ES2283349T3 - Amplificador en cantrafase de alta frecuencia. - Google Patents
Amplificador en cantrafase de alta frecuencia. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2283349T3 ES2283349T3 ES01100600T ES01100600T ES2283349T3 ES 2283349 T3 ES2283349 T3 ES 2283349T3 ES 01100600 T ES01100600 T ES 01100600T ES 01100600 T ES01100600 T ES 01100600T ES 2283349 T3 ES2283349 T3 ES 2283349T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- symmetric
- transmitter
- amplifier
- permeability
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 244000045947 parasite Species 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/265—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
Amplificador en contrafase de alta frecuencia cuya salida (3, 4) simétrica está conectada mediante una disposición de transmisores simétricos con una carga (13) asimétrica, estando compuesta la disposición de transmisores simétricos por la conexión en serie de dos transmisores (5, 9) simétricos, presentando el primer transmisor simétrico, unido por el lado de entrada con la salida (3, 4) simétrica del amplificador (1) en contrafase, sólo un núcleo (6) de ferrita de permeabilidad relativamente baja, y el segundo transmisor (9) simétrico está unido por el lado de entrada con la salida (8) simétrica del primer transmisor simétrico y, por el lado de salida, con la carga (13), y sólo presenta un núcleo (10) de ferrita de permeabilidad relativamente alta, y estando configurado el primer transmisor (5) simétrico de modo que actúa como transformador para frecuencias altas.
Description
Amplificador en contrafase de alta
frecuencia.
La invención se refiere a un amplificador en
contrafase de alta frecuencia y gran ancho de banda.
En los transformadores de salida de los emisores
a menudo es necesario operar el transformador de salida de
potencia, configurado como circuito amplificador en contrafase con
transistor, con una potencia de, por ejemplo, 10 a 30 W en una
ancha franja de frecuencias de, por ejemplo, 1,5 a 600 MHz con un
alto coeficiente de rendimiento. Con los circuitos de adaptación
conocidos en los que en la salida simétrica del amplificador en
contrafase con transistor está dispuesto un transmisor simétrico
(balún), dado el caso también transformador (por ejemplo, según el
documento US-A-4.945.317), no puede
alcanzarse esta disponibilidad de ancho de banda ni siquiera si
entre la salida métrica del amplificador en contrafase y la carga
asimétrica está prevista la conexión en serie de un transformador
de impedancias y un transmisor simétrico
(US-A-4.945.317).
En caso de una disposición de transmisores
simétricos para la conexión de un cable asimétrico con un cable
simétrico se conoce, para la reducción de la frecuencia parásita,
disponer, además del transmisor simétrico transformador (balún), en
serie con éste en el lado simétrico de la disposición, un
estrangulador de amortiguación (choke) que presenta un núcleo
compuesto por una primera parte de alta permeabilidad y una segunda
parte de baja permeabilidad
(US-A-5.495.212). Por tanto, el
estrangulador tiene en el lado simétrico una impedancia muy alta
para señales asimétricas características de las frecuencias
parásitas, mientras que para señales simétricas útiles presenta una
impedancia muy baja. Esta disposición conocida con un núcleo mixto
con permeabilidad mayor y menor no es adecuada para el objetivo de
la invención. Esto también es válido para otro circuito de
adaptación conocido (solicitud de patente europea
EP-A-0 302 162), en el que dos
transmisores simétricos están conectados en serie uno tras otro,
estando previsto el primer transformador para frecuencias de más de
1 MHz y el segundo transformador siguiente, para frecuencias medias
entre 10 KHz y 1 MHz.
El objetivo de la invención es crear un
amplificador en contrafase de alta frecuencia con un gran ancho de
banda y un alto rendimiento.
Este objetivo se consigue gracias a un
amplificador en contrafase de alta frecuencia según la
reivindicación 1. De las reivindicaciones subordinadas se
desprenden variantes ventajosas.
