ES2287964T3 - SWITCHING CIRCUIT AND COMPOSITE SWITCHING DEVICE. - Google Patents

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ES2287964T3 ES98112502T ES98112502T ES2287964T3 ES 2287964 T3 ES2287964 T3 ES 2287964T3 ES 98112502 T ES98112502 T ES 98112502T ES 98112502 T ES98112502 T ES 98112502T ES 2287964 T3 ES2287964 T3 ES 2287964T3
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Shigeru Kenmochi
Toshihiko Tanaka
Tsuyoshi Taketa
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    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

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Abstract

Un circuito de conmutación compuesto (30) para conectar de manera alterna y eléctricamente un primer circuito (Tx) a un tercer circuito (ANT) o un segundo circuito (Rx) a un tercer circuito (ANT). El circuito de conmutación compuesto (30) lleva incorporado un circuito de filtro de paso bajo (LPF) en la parte de circuito de conmutación del circuito de conmutación compuesto (30) de manera a crear una configuración de circuito altamente simétrica. El circuito de conmutación compuesto (30) está dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos (22-28) de un cuerpo multicapa integrante (2) para proporcionar un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado. Dado que el dispositivo de conmutación compuesto que incluye el circuito de conmutación compuesto (30) con una configuración de circuito simétrica muestra una baja pérdida de inserción y un alto rendimiento en una amplia gama de frecuencias , el dispositivo de conmutación compuesto se utiliza ventajosamente para formar una parte deun transceptor de radio como un radioteléfono celular.A composite switching circuit (30) for alternating and electrically connecting a first circuit (Tx) to a third circuit (ANT) or a second circuit (Rx) to a third circuit (ANT). The composite switching circuit (30) incorporates a low pass filter (LPF) circuit in the switching circuit part of the composite switching circuit (30) so as to create a highly symmetrical circuit configuration. The composite switching circuit (30) is disposed on a plurality of dielectric substrates (22-28) of an integral multilayer body (2) to provide a miniaturized composite switching device. Since the composite switching device that includes the composite switching circuit (30) with a symmetrical circuit configuration shows low insertion loss and high performance over a wide frequency range, the composite switching device is advantageously used to form a part of a radio transceiver such as a cellular radiotelephone.

Description

Circuito de conmutación y dispositivo de conmutación compuestos.Switching circuit and device Compound switching

Antecedentes de la invenciónBackground of the invention

La presente invención se refiere a un circuito de conmutación, y particularmente a un circuito de conmutación compuesto que comprende un circuito de conmutación de diodos que incorpora un circuito de filtro pasa-bajas para ser usado como circuito de conmutación de alta frecuencia de un radioteléfono celular digital, etcétera, con vistas a conmutar alternativamente vías de transmisión para transmitir o recibir señales de comunicaciones. La presente invención se refiere también a un dispositivo de conmutación compuesto de un cuerpo multicapa integral que incluye el circuito de conmutación compuesto.The present invention relates to a circuit switching, and particularly to a switching circuit compound comprising a diode switching circuit that incorporates a low pass filter circuit to be used as a high frequency switching circuit of a digital cellular radiotelephone, etc., with a view to switching alternatively transmission paths to transmit or receive Communications signals The present invention also relates to a switching device composed of a multilayer body integral that includes the compound switching circuit.

Un circuito de conmutación para un radioteléfono celular digital, etcétera, se utiliza para conectar alternativamente un circuito receptor a una antena o un circuito transmisor a la antena. En un radioteléfono que utilice un sistema con diversidad de recepción, el circuito de conmutación también conecta alternativamente un circuito receptor a una primera antena o el circuito receptor a una segunda antena. Probablemente, en una estación base para un sistema de radiocomunicaciones que utilice un sistema con diversidad de transmisión, el circuito de conmutación se utiliza también para conectar alternativamente un circuito transmisor a una primera antena o el circuito transmisor a una segunda antena.A switching circuit for a radiotelephone digital cell phone, etc., is used to connect alternately  a receiver circuit to an antenna or a transmitter circuit to the antenna. In a radiotelephone that uses a system with diversity of reception, the switching circuit also connects alternatively a receiver circuit to a first antenna or the receiver circuit to a second antenna. Probably in one base station for a radiocommunication system that uses a system with transmission diversity, the switching circuit It is also used to alternately connect a circuit transmitter to a first antenna or the transmitter circuit to a second antenna

En un radioteléfono que tenga un puerto externo para conectar un alimentador de un automóvil, etcétera, el circuito de conmutación se usa también para conmutar una vía hacia un circuito interno y una vía hacia el puerto externo. Además, el circuito de conmutación se usa para conmutar una pluralidad de canales de estaciones base para el sistema de radiocomunicaciones.On a radiotelephone that has an external port to connect a car power supply, etc., the circuit switching is also used to switch a path to a internal circuit and a path to the external port. In addition, the switching circuit is used to switch a plurality of base station channels for the system Radiocommunications

La Fig. 11 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito de conmutación convencional dado a conocer en la patente japonesa publicada n.º 6-197040. En la Fig. 11, el circuito de conmutación conecta alternativamente un circuito transmisor Tx a una antena ANT o un circuito receptor Rx a la antena ANT. El circuito transmisor Tx se conecta a un ánodo de un primer diodo D101 a través de un primer condensador C101. Un cátodo del primer diodo D101 se conecta a la antena ANT a través de un tercer condensador C103. La antena ANT está conectada también a un circuito receptor Rx a través de un tercer condensador C103, una segunda línea de transmisión SL2 y un cuarto condensador C104 conectados en serie. Un ánodo del primer diodo D101 está conectado a tierra a través de una primera línea de transmisión SL1 y un segundo condensador C102 conectados en serie. Además, un circuito de control T1 está conectado a un nodo formado entre la primera línea de transmisión SL1 y el segundo condensador C102 a través de una resistencia R101. Un ánodo de un segundo diodo D102 está conectado a un nodo formado entre la segunda línea de transmisión SL2 y el cuarto condensador C104, y un cátodo del mismo está conectado a tierra. Las líneas de transmisión y algunos de los condensadores están dispuestos sobre una pluralidad de sustratos de un cuerpo laminado dieléctrico, y los diodos, la resistencia y el resto de los condensadores están montados sobre una superficie superior del cuerpo laminado.Fig. 11 is a schematic diagram of a circuit showing a conventional switching circuit given to know in published Japanese patent no. 6-197040. In Fig. 11, the switching circuit alternatively connect a Tx transmitter circuit to an ANT antenna or an Rx receiver circuit to the ANT antenna. The transmitter circuit Tx is connected to an anode of a first diode D101 through a first capacitor C101. A cathode of the first diode D101 is connected to the ANT antenna through a third C103 capacitor. The antenna ANT is also connected to an Rx receiver circuit through a third capacitor C103, a second transmission line SL2 and a fourth capacitor C104 connected in series. An anode of the first diode D101 is grounded through a first line of SL1 transmission and a second C102 capacitor connected in series. In addition, a control circuit T1 is connected to a formed node between the first transmission line SL1 and the second capacitor C102 through a resistor R101. An anode of a second diode D102 is connected to a node formed between the second line of transmission SL2 and the fourth capacitor C104, and a cathode thereof It is grounded. Transmission lines and some of the capacitors are arranged on a plurality of substrates of a dielectric laminated body, and diodes, resistance and rest of the capacitors are mounted on a surface upper laminated body.

