ES2296298T3 - Medio de grabacion optica. - Google Patents
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Abstract
UN MEDIO DE GRABACION OPTICO INCLUYE UN SUSTRATO, UNA PRIMERA CAPA DE PROTECCION CONFORMADA SOBRE EL SUSTRATO, UNA CAPA DE GRABACION CONFORMADA SOBRE LA PRIMERA CAPA DE PROTECCION, UNA SEGUNDA CAPA DE PROTECCION CONFORMADA SOBRE LA CAPA DE GRABACION, Y UNA CAPA DE RADIACION DEL CALOR REFLEJADO CONFORMADA SOBRE LA SEGUNDA CAPA DE PROTECCION. LA CAPA DE GRABACION ES DEL TIPO DE CAMBIO DE FASE, EN EL QUE LA CAPA DE GRABACION SE CAMBIA DESDE UN ESTADO AMORFO A UN ESTADO CRISTALINO POR AUMENTO DE TEMPERATURA Y PROCESO DE ENFRIADO MEDIANTE LA PROYECCION DE UN HAZ DE LASER SOBRE LA CAPA DE GRABACION. LA CAPA DE GRABACION TIENE UNA PARTE DE INTERFAZ QUE HACE DE INTERFAZ CON UNA DE LAS CAPAS PRIMERA Y SEGUNDA DE PROTECCION. LA PARTE DE INTERFAZ TIENE UNA CONDUCTIVIDAD TERMICA INFERIOR QUE LA PARTE RESTANTE DE LA CAPA DE GRABACION.
Description
Medio de grabación óptica.
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La presente invención se refiere en general a
medios de grabación óptica, y más en particular a un medio de
grabación óptica del tipo de cambio de fase tal como un disco óptico
de tipo de cambio de fase, en el que se provoca un cambio óptico en
una sustancia de una capa de grabación proyectando un haz de luz
sobre la misma para grabar con ello información sobre la capa de
grabación y reproducir información a partir de la misma y para
borrar y reescribir información.
Se conoce bien un medio de grabación óptica de
tipo de cambio de fase que utiliza una transición entre una fase
cristalina y una fase amorfa o una transición entre una fase
cristalina y otra fase cristalina. Tal medio de grabación óptica de
tipo de cambio de fase es un medio en el que se puede grabar,
reproducir y reescribir información. Más en particular, se puede
sobrescribir información sobre el medio de grabación óptica de tipo
de cambio de fase mediante un único haz de luz, y el medio puede ser
accionado mediante un sistema de accionamiento óptico simple. Dado
que el medio de grabación óptica de tipo de cambio de fase tiene las
características anteriores, se aplica como medio de grabación en
los campos relacionados con la informática y campos de
vídeo/acústica. Como la sustancia de grabación se conocen las
siguientes: GeTe, GeTeSe, GeTeS, GeSeS, GeSeSb, GeAsSe, InTe, SeTe,
SeAs, Ge-Te-(Sn, Au, Pd), GeTeSeSb, GeTeSb,
Ag-In-Sb-Te.
La solicitud de patente japonesa no examinada
No. 57-208648 describe una capa de grabación
embebida en una sustancia madre de SiO_{2} o similares con el fin
de suprimir un cambio no reversible de la sustancia de grabación.
En particular, la sustancia de grabación de
Ag-In-Sb-Te tiene
como característica que es altamente sensible y el contorno de una
porción amorfa es definido, y por lo tanto se aplica a la grabación
de marca-borde (véanse las publicaciones de patente
japonesas no examinadas Nos. 2-37466,
2-171325, 2-415581 y
4-141485).
Se conoce una estructura multicapa que incluye
la capa de grabación hecha de la sustancia de grabación anterior.
Una estructura multicapa de este tipo incluye, además de la capa de
grabación, una capa de reflexión, una primera capa de protección y
una segunda capa de protección. Hoy en día, se requiere para el
medio de grabación multicapa que el rendimiento de grabación
repetido esté mejorado y que el rendimiento de grabación sea
compatible con otros rendimientos tales como el grado de modulación
y tasa de reflexión dada.
En lo que respecta al requerimiento anterior,
los siguientes documentos muestran que se suprime un flujo de la
capa de grabación y que se puede mejorar el rendimiento de grabación
repetido añadiendo nitrógeno (N) o similares a la capa de
grabación: publicaciones de patente japonesas no examinadas Nos.
4-1136, 4-10980,
4-10979, 4-52188 y
4-52189.
Un medio de grabación óptica aplicado
específicamente a un sistema de grabación óptica menos caro que
tiene un a velocidad lineal de grabación relativamente lenta o
usado como un medio de grabación óptica (CD-RW:
disco compacto reescribible, Compact Disk Rewritable) que
sea compatible en su reproducción con el CD (disco compacto,
Compact Disk), tiene un número limitado de veces en las que
la información se puede grabar repetidamente, normalmente de
cientos a millones de veces. Esto se debe a que la capa de grabación
ha fluido o una película de la estructura multicapa se ha
desprendido debido a un choque térmico provocado en el momento de
proyectar el haz láser sobre la misma o debido a que se ha
degradado un metal usado para la capa de reflexión. Tal número
limitado de veces que se puede grabar la información repetidamente
no es adecuado para una aplicación en la que se lleva a cabo
frecuentemente la reescritura, por ejemplo, dispositivos periféricos
del sistema informático. Además se desea que se mejore la
sensibilidad de grabación con el fin de reducir el coste de
producción.
