示している。酢酸は、pHを
約3.5に緩衝するように添加される。
号は、硫酸、硝酸、酢酸、及び脱イオン水と併せてアル
ミナ研磨材を使用するスラリー処方を開示している。米
国特許第5391258号と同546606号は、シリ
カの除去速度を制御する水系媒体、研磨材粒子、及びア
ニオンを含む金属とシリカの複合材料の研磨用スラリー
を開示している。化学的・機械的研磨用途に使用される
その他の研磨用スラリーは、Nevilleらの米国特
許第5527423号、Yuらの米国特許第53544
90号、Cadienらの米国特許第5340370
号、Yu等の米国特許第5209816号、Medel
linの米国特許第5157876号、Medelli
nの米国特許第5137544号、Coteらの米国特
許第4956313号に開示されている。
用いて研磨され得る種々のメカニズムが発表されてい
る。金属表面は、表面の膜が生成せずにスラリーを用い
て研磨されることができ、その場合、研磨プロセスは、
金属粒子の除去とそれらのスラリー中への溶解によって
進行する。こうしたメカニズムにおいて、ウェットエッ
チングを避けるため、化学的溶解速度は遅いことが必要
である。ここで、好ましいメカニズムは、金属表面と、
錯生成剤及び/又は膜生成層のようなスラリー中の1種
以上の成分との反応により、薄い研磨可能な層が生成す
るメカニズムである。次いでこの薄い研磨可能な層は、
機械的作用により、コントロールされた仕方で除去され
る。機械的な研磨プロセスが停止すると、薄い不導態化
した膜が表面上に残留し、ウェットエッチングプロセス
をコントロールする。化学的・機械的研磨プロセスのコ
ントロールは、このメカニズムを利用して化学的・機械
的研磨用スラリーで研磨すると、はるかに容易になる。
する検討は、刊行物に記載されている。PRIの文献
「J.M. Steigerwaldら、Electrochemical Potential Me
asurements during the Chemical-Mechanical Polishin
g of Copper Thin Films, Mat.Res. Soc. Symp. 337,13
3(1994)」は、アンモニウム化合物(硝酸、塩化又は水
酸化アンモニウム)、硝酸、及びアルミナ研磨材の使用
に注力している。膜の存在しない表面から2nm/分
(電気化学的に測定して)の銅の溶解が進行すると考え
ている。ここで、研磨速度は、400nm/分を上回る
と報告している。この相違は、機械的作用、Cu破片
(次に溶液に溶解される)の生成における重要性により
説明される。選択的因子は与えられていない。
械的研磨、VLSL/LSI Multilevel Interconnection Conf
erence (CMP-MIP)の第1回国際研磨学会の予講集、サン
タバーバラ、1996年2月22〜23日」は、抑制剤(ベンゾ
トリアゾール)、スラリー安定用界面活性剤(ポリエチ
レングリコール)、及びアルミナと組み合わせた非常に
攻撃的なエッチング剤(硝酸鉄、pH1〜2)を含む化
学的・機械的研磨用スラリーの使用を発表している。化
学反応は、腐食抑制膜、即ち、Cu−BTAの生成によ
って見かけ上コントロールされ、界面活性剤がその保護
性を徐々に衰えさせる。酸化物に対する選択性は15:
1〜45:1として与えられる。
の電気化学的な検討が、「R. Carpio ら、Initial Stud
y On Copper CMP Slurry Chemistries, Thin Solid Fil
ms,262(1995) 」に記載されている。この文献は、妥当
なスラリーの基本的特性における電気化学の利用を提案
している。いくつかの別な成分に加え、過マンガン酸カ
リウムを酸化剤として使用している。
を含むスラリーを用いた銅の化学的・機械的研磨、VLSL
/LSI Multilevel Interconnection Conference (CMP-MI
P)の第1回国際研磨学会の予講集、サンタバーバラ、19
96年2月22〜23日」と特開平8−83780号は、低い
腐食速度と欠陥レベルを与えるCuの化学的・機械的研
磨プロセス用のグリシン、過酸化水素、及びシリカ(ベ
ンゾトリアゾールは含む又は含まない)の混合物を発表
している。この文献は、ベンゾトリアゾールやn-ベンゾ
イル-n- フェニルヒドロキシルアミンのような化学物質
を含む化学的・機械的研磨用スラリーが、銅の上に保護
膜を形成すると記載している。除去速度は、スラリー成
分の濃度によって変化する。120nm/分の最適化さ
れた速度、30nm/分のTiN速度、及び幅15μm
の構造を渡して200nmの中底そりが記載されてい
る。
行物に記載されているが、それらはいずれも、化学的・
機械的研磨用スラリーの重要な要件、即ち、200nm
/分を上回る金属除去速度、5未満の金属ライナーに対
する速度選択性、50を上回る誘電性酸化物層に対する
選択性、及び10%未満の全体的欠陥深さの全てを上手
く解決するプロセスを提供していない。
形成メカニズムの使用が望まれているにもかかわらず、
生成する膜の層の厚さをコントロール可能な化学的・機
械的研磨用スラリーを使用することの問題、及び生成し
た膜が研磨可能なことを保証する問題が、依然として存
在する。これらの問題は、許容できない低い研磨速度や
劣った研磨結果をもたらす化学的・機械的研磨用スラリ
ーに帰結する。このように、基材表面上に、より詳しく
は、銅合金を含有する基材の表面上に除去可能な薄い研
磨できる層を形成させ得る化学的・機械的研磨用スラリ
ーに対してニーズが存在している。望ましい化学的・機
械的研磨用スラリーは、良好な薄膜研磨選択性を示すと
同時に、最少限の中底そりと低い欠陥で研磨された基材
を提供するものである。
度で金属含有基材を研磨可能な化学的・機械的研磨用ス
ラリーに関する。また、本化学的・機械的研磨用スラリ
ーは、低い絶縁材の研磨選択性を有し、且つ銅・銅含有
金属層に対して高い研磨選択性を示す。
回路の銅又は銅合金含有層を研磨するために、単一の化
学的・機械的研磨用スラリーを使用する方法に関する。
また、本発明は、安定性で効果的な酸化剤として尿素−
過酸化水素(urea hydrogen peroxide)を含む化学的・機
械的研磨用スラリーに関する。1つの態様において、本
発明は化学的・機械的研磨用スラリーである。本化学的
・機械的研磨用スラリーは、研磨材、酸化剤、錯生成
剤、及び膜生成剤を含む。1つの好ましい態様におい
て、本化学的・機械的研磨用スラリーは、約1.0〜約
15.0重量%のアルミナ研磨材、約0.3〜約12.
0重量%の過酸化水素、約0.5〜約3.0重量%のシ
ュウ酸アンモニウム又は酒石酸、及び約0.01〜0.
