ES2287964T3 - Circuito de conmutacion y dispositivo de conmutacion compuestos. - Google Patents

Circuito de conmutacion y dispositivo de conmutacion compuestos. Download PDF

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Shigeru Kenmochi
Toshihiko Tanaka
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    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

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Abstract

Un circuito de conmutación compuesto (30) para conectar de manera alterna y eléctricamente un primer circuito (Tx) a un tercer circuito (ANT) o un segundo circuito (Rx) a un tercer circuito (ANT). El circuito de conmutación compuesto (30) lleva incorporado un circuito de filtro de paso bajo (LPF) en la parte de circuito de conmutación del circuito de conmutación compuesto (30) de manera a crear una configuración de circuito altamente simétrica. El circuito de conmutación compuesto (30) está dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos (22-28) de un cuerpo multicapa integrante (2) para proporcionar un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado. Dado que el dispositivo de conmutación compuesto que incluye el circuito de conmutación compuesto (30) con una configuración de circuito simétrica muestra una baja pérdida de inserción y un alto rendimiento en una amplia gama de frecuencias , el dispositivo de conmutación compuesto se utiliza ventajosamente para formar una parte deun transceptor de radio como un radioteléfono celular.

Description

Circuito de conmutación y dispositivo de conmutación compuestos.
Antecedentes de la invención
La presente invención se refiere a un circuito de conmutación, y particularmente a un circuito de conmutación compuesto que comprende un circuito de conmutación de diodos que incorpora un circuito de filtro pasa-bajas para ser usado como circuito de conmutación de alta frecuencia de un radioteléfono celular digital, etcétera, con vistas a conmutar alternativamente vías de transmisión para transmitir o recibir señales de comunicaciones. La presente invención se refiere también a un dispositivo de conmutación compuesto de un cuerpo multicapa integral que incluye el circuito de conmutación compuesto.
Un circuito de conmutación para un radioteléfono celular digital, etcétera, se utiliza para conectar alternativamente un circuito receptor a una antena o un circuito transmisor a la antena. En un radioteléfono que utilice un sistema con diversidad de recepción, el circuito de conmutación también conecta alternativamente un circuito receptor a una primera antena o el circuito receptor a una segunda antena. Probablemente, en una estación base para un sistema de radiocomunicaciones que utilice un sistema con diversidad de transmisión, el circuito de conmutación se utiliza también para conectar alternativamente un circuito transmisor a una primera antena o el circuito transmisor a una segunda antena.
En un radioteléfono que tenga un puerto externo para conectar un alimentador de un automóvil, etcétera, el circuito de conmutación se usa también para conmutar una vía hacia un circuito interno y una vía hacia el puerto externo. Además, el circuito de conmutación se usa para conmutar una pluralidad de canales de estaciones base para el sistema de radiocomunicaciones.
La Fig. 11 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito de conmutación convencional dado a conocer en la patente japonesa publicada n.º 6-197040. En la Fig. 11, el circuito de conmutación conecta alternativamente un circuito transmisor Tx a una antena ANT o un circuito receptor Rx a la antena ANT. El circuito transmisor Tx se conecta a un ánodo de un primer diodo D101 a través de un primer condensador C101. Un cátodo del primer diodo D101 se conecta a la antena ANT a través de un tercer condensador C103. La antena ANT está conectada también a un circuito receptor Rx a través de un tercer condensador C103, una segunda línea de transmisión SL2 y un cuarto condensador C104 conectados en serie. Un ánodo del primer diodo D101 está conectado a tierra a través de una primera línea de transmisión SL1 y un segundo condensador C102 conectados en serie. Además, un circuito de control T1 está conectado a un nodo formado entre la primera línea de transmisión SL1 y el segundo condensador C102 a través de una resistencia R101. Un ánodo de un segundo diodo D102 está conectado a un nodo formado entre la segunda línea de transmisión SL2 y el cuarto condensador C104, y un cátodo del mismo está conectado a tierra. Las líneas de transmisión y algunos de los condensadores están dispuestos sobre una pluralidad de sustratos de un cuerpo laminado dieléctrico, y los diodos, la resistencia y el resto de los condensadores están montados sobre una superficie superior del cuerpo laminado.