El documento JP020009031 (resumen de patente
japonesa) describe un medio de grabación óptica. Los contenidos de
la carga, nitrógeno y oxígeno se aumentan en el límite de la
película de grabación para suprimir la generación de proyecciones
granulares. En particular se mejora la resistencia a la
oxidación.
El documento JP01290135 (resumen de patente
japonesa y e índice Derwent) describe un medio de grabación óptica.
Un contenido en nitrógeno de la película de grabación, película fina
de GeTe es 5%. El contenido en nitrógeno en el lado de la capa de
protección es 7%. El objeto es prevenir la oxidación.
El objeto de la invención es mejorar la
sensibilidad de grabación. El objeto se soluciona mediante el tema
de la reivindicación 1. Las reivindicaciones subordinadas se dirigen
a formas de realización ventajosas.
Un objeto más específico de la presente
invención es proporcionar un medio de grabación óptica que sea
altamente sensible a una velocidad lineal de grabación tan baja
como 10 m/s o menos.
\global\parskip1.000000\baselineskip
Otro objeto de la presente invención es
proporcionar un medio de grabación óptica que sea altamente sensible
y tenga rendimiento de grabación repetido mejorado a una velocidad
lineal de grabación relativamente baja.
Un objeto adicional de la presente invención es
proporcionar un medio de grabación óptica que tenga rendimiento
óptico mejorado, en particular una mejora en el grado de modulación
y fiabilidad de la reproducción repetida, viéndose el rendimiento
óptico poco degradado mientras el medio se conserva a largo
plazo.
Los objetos anteriores de la presente invención
se consiguen mediante un medio de grabación óptica que comprende:
un sustrato, una primera capa de protección formada sobre el
sustrato, una capa de grabación formada sobre la primera capa de
protección, una segunda capa de protección formada sobre la capa de
grabación y una capa de reflexión que irradia el calor formada
sobre la segunda capa de protección, siendo la capa de grabación de
tipo de cambio de fase en el que la capa de grabación cambia de un
estado amorfo a un estado cristalino por medio de un proceso de
aumento de la temperatura y enfriamiento proyectando un haz láser
sobre la capa de grabación, teniendo la capa de grabación una
porción de interfaz con una de las primera y segunda capas de
protección teniendo la porción de interfaz una conductividad térmica
menor que la de una porción restante de la capa de grabación.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal forma que la capa de grabación comprenda otra
porción de interfaz con la otra de la primera y segunda capas de
protección, teniendo la otra porción de interfaz anterior una
conductividad térmica menor que la de la porción restante de la capa
de grabación.
Un medio de grabación óptica que comprende: un
sustrato, una primera capa de protección formada sobre el sustrato,
una capa de grabación formada sobre la primera capa de protección,
una segunda capa de protección formada sobre la capa de grabación y
una capa de reflexión que irradia el calor formada sobre la segunda
capa de protección, siendo la capa de grabación de tipo de cambio
de fase en el que la capa de grabación cambia de un estado amorfo a
un estado cristalino por medio de un proceso de aumento de la
temperatura y enfriamiento proyectando un haz láser sobre la capa
de grabación, conteniendo la capa de grabación Ag, In, Sb y Te y al
menos un elemento aditivo que sirve para cambiar una conductividad
térmica de la capa de grabación, variando una densidad del al menos
un elemento aditivo en una dirección del espesor de la capa de
grabación.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal forma que el al menos un elemento aditivo sea
nitrógeno.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal manera que: la capa de grabación tenga una
porción interna distinta a las porciones de interfaz haciendo
contacto con la primera y segunda capas de protección y que la
densidad de nitrógeno contenido en la porción interna sea igual o
menor que 2 a 10%.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal manera que el al menos un elemento aditivo sea
oxígeno.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal manera que la capa de grabación incluya al menos
un elemento aditivo adicional que es uno de Si, Al, Ca y Mg.
Los anteriores objetos de la presente invención
también se consiguen mediante un medio de grabación óptica que
comprende: un sustrato, una primera capa de protección formada sobre
el sustrato, una capa de grabación formada sobre la primera capa de
protección, una segunda capa de protección formada sobre la capa de
grabación y una capa de reflexión que irradia el calor formada
sobre la segunda capa de protección, siendo la capa de grabación de
tipo de cambio de fase en el que la capa de grabación cambia de un
estado amorfo a un estado cristalino por medio de un proceso de
aumento de la temperatura y enfriamiento proyectando un haz láser
sobre la capa de grabación, teniendo la capa de grabación una
variación en la temperatura de cristalización en una dirección del
espesor de la misma.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal manera que: la capa de grabación tenga al menos
una porción de interfaz haciendo contacto con una de las primera y
segunda capas de protección y la al menos una porción de interfaz
tenga una temperatura de cristalización superior a la de una porción
restante de la capa de grabación.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal manera que: la capa de grabación incluya una
sustancia de cambio de fase que contiene Ag, In, Sb y Te y
nitrógeno que sirve para provocar una variación en la temperatura
de cristalización y una densidad de nitrógeno en la capa de
grabación varía en una dirección del espesor de la misma de forma
que la temperatura de cristalización varía en la dirección del
espesor.