Cuando con el circuito de conmutación se usa un circuito de filtrado, el circuito de conmutación y el circuito de filtrado se forman por separado y a continuación se conectan entre sí. Por esta razón, es necesaria un área de montaje extensa, y se requiere un circuito adicional para la adaptación de impedancias.When using the switching circuit a filtering circuit, switching circuit and circuit filtered form separately and then connect between yes. For this reason, an extensive mounting area is necessary, and requires an additional circuit for the adaptation of impedances

Para resolver el problema anterior, el documento EP 0 785 590 A da a conocer un dispositivo compuesto que incluye un circuito de conmutación y un circuito de filtrado. Este dispositivo presenta las características incluidas en la primera parte de la reivindicación 1. En la Fig. 12 se muestra un circuito equivalente del dispositivo compuesto. En la Fig. 12, por medio de un bloque mostrado en líneas de trazos se representa una parte de circuito de filtrado. El circuito de filtrado se posiciona para interconectar un circuito transmisor Tx y el circuito de conmutación. En la Fig. 13 se muestra un circuito equivalente cuando el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT. En el circuito equivalente, los diodos D201 y D202 no se muestran ya que los mismos se encuentran en su posición por la corriente DC y en un estado de baja impedancia para formar cortocircuitos.To solve the previous problem, the document EP 0 785 590 A discloses a composite device that includes a switching circuit and a filtering circuit. This device presents the characteristics included in the first part of the claim 1. An equivalent circuit is shown in Fig. 12 of the composite device. In Fig. 12, by means of a block shown in dashed lines a circuit part of filtered out. The filtering circuit is positioned to interconnect a Tx transmitter circuit and switching circuit. In Fig. 13 an equivalent circuit is shown when the transmitter circuit Tx It is electrically connected to the ANT antenna. In the circuit equivalent, diodes D201 and D202 are not shown since the they are in their position by the DC current and in a Low impedance state to form short circuits.

Tal como puede observarse a partir de la Fig. 13, un circuito convencional formado simplemente mediante la conexión del circuito de filtrado al circuito de conmutación carece de simetría en la configuración del circuito para presentar unas características de frecuencias suficientes únicamente en una banda de frecuencias estrecha. Un circuito de conmutación de banda estrecha presenta un rendimiento reducido teniendo en cuenta la utilización completa de la banda de frecuencias asignada para un sistema de comunicaciones, y resulta deficiente en cuanto a productividad debido a la variabilidad de productos.As can be seen from Fig. 13, a conventional circuit formed simply by the filtering circuit connection to switching circuit lacks of symmetry in the configuration of the circuit to present some sufficient frequency characteristics only in one band narrow frequency. A band switching circuit narrow presents a reduced performance considering the full use of the assigned frequency band for a communications system, and is deficient in terms of productivity due to product variability.

Objetivo y sumario de la invenciónObjective and summary of the invention

Por consiguiente, uno de los objetivos de la presente invención es proporcionar un circuito de conmutación compuesto, de banda ancha, con una alta simetría en la configuración del circuito y un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado de una estructura multicapa integral que incluye el circuito de conmutación compuesto.Therefore, one of the objectives of the present invention is to provide a switching circuit Composite, broadband, with high configuration symmetry of the circuit and a compound switching device miniaturized of an integral multilayer structure that includes the Compound switching circuit.

Este objetivo se alcanza con el circuito definido en la reivindicación 1.This objective is achieved with the circuit defined in claim 1.

Como consecuencia de la intensa investigación realizada teniendo en cuenta los objetivos anteriores, los inventores han observado que la simetría en la configuración del circuito se puede aumentar disponiendo un circuito de filtrado pasa-bajas entre un diodo y una línea de transmisión en un circuito de conmutación en lugar de conectar simplemente el circuito de filtrado pasa-bajas al circuito de conmutación, reduciendo de este modo el nivel de la pérdida de inserción y garantizando un rendimiento elevado del circuito de conmutación en una banda de frecuencias más ancha en comparación con los circuitos de conmutación conocidos convencionalmente.As a result of intense research carried out taking into account the previous objectives, the inventors have observed that the symmetry in the configuration of the circuit can be increased by providing a filtering circuit low-pass between a diode and a transmission line in a switching circuit instead of simply connecting the low pass filtering circuit to the circuit switching, thereby reducing the level of loss of insertion and guaranteeing a high performance of the circuit switching in a wider frequency band compared with conventionally known switching circuits.

En las reivindicaciones subordinadas se exponen formas de realización preferidas de la invención.The subordinate claims are set forth Preferred embodiments of the invention.

Breve descripción de los dibujosBrief description of the drawings

La Fig. 1 es una vista en perspectiva que muestra un dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención;Fig. 1 is a perspective view that shows a switching device composed of the present invention;

la Fig. 2 es una vista en perspectiva que muestra los sustratos respectivos que constituyen el cuerpo multicapa integral del dispositivo de conmutación compuesto mostrado en la Fig. 1;Fig. 2 is a perspective view that shows the respective substrates that make up the body integral multilayer of the composite switching device shown in Fig. 1;

la Fig. 3 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor de radiocomunicaciones que incluye un circuito de conmutación compuesto de la presente invención;Fig. 3 is a schematic diagram of a circuit showing an equivalent circuit of a circuit radio transceiver that includes a circuit compound switching of the present invention;

la Fig. 4 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de la Fig. 3, en el cual el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT;Fig. 4 is a schematic diagram of a circuit showing an equivalent circuit of Fig. 3, in the which the transmitter circuit Tx is electrically connected to the ANT antenna;

la Fig. 5 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor de radiocomunicaciones que incluye otro circuito de conmutación compuesto de la presente invención;Fig. 5 is a schematic diagram of a circuit showing an equivalent circuit of a circuit radio transceiver that includes another circuit of compound switching of the present invention;

la Fig. 6A es una gráfica que muestra la pérdida de inserción a una frecuencia de hasta 5,5 GHz medida sobre el dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención;Fig. 6A is a graph showing the loss of insertion at a frequency of up to 5.5 GHz measured on the composite switching device of the present invention;

la Fig. 6B es una gráfica que muestra la banda de paso ampliada de la Fig. 6A;Fig. 6B is a graph showing the band of enlarged passage of Fig. 6A;

la Fig. 7 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de la parte de filtrado pasa-bajas del circuito de conmutación compuesto de la presente invención;Fig. 7 is a schematic diagram of a circuit showing an equivalent circuit of the filtering part  low-pass switching circuit composed of the present invention;

la Fig. 8 es una vista en perspectiva que muestra los sustratos respectivos que constituyen un cuerpo multicapa integral en el que se dispone otro circuito de conmutación compuesto de la presente invención;Fig. 8 is a perspective view that shows the respective substrates that constitute a body integral multilayer in which another circuit of compound switching of the present invention;