2重量%のベンゾトリアゾールを含む。もう1つの好ま
しい態様において、本化学的・機械的研磨用スラリー
は、1.0〜約15.0重量%のアルミナ研磨材、約
1.0〜12.0重量%の尿素−過酸化水素、0.5〜
約3.0重量%のシュウ酸アンモニウム又は酒石酸、及
び約0.01〜0.2重量%のベンゾトリアゾールを含
む。いずれの化学的・機械的研磨用スラリーの態様も、
脱イオン水を共通に含む。
くとも1つの金属層を含む基材を研磨する方法である。
本方法は、先ず、約1.0〜約15.0重量%の研磨
材、約0.3〜12.0重量%の過酸化水素と好ましく
は尿素−過酸化水素、約0.5〜約3.0重量%の少な
くとも1種の錯生成剤、約0.01〜約0.2重量%の
少なくとも1種の膜生成剤、及び脱イオン水を混合し、
化学的・機械的研磨用スラリーを得る。次いで本化学的
・機械的研磨用スラリーが基材に施される。最後に、パ
ッドを基材に接触させ、基材に対してパッドを動かすこ
とにより、金属層の少なくとも一部が基材から除去され
る。
は、尿素と少なくとも1種の金属酸化物研磨材を含む化
学的・機械的研磨用スラリー前駆体である。本化学的・
機械的研磨用スラリー前駆体は、使用前に約0.75:
1〜約2:1の尿素:過酸化水素のモル比で過酸化水素
と混合されて、本化学的・機械的研磨用スラリーを提供
する。
剤、錯生成剤、及び膜生成剤を含む化学的・機械的研磨
用スラリーに関する。本化学的・機械的研磨用スラリー
は、集積回路、薄膜、多重レベル半導体、及びウェハー
を含む群から選択された基材に備わる金属のとりわけ銅
と銅合金を含む金属層を研磨するのに有用である。本発
明のいろいろな好ましい態様を詳しく説明する前に、本
願で使用する用語のいくつかを定義する。化学的・機械
的研磨用スラリー(CMPスラリー)は、酸化剤、研磨
材、錯生成剤、膜生成剤、及びその他の随意の成分を含
む本発明の有用な生産品である。化学的・機械的研磨用
スラリーは、限定されるものではないが、半導体の薄
膜、集積回路の薄膜、その他の化学的・機械的研磨プロ
セスが有用な膜や表面などの多重レベルメタライゼーシ
ョンを研磨するのに有用である。用語「銅」と「銅含有
合金」は、当業者が理解できる範囲内でどちらでも使用
され、限定されるものではないが、純粋な銅、銅アルミ
ニウム合金、Ti/TiN/Cu、Ta/TaN/Cu
多層基材などが挙げられる。
少なくとも1種の酸化剤を含む。酸化剤は、基材の1種
以上の金属層をその対応する酸化物、水酸化物、又はイ
オンに酸化させるのに役立つ。例えば、本発明におい
て、酸化剤は金属層をその対応する酸化物又は水酸化物
に、例えば、チタンを酸化チタン、タングステンを酸化
タングステン、銅を酸化銅、アルミニウムを酸化アルミ
ニウムに酸化させるのに使用される。酸化剤は、化学的
・機械的研磨用スラリーに混和された場合、チタン、窒
化チタン、タンタル、銅、タングステン、アルミニウ
ム、アルミニウム合金の例えばアルミニウム/銅合金、
及びこれらの種々の混合物や組み合わせなどの金属や金
属ベース成分を研磨し、その金属を機械的に研磨して各
酸化物層を除去するのに有用である。
使用される酸化剤は、還元されるとヒドロキシル基を生
成する化合物から選択されることができる。このような
酸化剤は、金属層や金属含有基材層のとりわけ銅合金層
に対して良好な研磨選択性を示す。還元されるとヒドロ
キシル基を生成する金属酸化性化合物の例には、限定さ
れるものではないが、過酢酸、尿素−過酸化水素、過酸
化尿素、過酸化水素、及びこれらの混合物が挙げられ、
過酸化水素と尿素−過酸化水素が好ましい酸化剤であ
る。酸化剤は、本化学的・機械的研磨用スラリー中に約
0.3〜約3.0重量%の量で存在することができる。
酸化剤は、本発明の化学的・機械的研磨用スラリー中に
約0.3〜約17.0重量%の量で存在することが好ま
しく、最も好ましくは約1.0〜約12.0重量%であ
る。
る。尿素−過酸化水素は34.5重量%の過酸化水素と
65.5重量%の尿素であるため、上記の望ましい酸化
剤含有量を得るには、本発明の化学的・機械的研磨用ス
ラリーに多めの重量の尿素−過酸化水素が含められる必
要がある。例えば、1.0〜12.0重量%の酸化剤は
3倍多い又は3.0〜36.0重量%の尿素−過酸化水
素に対応する。
磨用スラリーは、尿素過酸化物に水を混ぜる、尿素と過
酸化水素を水溶液中として約0.75〜:1〜約2:1
のモル比で混合し、尿素−過酸化水素の酸化剤を得る、
などの多くの方法によって調製されることができる。ま
た、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは膜生成剤
を含む。膜生成剤は、金属酸化物の不動態層と金属層表
面上の溶解抑制層の生成を促進することができる任意の
化合物又は混合された化合物でよい。基材の表面層の不
動態化は、基材表面の湿り浸蝕を防ぐのに重要である。
有用な膜生成剤には、例えば、環状化合物のイミダゾー
ル、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾ
チアゾール、及びそれらの誘導体のヒドロキシ、アミ
ノ、イミノ、カルボキシ、メルカプト、ニトロ、及びア
ルキルの各置換基、及び尿素、チオユリアその他を有す
る誘導体がある。好ましい膜生成剤はベンゾトリアゾー
ル(BTA)である。膜生成剤は、本発明の化学的・機
械的研磨用スラリーの中に、迅速で殆ど瞬間的に基材表
面上に不動態層と溶解抑制層を生成させることができる
量で存在すべきである。膜生成剤は、本発明の化学的・
機械的研磨用スラリー中に、約0.01重量%〜1.0
重量%の量で存在すべきである。好ましくは、膜生成剤
は、本化学的・機械的研磨用スラリー中に約0.01〜
約0.2重量%の量で存在する。
明の化学的・機械的研磨用スラリーの研磨材成分によっ
て基材表面から金属酸化物を研磨するため、不動態層を
攪乱できることが重要になる。不動態層を攪乱するのに
有用な化合物の1つの部類は錯生成剤である。有用な錯
生成剤には、限定されるものではないが、クエン酸、乳
酸、酒石酸、コハク酸、酢酸、シュウ酸、及びその他の
酸、及びアミノ酸、アミノ硫酸、及びそれらの塩が挙げ
られる。好ましい錯生成剤はシュウ酸アンモニウムであ
る。もう1つの好ましい錯生成剤は酒石酸である。
用スラリーにおいて、少なくとも2つの有用な役割をす
る。錯生成剤は、研磨工程の際と特に研磨工程が完了し
た後に不動態層の破壊やその生成の抑制をすることな
く、機械的研磨工程の際に不動態層を攪乱する。第2
に、錯生成剤は、下部に存在する未酸化金属とではなく
て酸化金属と錯体を形成し、それによって、酸化層の深
さを制限すると考えられる。錯生成剤は、本発明の化学
的・機械的研磨用スラリー中に、約0.5〜約5.0重
量%、好ましくは約0.5〜約3.0重量%の量で存在
することができる。
も、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に含め
られることができる。所望による添加剤の1つの部類
は、チタンやタンタルのようなウェハー中のバリヤ層の
研磨速度をさらに改良又は促進するために研磨用スラリ
ーに添加され得る無機酸及び/又はその塩である。有用
な無機物添加剤には、硫酸、リン酸、硝酸、HF酸、フ
ッ化アンモニウム、アンモニウム塩、カリウム塩、ナト
リウム塩、又はスルフェート、ホスフェート、及びフル
オリドのその他のカチオン塩が挙げられる。
のベンゾトリアゾール又は他の膜生成剤は、スラリー中
の研磨材の均一な分散を不安定にさせることがある。沈
降、凝集、分解に対する本発明の化学的・機械的研磨用
スラリーの安定化を促進させるため、界面活性剤、安定
剤、分散剤のような種々の所望による化学的・機械的研
磨用スラリー添加剤を使用することができる。界面活性
剤が化学的・機械的研磨用スラリーに添加される場合、
アニオン系、カチオン系、ノニオン系、又は両性系でよ
く、2種以上の界面活性剤の組み合わせが採用されるこ
ともできる。また、界面活性剤の添加は、ウェハーのウ
ェハー内部不均一性(WIWNU)を抑え、それによっ
てウェハーの表面を改良し、ウェハー欠陥を減らすのに
有用であり得ることが見出されている。
活性剤のような添加剤の量は、スラリーの効果的な安定
性を得るのに十分とすべきであり、一般に、選択される
特定の界面活性剤と金属酸化物研磨材の表面の性質によ
って異なるであろう。例えば、選択された界面活性剤が
不十分な量で使用されると、化学的・機械的研磨用スラ
リーの安定化に対して殆ど又は全く効果がないであろ
う。他方で、化学的・機械的研磨用スラリー中の過剰な
量の界面活性剤は、スラリーの不都合な発泡及び/又は
凝集をもたらすことがある。このため、界面活性剤のよ
うな安定化剤は、一般に、本発明のスラリー中に約0.
001〜0.2重量%、好ましくは約0.001〜約
0.1重量%の量で存在すべきである。また、添加剤
は、スラリーに直接添加されてもよく、あるいは、公知
技術を用いて金属酸化物研磨材の表面に処理されてもよ
い。いずれの場合でも、添加剤の量は、本研磨用スラリ
ー中で所望濃度となるように調節される。好ましい界面
活性剤には、ドデシル硫酸ナトリウム塩、ラウリル硫酸
ナトリウム、ドデシル硫酸アンモニウム塩、及びこれら
の混合物がある。有用な界面活性剤の例には、TRIT
ON(商標)DF−16(ユニオンカーバイド社製)と
SURFYNOL(商標)(エアープロダクツアンドケ
ミカルズ社製)が挙げられる。
研磨材を含む。この研磨材は一般に金属酸化物の研磨材
である。金属酸化物研磨材は、アルミナ、チタニア、ジ
ルコニア、ゲルマニア、シリカ、セリア、及びこれらの
混合物を含む群から選択されることができる。本発明の
化学的・機械的研磨用スラリーは、好ましくは、約1.