Cuando con el circuito de conmutación se usa un circuito de filtrado, el circuito de conmutación y el circuito de filtrado se forman por separado y a continuación se conectan entre sí. Por esta razón, es necesaria un área de montaje extensa, y se requiere un circuito adicional para la adaptación de impedancias.
Para resolver el problema anterior, el documento EP 0 785 590 A da a conocer un dispositivo compuesto que incluye un circuito de conmutación y un circuito de filtrado. Este dispositivo presenta las características incluidas en la primera parte de la reivindicación 1. En la Fig. 12 se muestra un circuito equivalente del dispositivo compuesto. En la Fig. 12, por medio de un bloque mostrado en líneas de trazos se representa una parte de circuito de filtrado. El circuito de filtrado se posiciona para interconectar un circuito transmisor Tx y el circuito de conmutación. En la Fig. 13 se muestra un circuito equivalente cuando el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT. En el circuito equivalente, los diodos D201 y D202 no se muestran ya que los mismos se encuentran en su posición por la corriente DC y en un estado de baja impedancia para formar cortocircuitos.
Tal como puede observarse a partir de la Fig. 13, un circuito convencional formado simplemente mediante la conexión del circuito de filtrado al circuito de conmutación carece de simetría en la configuración del circuito para presentar unas características de frecuencias suficientes únicamente en una banda de frecuencias estrecha. Un circuito de conmutación de banda estrecha presenta un rendimiento reducido teniendo en cuenta la utilización completa de la banda de frecuencias asignada para un sistema de comunicaciones, y resulta deficiente en cuanto a productividad debido a la variabilidad de productos.
Objetivo y sumario de la invención
Por consiguiente, uno de los objetivos de la presente invención es proporcionar un circuito de conmutación compuesto, de banda ancha, con una alta simetría en la configuración del circuito y un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado de una estructura multicapa integral que incluye el circuito de conmutación compuesto.
Este objetivo se alcanza con el circuito definido en la reivindicación 1.
Como consecuencia de la intensa investigación realizada teniendo en cuenta los objetivos anteriores, los inventores han observado que la simetría en la configuración del circuito se puede aumentar disponiendo un circuito de filtrado pasa-bajas entre un diodo y una línea de transmisión en un circuito de conmutación en lugar de conectar simplemente el circuito de filtrado pasa-bajas al circuito de conmutación, reduciendo de este modo el nivel de la pérdida de inserción y garantizando un rendimiento elevado del circuito de conmutación en una banda de frecuencias más ancha en comparación con los circuitos de conmutación conocidos convencionalmente.
En las reivindicaciones subordinadas se exponen formas de realización preferidas de la invención.
Breve descripción de los dibujos
La Fig. 1 es una vista en perspectiva que muestra un dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención;
la Fig. 2 es una vista en perspectiva que muestra los sustratos respectivos que constituyen el cuerpo multicapa integral del dispositivo de conmutación compuesto mostrado en la Fig. 1;
la Fig. 3 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor de radiocomunicaciones que incluye un circuito de conmutación compuesto de la presente invención;
la Fig. 4 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de la Fig. 3, en el cual el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT;
la Fig. 5 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor de radiocomunicaciones que incluye otro circuito de conmutación compuesto de la presente invención;
la Fig. 6A es una gráfica que muestra la pérdida de inserción a una frecuencia de hasta 5,5 GHz medida sobre el dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención;
la Fig. 6B es una gráfica que muestra la banda de paso ampliada de la Fig. 6A;
la Fig. 7 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de la parte de filtrado pasa-bajas del circuito de conmutación compuesto de la presente invención;
la Fig. 8 es una vista en perspectiva que muestra los sustratos respectivos que constituyen un cuerpo multicapa integral en el que se dispone otro circuito de conmutación compuesto de la presente invención;
la Fig. 9 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor que incluye el circuito de conmutación compuesto dispuesto sobre el cuerpo multicapa integral de la Fig. 8;
la Fig. 10 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente parcial de todavía otro circuito de conmutación compuesto de la presente invención;
la Fig. 11 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de un circuito de conmutación convencional;
la Fig. 12 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente de otro circuito de conmutación convencional; y
la Fig. 13 es un diagrama esquemático de un circuito que muestra un circuito equivalente del circuito de conmutación convencional de la Fig. 12, en el cual el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT.