la Fig. 9 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor que incluye el circuito de conmutación compuesto dispuesto sobre el cuerpo multicapa integral de la Fig. 8;Fig. 9 is a schematic diagram of a circuit showing an equivalent circuit of a circuit transceiver that includes the composite switching circuit disposed on the integral multilayer body of Fig. 8;

la Fig. 10 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente parcial de todavía otro circuito de conmutación compuesto de la presente invención;Fig. 10 is a schematic diagram of a circuit that shows a partial equivalent circuit of still another composite switching circuit of the present invention;

la Fig. 11 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito de conmutación convencional;Fig. 11 is a schematic diagram of a circuit showing an equivalent circuit of a circuit conventional switching;

la Fig. 12 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de otro circuito de conmutación convencional; yFig. 12 is a schematic diagram of a circuit that shows an equivalent circuit of another circuit of conventional switching; Y

la Fig. 13 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente del circuito de conmutación convencional de la Fig. 12, en el cual el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT.Fig. 13 is a schematic diagram of a circuit showing an equivalent circuit of the circuit conventional switching of Fig. 12, in which the circuit Tx transmitter is electrically connected to the ANT antenna.

Descripción de las formas de realización preferidasDescription of the preferred embodiments

Tal como se ha resumido anteriormente, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención es un circuito de conmutación que incorpora un circuito de filtrado pasa-bajas, y el mismo se puede hacer funcionar para conectar de forma alternativa y eléctrica un primer circuito a un tercer circuito o un segundo circuito al tercer circuito. En una de las formas de realización preferidas, el circuito de conmutación compuesto puede ser un circuito de conmutación de una antena en el cual el primer circuito es un circuito transmisor, el segundo circuito es un circuito receptor, y el tercer circuito es una antena. La presente invención se describirá más detalladamente con respecto a dicho circuito de conmutación de una antena. No obstante, el mismo debería considerarse como ilustrativo de una de las diversas formas de realización preferidas de la presente invención.As summarized above, the Compound switching circuit of the present invention is a switching circuit incorporating a filtering circuit low-pass, and it can be operated to alternately and electrically connect a first circuit to a third circuit or a second circuit to the third circuit. In a of the preferred embodiments, the switching circuit compound can be a switching circuit of an antenna in the which the first circuit is a transmitter circuit, the second circuit is a receiver circuit, and the third circuit is a antenna. The present invention will be described in more detail with with respect to said switching circuit of an antenna. However, it should be considered as illustrative of one of the various preferred embodiments of the present invention.

En la presente invención, un circuito de conmutación incorpora un circuito correspondiente a un circuito de filtrado pasa-bajas para formar un único circuito de conmutación compuesto. El circuito de conmutación compuesto puede estar dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos para formar un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado de un cuerpo multicapa integral.In the present invention, a circuit of switching incorporates a circuit corresponding to a circuit of low-pass filtering to form a single circuit of compound switching The compound switching circuit can be arranged on a plurality of dielectric substrates for form a miniaturized composite switching device of a integral multilayer body.

En la Fig. 3 se muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor de radiocomunicaciones que incluye un circuito de conmutación compuesto de la presente invención. En el circuito equivalente, el primer circuito es un circuito transmisor Tx, el segundo circuito es un circuito receptor Rx, y el tercer circuito es una antena ANT. Un circuito de conmutación compuesto 30 en el interior de un bloque indicado mediante una línea de trazos incluye una primera vía que interconecta el circuito transmisor Tx y la antena ANT y una segunda vía que interconecta el circuito receptor Rx y la antena ANT. La primera vía incluye un primer diodo D1 y una primera línea de transmisión L1, estando conectada una primera parte lateral del primer diodo D1 a la antena ANT y estando conectada una primera parte lateral de la primera línea de transmisión L1 a un nodo entre una segunda parte lateral del primer diodo D1 y el circuito transmisor Tx en una configuración en derivación. La segunda vía incluye una segunda línea de transmisión L2 y un segundo diodo D2, estando conectada una primera parte lateral de la segunda línea de transmisión L2 a la antena ANT y estando conectada una primera parte lateral del segundo diodo D2 a un nodo entre una segunda parte lateral de la segunda línea de transmisión L2 y el circuito receptor Rx en una configuración en derivación.An equivalent circuit is shown in Fig. 3 of a radio transceiver circuit that includes a Compound switching circuit of the present invention. At equivalent circuit, the first circuit is a transmitter circuit Tx, the second circuit is an Rx receiver circuit, and the third circuit is an ANT antenna. A compound switching circuit 30 inside a block indicated by a dashed line It includes a first track that interconnects the Tx transmitter circuit and the ANT antenna and a second path that interconnects the circuit Rx receiver and ANT antenna. The first path includes a first diode D1 and a first transmission line L1, being connected a first lateral part of the first diode D1 to the antenna ANT and being connected a first side part of the first line of transmission L1 to a node between a second side part of the first diode D1 and the transmitter circuit Tx in a configuration in derivation. The second track includes a second transmission line L2 and a second diode D2, a first part being connected side of the second transmission line L2 to the ANT antenna and a first lateral part of the second diode D2 being connected to a node between a second side part of the second line of L2 transmission and the Rx receiver circuit in a configuration in derivation.

El circuito de filtrado pasa-bajas LPF en el interior de un bloque indicado con una línea de trazos está incorporado en el circuito de conmutación para interconectar la segunda parte lateral del primer diodo D1 y la primera parte lateral de la primera línea de transmisión conectada en derivación L1, para formar de este modo el circuito de conmutación compuesto de la presente invención. Tal como se muestra en la Fig. 3, el circuito de filtrado pasa-bajas LPF comprende habitualmente una línea de transmisión L3, un condensador C4 en paralelo con la línea de transmisión L3 y condensadores C2 y C3 que forman cada uno de ellos una vía de derivación a tierra.The filtering circuit LPF low pass inside an indicated block with a dashed line is incorporated into the circuit of switching to interconnect the second side part of the first diode D1 and the first side part of the first line of transmission connected in branch L1, to form in this way the Compound switching circuit of the present invention. Such as shown in Fig. 3, the filtering circuit LPF low-pass usually comprises a line of L3 transmission, a C4 capacitor in parallel with the line of L3 transmission and C2 and C3 capacitors that form each of them a way of derivation to earth.