Los anteriores objetos de la presente invención
también se consiguen mediante un medio de grabación óptica que
comprende: un sustrato, una primera capa de protección formada sobre
el sustrato, una capa de grabación formada sobre la primera capa de
protección, una segunda capa de protección formada sobre la capa de
grabación y una capa de reflexión que irradia el calor formada
sobre la segunda capa de protección, siendo la capa de grabación de
tipo de cambio de fase en el que la capa de grabación cambia de un
estado amorfo a un estado cristalino por medio de un proceso de
aumento de la temperatura y enfriamiento proyectando un haz láser
sobre la capa de grabación, variando un estado de cristalización de
la capa de grabación en una dirección del espesor de la capa de
grabación después de una inicialización.
El medio de grabación óptica puede estar
configurado de tal manera que la capa de grabación tenga una porción
de interfaz que no está cristalizada así como una porción restante
de la capa de grabación.
Otros objetos, características y ventajas de la
presente invención se harán evidentes de la siguiente descripción
detallada cuando se lea junto con los dibujos acompañantes, en los
que:
la fig. 1 es una vista en sección transversal de
un medio de grabación óptica según una primera forma de realización
de la presente invención;
la fig. 2 es una vista en sección transversal de
otro medio de grabación óptica según la primera forma de
realización de la presente invención
la fig. 2A es una vista en sección transversal
de una variación de la estructura mostrada en la fig. 2;
las figs. 3A, 3B y 3C son respectivamente vistas
en sección transversal de otros medios de grabación óptica según la
primera forma de realización de la presente invención;
las figs. 4A y 4B son gráficos que muestran
ventajas del medio de grabación óptica mostrado en la fig. 3C;
la fig. 5 es una vista en sección transversal de
otro medio de grabación óptica más según la primera forma de
realización de la presente invención;
la fig. 6 es una vista en sección transversal de
otro medio de grabación óptica según la primera forma de
realización de la presente invención;
la fig. 7 es una vista en sección transversal de
un medio de grabación óptica según una segunda forma de realización
de la presente invención;
la fig. 8 es una vista en sección transversal de
otro medio de grabación óptica según la segunda forma de
realización de la presente invención;
la fig. 9 es una vista en sección transversal de
otro medio de grabación óptica más según la segunda forma de
realización de la presente invención; y
la fig. 10 es un gráfico que muestra ventajas de
la segunda forma de realización de la presente invención.
Se dará en primer lugar una descripción de un
medio de grabación óptica según una primera forma de realización de
la presente invención.
Una primera formación de la primera forma de
realización de la presente invención tiene una estructura multicapa
en la que una primera capa de protección, una capa de grabación, una
segunda capa de protección y una capa de reflexión que irradia el
calor se apilan sobre un sustrato que tiene hendiduras de guía para
ello. El sustrato está hecho de un miembro óptimamente transparente
formado de una resina de policarbonato o similares, o vidrio, y
tiene hendiduras para seguir la servopista. Las primera y segunda
capas de protección están hechas de un miembro dieléctrico conocido
tal como ZnS, SiO_{2}, AlN a un índice de refracción dado. La capa
de reflexión que irradia el calor está hecha de un metal o
semiconductor tal como Al, Au, Ag, Cu, Pd, Pt, Fe, Cr, Ni, Si o Ge.
Se puede usar una aleación tal como una aleación de Al para formar
la capa de reflexión que irradia el calor. Una pequeña cantidad de
un elemento aditivo puede estar contenida en la aleación. Por
ejemplo, se puede añadir Ti o N a la aleación de Al. La capa de
grabación está formada de un material de grabación de cambio de
fase tal como GeTe, GeTeSe, GeTeS, GeSeS, GeSeSb, GeAsSe, InTe,
SeTe, SeAs, Ge-Te-(Sn, Au, Pd), GeTeSeSb, GeTeSb,
Ag-In-Sb-Te.
La capa de grabación tiene una primera porción
que está haciendo contacto con la primera capa de protección y una
segunda porción que está haciendo contacto con la segunda capa de
protección. Bien la primera o bien la segunda porción de la capa de
grabación o ambas tienen una conductividad térmica menor que la de
la porción restante de la capa de grabación. En otras palabras, la
conductividad térmica cambia en la dirección del espesor de la capa
de grabación. Esto se realiza 1) cambiando el material de grabación
de cambio de fase o su composición en la dirección del espesor, 2)
formando diferentes formaciones (en masa y película fina, por
ejemplo) en la dirección del espesor cambiando el estado de
formación de la capa de grabación, 3) usando diferentes materiales
dieléctricos en la dirección del espesor cuando se distribuye la
capa de grabación en el cuerpo dieléctrico (capa de grabación
granular) o 4) cambiando la relación de volumen de la capa de
grabación en la dirección del espesor.