Descripción de las formas de realización preferidas
Tal como se ha resumido anteriormente, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención es un circuito de conmutación que incorpora un circuito de filtrado pasa-bajas, y el mismo se puede hacer funcionar para conectar de forma alternativa y eléctrica un primer circuito a un tercer circuito o un segundo circuito al tercer circuito. En una de las formas de realización preferidas, el circuito de conmutación compuesto puede ser un circuito de conmutación de una antena en el cual el primer circuito es un circuito transmisor, el segundo circuito es un circuito receptor, y el tercer circuito es una antena. La presente invención se describirá más detalladamente con respecto a dicho circuito de conmutación de una antena. No obstante, el mismo debería considerarse como ilustrativo de una de las diversas formas de realización preferidas de la presente invención.
En la presente invención, un circuito de conmutación incorpora un circuito correspondiente a un circuito de filtrado pasa-bajas para formar un único circuito de conmutación compuesto. El circuito de conmutación compuesto puede estar dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos para formar un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado de un cuerpo multicapa integral.
En la Fig. 3 se muestra un circuito equivalente de un circuito transceptor de radiocomunicaciones que incluye un circuito de conmutación compuesto de la presente invención. En el circuito equivalente, el primer circuito es un circuito transmisor Tx, el segundo circuito es un circuito receptor Rx, y el tercer circuito es una antena ANT. Un circuito de conmutación compuesto 30 en el interior de un bloque indicado mediante una línea de trazos incluye una primera vía que interconecta el circuito transmisor Tx y la antena ANT y una segunda vía que interconecta el circuito receptor Rx y la antena ANT. La primera vía incluye un primer diodo D1 y una primera línea de transmisión L1, estando conectada una primera parte lateral del primer diodo D1 a la antena ANT y estando conectada una primera parte lateral de la primera línea de transmisión L1 a un nodo entre una segunda parte lateral del primer diodo D1 y el circuito transmisor Tx en una configuración en derivación. La segunda vía incluye una segunda línea de transmisión L2 y un segundo diodo D2, estando conectada una primera parte lateral de la segunda línea de transmisión L2 a la antena ANT y estando conectada una primera parte lateral del segundo diodo D2 a un nodo entre una segunda parte lateral de la segunda línea de transmisión L2 y el circuito receptor Rx en una configuración en derivación.
El circuito de filtrado pasa-bajas LPF en el interior de un bloque indicado con una línea de trazos está incorporado en el circuito de conmutación para interconectar la segunda parte lateral del primer diodo D1 y la primera parte lateral de la primera línea de transmisión conectada en derivación L1, para formar de este modo el circuito de conmutación compuesto de la presente invención. Tal como se muestra en la Fig. 3, el circuito de filtrado pasa-bajas LPF comprende habitualmente una línea de transmisión L3, un condensador C4 en paralelo con la línea de transmisión L3 y condensadores C2 y C3 que forman cada uno de ellos una vía de derivación a tierra.
Además, tal como se observa a partir de la Fig. 3, una segunda parte lateral de la línea de transmisión L1 está conectada a tierra a través de un condensador C14, y un primer circuito de control CONT1 está conectado en derivación entre la primera línea de transmisión L1 y el condensador C14 a través de una resistencia R1. El CONT1 se puede omitir, y si se omite, la primera línea de transmisión L1 se puede conectar directamente a tierra. Además, una segunda parte lateral del segundo diodo D2 está conectada a tierra a través de un condensador C1, y un segundo circuito de control CONT2 está conectado en derivación entre el segundo diodo D2 y el condensador C1 a través de una resistencia R2. Los circuitos de control controlan si el circuito transmisor Tx (primer circuito) o el circuito receptor Rx (segundo circuito) está conectado eléctricamente a la antena ANT (tercer circuito) polarizando los diodos D1 y D2. A cada terminal de entrada/salida del circuito transmisor Tx, el circuito receptor Rx y la antena ANT, hay conectado un condensador de supresión de DC, C11, C12 ó C13 para dejar pasar únicamente a través del mismo las señales de alta frecuencia.