Además, tal como se observa a partir de la Fig. 3, una segunda parte lateral de la línea de transmisión L1 está conectada a tierra a través de un condensador C14, y un primer circuito de control CONT1 está conectado en derivación entre la primera línea de transmisión L1 y el condensador C14 a través de una resistencia R1. El CONT1 se puede omitir, y si se omite, la primera línea de transmisión L1 se puede conectar directamente a tierra. Además, una segunda parte lateral del segundo diodo D2 está conectada a tierra a través de un condensador C1, y un segundo circuito de control CONT2 está conectado en derivación entre el segundo diodo D2 y el condensador C1 a través de una resistencia R2. Los circuitos de control controlan si el circuito transmisor Tx (primer circuito) o el circuito receptor Rx (segundo circuito) está conectado eléctricamente a la antena ANT (tercer circuito) polarizando los diodos D1 y D2. A cada terminal de entrada/salida del circuito transmisor Tx, el circuito receptor Rx y la antena ANT, hay conectado un condensador de supresión de DC, C11, C12 ó C13 para dejar pasar únicamente a través del mismo las señales de alta frecuencia.In addition, as seen from Fig. 3, a second side part of the transmission line L1 is grounded through a capacitor C14, and a first CONT1 control circuit is connected bypass between the first transmission line L1 and capacitor C14 through a resistance R1. CONT1 can be omitted, and if omitted, the first Transmission line L1 can be connected directly to ground. In addition, a second lateral part of the second diode D2 is grounded through a capacitor C1, and a second CONT2 control circuit is connected bypass between the second diode D2 and capacitor C1 through a resistor R2. The control circuits control whether the Tx transmitter circuit (first circuit) or the receiver circuit Rx (second circuit) is electrically connected to the ANT antenna (third circuit) polarizing diodes D1 and D2. To each input / output terminal of the Tx transmitter circuit, the Rx receiver circuit and the antenna ANT, a DC, C11, C12 or C13 suppression capacitor is connected to let only high signals pass through it frequency.

En la presente invención, el circuito de filtrado pasa-bajas no está conectado simplemente un circuito de conmutación, sino que está incorporado al circuito de conmutación, más específicamente, está incorporado entre la segunda parte lateral del primer diodo D1 y la primera parte lateral de la primera línea de transmisión conectada en derivación L1. En la Fig. 4 se muestra un circuito equivalente de la Fig. 3 cuando el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT. En la Fig. 4, no se muestran los diodos D1 y D2 ya que los mismos se encuentran en un estado de alta conducción, baja impedancia, para formar cortocircuitos.In the present invention, the circuit of low pass filtering is not simply connected a switching circuit, but is incorporated into the circuit switching, more specifically, is incorporated between the second side part of the first diode D1 and the first side part of the first transmission line connected at branch L1. In Fig. 4 an equivalent circuit of Fig. 3 is shown when the circuit  Tx transmitter is electrically connected to the ANT antenna. In the Fig. 4, diodes D1 and D2 are not shown since they are found in a state of high conduction, low impedance, for form short circuits

Tal como se observa a partir de la Fig. 4, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención es altamente simétrico en cuanto a la configuración del circuito. A saber, el circuito transmisor Tx, el condensador C11, la línea de transmisión L1 y el condensador C14 están posicionados simétricamente con la antena ANT, el condensador C13, la línea de transmisión L2 y el condensador C1(C12), respectivamente, con respecto al circuito de filtrado pasa-bajas central. Con una simetría de este tipo en la configuración del circuito, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención presenta un menor nivel de pérdida de inserción y unas características suficientes en una banda de frecuencias más ancha en comparación con los circuitos de conmutación convencionales.As seen from Fig. 4, the Compound switching circuit of the present invention is highly symmetric in terms of circuit configuration. TO know, the transmitter circuit Tx, the capacitor C11, the line of transmission L1 and capacitor C14 are positioned symmetrically with the ANT antenna, the C13 capacitor, the line of transmission L2 and capacitor C1 (C12), respectively, with with respect to the low pass filter circuit central. With such symmetry in the configuration of the circuit, the composite switching circuit of the present invention has a lower level of insertion loss and some sufficient characteristics in a wider frequency band in comparison with conventional switching circuits.

En la Fig. 5 se muestra un circuito equivalente de otro circuito de conmutación compuesto 50 de la presente invención. El circuito equivalente de la Fig. 5 es similar al de la Fig. 3, aunque en el mismo el primer y el segundo diodos D1 y D2 están conectados inversamente con respecto al ánodo y al cátodo. Cuando el circuito transmisor Tx se conecta eléctricamente a la antena ANT, el circuito de la Fig. 5 presenta el mismo circuito equivalente que se muestra en la Fig. 4. A saber, el circuito de conmutación compuesto de la Fig. 5 presenta también una alta simetría en cuanto a la configuración del circuito, y presenta un menor nivel de pérdida de inserción y unas características suficientes en una banda de frecuencias más ancha en comparación con los circuitos de conmutación convencionales.An equivalent circuit is shown in Fig. 5 of another composite switching circuit 50 of the present invention. The equivalent circuit of Fig. 5 is similar to that of the Fig. 3, although in it the first and second diodes D1 and D2 they are connected inversely with respect to the anode and cathode. When the Tx transmitter circuit is electrically connected to the ANT antenna, the circuit of Fig. 5 has the same circuit equivalent shown in Fig. 4. Namely, the circuit of Compound switching of Fig. 5 also shows high symmetry regarding the configuration of the circuit, and presents a lower level of insertion loss and features enough in a wider frequency band compared to conventional switching circuits.

Se ha confirmado experimentalmente que el circuito equivalente de la Fig. 3 tiene un menor nivel de pérdida de inserción y un aislamiento satisfactorio en comparación con el circuito equivalente de la Fig. 5.It has been experimentally confirmed that the equivalent circuit of Fig. 3 has a lower level of loss insertion and satisfactory insulation compared to the equivalent circuit of Fig. 5.

La Fig. 1 es una vista en perspectiva que muestra un dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención. En la Fig. 2 se muestran en perspectiva los sustratos que constituyen el cuerpo multicapa integral del dispositivo de conmutación compuesto de la Fig. 1, y en la Fig. 3 se muestra un circuito equivalente de un circuito de conmutación compuesto dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos del dispositivo de conmutación compuesto de las Figs. 1 y 2.Fig. 1 is a perspective view that shows a switching device composed of the present invention. The substrates are shown in perspective in Fig. 2 which constitute the integral multilayer body of the device Compound switching of Fig. 1, and in Fig. 3 a equivalent circuit of a compound switching circuit disposed on a plurality of dielectric substrates of the switching device composed of Figs. 1 and 2.

Tal como se observa a partir de la Fig. 1, el dispositivo de conmutación compuesto comprende un elemento semiconductor 1 que contiene dos diodos y un cuerpo multicapa integral 2 de una pluralidad de sustratos dieléctricos. En las Figs. 1 y 2, la parte que indica los electrodos se muestra mediante un rayado.As seen from Fig. 1, the composite switching device comprises an element semiconductor 1 containing two diodes and a multilayer body integral 2 of a plurality of dielectric substrates. In the Figs. 1 and 2, the part indicating the electrodes is shown by a scratch

En la Fig. 3, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención comprende los elementos contenidos en el interior del bloque 30 indicado mediante una línea de trazos, y los condensadores C11, C12, C13, C14 y las resistencias R1 y R2 en el exterior del bloque 30 son elementos externos los cuales se pueden formar sobre una placa de circuito en la cual se monta el dispositivo de conmutación compuesto, o se pueden disponer sobre los sustratos dieléctricos o la superficie superior del cuerpo multicapa integral.In Fig. 3, the switching circuit compound of the present invention comprises the elements contained inside block 30 indicated by a line of dashes, and the capacitors C11, C12, C13, C14 and the resistors R1 and R2 outside block 30 are elements external which can be formed on a circuit board in which is mounted the compound switching device, or is can be arranged on dielectric substrates or surface upper multilayer integral body.