0〜約15.0重量%又はそれ以上の研磨材を含む。こ
こで、より好ましくは、本発明の化学的・機械的研磨用
スラリーは約3.0〜約6.0重量%の研磨材を含む。
意の技術によって製造されることができる。金属酸化物
の研磨材は、ゾルゲル法、熱水法、又はプラズマ法、あ
るいはビュームド又は沈殿金属酸化物を製造する方法な
どの任意の高温プロセスを用いて製造することができ
る。好ましくは、金属酸化物はビュームド又は沈殿研磨
材であり、より好ましくは、ヒュームドシリカやヒュー
ムドアルミナのようなヒュームド研磨材である。例え
ば、ヒュームド金属酸化物の製造は、水素と酸素の火炎
中で適切な原料蒸気(例えば、アルミナ研磨材について
は塩化アルミニウム)の熱分解を伴う周知プロセスであ
る。ほぼ球形の溶融粒子が燃焼プロセスで形成され、そ
の直径はプロセスパラメーターによって変化させ得る。
これらのアルミナその他の酸化物の溶融した球形粒子
(一般に、一次粒子と称される)は、衝突によって接触
点で互いに融合し、枝のある3次元の鎖状凝集体を生成
する。この凝集体を破壊するのに必要な力はかなりのも
のである。冷却と回収の際に、凝集体はさらに衝突し、
ある種の機械的絡み合いを生じ、アグロメレートの生成
をもたらす。アグロメレートは、ファンデルワールス力
によって相互に弱い結合で支持されたものと考えられ、
可逆であることができ、即ち、適当な媒体の中で適切に
分散させることによってバラバラになることができる。
れることができ、例えば、高濃度の塩、酸その他の凝固
剤の作用下で、水系媒体から所望の粒子を凝固させるこ
とによって生成される。粒子は、当業者に公知の常套技
術によって、濾過、洗浄、乾燥され、反応生成物のその
他の残留物から分離される。適切な金属酸化物は、通常
BET法と称される「S. Brunauer, P.H. Emmet, abd
I. Teller, J. Am. Chemical Society, 60 巻、309
頁、1938年」の方法で測定して約5m2 /g〜約430
m2 /g、好ましくは約30m2 /g〜約170m2 /
g表面積を有する。IC工業の厳しい純度の要請のた
め、適切な金属酸化物は高純度である必要がある。高純
度とは、原材料の不純物のような出発源と微量のプロセ
ス上の不純物の全不純物含有率が、一般に1%未満、好
ましくは0.01%(100ppm)未満であることを
意味する。
は、金属酸化物の凝集体又は個々の単一の球状粒子から
なることができる。用語「粒子」は、本願では、複数の
一次粒子の凝集体と単一粒子の双方を指称するために使
用される。金属酸化物の研磨材は、約1.0μm未満の
サイズ分布、約0.4μm未満の平均凝集体直径、及び
研磨材凝集体自身のファンデルワールス力に反発して打
ち勝つに足る力を有する金属酸化物凝集体からなること
が好ましい。このような金属酸化物研磨材は、研磨の際
に引っ掻き傷、小孔、ディボットその他の表面不完全性
を抑制する又は発生させないのに有効であることが見出
されている。本発明における凝集体サイズ分布は、透過
型電子顕微鏡(TEM)のような公知技術を用いて測定
することができる。「平均凝集体直径」とは、TEM像
の解析を使用した、即ち、凝集体の横断面積による平均
相当球直径を意味する。「力」とは、金属酸化物粒子の
表面電位又は水和力が、粒子間のファンデルワールス引
力に反発して打ち勝つに十分である必要があることを意
味する。
化物研磨材は、0.4μm(400nm)未満の一次粒
子直径と約10m2 /g〜約250m2 /gの表面積を
有する分離した個々の金属酸化物の球状粒子からなるこ
とができる。好ましくは、金属酸化物研磨材は、金属酸
化物の濃い水分散系として研磨用スラリーの水系媒体中
に混和され、この金属酸化物研磨材の水分散系は、一般
に、約3%〜約45%の固形分、好ましくは10%〜2
0%の固形分である。金属酸化物の水分散系は、例え
ば、脱イオン水のような適切な媒体に金属酸化物研磨材
をゆっくり添加してコロイド状分散系を作成するといっ
た、通常の技術によって得ることができる。この分散系
は、一般に、当業者に公知の高剪断混合にそれを供する
ことによって仕上げられる。スラリーのpHは、コロイ
ドの安定性を最大限にするため、下記に示すように等電
点から遠ざけて調節されることができる。
ルを容易にするため、本発明の化学的・機械的研磨用ス
ラリーのpHは約2.0〜約12.0、好ましくは約
4.0〜約9.0、最も好ましくは約5.0〜約8.0
に維持することが好ましい。本発明の化学的・機械的研
磨用スラリーのpHが例えば2未満のように低過ぎる
と、スラリーを取り扱う問題や基板の研磨品質の問題が
生じる。シュウ酸アンモニウムが錯生成剤である場合、
本化学的・機械的研磨用前駆体又はスラリーは、一般に
約7.5のpHを有し、pHの調節が必要ないことがあ
る。ここで、酒石酸が錯生成剤として選択された場合、
本化学的・機械的研磨用前駆体又はスラリーは一般に約
2.0のpHを有し、pH調節が望ましい。
pHは、公知の任意の酸、塩基、アミンを用いて調節可
能である。ここで、本発明の化学的・機械的研磨用スラ
リーに不都合な金属成分を導入することを避けるため、
金属イオンを含まない水酸化アンモニウムやアミン、又
は硝酸、リン酸、硫酸、有機酸のような酸又は塩基を使
用することが好ましい。
は、任意のタイプの金属層を研磨するのに使用されるこ
とができるが、銅、チタン、窒化チタン、及び窒化タン
タルに対して高い研磨速度と、タンタルに対して満足で
きる研磨速度を有することが見出されている。また、本
化学的・機械的研磨用スラリーは、誘電性絶縁層に対し
ては望ましい低い研磨速度を示す。
は、当業者に公知の常套技術を用いて製造されることが
できる。一般に、酸化剤、有機酸、及びその他の所望の
添加剤の例えば界面活性剤が、所定の濃度で脱イオン水
や蒸留水のような水系媒体に添加され、それらの成分が
媒体中に完全に溶解するまで低剪断条件下で混合され
る。ヒュームドアルミナのような金属酸化物研磨材の濃
分散系がその媒体に添加され、最終的研磨用スラリー中
で所望の研磨材充填レベルまで希釈される。
ワンパッケージ系として供給されることができる(適切
な水系媒体中の酸化剤、研磨材、膜生成剤、不動態化
剤)。ここで、起こり得る化学的・機械的研磨用スラリ
ーの品質低下を防ぐため、第1パッケージが膜生成剤と
随意の添加剤を含み、第2パッケージが水系研磨材分散
系と酸化剤を含む、少なくとも2つのパッケージ系が使
用されることが好ましい。残りの成分の錯生成剤は、第
1容器、第2容器、又は第3容器のいずれかに入れられ
ることができる。本発明の化学的・機械的研磨用スラリ
ーの成分のその他の2つの容器の組み合わせは当業者の
知識の範囲内にある。
機械的研磨用スラリーは、尿素及びその他の任意の有用
なスラリー成分を含むスラリー前駆体に過酸化水素を添
加し、尿素−過酸化水素を含む化学的・機械的研磨用ス
ラリーを得ることによって処方され得ることが見出され
ている。尿素を含むスラリー前駆体から本発明の化学的
・機械的研磨用スラリーを処方することは、過酸化水素
を含有するスラリーに伴う安定性、搬送、安全性の問題
を解消する。このことは、尿素を含有する化学的・機械
的研磨用スラリー前駆体が調製されて使用される場所ま
で搬送され、その場所で調達できる過酸化水素と混合さ
れ、尿素−過酸化水素を含む化学的・機械的研磨用スラ
リーを得ることにより達成される。
と少なくとも1種の金属酸化物研磨材の乾燥又は水系混
合物である。少なくとも1種の錯生成剤、少なくとも1
種の膜生成剤、及び本化学的・機械的研磨用スラリーに
有用な界面活性剤などのその他の任意の添加剤を含む尿
素含有スラリーの仲に付加的な成分を含めることもでき
る。
は、約2.0〜約24.0重量%の尿素、ヒュームドア
ルミナ、錯生成剤(シュウ酸アンモニウム、酒石酸、又
はこれらの混合物から選択、好ましくは酒石酸)、ベン
ゾトリアゾール、及び上記の量の界面活性剤の水分散系
を含んでなる。スラリー前駆体又はその混合物は、約
4.0〜約9.0のpHを有することが好ましい。
ラリー系は、ウェハーの目的とする金属層について使用
するのに適切な任意の標準的な研磨装置とともに使用さ
れることができる。多数パッケージ系は、2つ以上の容
器の中に、適切な水系又はドライ状の形態の中に1種以
上の化学的・機械的研磨用スラリー成分を含む。多数パ
ッケージ系は、基材にスラリーを施す前又はその時に別
な容器から所望の量の成分を混合し、上記の量の、少な
くとも1種の酸化剤、膜生成剤、錯生成剤、少なくとも
1種の研磨材を含む化学的・機械的研磨用スラリーを調
製することにより使用される。好ましいパッケージ系
は、アルミナ、尿素、錯生成剤(シュウ酸アンモニウ
ム、酒石酸、又はこれらの混合物から選択される)、ベ
ンゾトリアゾール、及び界面活性剤を含んで約4.0〜
約9.0のpHの化学的・機械的研磨用スラリー前駆体
を入れた第1容器、及び過酸化水素を入れた第2容器を
含んでなる。研磨する場所で既定量の化学的・機械的研
磨用スラリーと所定量の過酸化水素が研磨時に混合さ
れ、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーを得ること
ができる。
は、二酸化ケイ素の研磨速度を大きく高めることはな
い。しかしながら、本発明の化学的・機械的研磨用スラ
リーは、銅、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タン
タルを、コントロールできる条件下で良好な速度で研磨
する。即ち、本発明の化学的・機械的研磨用スラリー
は、チタン、銅、窒化チタンの研磨選択性をコントロー
ルするのに有効である。本発明の研磨用スラリーは、表
面の不完全性や欠陥を最少限にしながら所望の研磨速度
で有効な研磨を提供するため、半導体集積回路の製造の
種々の工程で使用されることができる。
成剤、及び膜生成剤を含む化学的・機械的研磨用スラリ
ーが、銅合金、チタン、窒化チタンを含む多数金属層を
高い速度で研磨することができ、且つ誘電体層に対して
は許容できる低い研磨速度を呈することを見出した。
発明の組成物を使用する好ましい方法を示す。 例1 化学的・機械的研磨メカニズムを把握するため、及びス
ラリー成分の選択基準を提供するため、電気化学的テス
トを用いる。使用した電気化学セルは、IBM研究所で
開発され、文献「V. Brusic ら、Corrosion And Inhibi
tion Of Thin Line Conductors In VLSI Structure, IB
M J R&D, 37, 173(1993)」に記載されており、本願でも
参考にして取り入れられている。この電気化学セルは、
表面研磨ありなしで、電極電位と基材の金属溶解速度の
評価を可能にする。この方法は、PAR腐食ソフトウェ
アーを備えたPAR273型ポテンシオスタットを使用
する。
アンモニウム、及びグリシン(1と2)又はシュウ酸ア
ンモニウム(3と4)(双方ともpH5.1で1重量%
の量で存在)の存在下で銅の溶解を支配するプロセスを
例示する。双方の場合において、アノードのTafel
勾配は極めて小さく、研磨ありなしの電位動的分極曲線
の間の差は非常に小さい。電気化学セルの結果は、Cu
表面が酸化膜で覆われていないことを示唆する。しかし
ながら、銅の溶解は、シュウ酸アンモニウムの存在中で
少なくとも1/20の遅さである。グリシンに比較し、
シュウ酸塩は、銅の溶解に対してより有効な抑制剤であ
る。また、腐食電位に一貫した差があり、シュウ酸アン
モニウムにおける電位は、グリシンにおいて測定した電
位よりも常に低く、このことは、優先的な溶解プロセス
がCu+ イオンをもたらし、グリシンの存在でCu++イ
オンの生成が起こり得ることを示唆する。
表面で依然として吸着するが、シュウ酸アンモニウムは
Cu(NH3)x + とCu(NH3)x ++の錯体の生成によ
って銅の溶解速度を高める作用もする。図2は、11%
のH2 O2 (曲線1、表面研磨の後)、1重量%のグリ
シンを含む同じ酸化剤(曲線2)、及び1%のシュウ酸
アンモニウムを含む同じ酸化剤(曲線3)での銅の溶解
と不動態化を示す。腐食電位はシュウ酸アンモニウムの
存在下で最も低い。シュウ酸アンモニウムにおいて、銅
の溶解は、過酸物のみに比較して高められるが、研磨の
際に約200nm/分に達し、表面の再不動化が生じ、
研磨の後にわずか5.5nm/分の溶解速度となる。少
量のベンゾチアゾールの添加は、不動態化が迅速に生
じ、銅−ベンゾチアゾールが銅の溶解速度の付加的な因
子を提供するることを確保する。これに対し、グリシン
における銅の溶解は、研磨のありなしで同じであり、表
面の再不動態化なしに300nm/分を上回るコントロ
ールできない値に達する。
力、45rpmのテーブル速度、及び50rpmのスピ
ンドル速度で、CuとTiのウェハーを化学的・機械的
研磨用スラリーで研磨した。この化学的・機械的研磨用
スラリーは、表1に示すように、過酸化水素、シュウ酸
アンモニウム、ベンゾチアゾール、及び湿潤剤の濃度を
変えて処方した。CuとTiの除去速度を測定した。過
酸化水素とグリシンを含む従来技術のスラリーについて
の速度もまた測定し、表2に示す。使用した湿潤剤は、
コネクティカット州のダンバリーにあるユニオンカーバ
イドケミカルズアンドプラスティクス社製のTRITO
N(商標)DF16であった。
トの結果は、本発明の化学的・機械的研磨用スラリー
が、少なくとも100nm/分の銅速度と高々4:1の
〔Cu:Ti〕選択性など、適切な銅とチタンの研磨速
度と選択性を達成できることを示している。 例3 この例においては、11.0重量%の過酸化水素、1.
5%のシュウ酸アンモニウム、0.04%のベンゾトリ
アゾール、50ppmのTRITON(商標)DF16
(ユニオンカーバイドケミカルズアンドプラスティクス
社製)、及び5%のアルミナ研磨材を含む化学的・機械
的研磨用スラリーについてCu除去速度とウェハー内部
不均一性(WIWNU)の結果の再現性を評価した。こ
の化学的・機械的研磨用スラリーは、DF200インサ
ートを備えたRodel1158緩衝式パッドを有する
Strasbaugh研磨機を用い、4psiの下方
力、50rpmのテーブル速度、及び50rpmのスピ
ンドル速度で、銅ウェハーに連続的に施した。
の研磨性能が極めて一貫しており、良好なウェハーとウ
ェハー均一性を示すことを実証している。 例4 この例は、有用な化学的・機械的研磨酸化剤としての、
尿素−過酸化水素と過酸化水素の有効性を比較する。詳
しくは、この例は、2つの酸化剤について経時的な安定
性を比較する。
媒体(脱イオン水)の中で調製した。各スラリーは、S
EMI−SPERSE(商標)アルミナ分散系を用いて
調製し、脱イオン水で5重量%アルミナに希釈した。 スラリーA:5%のアルミナ、3%の過酸化水素〔H
P〕、3%のコハク酸、元のpH=3.50 スラリーB:5%のアルミナ、8.5%の尿素−過酸化
水素〔UHP〕(約3.0重量%の水系H2 O2 に相