En la presente invención, el circuito de filtrado pasa-bajas no está conectado simplemente un circuito de conmutación, sino que está incorporado al circuito de conmutación, más específicamente, está incorporado entre la segunda parte lateral del primer diodo D1 y la primera parte lateral de la primera línea de transmisión conectada en derivación L1. En la Fig. 4 se muestra un circuito equivalente de la Fig. 3 cuando el circuito transmisor Tx está conectado eléctricamente a la antena ANT. En la Fig. 4, no se muestran los diodos D1 y D2 ya que los mismos se encuentran en un estado de alta conducción, baja impedancia, para formar cortocircuitos.
Tal como se observa a partir de la Fig. 4, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención es altamente simétrico en cuanto a la configuración del circuito. A saber, el circuito transmisor Tx, el condensador C11, la línea de transmisión L1 y el condensador C14 están posicionados simétricamente con la antena ANT, el condensador C13, la línea de transmisión L2 y el condensador C1(C12), respectivamente, con respecto al circuito de filtrado pasa-bajas central. Con una simetría de este tipo en la configuración del circuito, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención presenta un menor nivel de pérdida de inserción y unas características suficientes en una banda de frecuencias más ancha en comparación con los circuitos de conmutación convencionales.
En la Fig. 5 se muestra un circuito equivalente de otro circuito de conmutación compuesto 50 de la presente invención. El circuito equivalente de la Fig. 5 es similar al de la Fig. 3, aunque en el mismo el primer y el segundo diodos D1 y D2 están conectados inversamente con respecto al ánodo y al cátodo. Cuando el circuito transmisor Tx se conecta eléctricamente a la antena ANT, el circuito de la Fig. 5 presenta el mismo circuito equivalente que se muestra en la Fig. 4. A saber, el circuito de conmutación compuesto de la Fig. 5 presenta también una alta simetría en cuanto a la configuración del circuito, y presenta un menor nivel de pérdida de inserción y unas características suficientes en una banda de frecuencias más ancha en comparación con los circuitos de conmutación convencionales.
Se ha confirmado experimentalmente que el circuito equivalente de la Fig. 3 tiene un menor nivel de pérdida de inserción y un aislamiento satisfactorio en comparación con el circuito equivalente de la Fig. 5.
La Fig. 1 es una vista en perspectiva que muestra un dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención. En la Fig. 2 se muestran en perspectiva los sustratos que constituyen el cuerpo multicapa integral del dispositivo de conmutación compuesto de la Fig. 1, y en la Fig. 3 se muestra un circuito equivalente de un circuito de conmutación compuesto dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos del dispositivo de conmutación compuesto de las Figs. 1 y 2.
Tal como se observa a partir de la Fig. 1, el dispositivo de conmutación compuesto comprende un elemento semiconductor 1 que contiene dos diodos y un cuerpo multicapa integral 2 de una pluralidad de sustratos dieléctricos. En las Figs. 1 y 2, la parte que indica los electrodos se muestra mediante un rayado.
En la Fig. 3, el circuito de conmutación compuesto de la presente invención comprende los elementos contenidos en el interior del bloque 30 indicado mediante una línea de trazos, y los condensadores C11, C12, C13, C14 y las resistencias R1 y R2 en el exterior del bloque 30 son elementos externos los cuales se pueden formar sobre una placa de circuito en la cual se monta el dispositivo de conmutación compuesto, o se pueden disponer sobre los sustratos dieléctricos o la superficie superior del cuerpo multicapa integral.