Tal como se observa a partir de la Fig. 2, el dispositivo de conmutación compuesto de la forma de realización comprende un sustrato dieléctrico inferior 21, los sustratos interiores 22 a 28 y un sustrato dieléctrico superior 29.As seen from Fig. 2, the switching device composed of the embodiment comprises a lower dielectric substrate 21, the substrates interiors 22 to 28 and an upper dielectric substrate 29.

En la superficie superior del sustrato dieléctrico inferior 21, se forma un primer electrodo de tierra 31, desde el cual se extienden unos electrodos conductores para conectarse a los electrodos externos T2, T7 y T8 en la superficie lateral del cuerpo multicapa integral 2.On the upper surface of the substrate lower dielectric 21, a first ground electrode 31 is formed, from which conductive electrodes extend to connect to external electrodes T2, T7 and T8 on the surface side of the integral multilayer body 2.

En la superficie superior del sustrato dieléctrico 22 laminado sobre el sustrato dieléctrico inferior 21, se forma un electrodo capacitivo 41 en oposición al primer electrodo de tierra 31 para formar el condensador C1. Un electrodo conductor que se extiende desde el electrodo capacitivo 41 se conecta a un electrodo externo T4. Aunque en esta forma de realización el condensador C1 se forma en el interior del cuerpo multicapa integral, el mismo se puede formar externamente, por ejemplo, sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico superior 29 ó sobre la placa de circuito en la cual se monte el dispositivo de conmutación compuesto.On the upper surface of the substrate dielectric 22 laminated on the lower dielectric substrate 21, a capacitive electrode 41 is formed in opposition to the first electrode ground 31 to form capacitor C1. A conductive electrode extending from capacitive electrode 41 is connected to a external electrode T4. Although in this embodiment the capacitor C1 is formed inside the multilayer body integral, it can be formed externally, for example, on the upper surface of the upper dielectric substrate 29 or above the circuit board on which the device is mounted compound switching

Sobre el sustrato dieléctrico 22, se laminan unos sustratos dieléctricos 23 y 24 que tienen electrodos que forman las líneas de transmisión. Un electrodo lineal en espiral 11 en el sustrato dieléctrico 23 está conectado a un electrodo lineal en espiral 12 en el sustrato dieléctrico 24 a través de un electrodo de agujero pasante 51 para formar la línea de transmisión L1. Dos electrodos conductores se extienden desde los electrodos lineales en espiral 11 y 12 para conectarse respectivamente a los electrodos externos T3 y T6. Un electrodo lineal en espiral 13 en el sustrato dieléctrico 23 está conectado a un electrodo lineal en espiral 14 en el sustrato dieléctrico 24 a través de un electrodo de agujero pasante 52 para formar la línea de transmisión L2. Dos electrodos conductores se extienden desde los electrodos lineales en espiral 13 y 14 para conectarse respectivamente a los electrodos externos T5 y T1.On the dielectric substrate 22, they are laminated dielectric substrates 23 and 24 having electrodes that They form the transmission lines. A spiral linear electrode 11 in the dielectric substrate 23 is connected to a linear electrode coiled 12 on the dielectric substrate 24 through an electrode through hole 51 to form the transmission line L1. Two conductive electrodes extend from linear electrodes coiled 11 and 12 to connect respectively to the electrodes external T3 and T6. A spiral linear electrode 13 in the substrate dielectric 23 is connected to a spiral linear electrode 14 in the dielectric substrate 24 through a hole electrode intern 52 to form the transmission line L2. Two electrodes conductors extend from spiral linear electrodes 13 and 14 to connect respectively to the external electrodes T5 and T1

Sobre la superficie superior de un sustrato dieléctrico 25 laminado sobre el sustrato dieléctrico 24, se ha formado un segundo electrodo de tierra 32. Tres electrodos conductores se extienden desde el segundo electrodo de tierra 32 para conectarse respectivamente a los electrodos externos T2, T7 y T8.On the upper surface of a substrate dielectric 25 laminated on the dielectric substrate 24, has been formed a second ground electrode 32. Three electrodes conductors extend from the second ground electrode 32 to connect respectively to external electrodes T2, T7 and T8

Sobre el sustrato dieléctrico 25, se ha laminado un sustrato dieléctrico 26. Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico 26, se forma un electrodo capacitivo 42 en oposición al segundo electrodo de tierra 32 para formar el condensador C2 del circuito de filtrado pasa-bajas. También sobre el sustrato dieléctrico 26 se forma un electrodo capacitivo 43 en oposición al segundo electrodo de tierra 32 para formar el condensador C3 del circuito de filtrado pasa-bajas. Desde el electrodo capacitivo 42, se extiende un electrodo conductor para conectarse al electrodo externo T3.On the dielectric substrate 25, it has been laminated a dielectric substrate 26. On the upper surface of the dielectric substrate 26, a capacitive electrode 42 is formed in opposition to the second ground electrode 32 to form the capacitor C2 of the low-pass filter circuit. Also on the dielectric substrate 26 an electrode is formed capacitive 43 as opposed to the second ground electrode 32 for form the capacitor C3 of the filtering circuit low pass From capacitive electrode 42, it extends a conductive electrode to connect to the electrode external T3.

Sobre la superficie superior de un sustrato dieléctrico 27 se forma un electrodo capacitivo 44 en oposición al electrodo capacitivo 42 del sustrato dieléctrico 26 para formar el condensador C4 del circuito de filtrado pasa-bajas. El electrodo capacitivo 44 está conectado al electrodo capacitivo 43 en el sustrato dieléctrico 26 a través de un agujero pasante 53.On the upper surface of a substrate dielectric 27 a capacitive electrode 44 is formed in opposition to the capacitive electrode 42 of the dielectric substrate 26 to form the capacitor C4 of the low-pass filter circuit. The capacitive electrode 44 is connected to the capacitive electrode 43 in the dielectric substrate 26 through a through hole 53.

Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico 28, se forma un electrodo lineal en espiral 15 que forma la línea de transmisión L3 del circuito de filtrado pasa-bajas. Un extremo del electrodo lineal en espiral está conectado al electrodo externo T3, y el extremo opuesto está conectado a los electrodos capacitivos 44 y 43 a través de los agujeros pasantes 54 y 53.On the upper surface of the substrate dielectric 28, a spiral linear electrode 15 is formed which forms  the transmission line L3 of the filtering circuit low pass One end of the linear electrode in spiral is connected to the external electrode T3, and the end opposite is connected to capacitive electrodes 44 and 43 a through through holes 54 and 53.

Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico superior 29, se forman unos electrodos de configuración 16 y 17. El electrodo de configuración 16 está conectado al agujero pasante 54 sobre el sustrato dieléctrico 28 a través de un agujero pasante 55. El electrodo de configuración 17 sirve como marca. Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico superior 29, se forman adicionalmente unos electrodos de configuración para conectarse a los electrodos externos T1, T4, T5 y T6.On the upper surface of the substrate upper dielectric 29, configuration electrodes are formed 16 and 17. The configuration electrode 16 is connected to the hole through 54 on the dielectric substrate 28 through a hole through 55. The configuration electrode 17 serves as a mark. On the upper surface of the upper dielectric substrate 29, is additionally form configuration electrodes for connect to external electrodes T1, T4, T5 and T6.

Se produjo un dispositivo de conmutación compuesto con la construcción anterior usando un material dieléctrico que tenía una constante dieléctrica de aproximadamente 8. Se consiguió que el material dieléctrico adoptara una forma de lámina (sustratos dieléctricos) por medio de una cuchilla raspadora y se formaron unos electrodos de configuración respectivos sobre las láminas dieléctricas mediante impresión por serigrafía de un material eléctricamente conductor tal como Ag. Los sustratos dieléctricos que tenían sobre ellos unos electrodos de configuración impresos se laminaron, se comprimieron y se cocieron para obtener un cuerpo multicapa integra. Después de la cocción, sobre la superficie lateral y la superficie superior del cuerpo multicapa integral se formaron los electrodos externos T1 a T8 y los electrodos de configuración. Finalmente, el elemento semiconductor 1 que contenía el primer y segundo diodos D1 y D2 se montó sobre la superficie superior del cuerpo multicapa integral de manera que el primer diodo D1 se conectó al electrodo de configuración 16 y los electrodos externos T5, y el segundo diodo D2 se conectó a los electrodos externos T1 y T4, respectivamente, para obtener un dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención de un tamaño que presentaba una longitud/anchura de 4,5 mm/3,2 mm y un grosor de 2 mm.A switching device occurred. composed with the previous construction using a material dielectric that had a dielectric constant of approximately 8. The dielectric material was achieved to adopt a form of sheet (dielectric substrates) by means of a scraper blade and respective configuration electrodes were formed on dielectric sheets by screen printing of a electrically conductive material such as Ag. Substrates dielectrics that had electrodes on them Printed settings were laminated, compressed and cooked to get an integrated multilayer body. After cooking, on the lateral surface and upper body surface integral multilayer external electrodes T1 to T8 were formed and The configuration electrodes. Finally the element semiconductor 1 containing the first and second diodes D1 and D2 were mounted on the upper surface of the integral multilayer body of so that the first diode D1 was connected to the electrode of configuration 16 and external electrodes T5, and the second diode D2 was connected to external electrodes T1 and T4, respectively, to obtain a switching device composed of the present invention of a size having a length / width of 4.5 mm / 3.2 mm and a thickness of 2 mm.

En el dispositivo de conmutación compuesto obtenido de esta manera, el circuito de filtrado pasa-bajas que comprende los condensadores C2, C3 y C4 y la línea de transmisión L3 se insertó entre la parte de ánodo del primer diodo D1 y la primera parte lateral de la línea de transmisión conectada en derivación L1.In the compound switching device obtained in this way, the filtering circuit low-pass comprising the capacitors C2, C3 and C4 and the transmission line L3 was inserted between the anode part of the first diode D1 and the first lateral part of the line of transmission connected in branch L1.

El circuito transceptor de radiocomunicaciones de la Fig. 3 se obtiene conectando el circuito transmisor Tx al electrodo externo T3 a través del condensador C11, conectando la antena ANT al electrodo externo T5 a través del condensador C13, conectando el circuito receptor Rx al electrodo externo T1 a través del condensador 12, conectando el primer circuito de control CONT1 al electrodo externo T6 a través de la resistencia R1, conectando el condensador C14 al electrodo externo T6 para formar una vía a tierra, y conectando el segundo circuito de control CONT2 al electrodo externo T4 a través de la resistencia R2.The radio transceiver circuit of Fig. 3 is obtained by connecting the transmitter circuit Tx to the external electrode T3 through capacitor C11, connecting the ANT antenna to external electrode T5 through capacitor C13, connecting the receiver circuit Rx to the external electrode T1 through of capacitor 12, connecting the first control circuit CONT1 to the external electrode T6 through resistor R1, connecting the capacitor C14 to the external electrode T6 to form a path to ground, and connecting the second control circuit CONT2 to the external electrode T4 through resistor R2.

En la Fig. 6A se muestra la pérdida de inserción a una frecuencia de hasta 5,5 GHz medida sobre el dispositivo de conmutación compuesto obtenido anteriormente. En la Fig. 6B se muestra una representación ampliada de la banda de paso (0,5 a 1,5 GHz) de la Fig. 6A. Tal como puede observarse mejor a partir de la Fig. 6B, el dispositivo de conmutación compuesto presentaba una pérdida de inserción de un valor tan bajo como 1 dB ó menor en un intervalo de frecuencias de 900 \pm 250 MHz. De este modo, el circuito de conmutación compuesto de la forma de realización preferida de la presente invención es excelente en cuanto a la minimización de la pérdida de inserción. Además como se puede reducir las dimensiones geométricas, se requiere únicamente un pequeño espacio en el montaje del dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención sobre una placa de circuito, reduciendo de este modo el tamaño de un transceptor de radiocomunicaciones tal como un radioteléfono celular. El dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención se usa adecuadamente en un intervalo de frecuencias de aproximadamente 800 MHz hasta varios gigas de hercios.In Fig. 6A the insertion loss is shown at a frequency of up to 5.5 GHz measured on the device Compound switching obtained above. In Fig. 6B, shows an enlarged representation of the pass band (0.5 to 1.5 GHz) of Fig. 6A. As can be best seen from the Fig. 6B, the composite switching device had a insertion loss of a value as low as 1 dB or smaller in a frequency range of 900 ± 250 MHz. Of this mode, the switching circuit composed of the form of preferred embodiment of the present invention is excellent in as for the minimization of insertion loss. Also how do I know can reduce geometric dimensions, only one  small space in the mounting of the switching device compound of the present invention on a circuit board, thereby reducing the size of a transceiver of radiocommunications such as a cellular radiotelephone. He Compound switching device of the present invention is used suitably in a frequency range of approximately 800 MHz to several gigabytes of hertz.