El objetivo según la invención se alcanza según
la reivindicación principal sólo porque se conectan en serie dos
transmisores simétricos independientes, de los cuales el primer
transmisor simétrico, unido por el lado de entrada con la salida
simétrica del amplificador en contrafase, no presenta un núcleo
mixto, sino únicamente un núcleo de ferrita de permeabilidad
relativamente baja, mientras que el segundo transmisor simétrico que
le sigue, unido por el lado de salida con la carga asimétrica,
tampoco presenta ningún núcleo mixto, sino únicamente un núcleo de
ferrita de permeabilidad relativamente alta. Por tanto, estos dos
transmisores simétricos conectados en serie actúan en cada caso de
forma independiente entre sí, y se consigue que el segundo
transmisor simétrico, a través del cual la salida simétrica del
transistor de potencia se transforma en la salida asimétrica, se
aísle de la salida del amplificador en contrafase mediante el primer
transmisor simétrico. Por tanto, el segundo transmisor simétrico
puede fabricarse con un núcleo de ferrita de permeabilidad
relativamente alta que, en caso de frecuencias bajas inferiores a,
por ejemplo, 200 MHz, puede presentar pérdidas relativamente
grandes. Se ha mostrado especialmente ventajoso que el primer
transmisor simétrico no se construya únicamente con un núcleo de
ferrita de permeabilidad relativamente baja, sino que se construya
al mismo tiempo de modo que actúe como transformador para altas
frecuencias. Por lo demás, la estructura del transmisor simétrico es
de la forma conocida.
A continuación, se explica detalladamente la
invención mediante un dibujo esquemático en un ejemplo de
realización.
La figura muestra el dibujo esquemático de un
circuito amplificador en contrafase de alta frecuencia con
transistor para una franja ancha de frecuencias de, por ejemplo,
1,5 a 600 MHz. El transistor 1 se alimenta con su tensión operativa
de forma conocida mediante una disposición 2 de estranguladores de
dos hilos, su salida 3, 4 simétrica está conectada con la entrada
de un primer transmisor 5 simétrico transformador compuesto por un
núcleo 6 de ferrita, por ejemplo, un denominado two hole
core, y una bobina 7 de doble hilo configurada como cable
coaxial. La salida 8 simétrica de este primer transmisor simétrico
transformador está conectada con la entrada de un segundo
transmisor 9 simétrico que está formado a su vez por un núcleo 10 de
ferrita y una bobina 11 de doble hilo configurada nuevamente como
cable coaxial. Este segundo transmisor simétrico está conectado con
la salida 12, a la que está conectada una carga 13 de 50 ohmios.
El núcleo 6 de ferrita del primer transmisor
simétrico tiene una permeabilidad relativamente reducida de, por
ejemplo, \mu= entre 80 y 150, por tanto, a altas frecuencias tiene
pérdidas reducidas. La impedancia Z característica del cable 7
coaxial es de Z = 25 ohmios y tiene una longitud \lambda/4 cerca
de la máxima frecuencia operativa de, por ejemplo, 600 Mhz. Por
tanto, este transmisor simétrico actúa para altas frecuencias como
transformador 4.1 y, por tanto, la salida 3, 4 del transistor 1
ofrece para altas frecuencias una resistencia de salida favorable
de 12,5 ohmios. En caso de frecuencias más bajas, este transmisor 5
simétrico ya no actúa a modo de transformador, por tanto, la salida
3, 4 del transistor ofrece para frecuencias bajas la entrada del
segundo transmisor 9 simétrico de 50 ohmios. Para afinar la
adaptación en las franjas de frecuencias en las que la
transformación \lambda/4 del transmisor 5 simétrico ya se reduce
intensamente, entre el transistor 1 y el primer transmisor 5
simétrico se dispone además una red 14 de transformadores L/C. La
impedancia de la bobina 11 del segundo transmisor 9 simétrico se
elige a Z = 50 ohmios, y, por tanto, este transmisor simétrico
sirve para transformar la salida simétrica del transistor en la
resistencia 13 de carga asimétrica.
Claims (3)
1. Amplificador en contrafase de alta frecuencia
cuya salida (3, 4) simétrica está conectada mediante una
disposición de transmisores simétricos con una carga (13)
asimétrica, estando compuesta la disposición de transmisores
simétricos por la conexión en serie de dos transmisores (5, 9)
simétricos, presentando el primer transmisor simétrico, unido por
el lado de entrada con la salida (3, 4) simétrica del amplificador
(1) en contrafase, sólo un núcleo (6) de ferrita de permeabilidad
relativamente baja, y el segundo transmisor (9) simétrico está
unido por el lado de entrada con la salida (8) simétrica del primer
transmisor simétrico y, por el lado de salida, con la carga (13), y
sólo presenta un núcleo (10) de ferrita de permeabilidad
relativamente alta, y estando configurado el primer transmisor (5)
simétrico de modo que actúa como transformador para frecuencias
altas.
2. Amplificador en contrafase de alta frecuencia
según la reivindicación 1, caracterizado porque la bobina
(7) del primer transmisor (5) simétrico presenta una impedancia de
25 ohmios y, para altas frecuencias, una longitud de \lambda/4, y
esta bobina (11) del segundo transmisor (9) simétrico presenta una
impedancia de 50 ohmios.