Tal como se observa a partir de la Fig. 2, el dispositivo de conmutación compuesto de la forma de realización comprende un sustrato dieléctrico inferior 21, los sustratos interiores 22 a 28 y un sustrato dieléctrico superior 29.
En la superficie superior del sustrato dieléctrico inferior 21, se forma un primer electrodo de tierra 31, desde el cual se extienden unos electrodos conductores para conectarse a los electrodos externos T2, T7 y T8 en la superficie lateral del cuerpo multicapa integral 2.
En la superficie superior del sustrato dieléctrico 22 laminado sobre el sustrato dieléctrico inferior 21, se forma un electrodo capacitivo 41 en oposición al primer electrodo de tierra 31 para formar el condensador C1. Un electrodo conductor que se extiende desde el electrodo capacitivo 41 se conecta a un electrodo externo T4. Aunque en esta forma de realización el condensador C1 se forma en el interior del cuerpo multicapa integral, el mismo se puede formar externamente, por ejemplo, sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico superior 29 ó sobre la placa de circuito en la cual se monte el dispositivo de conmutación compuesto.
Sobre el sustrato dieléctrico 22, se laminan unos sustratos dieléctricos 23 y 24 que tienen electrodos que forman las líneas de transmisión. Un electrodo lineal en espiral 11 en el sustrato dieléctrico 23 está conectado a un electrodo lineal en espiral 12 en el sustrato dieléctrico 24 a través de un electrodo de agujero pasante 51 para formar la línea de transmisión L1. Dos electrodos conductores se extienden desde los electrodos lineales en espiral 11 y 12 para conectarse respectivamente a los electrodos externos T3 y T6. Un electrodo lineal en espiral 13 en el sustrato dieléctrico 23 está conectado a un electrodo lineal en espiral 14 en el sustrato dieléctrico 24 a través de un electrodo de agujero pasante 52 para formar la línea de transmisión L2. Dos electrodos conductores se extienden desde los electrodos lineales en espiral 13 y 14 para conectarse respectivamente a los electrodos externos T5 y T1.
Sobre la superficie superior de un sustrato dieléctrico 25 laminado sobre el sustrato dieléctrico 24, se ha formado un segundo electrodo de tierra 32. Tres electrodos conductores se extienden desde el segundo electrodo de tierra 32 para conectarse respectivamente a los electrodos externos T2, T7 y T8.
Sobre el sustrato dieléctrico 25, se ha laminado un sustrato dieléctrico 26. Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico 26, se forma un electrodo capacitivo 42 en oposición al segundo electrodo de tierra 32 para formar el condensador C2 del circuito de filtrado pasa-bajas. También sobre el sustrato dieléctrico 26 se forma un electrodo capacitivo 43 en oposición al segundo electrodo de tierra 32 para formar el condensador C3 del circuito de filtrado pasa-bajas. Desde el electrodo capacitivo 42, se extiende un electrodo conductor para conectarse al electrodo externo T3.
Sobre la superficie superior de un sustrato dieléctrico 27 se forma un electrodo capacitivo 44 en oposición al electrodo capacitivo 42 del sustrato dieléctrico 26 para formar el condensador C4 del circuito de filtrado pasa-bajas. El electrodo capacitivo 44 está conectado al electrodo capacitivo 43 en el sustrato dieléctrico 26 a través de un agujero pasante 53.
Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico 28, se forma un electrodo lineal en espiral 15 que forma la línea de transmisión L3 del circuito de filtrado pasa-bajas. Un extremo del electrodo lineal en espiral está conectado al electrodo externo T3, y el extremo opuesto está conectado a los electrodos capacitivos 44 y 43 a través de los agujeros pasantes 54 y 53.
Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico superior 29, se forman unos electrodos de configuración 16 y 17. El electrodo de configuración 16 está conectado al agujero pasante 54 sobre el sustrato dieléctrico 28 a través de un agujero pasante 55. El electrodo de configuración 17 sirve como marca. Sobre la superficie superior del sustrato dieléctrico superior 29, se forman adicionalmente unos electrodos de configuración para conectarse a los electrodos externos T1, T4, T5 y T6.