En la forma de realización anterior, la primera y la segunda líneas de transmisión L1 y L2 se dispusieron entre el primer electrodo de tierra 31 y el segundo electrodo de tierra 32, y una parte sustancial del elemento de circuito de conmutación se dispone más cerca de la superficie de montaje que la parte del circuito de filtrado pasa-bajas. Con una construcción de este tipo, el segundo electrodo de tierra 32 que forma los condensadores conectados a tierra C2 y C3 con los electrodos capacitivos en oposición 42 y 43 puede tener una parte conductora, es decir, el electrodo externo T2 en la forma de realización anterior, para conectarse a un terminal de tierra de una placa de circuito sobre la cual se monte el dispositivo de conmutación compuesto. El electrodo externo T2 funciona como un electrodo lineal el cual se puede considerar como las bobinas L4 y L5, tal como se muestra por medio de un circuito equivalente de la Fig. 7, conectadas a los condensadores C2 y C3 en serie. En un circuito equivalente de este tipo, los armónicos se pueden reducir eficazmente por medio de la resonancia en serie entre el condensador C2 con la bobina L4, y el condensador C3 con la bobina L5.In the previous embodiment, the first and the second transmission lines L1 and L2 were arranged between the first ground electrode 31 and the second ground electrode 32, and a substantial part of the switching circuit element is disposes closer to the mounting surface than the part of the low pass filter circuit. With a construction of this type, the second ground electrode 32 that form the grounded capacitors C2 and C3 with the opposing capacitive electrodes 42 and 43 may have a part conductive, that is, the external electrode T2 in the form of previous embodiment, to connect to a ground terminal of a circuit board on which the device is mounted compound switching The external electrode T2 functions as a linear electrode which can be considered as coils L4 and L5, as shown by an equivalent circuit of the Fig. 7, connected to capacitors C2 and C3 in series. In a equivalent circuit of this type, harmonics can be reduced effectively through serial resonance between the capacitor C2 with coil L4, and capacitor C3 with coil L5

Por esta razón, en la presente invención, es preferible que la primera y la segunda líneas de transmisión L1 y L2 estén dispuestas entre dos electrodos de tierra, y que el condensador del circuito de filtrado pasa-bajas se forme por medio del electrodo de tierra sobre las líneas de transmisión L1 y L2 y el electrodo capacitivo sobre y en oposición al electrodo de tierra. Con una construcción de este tipo, se puede obtener un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado de un alto rendimiento.For this reason, in the present invention, it is preferable that the first and second transmission lines L1 and L2 are arranged between two ground electrodes, and that the low pass filtering circuit capacitor se form by means of the ground electrode on the lines of L1 and L2 transmission and capacitive electrode on and in opposition to the ground electrode. With such a construction, you can obtain a miniaturized composite switching device of a high performance.

En la forma de realización anterior, las líneas de transmisión L1 y L2 se formaron mediante electrodos lineales en espiral impresos sobre dos sustratos dieléctricos sucesivamente adyacentes. Consiguiendo que los electrodos lineales sean en espiral y superponiéndose parcialmente sobre los electrodos lineales en los dos sustratos dieléctricos, se consiguió reducir la longitud de los electrodos lineales.In the previous embodiment, the lines of transmission L1 and L2 were formed by linear electrodes in spiral printed on two dielectric substrates successively adjacent. Getting the linear electrodes to be in spiral and partially overlapping on linear electrodes in the two dielectric substrates, the length was reduced of linear electrodes.

La Fig. 8 es una vista en perspectiva que muestra los sustratos respectivos que constituyen un cuerpo multicapa integral en el que se ha dispuesto otro circuito de conmutación compuesto 90 de la presente invención. En la Fig. 9 se muestra un circuito equivalente que incluye el circuito de conmutación compuesto 90. El circuito equivalente de la Fig. 9 es similar al de la Fig. 2, aunque en el mismo hay conectado un condensador adicional C5 entre el circuito de filtrado pasa-bajas y la primera línea de transmisión conectada en derivación L1 para formar una vía en derivación a tierra. El condensador C5 se forma por medio de un primer electrodo de tierra 31 sobre un sustrato dieléctrico 21 y un electrodo capacitivo 45 sobre un sustrato dieléctrico 22 el cual está conectado a un electrodo T3. Como el tercer al noveno sustratos a partir de la parte inferior de la Fig. 8 son respectivamente iguales que los sustratos dieléctricos 23 a 29 de la Fig. 2, en este caso y en la Fig. 8 se omite la descripción de estos sustratos.Fig. 8 is a perspective view that shows the respective substrates that constitute a body integral multilayer in which another circuit of Compound switching 90 of the present invention. In Fig. 9, shows an equivalent circuit that includes the circuit of Compound switching 90. The equivalent circuit of Fig. 9 is similar to that of Fig. 2, although a additional capacitor C5 between the filtering circuit low-pass and first transmission line connected at branch L1 to form a branch line at land. The capacitor C5 is formed by means of a first electrode of earth 31 on a dielectric substrate 21 and an electrode capacitive 45 on a dielectric substrate 22 which is connected to a T3 electrode. As the third to ninth substrates to from the bottom of Fig. 8 are respectively same as the dielectric substrates 23 to 29 of Fig. 2, in this case and in Fig. 8 the description of these substrates is omitted.

Se produjo un dispositivo de conmutación compuesto que incluía el circuito de conmutación compuesto anterior de la misma manera que la descrita anteriormente, y se confirmó que el mismo presentaba el mismo rendimiento que en la forma de realización anterior.A switching device occurred. compound that included the previous compound switching circuit in the same way as described above, and it was confirmed that it presented the same performance as in the form of previous embodiment.

Tal como se muestra en la Fig. 10, en lugar del condensador C5, se puede conectar un condensador adicional C6. Mediante la incorporación del condensador C5 mostrado en la Fig. 9 ó el condensador C6 mostrado en la Fig. 10, se puede reducir efectivamente la longitud lineal de la primera línea de transmisión L1.As shown in Fig. 10, instead of capacitor C5, an additional capacitor C6 can be connected. By incorporating the capacitor C5 shown in Fig. 9 or the capacitor C6 shown in Fig. 10, can be reduced effectively the linear length of the first transmission line L1.

Tal como se ha descrito anteriormente, según la presente invención, se puede obtener un circuito de conmutación compuesto de pequeñas dimensiones, en el cual se incorpora un circuito de filtrado pasa-bajas, con un alto rendimiento. Adicionalmente, se puede obtener un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado que incluya el circuito de conmutación compuesto en forma de un cuerpo multicapa integral disponiendo el circuito de conmutación compuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos. El circuito de conmutación compuesto y el dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención presentan las características suficientes en un intervalo de frecuencias amplio, una pérdida de inserción mucho menor y un efecto considerable de supresión de armónicos.As described above, according to the present invention, a switching circuit can be obtained composed of small dimensions, in which a low-pass filtering circuit, with a high performance. Additionally, a device can be obtained from miniaturized composite switching that includes the circuit Compound switching in the form of an integral multilayer body arranging the compound switching circuit on a plurality of dielectric substrates. Switching circuit compound and the compound switching device of the present invention have sufficient characteristics in a range wide frequency, a much smaller insertion loss and a considerable effect of harmonic suppression.

Aunque la presente invención se ha descrito en relación con un circuito de conmutación compuesto operativo para conectar alternativamente el circuito transmisor a la antena y el circuito receptor a la antena, debe entenderse que los circuitos que se van a conmutar por parte del circuito de conmutación compuesto de la presente invención no se limitan específicamente a los circuitos mencionados.Although the present invention has been described in relationship with an operational composite switching circuit for alternatively connect the transmitter circuit to the antenna and the receiver circuit to the antenna, it should be understood that the circuits to be switched by the switching circuit compound of the present invention are not specifically limited to The mentioned circuits.