En una segunda formación de la primera forma de
realización de la presente invención, la capa de grabación está
hecha de Ag-In-Sb-Te
y a ella se añaden un único o una pluralidad de elementos aditivos
que sirven para cambiar la conductividad térmica de la capa de
grabación. Se puede añadir una pluralidad de elementos aditivos en
formación de compuesto o solución sólida. La densidad del elemento o
elementos aditivos cambia en la dirección del espesor de la capa de
grabación. Más en particular, la densidad de las porciones de
interfaz de la capa de grabación es mayor que la de la porción
restante de la misma. Se puede seleccionar un tipo arbitrario del
elemento o elementos aditivos y la densidad de los mismos, a
condición de que el rendimiento óptico o de cambio de fase de la
capa de grabación sea tolerable. El espesor de la capa de grabación
es de 8 a 200 nm. Las porciones de interfaz de la capa de grabación
son al menos de 1 nm de longitud aunque las longitudes de las
porciones de interfaz dependen de la longitud de la capa de
grabación.
Una tercera formación de la primera forma de
realización de la presente invención se caracteriza porque se usa
nitrógeno como el elemento aditivo en la segunda formación.
Una cuarta formación de la primera forma de
realización de la presente invención se caracteriza porque la
densidad de la porción de la capa de grabación distinta a la de la
porción haciendo contacto con la primera capa de protección y la
porción haciendo contacto con la segunda capa de protección se
encuentra en un intervalo de 2 a 10%.
Una quinta formación de la primera forma de
realización de la presente invención se caracteriza porque se añade
oxígeno al elemento aditivo.
Una sexta formación de la primera forma de
realización de la presente invención se caracteriza porque se añade
Si, Al, Ca o Mg o una combinación de los mismos además del elemento
aditivo de oxígeno.
Según la primera formación de la primera forma
de realización de la presente invención, las porciones de interfaz
de la capa de grabación tienen una baja conductividad térmica y se
pueden fundir con una baja potencia de láser. Por lo tanto, la
sensibilidad de grabación se puede mejorar. Dado que la potencia del
láser es relativamente baja, las temperaturas de la primera y
segunda capas de protección son bajas, y la graduación de
temperatura de la dirección del espesor de la capa de grabación se
puede suprimir. Por lo tanto, el choque térmico aplicado a las
capas de protección se puede relajar y se puede mejorar el
rendimiento de grabación repetitivo. Además, la segunda capa de
protección se puede hacer más delgada, y de esta forma se puede
suprimir el desprendimiento en la interfaz con la segunda capa de
protección.
Según la segunda formación de la primera forma
de realización de la presente invención, el elemento o elementos
aditivos se usan para cambiar la conductividad térmica a lo largo
del espesor de la capa de grabación de
Ag-In-Sb-Te. De
esta forma es posible cambiar la conductividad térmica sin una gran
influencia sobre el rendimiento óptico. Aunque el mecanismo por el
que se cambia la conductividad térmica no se ha analizado
completamente, se considera que el elemento o elementos aditivos
sirven como un miembro de relleno para cambiar la conductividad
térmica y sirven para cambiar el área de contacto con la capa o
capas de protección debido a un cambio en la conductividad térmica
provocado en la porción o porciones de interfaz (por ejemplo, la
conductividad térmica en el campo de las partículas) o un cambio en
el rendimiento de contacto y fluidez. Puede existir la dificultad de
que la conductividad térmica de las porciones de interfaz no se
pueda medir directamente. No obstante, s el rendimiento del disco
óptico que resulta del cambio en la conductividad térmica de las
porciones de interfaz, tal como una mejora en la sensibilidad de
grabación, se puede reconocer añadiendo el elemento o elementos
aditivos, el disco óptico anterior corresponde a la presente
invención. Debe tenerse en cuenta que el rendimiento de
plastificación depende de los materiales de la primera y segunda
capas de protección.
Según la tercera formación de la primera forma
de realización de la presente invención, se añade nitrógeno a la
capa de grabación de
Ag-In-Sb-Te. La
densidad de nitrógeno en las porciones haciendo contacto con las
capas de protección es mayor que la porción interna restante de la
capa de grabación. En el sistema de
Ag-In-Sb-Te-N,
el esparcimiento de nitrógeno en la dirección del espesor de la
capa de grabación debido a la cristalización inicial no es
conspicuo y el continúa el efecto que mantiene la conductividad
térmica en las porciones de interfaz de la capa de grabación a
niveles bajos después de un elevado número de veces que se ha
grabado repetidamente la información. Además, se puede obtener una
ventaja adicional en la que el elemento o elementos aditivos sirven
para hacer las partículas cristalinas de la capa de grabación finas.