当)、3%のコハク酸、元のpH=3.55 スラリーAとBは、室温に数週間にわたって放置した。
定期的にスラリーAとBのサンプルをpHについて分析
し、また、酸性溶液中の過マンガン酸カリウムで滴定
し、活性過酸物の%を測定した。その結果を下記の表3
に示す。
中の活性過酸化物が、尿素−過酸化水素を含むスラリー
のそれよりもはるかに速く分解することを示す。双方の
スラリーのpH安定性は似ている。最も好ましい酸化剤
は尿素−過酸化水素である。尿素−過酸化水素は、全体
の化学的・機械的研磨用スラリーの中に約1.5〜約
3.0重量%の量で存在することができる。尿素−過酸
化水素は、スラリー中に約3.0〜約17.0重量%で
存在することが好ましく、最も好ましくは約5.0〜約
12.0重量%である。
ウェハーを研磨する効率をこの例で評価した。下記の表
4に示したスラリーを、ロデル社製のICI1000/SUBA IV
パッドスタックを用いたIPEC472研磨機で、5p
siの下方力、50rpmのテーブル速度、60rpm
のスピンドル速度で、CuとTiのウェハーに適用し
た。各スラリーは5重量%のアルミナ研磨材を含んだ。
使用した湿潤剤はTRITON(商標)DF−16であ
った。
機械的研磨用スラリーが500nm/分を上回るCuと
Tiの好ましい研磨速度と、2.5未満のCu:Tiの
選択比を得ることができることを示す。 例6 この例は、研磨用スラリー前駆体と過酸化水素銅研磨材
を含む化学的・機械的研磨用スラリーの銅研磨の有効性
を評価した。下記の表5に示したスラリーは、5重量%
のアルミナ、尿素、シュウ酸アンモニウム、ベンゾチア
ゾール、及び湿潤剤(TRITON(商標)DF−1
6)からなる化学的・機械的研磨用スラリー前駆体の水
分散系に、30重量%のH2 O2 を混合することによっ
て調製した。得られたスラリーを、ロデル社製のICI100
0/SUBA 500パッドスタックを用いたIPEC472研磨
機で、5psiの下方力、40rpmのテーブル速度、
60rpmのスピンドル速度で、Cuウェハーに適用し
た。Cuの研磨速度を下記の表5に示す。
用スラリーが、500nm/分を上回るCu(及びT
i)の好ましい研磨速度と、2.5未満のCu:Tiの
選択比を得ることができることを示す。有用なスラリー
は、例5の表4に示したような固体の尿素−過酸化物を
酸化剤とするか、又は液体の過酸化水素(30%溶液と
してパッケージ)を、表5に示したような固体尿素を含
む化学的・機械的研磨用スラリー前駆体と混合すること
によって調製できる。
て、酒石酸とシュウ酸アンモニウムを含む化学的・機械
的研磨用スラリーの有効性を評価した。各成分を混合す
ることによって2種のスラリーを調製し、3重量%のア
ルミナ、3.65重量%の尿素、2.0重量%の過酸化
水素、50ppmのTritonDF−16界面活性
剤、及び0.04重量%のベンゾチアゾールを含む化学
的・機械的研磨用スラリーを得た。スラリー1は1.0
重量%のシュウ酸アンモニウムを含んだが、スラリー2
は3.0重量%の酒石酸を含んだ。シュウ酸アンモニウ
ムを含むスラリーのpHはもともと7.5であり、酒石
酸を含むスラリーのpHは、水酸化アンモニウムをスラ
リーに添加して7.5に調節した。
SUBA 500パッドスタックを用いたIPEC472研磨機
で、3psiの下方力、2psiの背圧、55rpmの
テーブル速度、30rpmのスピンドル速度で、Cu、
Ta、PETOSの各ウェハーに適用した。研磨速度を
下記の表6に示す。
は、シュウ酸アンモニウムを含むスラリーの速度よりも
低い。しかしながら、酒石酸を含む化学的・機械的研磨
用スラリーは、シュウ酸アンモニウムを含むスラリーよ
りも不動態化性であり、それによって、より強い腐食コ
ントロールを提供する。 例8 5種のスラリーを用い、例1の方法にしたがってCuの
腐食速度を電気化学的に評価した。5種のスラリーは、
いずれも5%の分散アルミナ、2%のH2 O2、3.6
5%の尿素、及び50ppmのTritonDF−16
界面活性剤を含んだ。錯生成剤、抑制剤の有無、及びス
ラリーpHを、測定した腐食速度とともに表7に掲げ
た。
ニウムに比較してCu腐食速度を下げることを示す。腐
食速度は、テトラアルキル水酸化アンモニウムの存在下
でさらに抑えられる。
グリシン(曲線1と2)又は1重量%のシュウ酸アンモ
ニウム(曲線3と4)を含む溶液で、銅について測定し
たポテンシオダイナミック分極曲線を示す。各曲線のセ
ットは、銅の表面研磨の際(曲線1と3)と、研磨を止
めた後に再度測定した(曲線2と4)。
磨の後)、同じ酸化剤と1重量%のグリシンを含む電解
質(曲線2、研磨の後)、同じ酸化剤と1重量%のシュ
ウ酸アンモニウムの(曲線3、研磨の後)での、銅につ
いてのポテンシオダイナミック分極曲線を示す。
研磨材、11.0重量%のH2O2 、1.5重量%のシ
ュウ酸アンモニウム、0.04重量%のベンゾチアゾー
ル、50ppmの湿潤剤(Triton(商標)DF−
16界面活性剤)を含む本発明の化学的・機械的研磨用
スラリーを用いた、銅についての研磨速度とウェハー内
部不均一性を示す。
Claims (47)
- 【請求項1】 尿素、及び少なくとも1種の金属酸化物
研磨材を含んでなる化学的・機械的研磨用スラリーの前
駆体組成物。 - 【請求項2】 膜生成剤をさらに含む請求項1に記載の
組成物。 - 【請求項3】 錯生成剤をさらに含む請求項1又は2に
記載の組成物。 - 【請求項4】 約2.0重量%〜約24.0重量%の尿
素と約1.0〜約15.0重量%のアルミナ研磨材を含
む請求項1〜3のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項5】 約0.5〜約3.0重量%のシュウ酸ア
ンモニウム、約0.01〜約0.2重量%のベンゾトリ
アゾール、及び約0.001〜約0.1重量%の界面活
性剤をさらに含む請求項4に記載の組成物。 - 【請求項6】 約0.5〜約5.0重量%の酒石酸と約
0.1〜約0.2重量%のベンゾトリアゾールをさらに
含む請求項4に記載の組成物。 - 【請求項7】 約5〜約8のpHを有する請求項1〜4
及び6のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項8】 約0.001〜約0.1重量%の界面活
性剤をさらに含む請求項1〜4、6及び7のいずれか1
項に記載の組成物。 - 【請求項9】 研磨材、少なくとも1種の酸化剤、錯生
成剤、及び膜生成剤を含んでなる化学的・機械的研磨用
スラリー組成物。 - 【請求項10】 研磨材、尿素−過酸化水素、錯生成
剤、及び膜生成剤を含んでなる化学的・機械的研磨用ス
ラリー組成物。 - 【請求項11】 錯生成剤が、クエン酸、乳酸、酒石
酸、コハク酸、シュウ酸、アミノ酸、及びこれらの塩の
化合物群から選択された請求項3〜10のいずれか1項
に記載の組成物。 - 【請求項12】 錯生成剤がシュウ酸アンモニウムであ
る請求項3〜11のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項13】 シュウ酸アンモニウムが0.5〜約
3.0重量%の量で存在する請求項12に記載の組成
物。 - 【請求項14】 研磨材、尿素−過酸化水素、酒石酸、
及び膜生成剤を含んでなる化学的・機械的研磨用スラリ
ー組成物。 - 【請求項15】 酒石酸が約0.5〜約5.0重量%の
量で存在する請求項14に記載の組成物。 - 【請求項16】 膜生成剤がベンゾトリアゾールである
請求項2〜15のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項17】 ベンゾトリアゾールが約0.01〜約
0.1重量%の量で存在する請求項16に記載の組成
物。 - 【請求項18】 酸化剤が、還元してヒドロキシル基を
生成する化合物である請求項9に記載の組成物。 - 【請求項19】 酸化剤が、過酸化水素、尿素−過酸化
水素、及びこれらの組み合わせからなる群より選択され
た請求項9又は18に記載の組成物。 - 【請求項20】 酸化剤が、約0.3〜約12重量%の
量で存在する過酸化水素又は尿素−過酸化水素である請
求項9〜19のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項21】 研磨材が少なくとも1種の金属酸化物
である請求項9〜20のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項22】 金属酸化物研磨材が、アルミナ、セリ
ア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及び
これらの混合物からなる群より選択された請求項1〜2
1のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項23】 研磨材が金属酸化物の水分散系である
請求項1〜22のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項24】 金属酸化物研磨材が、約1.0μm未
満のサイズ分布と約0.4μm未満の平均凝集体直径を
有する金属酸化物の凝集体からなる請求項1〜23のい
ずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項25】 金属酸化物研磨材が、0.400μm
未満の一次粒子径と約10m2 /g〜約250m2 /g
の表面積を有する分離した個々の金属酸化物の球状物か
らなる請求項1〜23のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項26】 研磨材が約5m2 /g〜約430m2
/gの表面積を有する請求項1〜25のいずれか1項に
記載の組成物。 - 【請求項27】 研磨材が約30m2 /g〜約170m
2 /gの表面積を有する請求項26に記載の組成物。 - 【請求項28】 研磨材が、沈降研磨材又はヒュームド
研磨材からなる群より選択された請求項1〜27のいず
れか1項に記載の組成物。 - 【請求項29】 組成物が約2〜約12のpHを有する
請求項1〜28のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項30】 組成物が約4〜約9のpHを有する請
求項29に記載の組成物。 - 【請求項31】 組成物が約5〜約8のpHを有する請
求項30に記載の組成物。 - 【請求項32】 研磨材、過酸化水素、尿素−過酸
化水素、及びこれらの混合物からなる群より選択された
酸化剤、シュウ酸アンモニウム、及びベンゾトリア
ゾール、を含んでなる化学的・機械的研磨用スラリー組
成物。 - 【請求項33】 約1.0〜約15.0重量%の金属
酸化剤研磨材、約0.3〜約12.0重量%の過酸化
水素又は尿素−過酸化水素、約0.5〜約3.0重量
%のシュウ酸アンモニウム、及びベンゾトリアゾー
ル、を含む請求項32に記載の組成物。 - 【請求項34】 ベンゾトリアゾールが約0.01〜約
0.2重量%の量で存在する請求項32又は33に記載
の組成物。 - 【請求項35】 研磨材がアルミナである請求項32〜
34のいずれか1項に記載の組成物。 - 【請求項36】 研磨材、尿素−過酸化水素、約
0.5〜約3.0重量%のシュウ酸アンモニウム、及び
約0.01〜約0.2重量%のベンゾトリアゾール、
を含んでなる化学的・機械的研磨用スラリー組成物。 - 【請求項37】 約1.0〜約15.0重量%のアルミ
ナ研磨材と約0.3〜約12.0重量%の尿素−過酸化
水素を含む請求項36に記載の組成物。 - 【請求項38】 約1.0〜約15.0重量%のアル
ミナ研磨材、約0.3〜約12.0重量%の尿素−過
酸化水素、約0.5〜約3.0重量%の酒石酸、及び
約0.01〜約0.2重量%のベンゾトリアゾールを
含み、約4.0〜約9.0のpHを有する化学的・機械
的研磨用スラリー組成物。 - 【請求項39】 少なくとも1種の界面活性剤をさらに
含む請求項1〜4、6、7、及び9〜38のいずれか1
項に記載の組成物。 - 【請求項40】 (a) 請求項1〜8及び21〜28のい
ずれか1項に記載の組成物に脱イオン水を混合し、化学
的・機械的研磨用スラリーの前駆体組成物を作成し、
(b) 工程(a) の前駆体組成物に過酸化水素を混合し、化
学的・機械的研磨用スラリー組成物を作成し、(c) 工程
(b) の化学的・機械的研磨用スラリー組成物を基材に施
し、(d) パッドを基材に接触させ、基材に対してパッド
を動かすことによって基材から金属層の少なくとも一部
を除去する、各工程を含む、少なくとも1種の金属層を
有する基材の研磨方法。 - 【請求項41】 工程(b) の過酸化水素が、工程(a) の
前駆体組成物と、1モルの過酸化水素あたり約0.75
モルの尿素から約1モルの過酸化水素あたり約2モルの
尿素までの比で混合される請求項40に記載の方法。 - 【請求項42】 (a) 請求項9〜39のいずれか1項に
記載の化学的・機械的研磨用スラリー組成物を基材に施
し、 (b)パッドを基材に接触させ、基材に対してパッド
を動かすことによって基材から金属層の少なくとも一部
を除去する、各工程を含む基材の研磨方法。 - 【請求項43】 基材が銅合金含有層を備える請求項4
0〜42のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項44】 基材がチタン層と窒化チタン層をさら
に備え、チタンと窒化チタンの層の少なくとも一部が除
去される請求項40〜43のいずれか1項に記載の方
法。 - 【請求項45】 パッドが基材に接触して配置される前
に、化学的・機械的研磨用スラリー組成物がパッドに施
される請求項40〜44のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項46】 (a) 請求項1〜8及び21〜28のい
ずれか1項に記載の組成物を入れた第1容器、(b) 過酸
化水素を入れた第2容器、を備えた化学的・機械的研磨
用組成物の多数パッケージ系。 - 【請求項47】 (a) 膜生成剤と錯生成剤を入れた第1
容器、(b) 酸化剤を入れた第2容器、及び(c) 第1容
器、第2容器、及び第3容器からなる群より選択された
容器に入れた研磨材、を含んでなる化学的・機械的研磨
用組成物の多数パッケージ系。
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000252242A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2001015463A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-01-19 | Eternal Chemical Co Ltd | 研磨組成物 |
| JP2001035820A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液 |