3. Amplificador en contrafase de alta frecuencia
según la reivindicación 1 ó 2, caracterizado porque el
núcleo de ferrita del primer transmisor (5) simétrico presenta una
permeabilidad de aproximadamente 80 a 150 y el núcleo de ferrita
del segundo transmisor simétrico presenta una permeabilidad de
aproximadamente 800.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10005805A DE10005805A1 (de) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | Hochfrequenz-Gegentaktverstärker |
| DE10005805 | 2000-02-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2283349T3 true ES2283349T3 (es) | 2007-11-01 |
Family
ID=7630401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES01100600T Expired - Lifetime ES2283349T3 (es) | 2000-02-10 | 2001-01-10 | Amplificador en cantrafase de alta frecuencia. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1124325B1 (es) |
| AT (1) | ATE357079T1 (es) |
| DE (2) | DE10005805A1 (es) |
| DK (1) | DK1124325T3 (es) |
| ES (1) | ES2283349T3 (es) |
| PT (1) | PT1124325E (es) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4766402A (en) * | 1987-08-06 | 1988-08-23 | 3Com Corporation | Apparatus for matching unbalanced R. F. baseband signals to balanced signals on a twisted two-wire line |
| US4945317A (en) * | 1987-09-22 | 1990-07-31 | Nippon Hoso Kyokai | Matching circuit |
| US4962359A (en) * | 1989-06-29 | 1990-10-09 | Hewlett-Packard Company | Dual directional bridge and balun used as reflectometer test set |
| DE4411894C1 (de) * | 1994-04-07 | 1995-06-14 | Rohde & Schwarz | Leistungs-Impedanz-Transformator für Transistor-Gegentakt-Leistungsverstärker |
| US5495212A (en) * | 1994-12-19 | 1996-02-27 | Bh Electronics, Inc. | Coupling device connecting an unbalanced signal line to a balanced signal line |
-
2000
- 2000-02-10 DE DE10005805A patent/DE10005805A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-01-10 PT PT01100600T patent/PT1124325E/pt unknown
- 2001-01-10 ES ES01100600T patent/ES2283349T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-10 DE DE50112175T patent/DE50112175D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-10 AT AT01100600T patent/ATE357079T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-01-10 EP EP01100600A patent/EP1124325B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-10 DK DK01100600T patent/DK1124325T3/da active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE50112175D1 (de) | 2007-04-26 |
| DK1124325T3 (da) | 2007-07-23 |
| DE10005805A1 (de) | 2001-08-16 |
| PT1124325E (pt) | 2007-04-30 |
| EP1124325A3 (de) | 2004-02-11 |
| EP1124325B1 (de) | 2007-03-14 |
| ATE357079T1 (de) | 2007-04-15 |
| EP1124325A2 (de) | 2001-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6937096B2 (en) | Switched-mode power amplifier integrally performing power combining | |
| US20210399701A1 (en) | Differential amplifier circuit | |
| US20070205828A1 (en) | Switched mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining | |
| US6784732B2 (en) | Class E/F switching power amplifiers | |
| KR101466263B1 (ko) | 트렌지스터 입력 부정합을 갖는 전력 증폭기 | |
| US20100019858A1 (en) | N:m transformer and impedance matching | |
| JPH08501425A (ja) | 高電力ソリッドステートrf増幅器 | |
| JP2004501539A (ja) | 増幅器回路 | |
| JPH04183008A (ja) | 高周波増幅器 | |
| JP6729986B2 (ja) | ドハティ増幅器及びドハティ増幅回路 | |
| JP5924730B2 (ja) | ドハティ増幅回路 | |
| RU2103805C1 (ru) | Система распределенных усилителей | |
| US8098095B2 (en) | Power amplifier | |
| KR102301164B1 (ko) | 다중 모드 기반의 전력 증폭 장치 | |
| US20140266443A1 (en) | High-frequency, broadband amplifier circuit | |
| JP2020088643A (ja) | 単極双投スイッチ | |
| WO2022045279A1 (ja) | 電力増幅回路 | |
| CN116569482A (zh) | 具有串联变压器组合器和谐波调谐的功率放大器 | |
| KR102775313B1 (ko) | 고주파 증폭기 | |
| KR20200050866A (ko) | 전력 증폭 회로 | |
| ES2283349T3 (es) | Amplificador en cantrafase de alta frecuencia. | |
| GB2393866A (en) | A class F Doherty amplifier using PHEMTs | |
| US20140028393A1 (en) | Circuits for providing class-e power amplifiers | |
| WO2014050611A1 (ja) | マイクロ波増幅器 | |
| JP6808092B2 (ja) | 増幅器 |