Se produjo un dispositivo de conmutación compuesto con la construcción anterior usando un material dieléctrico que tenía una constante dieléctrica de aproximadamente 8. Se consiguió que el material dieléctrico adoptara una forma de lámina (sustratos dieléctricos) por medio de una cuchilla raspadora y se formaron unos electrodos de configuración respectivos sobre las láminas dieléctricas mediante impresión por serigrafía de un material eléctricamente conductor tal como Ag. Los sustratos dieléctricos que tenían sobre ellos unos electrodos de configuración impresos se laminaron, se comprimieron y se cocieron para obtener un cuerpo multicapa integra. Después de la cocción, sobre la superficie lateral y la superficie superior del cuerpo multicapa integral se formaron los electrodos externos T1 a T8 y los electrodos de configuración. Finalmente, el elemento semiconductor 1 que contenía el primer y segundo diodos D1 y D2 se montó sobre la superficie superior del cuerpo multicapa integral de manera que el primer diodo D1 se conectó al electrodo de configuración 16 y los electrodos externos T5, y el segundo diodo D2 se conectó a los electrodos externos T1 y T4, respectivamente, para obtener un dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención de un tamaño que presentaba una longitud/anchura de 4,5 mm/3,2 mm y un grosor de 2 mm.
En el dispositivo de conmutación compuesto obtenido de esta manera, el circuito de filtrado pasa-bajas que comprende los condensadores C2, C3 y C4 y la línea de transmisión L3 se insertó entre la parte de ánodo del primer diodo D1 y la primera parte lateral de la línea de transmisión conectada en derivación L1.
El circuito transceptor de radiocomunicaciones de la Fig. 3 se obtiene conectando el circuito transmisor Tx al electrodo externo T3 a través del condensador C11, conectando la antena ANT al electrodo externo T5 a través del condensador C13, conectando el circuito receptor Rx al electrodo externo T1 a través del condensador 12, conectando el primer circuito de control CONT1 al electrodo externo T6 a través de la resistencia R1, conectando el condensador C14 al electrodo externo T6 para formar una vía a tierra, y conectando el segundo circuito de control CONT2 al electrodo externo T4 a través de la resistencia R2.
En la Fig. 6A se muestra la pérdida de inserción a una frecuencia de hasta 5,5 GHz medida sobre el dispositivo de conmutación compuesto obtenido anteriormente. En la Fig. 6B se muestra una representación ampliada de la banda de paso (0,5 a 1,5 GHz) de la Fig. 6A. Tal como puede observarse mejor a partir de la Fig. 6B, el dispositivo de conmutación compuesto presentaba una pérdida de inserción de un valor tan bajo como 1 dB ó menor en un intervalo de frecuencias de 900 \pm 250 MHz. De este modo, el circuito de conmutación compuesto de la forma de realización preferida de la presente invención es excelente en cuanto a la minimización de la pérdida de inserción. Además como se puede reducir las dimensiones geométricas, se requiere únicamente un pequeño espacio en el montaje del dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención sobre una placa de circuito, reduciendo de este modo el tamaño de un transceptor de radiocomunicaciones tal como un radioteléfono celular. El dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención se usa adecuadamente en un intervalo de frecuencias de aproximadamente 800 MHz hasta varios gigas de hercios.
En la forma de realización anterior, la primera y la segunda líneas de transmisión L1 y L2 se dispusieron entre el primer electrodo de tierra 31 y el segundo electrodo de tierra 32, y una parte sustancial del elemento de circuito de conmutación se dispone más cerca de la superficie de montaje que la parte del circuito de filtrado pasa-bajas. Con una construcción de este tipo, el segundo electrodo de tierra 32 que forma los condensadores conectados a tierra C2 y C3 con los electrodos capacitivos en oposición 42 y 43 puede tener una parte conductora, es decir, el electrodo externo T2 en la forma de realización anterior, para conectarse a un terminal de tierra de una placa de circuito sobre la cual se monte el dispositivo de conmutación compuesto. El electrodo externo T2 funciona como un electrodo lineal el cual se puede considerar como las bobinas L4 y L5, tal como se muestra por medio de un circuito equivalente de la Fig. 7, conectadas a los condensadores C2 y C3 en serie. En un circuito equivalente de este tipo, los armónicos se pueden reducir eficazmente por medio de la resonancia en serie entre el condensador C2 con la bobina L4, y el condensador C3 con la bobina L5.