De esta forma, es posible suprimir el crecimiento de las partículas
cristalinas debido a la grabación repetitiva y un flujo de la capa
de grabación como se describe en las publicaciones de patente
japonesa no examinadas Nº 4-11336,
4-10980, 4-10979,
4-52188 y 4-52188.
Según la cuarta formación de la primera forma de
realización de la presente invención, la densidad de nitrógeno en
la porción de la capa de grabación distinta a la porción o porciones
de interfaz haciendo contacto con la primera y/o segunda capas de
protección está en el intervalo de 2 a 10%. Esta área de composición
sirve para suprimir la cristalización provocada por la luz de
reproducción. Las porciones de interfaz de la capa de grabación
tienen una densidad de nitrógeno mayor que el intervalo
anterior.
Según la quinta formación de la primera forma de
realización de la presente invención, se usa oxígeno como el
elemento aditivo. Se pueden obtener las mismas ventajas que cuando
se usa nitrógeno. En particular es posible conservar de manera
estable el medio de grabación a largo plazo.
Según la sexta formación de la primera forma de
realización de la presente invención, se añade Si, Al, Ca o Mg o
una combinación de los mismos además de oxígeno. De esta forma es
posible estabilizar la estructura de la capa de grabación respecto
a la grabación repetitiva.
Ahora se dará una descripción detallada de la
primera forma de realización de la presente invención.
La fig. 1 es una vista en sección transversal de
un medio de grabación óptica según la primera forma de realización
de la presente invención. Un sustrato 1 está hecho de un
policarbonato y tiene hendiduras (no mostradas) para seguir la
servopista. Una primera capa de protección 2 está formada sobre el
sustrato 1, y está hecha de ZnS (80% en moles) SiO_{2} (20% en
moles). Una capa de grabación inferior 11 está formada sobre la
primera capa de protección 2 y está hecha de
Ag-In-Sb-Te (10 : 5
: 55 : 30%). Una capa de grabación principal 12 está formada sobre
la capa de grabación inferior 11 y está hecha de
Ag-In-Sb-Te (10 : 15
: 45 : 30%). La capa de grabación inferior 11 y la capa de
grabación principal 12 forman una capa de grabación 10 que tiene un
cambio reversible entre la fase cristalina y la fase amorfa. Una
segunda capa de protección 3 hecha de, por ejemplo, AlN, está
formada sobre la capa de grabación principal 1 y una capa de
reflexión que irradia el calor 4 hecha de Al-Si
está formada sobre la segunda capa de protección 3. Una capa de
protección del entorno se puede añadir a la capa 4 en caso de que
sea necesario. La capa de grabación inferior está haciendo contacto
con la primera capa de protección 2 y tiene una conductividad
térmica menor que la de la capa de grabación principal 12.
Los espesores de las capas son como sigue. La
primera capa de protección 2 tiene un espesor de
30-300 nm, y está optimizada teniendo en
consideración una interferencia óptica. Los espesores de la capa de
reflexión que irradia el calor n4, la segunda capa de protección 3
y la capa de grabación inferior 11 se seleccionan para que
corresponda con una velocidad lineal de grabación dada y obtengan
una velocidad de enfriamiento apropiada de la capa de grabación
principal 12. El espesor de la capa de grabación principal 12 se
selecciona para obtener un grado de modulación apropiado. Por
ejemplo, cuando la velocidad lineal de grabación es 2,8 m/s y la
longitud de onda de grabación es
780 nm, las capas 4, 3, 11 y 12 tienen respectivamente un espesor de 100 nm, 40 nm, 14 nm y 20 nm.
780 nm, las capas 4, 3, 11 y 12 tienen respectivamente un espesor de 100 nm, 40 nm, 14 nm y 20 nm.
La fig. 2 es una visa en sección transversal de
un medio de grabación óptica que tiene la segunda formación de la
primera forma de realización de la presente invención. En la fig. 2,
las partes que tienen los mismos nombres que los que se muestran en
la fig. 1 tienen los mismos números de referencia. La primera capa
de protección 2 formada sobre el sustrato 1 está formada de ZnS (80%
en moles) SiO_{2} (20% en moles). La capa de grabación inferior 11
está formada sobre la primera capa de protección 2 y está hecha de
Ag-In-Sb-Te /15 : 10
: 45 : 30%). La capa de grabación principal 12 está formada sobre la
capa de grabación inferior y está hecha de
Ag-In-Sb-Te (15 : 10
: 45 : 30%). Una capa de grabación superior 13 está firmada sobre la
capa de grabación principal 12 y está hecha de
Ag-In-Sb-Te
(15 : 10 : 45 : 30%). Las capas de grabación 11, 12 y 13 forman una capa de grabación en su conjunto. Cuando se añade Au a la capa de grabación 10 desde un poco hasta 30%, la conductividad térmica de la misma puede reducirse. Además, la segunda capa de protección 3 está formada sobre la capa de grabación superior 13, sobre la cual está formada la capa de reflexión que irradia el calor de Al-Si 4. Puede estar formada una capa de protección del entorno 5 sobre la capa 4, en caso de que sea necesario, como se muestra en la fig. 2A.