Claims (9)

1. Circuito de conmutación compuesto (30) para conectar alternativa y eléctricamente un circuito transmisor (Tx) o un circuito receptor (Rx) a una antena (ANT), que comprende:1. Compound switching circuit (30) for alternatively and electrically connect a transmitter circuit (Tx) or a receiver circuit (Rx) to an antenna (ANT), comprising: una primera vía que interconecta el circuito transmisor (Tx) y la antena (ANT), comprendiendo la primera vía un primer diodo (D1) y una primera línea de transmisión (L1), presentando el primer diodo (D1) un terminal conectado a la antena (ANT), presentando la primera línea de transmisión (L1) uno de sus extremos conectado a un nodo formado entre el circuito transmisor (Tx) y el otro terminal del primer diodo (D1) y su otro extremo conectado a tierra,a first way that interconnects the circuit transmitter (Tx) and antenna (ANT), the first path comprising a first diode (D1) and a first transmission line (L1), the first diode (D1) presenting a terminal connected to the antenna (ANT), presenting the first transmission line (L1) one of its ends connected to a node formed between the transmitter circuit (Tx) and the other terminal of the first diode (D1) and its other end grounded, una segunda vía que interconecta el circuito receptor (Rx) y la antena (ANT), comprendiendo la segunda vía una segunda línea de transmisión (L2) y un segundo diodo (D2), estando conectado un extremo de la segunda línea de transmisión (L2) a la antena (ANT), presentando el segundo diodo (D2) uno de sus terminales conectado a un nodo formado entre el otro extremo de la segunda línea de transmisión (L2) y el circuito receptor (Rx) y su otro terminal conectado a tierra, ya second way that interconnects the circuit receiver (Rx) and antenna (ANT), the second way comprising a second transmission line (L2) and a second diode (D2), being connected one end of the second transmission line (L2) to the antenna (ANT), presenting the second diode (D2) one of its terminals connected to a node formed between the other end of the second transmission line (L2) and the receiver circuit (Rx) and its another grounded terminal, and un circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) dispuesto en la primera vía y que comprende una línea de transmisión (L3) y condensadores,a filtering circuit low-pass (LPF) arranged on the first track and that It comprises a transmission line (L3) and capacitors, caracterizado porque el circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) interconecta dicho otro terminal del primer diodo (D1) y dicho un extremo de la primera línea de transmisión (L1). characterized in that the low-pass filtering circuit (LPF) interconnects said other terminal of the first diode (D1) and said one end of the first transmission line (L1). 2. Circuito según la reivindicación 1, en el que dicho un terminal del primer diodo es el ánodo del mismo, y dicho un terminal del segundo diodo es el ánodo del mismo.2. Circuit according to claim 1, wherein said a terminal of the first diode is the anode thereof, and said A terminal of the second diode is its anode. 3. Circuito según la reivindicación 1, en el que dicho un terminal del primer diodo es el cátodo del mismo, y dicho un terminal del segundo diodo es el cátodo del mismo.3. Circuit according to claim 1, wherein said a terminal of the first diode is the cathode thereof, and said A terminal of the second diode is its cathode. 4. Dispositivo de conmutación compuesto que comprende el circuito de conmutación compuesto (30) según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3 dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos de un cuerpo multicapa integral (2), en el que por lo menos la primera línea de transmisión (L1), la segunda línea de transmisión (L2) y una parte del circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) están dispuestas sobre por lo menos un sustrato dieléctrico interior (22 a 28) en el cuerpo multicapa integral (2).4. Compound switching device that comprises the compound switching circuit (30) according to any  of claims 1 to 3 arranged on a plurality of dielectric substrates of an integral multilayer body (2), in the that at least the first transmission line (L1), the second transmission line (L2) and a part of the filtering circuit low-pass (LPF) are arranged on at least an inner dielectric substrate (22 to 28) in the multilayer body integral (2). 5. Dispositivo según la reivindicación 4, en el que el primer y el segundo diodos (D1, D2) están dispuestos sobre una superficie superior del cuerpo multicapa integral (2).5. Device according to claim 4, in the that the first and second diodes (D1, D2) are arranged on an upper surface of the integral multilayer body (2). 6. Dispositivo según la reivindicación 4 ó 5, en el que la primera y la segunda líneas de transmisión (L1, L2) dispuestas sobre unos sustratos dieléctricos interiores (22 a 28) en el cuerpo multicapa integral (2) están posicionadas entre dos electrodos de tierra (31, 32) dispuestos sobre unos sustratos dieléctricos (21, 25) respectivos, y en el que se ha formado un condensador (C2) del circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) por medio del mencionado (32) de entre dichos dos electrodos de tierra (31, 32) entre los cuales se interponen la primera y segunda líneas de transmisión (L1, L2) y un electrodo (42) dispuesto sobre un sustrato dieléctrico (26) posicionado por encima de dicho electrodo superior de tierra (32) y en oposición al mismo.6. Device according to claim 4 or 5, in the one that the first and the second transmission lines (L1, L2) arranged on interior dielectric substrates (22 to 28) in the integral multilayer body (2) are positioned between two ground electrodes (31, 32) arranged on substrates respective dielectrics (21, 25), and in which a capacitor (C2) of the low-pass filter circuit (LPF) by means of the aforementioned (32) between said two electrodes of land (31, 32) between which the first and second transmission lines (L1, L2) and an electrode (42) arranged on a dielectric substrate (26) positioned above said upper ground electrode (32) and in opposition to it. 7. Dispositivo según la reivindicación 6, en el que los electrodos (32, 42) que forman las placas de dicho condensador (C2) del circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) están dispuesto respectivamente sobre unos sustratos dieléctricos (25, 26) posicionados sobre el lado superior de la primera y segunda líneas de transmisión (L1, L2) con respecto a una superficie de montaje del dispositivo de conmutación compuesto.7. Device according to claim 6, in the that the electrodes (32, 42) that form the plates of said capacitor (C2) of the low-pass filter circuit (LPF) are arranged respectively on substrates dielectrics (25, 26) positioned on the upper side of the first and second transmission lines (L1, L2) with respect to a Mounting surface of the composite switching device. 8. Dispositivo según cualquiera de las reivindicaciones 4 a 7, en el que la primera y la segunda líneas de transmisión (L1, L2) están formadas por unas configuraciones de electrodos (11 a 14) de forma espiral.8. Device according to any of the claims 4 to 7, wherein the first and second lines of transmission (L1, L2) are formed by configurations of electrodes (11 to 14) spirally. 9. Dispositivo según la reivindicación 2 ó según cualquiera de las reivindicaciones 4 a 8 subordinadas a la reivindicación 2, en el que un circuito de control (CONT2) está conectado al ánodo del segundo diodo (D2) y se aplica un voltaje entre los ánodos del primer y segundo diodos (D1, D2).9. Device according to claim 2 or according any of claims 4 to 8 subordinate to the claim 2, wherein a control circuit (CONT2) is connected to the anode of the second diode (D2) and a voltage is applied between the anodes of the first and second diodes (D1, D2).
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