Por esta razón, en la presente invención, es preferible que la primera y la segunda líneas de transmisión L1 y L2 estén dispuestas entre dos electrodos de tierra, y que el condensador del circuito de filtrado pasa-bajas se forme por medio del electrodo de tierra sobre las líneas de transmisión L1 y L2 y el electrodo capacitivo sobre y en oposición al electrodo de tierra. Con una construcción de este tipo, se puede obtener un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado de un alto rendimiento.
En la forma de realización anterior, las líneas de transmisión L1 y L2 se formaron mediante electrodos lineales en espiral impresos sobre dos sustratos dieléctricos sucesivamente adyacentes. Consiguiendo que los electrodos lineales sean en espiral y superponiéndose parcialmente sobre los electrodos lineales en los dos sustratos dieléctricos, se consiguió reducir la longitud de los electrodos lineales.
La Fig. 8 es una vista en perspectiva que muestra los sustratos respectivos que constituyen un cuerpo multicapa integral en el que se ha dispuesto otro circuito de conmutación compuesto 90 de la presente invención. En la Fig. 9 se muestra un circuito equivalente que incluye el circuito de conmutación compuesto 90. El circuito equivalente de la Fig. 9 es similar al de la Fig. 2, aunque en el mismo hay conectado un condensador adicional C5 entre el circuito de filtrado pasa-bajas y la primera línea de transmisión conectada en derivación L1 para formar una vía en derivación a tierra. El condensador C5 se forma por medio de un primer electrodo de tierra 31 sobre un sustrato dieléctrico 21 y un electrodo capacitivo 45 sobre un sustrato dieléctrico 22 el cual está conectado a un electrodo T3. Como el tercer al noveno sustratos a partir de la parte inferior de la Fig. 8 son respectivamente iguales que los sustratos dieléctricos 23 a 29 de la Fig. 2, en este caso y en la Fig. 8 se omite la descripción de estos sustratos.
Se produjo un dispositivo de conmutación compuesto que incluía el circuito de conmutación compuesto anterior de la misma manera que la descrita anteriormente, y se confirmó que el mismo presentaba el mismo rendimiento que en la forma de realización anterior.
Tal como se muestra en la Fig. 10, en lugar del condensador C5, se puede conectar un condensador adicional C6. Mediante la incorporación del condensador C5 mostrado en la Fig. 9 ó el condensador C6 mostrado en la Fig. 10, se puede reducir efectivamente la longitud lineal de la primera línea de transmisión L1.
Tal como se ha descrito anteriormente, según la presente invención, se puede obtener un circuito de conmutación compuesto de pequeñas dimensiones, en el cual se incorpora un circuito de filtrado pasa-bajas, con un alto rendimiento. Adicionalmente, se puede obtener un dispositivo de conmutación compuesto miniaturizado que incluya el circuito de conmutación compuesto en forma de un cuerpo multicapa integral disponiendo el circuito de conmutación compuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos. El circuito de conmutación compuesto y el dispositivo de conmutación compuesto de la presente invención presentan las características suficientes en un intervalo de frecuencias amplio, una pérdida de inserción mucho menor y un efecto considerable de supresión de armónicos.
Aunque la presente invención se ha descrito en relación con un circuito de conmutación compuesto operativo para conectar alternativamente el circuito transmisor a la antena y el circuito receptor a la antena, debe entenderse que los circuitos que se van a conmutar por parte del circuito de conmutación compuesto de la presente invención no se limitan específicamente a los circuitos mencionados.