(15 : 10 : 45 : 30%). Las capas de grabación 11, 12 y 13 forman una capa de grabación en su conjunto. Cuando se añade Au a la capa de grabación 10 desde un poco hasta 30%, la conductividad térmica de la misma puede reducirse. Además, la segunda capa de protección 3 está formada sobre la capa de grabación superior 13, sobre la cual está formada la capa de reflexión que irradia el calor de Al-Si 4. Puede estar formada una capa de protección del entorno 5 sobre la capa 4, en caso de que sea necesario, como se muestra en la fig. 2A.
Los espesores de las capas mostradas en la fig.
2 son como sigue. La primera capa de protección 2 tiene un espesor
de 30-300 nm, y está optimizada teniendo en
consideración una interferencia óptica. Los espesores de la capa de
reflexión que irradia el calor 4, la segunda capa de protección 3,
la capa de grabación inferior 11 y la capa de grabación superior 13
se seleccionan de tal forma que correspondan con una velocidad
lineal de grabación dada y se obtenga una tasa de enfriamiento
apropiada de la capa de grabación principal 12. El espesor de la
capa de grabación principal 12 se selecciona para obtener un grado
de modulación apropiado. Por ejemplo, cuando la velocidad lineal de
grabación es de 2,8 m/s y la longitud de onda de grabación es de
780 nm, las capas 4, 3, 11, 12 y 13 tienen respectivamente un
espesor de 100 nm, 40 nm, 5 nm, 20 nm y 5 nm. Según la segunda
formación del medio de grabación óptica mostrado en la fig. 2, la
conductividad térmica de la capa de grabación principal 12 se
aumenta de forma apropiada para estar apropiadamente equilibrada con
las porciones de interfaz (capas 11 y 13). De esta forma, la capa
de grabación principal 12 puede ser tan buena óptimamente como
aproximadamente 20 nm, de forma que se puede obtener una tasa de
enfriamiento apropiada.
La fig. 3A es una vista en sección transversal
de un medio de grabación óptica que tiene la tercera formación de
la primera forma de realización de la presente invención. En la fig.
3A, las partes que tienen los mismos nombres que en las figuras que
se han descrito previamente tienen los mismos números de referencia.
La primera capa de protección 2 formada sobre el sustrato 1 que
corresponde con el CD-RW está formada de ZnS (80% en
moles) SiO_{2} (20% en moles). La capa de grabación inferior 11,
la capa de grabación principal 12 y la tercera capa de grabación 13
forman la capa de grabación 10. Se añade nitrógeno (N) a la capa de
grabación inferior 11 y a la capa de grabación superior 13. Formada
la capa de grabación superior 13 está la segunda capa de protección
3, la capa de reflexión que irradia el calor de
Al-Si 4 y una capa de protección del entorno 5,
apiladas en ese orden. Las capas 2, 4, 3, 11, 12 y 13 tienen
respectivamente un espesor de 200 nm, 100 nm, 30 nm, 2 nm, 15 nm y
2 nm.
Las capas anteriores pueden formarse mediante un
procedimiento de aplicación por vaporización en una atmósfera
gaseosa de Ar. Cuando se hace crecer la capa de grabación inferior
11 y la capa de grabación superior 13, se introduce nitrógeno
gaseoso de forma que se añade nitrógeno a las capas 11 y 13. Este
nitrógeno gaseoso se introduce a 4 sccm cuando se está haciendo
crecer las capas 11 y 13 y la densidad de nitrógeno en cada una de
las capas 11 y 13 es aproximadamente de 10%.
Las figs. 3B y 3C son, respectivamente, vistas
en sección transversal de variaciones de la estructura mostrada en
la fig. 3A. La estructura mostrada en la fig. 3B no tiene la capa de
grabación inferior 11 y el espesor de la capa de grabación
principal 12 se ha cambiado a un espesor de 17 nm. Por lo tanto, la
capa de grabación 10 sólo tiene la porción de interfaz (la capa de
grabación superior 13) que está haciendo contacto con la segunda
capa de protección 3 y tiene una densidad mayor que la capa de
grabación principal 12. La estructura mostrada en la fig. 3C no
tiene la capa de grabación superior 13 y el espesor de la capa de
grabación principal se ha cambiado a un espesor de 17 nm. Por lo
tanto, la capa de grabación 10 tiene sólo la porción de interfaz
(la capa de grabación inferior 11) que está haciendo contacto con la
primera capa de protección 3 y tiene una densidad mayor que la capa
de grabación principal 12. Debe tenerse en cuenta que porciones de
rebaje en cada capa forman hendiduras para seguir la
servopista.