| JP2001077062A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Jsr Corp | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2001085376A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板の研磨方法 |
| JP2001185515A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 研磨方法、配線形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置 |
| JP2001210611A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-08-03 | Applied Materials Inc | 金属を平坦化するためのcmpスラリー |
| JP2001210644A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100313573B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2001-11-07 | 안복현 | 연마용 조성물 |
| US6383240B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-05-07 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| US6436811B1 (en) | 1999-12-28 | 2002-08-20 | Nec Corporation | Method of forming a copper-containing metal interconnect using a chemical mechanical planarization (CMP) slurry |
| US6478834B2 (en) | 2000-11-24 | 2002-11-12 | Nec Corp. | Slurry for chemical mechanical polishing |
| JP2003507895A (ja) * | 1999-08-13 | 2003-02-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法 |
| US6562719B2 (en) | 2000-08-04 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices |
| US6585786B2 (en) | 2000-11-24 | 2003-07-01 | Nec Electronics Corporation | Slurry for chemical mechanical polishing |
| KR100396883B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마용 슬러리 및 이를 이용한 구리 금속배선제조방법 |
| JP2003532292A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | マイクロ電子基板の平面化加工中の化学的相互作用を制御する方法および装置 |
| US6653267B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for polishing of copper |
| JP2004502823A (ja) * | 2000-07-05 | 2004-01-29 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 金属cmpのための研磨組成物 |
| EP1520892A2 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-06 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP2005162893A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Kanto Chem Co Inc | 金属膜のエッチング液組成物 |
| JP2006080388A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Nitta Haas Inc | 金属研磨用組成物 |
| JP2006186381A (ja) * | 1999-10-06 | 2006-07-13 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | Cmp生成物 |
| JP2006191132A (ja) * | 1999-08-17 | 2006-07-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 化学機械研磨用研磨剤及び基板の研磨法 |
| US7232529B1 (en) | 1999-08-26 | 2007-06-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method |
| US7319072B2 (en) | 1999-08-17 | 2008-01-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing medium for chemical-mechanical polishing, and method of polishing substrate member |
| WO2008013226A1 (en) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Showa Denko K.K. | Polishing composition |
| JP2008028411A (ja) * | 2007-09-03 | 2008-02-07 | Jsr Corp | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2008124509A (ja) * | 2008-02-08 | 2008-05-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨方法 |
| US7550388B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-06-23 | Fujima Incorporated | Polishing composition and polishing method |
| JP2009152647A (ja) * | 2009-04-06 | 2009-07-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法 |
| US8080476B2 (en) | 2006-08-02 | 2011-12-20 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing process |
| KR101108724B1 (ko) | 2003-12-11 | 2012-02-29 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 슬러리 역류를 감소시키기 위한 화학기계적 연마 방법 |
| US8864860B2 (en) | 2007-12-28 | 2014-10-21 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| KR20240083017A (ko) | 2022-12-02 | 2024-06-11 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 연마 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 |
Families Citing this family (105)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6126853A (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US8092707B2 (en) | 1997-04-30 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication |
| US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
| US6432828B2 (en) * | 1998-03-18 | 2002-08-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| KR20010042616A (ko) * | 1998-04-10 | 2001-05-25 | 페로 코포레이션 | 금속 표면의 화학적-기계적 연마용 슬러리 |
| GB2384003B (en) * | 1998-06-15 | 2003-09-03 | Fujimi Inc | Polishing composition |
| JP3998813B2 (ja) * | 1998-06-15 | 2007-10-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
| US6217416B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates |
| FR2781922B1 (fr) * | 1998-07-31 | 2001-11-23 | Clariant France Sa | Procede de polissage mecano-chimique d'une couche en un materiau a base de cuivre |
| CN1126152C (zh) * | 1998-08-31 | 2003-10-29 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体制程用的化学机械研磨组合物 |
| CA2342332A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Hiroki Terazaki | Abrasive liquid for metal and method for polishing |
| DE19842709A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Polierflüssigkeit zum Polieren von Bauelementen, vorzugsweise Wafern, insbesondere zum Chemisch-Mechanischen Polieren derartiger Bauelemente |
| US6572449B2 (en) * | 1998-10-06 | 2003-06-03 | Rodel Holdings, Inc. | Dewatered CMP polishing compositions and methods for using same |
| US6241586B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-06-05 | Rodel Holdings Inc. | CMP polishing slurry dewatering and reconstitution |
| AU1219600A (en) * | 1998-10-21 | 2000-05-08 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Slurries of abrasive inorganic oxide particles and method for adjusting the abrasiveness of the particles |
| US6447693B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-09-10 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Slurries of abrasive inorganic oxide particles and method for polishing copper containing surfaces |
| SG99289A1 (en) * | 1998-10-23 | 2003-10-27 | Ibm | Chemical-mechanical planarization of metallurgy |
| US6245690B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films |
| US6206756B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| US6276996B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| SG73683A1 (en) * | 1998-11-24 | 2000-06-20 | Texas Instruments Inc | Stabilized slurry compositions |
| EP1833085A1 (en) * | 1998-12-28 | 2007-09-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method for preparation thereof and polishing method using the same |
| JP2000252243A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| JP5429104B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2014-02-26 | 日立化成株式会社 | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4866831B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2012-02-01 | 日立化成工業株式会社 | 金属用研磨液を用いる研磨方法 |