Claims (9)

1. Circuito de conmutación compuesto (30) para conectar alternativa y eléctricamente un circuito transmisor (Tx) o un circuito receptor (Rx) a una antena (ANT), que comprende:
una primera vía que interconecta el circuito transmisor (Tx) y la antena (ANT), comprendiendo la primera vía un primer diodo (D1) y una primera línea de transmisión (L1), presentando el primer diodo (D1) un terminal conectado a la antena (ANT), presentando la primera línea de transmisión (L1) uno de sus extremos conectado a un nodo formado entre el circuito transmisor (Tx) y el otro terminal del primer diodo (D1) y su otro extremo conectado a tierra,
una segunda vía que interconecta el circuito receptor (Rx) y la antena (ANT), comprendiendo la segunda vía una segunda línea de transmisión (L2) y un segundo diodo (D2), estando conectado un extremo de la segunda línea de transmisión (L2) a la antena (ANT), presentando el segundo diodo (D2) uno de sus terminales conectado a un nodo formado entre el otro extremo de la segunda línea de transmisión (L2) y el circuito receptor (Rx) y su otro terminal conectado a tierra, y
un circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) dispuesto en la primera vía y que comprende una línea de transmisión (L3) y condensadores,
caracterizado porque el circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) interconecta dicho otro terminal del primer diodo (D1) y dicho un extremo de la primera línea de transmisión (L1).
2. Circuito según la reivindicación 1, en el que dicho un terminal del primer diodo es el ánodo del mismo, y dicho un terminal del segundo diodo es el ánodo del mismo.
3. Circuito según la reivindicación 1, en el que dicho un terminal del primer diodo es el cátodo del mismo, y dicho un terminal del segundo diodo es el cátodo del mismo.
4. Dispositivo de conmutación compuesto que comprende el circuito de conmutación compuesto (30) según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3 dispuesto sobre una pluralidad de sustratos dieléctricos de un cuerpo multicapa integral (2), en el que por lo menos la primera línea de transmisión (L1), la segunda línea de transmisión (L2) y una parte del circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) están dispuestas sobre por lo menos un sustrato dieléctrico interior (22 a 28) en el cuerpo multicapa integral (2).
5. Dispositivo según la reivindicación 4, en el que el primer y el segundo diodos (D1, D2) están dispuestos sobre una superficie superior del cuerpo multicapa integral (2).
6. Dispositivo según la reivindicación 4 ó 5, en el que la primera y la segunda líneas de transmisión (L1, L2) dispuestas sobre unos sustratos dieléctricos interiores (22 a 28) en el cuerpo multicapa integral (2) están posicionadas entre dos electrodos de tierra (31, 32) dispuestos sobre unos sustratos dieléctricos (21, 25) respectivos, y en el que se ha formado un condensador (C2) del circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) por medio del mencionado (32) de entre dichos dos electrodos de tierra (31, 32) entre los cuales se interponen la primera y segunda líneas de transmisión (L1, L2) y un electrodo (42) dispuesto sobre un sustrato dieléctrico (26) posicionado por encima de dicho electrodo superior de tierra (32) y en oposición al mismo.
7. Dispositivo según la reivindicación 6, en el que los electrodos (32, 42) que forman las placas de dicho condensador (C2) del circuito de filtrado pasa-bajas (LPF) están dispuesto respectivamente sobre unos sustratos dieléctricos (25, 26) posicionados sobre el lado superior de la primera y segunda líneas de transmisión (L1, L2) con respecto a una superficie de montaje del dispositivo de conmutación compuesto.
8. Dispositivo según cualquiera de las reivindicaciones 4 a 7, en el que la primera y la segunda líneas de transmisión (L1, L2) están formadas por unas configuraciones de electrodos (11 a 14) de forma espiral.
9. Dispositivo según la reivindicación 2 ó según cualquiera de las reivindicaciones 4 a 8 subordinadas a la reivindicación 2, en el que un circuito de control (CONT2) está conectado al ánodo del segundo diodo (D2) y se aplica un voltaje entre los ánodos del primer y segundo diodos (D1, D2).
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