La fig. 4A es un gráfico del rendimiento de
fluctuación 3T del medio de grabación óptica CD-RW
que tiene las estructuras mostradas en las figs. 3A, 3B y 3C
después de ser sometido a grabación repetitiva (la sobreescritura
se lleva a cabo 1000 veces). La fig. 4B es un gráfico del grado de
modulación (modulación 11T) característico de los medios de
grabación óptica CD-RW que tienen las estructuras
mostradas en las figs. 3A, 3B y 3C. La señal de grabación usada es
un patrón aleatorio EFM (8,64 MHz) y la velocidad lineal de
grabación/reproducción es de 2,8 m/s. En las figs. 4A y 4B se
muestra una muestra comparativa que no tiene las capas de grabación
superior e inferior 11 y 13. Exceptuando lo anterior, la muestra
comparativa se produce en las mismas condiciones que las
estructuras mostradas en las figs. 3A, 3B y 3C. A partir del gráfico
de la fig. 4B, se puede observar que el grado de modulación de cada
una de las estructuras mostradas en las figs. 3A, 3B y 3C obtenido a
la velocidad lineal de grabación de 2,8 m/s se ha mejorado en gran
medida en comparación con la muestra comparativa que no tiene las
capas 11 y 13. Es decir, se puede usar una potencia de grabación
reducida para obtener el mismo grado de modulación que se obtiene
mediante la muestra comparativa (técnica anterior). En otras
palabras, las estructuras que se muestran en las figs. 3A, 3B y 3C
tienen una sensibilidad mayor que la de la muestra comparativa. A
partir de la fig. 4A se puede observar que los rendimientos de
fluctuación de las estructuras mostradas en las figs. 3A, 3B y 3C
se han mejorado en gran medida en comparación con el rendimiento de
fluctuación de la muestra comparativa. Es decir, se ha mejorado el
rendimiento de grabación repetitivo.
Cuando la densidad de nitrógeno añadido a la
capa de grabación inferior y/o superior 11 y/o 13 es igual o mayor
que 15%, se puede obtener un cambio conspicuo en la conductividad
térmica de la porción (porciones) de interfaz de la capa de
grabación 10. De esta forma se mejora el perfil de enfriamiento de
la capa de grabación 10 y se mejora el grado de modulación. Además,
como un efecto adicional debido a los elemento(s) aditivos,
se puede suprimir la cristalización de la porción de interfaz en el
proceso normal de grabación y eliminación. Como resultado se pueden
estabilizar un daño de las porciones de interfaz debido al ciclo de
cristalización/amorfo y la formación de las porciones de interfaz.
De esta forma se puede suprimir un flujo y desprendimiento de la
capa de grabación a lo largo de las interfaces y se mejora en gran
medida el rendimiento de grabación.
En la tercera formación de la primera forma de
realización de la presente invención, la densidad de nitrógeno se
puede cambiar gradualmente en la dirección del espesor de la capa de
grabación 10.
La fig. 5 es una vista en sección transversal de
un medio de grabación óptica que tiene la cuarta formación de la
primera forma de realización de la presente invención. En la fig. 5,
las partes que tienen los mismos nombres que los que se muestran en
las figuras descritas previamente tienen los mismos números de
referencia. La primera capa de protección 2 hecha de ZnS (60% en
moles), ZnO (30% en moles) SiO_{2} (10% en moles) está formada
sobre el sustrato de policarbonato 1. La capa de grabación principal
12 y la capa de grabación superior 13 están apiladas sobre la
primera capa de protección 2 en ese orden. La densidad de nitrógeno
en la capa de grabación principal 12 es menor que la de la capa de
grabación superior 13. pero es igual o mayor que 2%. Además, la
segunda capa de protección 3 hecha de AlN, la capa de reflexión que
irradia el calor 4 hecha de Al-Ti y la capa de
protección del entorno 5 están apiladas en este orden. La
cristalización de
Ag-In-Sb-Te en la
porción de la capa de grabación principal 12 que tiene una densidad
de nitrógeno mayor que 2% se suprime y se puede suprimir de forma
eficaz una degradación del estado de grabación causado por proyectar
el haz en el momento de la grabación. Si la densidad de nitrógeno
es excesiva, será difícil eliminar (cristalizar) información en el
momento de la grabación. En vista de la cristalización inicial, es
preferible que la capa de grabación principal 12 se pueda
cristalizar fácilmente. También es preferible que la densidad de
nitrógeno sea baja para mejorar la productividad de la
inicialización del medio. Teniendo en cuenta lo anterior, la
densidad de nitrógeno adecuada entra en el intervalo de 2% a 10%.
La adición de nitrógeno a la capa de grabación principal 12 produce
un cambio apropiado en la conductividad térmica de la misma.