| US6238592B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-05-29 | 3M Innovative Properties Company | Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication |
| DE19927286B4 (de) * | 1999-06-15 | 2011-07-28 | Qimonda AG, 81739 | Verwendung einer Schleiflösung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Edelmetall-Oberfläche |
| CN1107097C (zh) * | 1999-07-28 | 2003-04-30 | 长兴化学工业股份有限公司 | 化学机械研磨组合物及方法 |
| ATE405618T1 (de) * | 1999-08-13 | 2008-09-15 | Cabot Microelectronics Corp | Chemisch-mechanische poliersysteme und verfahren zu ihrer verwendung |
| CN1125862C (zh) * | 1999-09-20 | 2003-10-29 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体加工用化学机械研磨组合物 |
| US6720264B2 (en) | 1999-11-04 | 2004-04-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Prevention of precipitation defects on copper interconnects during CMP by use of solutions containing organic compounds with silica adsorption and copper corrosion inhibiting properties |
| US6872328B2 (en) * | 1999-12-17 | 2005-03-29 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing or planarizing a substrate |
| TW572980B (en) * | 2000-01-12 | 2004-01-21 | Jsr Corp | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process |
| EP1193745A4 (en) * | 2000-02-04 | 2003-05-14 | Showa Denko Kk | POLISHING PASTE FOR LSI MANUFACTURING AND LSI MANUFACTURING METHOD |
| US6355075B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-03-12 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP2001269859A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| JP4078787B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2008-04-23 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
| US6451697B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method for abrasive-free metal CMP in passivation domain |
| US6447375B2 (en) | 2000-04-19 | 2002-09-10 | Rodel Holdings Inc. | Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition |
| US6653242B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Solution to metal re-deposition during substrate planarization |
| US6872329B2 (en) | 2000-07-28 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
| JP2002075927A (ja) | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6541384B1 (en) * | 2000-09-08 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Method of initiating cooper CMP process |
| US6569349B1 (en) | 2000-10-23 | 2003-05-27 | Applied Materials Inc. | Additives to CMP slurry to polish dielectric films |
| US6524167B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for the selective removal of residual materials and barrier materials during substrate planarization |
| US6740591B1 (en) * | 2000-11-16 | 2004-05-25 | Intel Corporation | Slurry and method for chemical mechanical polishing of copper |
| JP2002164307A (ja) | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6896776B2 (en) | 2000-12-18 | 2005-05-24 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for electro-chemical processing |
| KR100407296B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 티타늄알루미늄나이트라이드의 화학적기계적연마 방법 |
| JP2002231666A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6756308B2 (en) * | 2001-02-13 | 2004-06-29 | Ekc Technology, Inc. | Chemical-mechanical planarization using ozone |
| US7160432B2 (en) | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7128825B2 (en) | 2001-03-14 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US6811680B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
| US7582564B2 (en) | 2001-03-14 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing |
| US6899804B2 (en) | 2001-04-10 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing |
| US7232514B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7323416B2 (en) | 2001-03-14 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US6783432B2 (en) | 2001-06-04 | 2004-08-31 | Applied Materials Inc. | Additives for pressure sensitive polishing compositions |
| US20040011991A1 (en) * | 2001-06-13 | 2004-01-22 | Markle Richard J. | Use of a gettering agent in a chemical mechanical polishing and rinsing operation and apparatus therefor |
| US6592742B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-07-15 | Applied Materials Inc. | Electrochemically assisted chemical polish |
| SG144688A1 (en) * | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
| US6953389B2 (en) | 2001-08-09 | 2005-10-11 | Cheil Industries, Inc. | Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching |
| TW591089B (en) | 2001-08-09 | 2004-06-11 | Cheil Ind Inc | Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring |
| JP3804009B2 (ja) | 2001-10-01 | 2006-08-02 | 触媒化成工業株式会社 | 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材 |
| US7077880B2 (en) | 2004-01-16 | 2006-07-18 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization |
| TWI276682B (en) * | 2001-11-16 | 2007-03-21 | Mitsubishi Chem Corp | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method |
| KR100415617B1 (ko) | 2001-12-06 | 2004-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법 |
| KR100449054B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-09-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 선택비를 향상시킨 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및이를 이용한 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| KR100474540B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 콘택플러그 형성방법 |
| US20030138201A1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-24 | Cabot Microelectronics Corp. | Self-aligned lens formed on a single mode optical fiber using CMP and thin film deposition |
| JP4187497B2 (ja) | 2002-01-25 | 2008-11-26 | Jsr株式会社 | 半導体基板の化学機械研磨方法 |
| US20030162398A1 (en) | 2002-02-11 | 2003-08-28 | Small Robert J. | Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same |
| US7513920B2 (en) | 2002-02-11 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations |
| FR2835844B1 (fr) * | 2002-02-13 | 2006-12-15 | Clariant | Procede de polissage mecano-chimique de substrats metalliques |
| US20030168627A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Singh Rajiv K. | Slurry and method for chemical mechanical polishing of metal structures including refractory metal based barrier layers |
| JP2004006628A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US20040007690A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-01-15 | Cabot Microelectronics Corp. | Methods for polishing fiber optic connectors |
| KR100442549B1 (ko) * | 2002-10-16 | 2004-07-30 | 제일모직주식회사 | 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한cmp용 슬러리 조성물 및 그 제조방법 |
| CN100336881C (zh) * | 2002-10-31 | 2007-09-12 | 长兴开发科技股份有限公司 | 化学机械研磨浆液组合物及其使用方法 |
| KR100649859B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2006-11-24 | 제일모직주식회사 | 구리배선 연마용 cmp 슬러리 |
| US6893476B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-05-17 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal |
| US20040144038A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-07-29 | Junaid Ahmed Siddiqui | Composition and associated method for oxide chemical mechanical planarization |
| US7964005B2 (en) | 2003-04-10 | 2011-06-21 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Copper CMP slurry composition |
| US7390429B2 (en) | 2003-06-06 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing |
| US7186653B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-03-06 | Climax Engineered Materials, Llc | Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing |
| US20050045852A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Ameen Joseph G. | Particle-free polishing fluid for nickel-based coating planarization |
| US7390744B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7435712B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
| US20050279964A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Ming-Tseh Tsay | Chemical mechanical polishing slurry for polishing copper layer on a wafer |
| US6979252B1 (en) | 2004-08-10 | 2005-12-27 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Low defectivity product slurry for CMP and associated production method |
| US7084064B2 (en) | 2004-09-14 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing |
| JP2006176631A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Topcon Corp | イオン結合材料用の研磨スラリー、それに含まれる分散剤の選定方法、選定された分散剤の調合濃度設定方法およびこの研磨スラリーを用いた研磨方法 |
| US7435162B2 (en) | 2005-10-24 | 2008-10-14 | 3M Innovative Properties Company | Polishing fluids and methods for CMP |
| FI120793B (fi) * | 2006-01-25 | 2010-03-15 | Coefa Company Ltd Oy | Menetelmä tykin putken puhdistamiseksi |
| US20080148652A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Compositions for chemical mechanical planarization of copper |
| JP2007221170A (ja) * | 2007-05-18 | 2007-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液の調製方法 |
| US8506661B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-08-13 | Air Products & Chemicals, Inc. | Polishing slurry for copper films |
| US8551887B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-10-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for chemical mechanical planarization of a copper-containing substrate |
| KR101396232B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2014-05-19 | 한양대학교 산학협력단 | 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 |
| US8821751B2 (en) * | 2010-06-24 | 2014-09-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical mechanical planarization composition and method with low corrosiveness |
| US8980122B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-03-17 | General Engineering & Research, L.L.C. | Contact release capsule useful for chemical mechanical planarization slurry |
| KR101971459B1 (ko) * | 2017-06-05 | 2019-04-23 | 재원산업 주식회사 | 유기발광소자 제조용 도전 부재 세정용 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
| CN116334671A (zh) * | 2021-12-23 | 2023-06-27 | 嘉庚创新实验室 | 一种铜催化剂及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3385682A (en) | 1965-04-29 | 1968-05-28 | Sprague Electric Co | Method and reagent for surface polishing |
| GB1198312A (en) | 1967-07-22 | 1970-07-08 | Geigy Uk Ltd | Corrosion Inhibiting Chemical Compositions |
| US3668131A (en) | 1968-08-09 | 1972-06-06 | Allied Chem | Dissolution of metal with acidified hydrogen peroxide solutions |
| CA1014038A (en) * | 1971-02-11 | 1977-07-19 | Colgate-Palmolive Company | Free flowing nonionic inclusion compounds |
| JPS49109223A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-17 | ||
| SE400581B (sv) | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for kemisk polering av koppar och dess legeringar |
| DE2847267C2 (de) * | 1978-10-31 | 1993-12-23 | Decker Gmbh & Co Kg Geb | Stabilisator für eine wäßrige Lösung zum Beizen und/oder chemischen Glänzen von Gegenständen aus Kupfer oder Kupferlegierungen in einem mehrstufigen Verfahren und Verwendung des Stabilisators |
| US4789648A (en) | 1985-10-28 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate and for forming patterned conductive lines simultaneously with stud vias |
| US4944836A (en) | 1985-10-28 | 1990-07-31 | International Business Machines Corporation | Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate |
| US4671851A (en) | 1985-10-28 | 1987-06-09 | International Business Machines Corporation | Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique |
| US4956313A (en) | 1987-08-17 | 1990-09-11 | International Business Machines Corporation | Via-filling and planarization technique |
| US4910155A (en) | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
| US5244523A (en) | 1990-02-07 | 1993-09-14 | Tollini Dennis R | Bandage for replaceable dressing and method of fabrication thereof |
| US5137544A (en) | 1990-04-10 | 1992-08-11 | Rockwell International Corporation | Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing |
| US5157876A (en) | 1990-04-10 | 1992-10-27 | Rockwell International Corporation | Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing |
| US5209816A (en) | 1992-06-04 | 1993-05-11 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing |
| US5225034A (en) | 1992-06-04 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing |
| US5575837A (en) | 1993-04-28 | 1996-11-19 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US5391258A (en) | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
| US5407526A (en) * | 1993-06-30 | 1995-04-18 | Intel Corporation | Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system |
| US5340370A (en) | 1993-11-03 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Slurries for chemical mechanical polishing |
| JP3397501B2 (ja) | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
| US5527423A (en) | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
| EP0792515A1 (en) | 1994-11-18 | 1997-09-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making a chemical-mechanical polishing slurry and the polishing slurry |
| US5478435A (en) * | 1994-12-16 | 1995-12-26 | National Semiconductor Corp. | Point of use slurry dispensing system |
| US6039891A (en) | 1996-09-24 | 2000-03-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing |
| US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US6126853A (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
-
1997
- 1997-09-29 US US08/944,036 patent/US6309560B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-05 ES ES97309806T patent/ES2248831T3/es not_active Expired - Lifetime
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- 1997-12-09 TW TW086118539A patent/TW419714B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000252242A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| KR100313573B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2001-11-07 | 안복현 | 연마용 조성물 |
| JP2001015463A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-01-19 | Eternal Chemical Co Ltd | 研磨組成物 |
| JP2001035820A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液 |
| JP2003507895A (ja) * | 1999-08-13 | 2003-02-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法 |
| JP2006121101A (ja) * | 1999-08-13 | 2006-05-11 | Cabot Microelectronics Corp | 停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法 |
| JP2009170935A (ja) * | 1999-08-13 | 2009-07-30 | Cabot Microelectronics Corp | 停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法 |
| JP2006191132A (ja) * | 1999-08-17 | 2006-07-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 化学機械研磨用研磨剤及び基板の研磨法 |
| US7319072B2 (en) | 1999-08-17 | 2008-01-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing medium for chemical-mechanical polishing, and method of polishing substrate member |
| JP2012182473A (ja) * | 1999-08-17 | 2012-09-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 化学機械研磨用研磨剤 |
| US7744666B2 (en) | 1999-08-17 | 2010-06-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing medium for chemical-mechanical polishing, and method of polishing substrate member |
| JP2011082537A (ja) * | 1999-08-17 | 2011-04-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 化学機械研磨用研磨剤 |
| US7232529B1 (en) | 1999-08-26 | 2007-06-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method |
| JP2001077062A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Jsr Corp | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2001085376A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板の研磨方法 |
| US6383240B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-05-07 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| JP2011238952A (ja) * | 1999-10-06 | 2011-11-24 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | Cmp生成物 |
| JP2006186381A (ja) * | 1999-10-06 | 2006-07-13 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | Cmp生成物 |
| JP2001210611A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-08-03 | Applied Materials Inc | 金属を平坦化するためのcmpスラリー |
| US6774041B1 (en) | 1999-12-27 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| KR100746883B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2007-08-07 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2001185515A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 研磨方法、配線形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置 |
| US7183212B2 (en) | 1999-12-27 | 2007-02-27 | Renesas Technology Corp. | Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US6436811B1 (en) | 1999-12-28 | 2002-08-20 | Nec Corporation | Method of forming a copper-containing metal interconnect using a chemical mechanical planarization (CMP) slurry |
| JP2001210644A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2003532292A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | マイクロ電子基板の平面化加工中の化学的相互作用を制御する方法および装置 |
| US6653267B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for polishing of copper |
| JP2004502823A (ja) * | 2000-07-05 | 2004-01-29 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 金属cmpのための研磨組成物 |
| US6562719B2 (en) | 2000-08-04 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices |
| US6750128B2 (en) | 2000-08-04 | 2004-06-15 | Renesas Technology Corporation | Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices |
| KR100396883B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마용 슬러리 및 이를 이용한 구리 금속배선제조방법 |
| US6478834B2 (en) | 2000-11-24 | 2002-11-12 | Nec Corp. | Slurry for chemical mechanical polishing |
| US6585786B2 (en) | 2000-11-24 | 2003-07-01 | Nec Electronics Corporation | Slurry for chemical mechanical polishing |
| US7485162B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-02-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| EP1520892A2 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-06 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| EP2418260A1 (en) | 2003-09-30 | 2012-02-15 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| EP2418259A1 (en) | 2003-09-30 | 2012-02-15 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP2005162893A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Kanto Chem Co Inc | 金属膜のエッチング液組成物 |
| KR101127564B1 (ko) | 2003-12-03 | 2012-03-26 | 간토 가가꾸 가부시키가이샤 | 금속막의 에칭액 조성물 |
| US8557711B2 (en) | 2003-12-03 | 2013-10-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching solution composition for metal films |
| KR101108724B1 (ko) | 2003-12-11 | 2012-02-29 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 슬러리 역류를 감소시키기 위한 화학기계적 연마 방법 |
| US7550388B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-06-23 | Fujima Incorporated | Polishing composition and polishing method |
| JP2006080388A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Nitta Haas Inc | 金属研磨用組成物 |
| WO2008013226A1 (en) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Showa Denko K.K. | Polishing composition |
| US8080476B2 (en) | 2006-08-02 | 2011-12-20 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing process |
| JP2008028411A (ja) * | 2007-09-03 | 2008-02-07 | Jsr Corp | 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体 |
| US8864860B2 (en) | 2007-12-28 | 2014-10-21 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP2008124509A (ja) * | 2008-02-08 | 2008-05-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨方法 |
| JP2009152647A (ja) * | 2009-04-06 | 2009-07-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法 |
| KR20240083017A (ko) | 2022-12-02 | 2024-06-11 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 연마 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69734138T2 (de) | 2006-01-19 |
| EP1559762A2 (en) | 2005-08-03 |
| IL130393A0 (en) | 2000-06-01 |
| EP1559762A3 (en) | 2006-06-07 |
| EP0846742B1 (en) | 2005-09-07 |
| US6309560B1 (en) | 2001-10-30 |
| ES2248831T3 (es) | 2006-03-16 |
| TW419714B (en) | 2001-01-21 |
| JP4494538B2 (ja) | 2010-06-30 |
| KR20000057476A (ko) | 2000-09-15 |
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