La fig. 6 es una vista en sección transversal de
un medio de grabación óptica que tiene la quinta formación de la
primera forma de realización de la presente invención. En la fig. 6,
las partes que tienen los mismos nombres que los que se muestran en
las figuras descritas previamente tienen los mismos números de
referencia. La primera capa de protección 2 hecha de ZnS (80% en
moles) SiO_{2} (20% en moles) está formada sobre el sustrato de
policarbonato 1 que tiene las hendiduras de guía (no mostradas). La
capa de grabación principal 12 y la capa de grabación superior 13
que forman la capa de grabación 10 están apiladas sobre la primera
capa de protección 2 en ese orden. Se añade oxígeno a la capa de
grabación principal 12 y a la capa de grabación superior 13. La
segunda capa de protección 3 hecha de AlN, la capa de reflexión que
irradia el calor 4 hecha de Al-Ti y la capa de
protección del entorno 5 están apiladas sobre la capa de grabación
superior 13 en ese orden. Debido al efecto del oxígeno en la capa
de grabación superior 11 se puede disminuir la conductividad
térmica. A pesar de que el mecanismo del funcionamiento del oxígeno
no se entiende completamente, el estado de grabación se puede
estabilizar a largo plazo debido a la función del oxígeno. El hecho
de añadir Si. Al, Ca, Mg o una combinación de los mismos sirve para
estabilizar la formación de la capa de grabación 10 en la dirección
del espesor de la misma cuando se lleva a cabo grabación
repetitiva.
\newpage
Ahora se dará una descripción de un medio de
grabación óptica según una segunda forma de realización de la
presente invención. La segunda forma de realización de la presente
invención se caracteriza porque la temperatura de cristalización de
la capa de grabación cambia en la dirección del espesor de la capa
de grabación. El término "temperatura de cristalización" de la
capa de grabación incluye una temperatura de cristalización a la que
se produce la cristalización inicial y una temperatura de
cristalización a la que se cambia una fase amorfa formada por
enfriamiento rápido de la capa de grabación después de haberse
completado la cristalización inicial a la fase cristalina. La
temperatura de cristalización de la capa de grabación se puede
cambiar mediante la composición de la sustancia de cambio de fase
de la misma, una variación en los elemento(s) aditivos en la
dirección del espesor o una variación en la formación de la capa de
grabación tal como el tamaño de partículas en la dirección del
espesor. Se puede realizar un cambio en la temperatura de
cristalización de la capa de grabación apilando capas de grabación
que tengan temperaturas de cristalización diferentes o empleando una
estructura en la que la temperatura de cristalización cambie
gradualmente en la dirección del espesor.
Según una primera formación de la segunda forma
de realización de la presente invención, la variación en la
temperatura de cristalización se hace corresponder con una
distribución de temperatura provocada cuando el haz láser es
proyectado sobre la capa de grabación. De esta forma se puede
cristalizar la capa de grabación de forma eficiente y eficaz cuando
se sobrescriba. Además, la capa de grabación se cristaliza en
diferentes momentos en la dirección del espesor y se puede prevenir
el crecimiento de partículas cristalinas grandes. Como resultado se
puede formar una marca en la que el contorno es definido y se puede
mejorar el rendimiento de sobreescritura. Cuando se tiene en cuanta
el perfil de temperaturas en la dirección del espesor de la capa de
grabación, se dispone una porción de la capa de grabación que
alcanza la temperatura más alta para que tenga la temperatura de
cristalización más elevada. De esta forma, es posible prevenir que
la fase amorfa cambie a la fase cristalina cuando se proyecte la
luz de reproducción sobre la misma. Cuando se tienen en cuenta el
perfil de temperaturas provocado por la luz de eliminación y la tasa
de enfriamiento, el perfil de la temperatura de cristalización de
la capa de grabación se puede disponer para obtener buen rendimiento
de eliminación en la dirección paralela a la superficie de la capa
de grabación.
Según una segunda formación de la segunda forma
de realización de la presente invención, la temperatura de
cristalización de la porción o porciones de interfaz de la capa de
grabación haciendo contacto con la capa o capas de protección se
hace mayor que la porción restante de la capa de grabación. En este
caso, la cristalización de la porción o porciones de interfaz de la
capa de grabación después de la inicialización no progresa en
comparación con la otra porción de la capa de grabación. De esta
forma, cuando se lleva a cabo repetidamente la operación de
grabación/eliminación a una velocidad lineal de grabación
relativamente baja, la porción o porciones de interfaz de la capa
de grabación no se cristalizan completamente en comparación con la
porción interna restante de la misma. Es decir, es difícil que la
transición entre la fase cristalina y la fase amorfa se produzca en
la porción o porciones de interfaz de la capa de grabación, de forma
que sólo se provoca un pequeño cambio del estado de la porción o
porciones de interfaz de la capa de grabación debido a la grabación
repetitiva. De esta forma, se puede estabilizar la formación de la
porción o porciones de interfaz de la capa de grabación y se puede
suprimir el crecimiento de grandes partículas cristalinas. Como
resultado, se puede mejorar el rendimiento de sobreescritura.
Según una tercera formación de la segunda forma
de realización de la presente invención, se añade nitrógeno para
cambiar la temperatura de cristalización de la capa de grabación en
la dirección del espesor. En la primera forma de realización de la
presente invención, se usa nitrógeno para cambiar la conductividad
térmica de la capa de grabación. Es decir, el nitrógeno sirve para
cambiar no sólo la conductividad térmica de la capa de grabación en
la dirección del espesor sino también la temperatura de
cristalización de la misma en la dirección del espesor. Se puede
añadir nitrógeno a la capa de grabación incluyendo nitrógeno gaseoso
en la atmósfera gaseosa de Ar o similar cuando se forma la capa de
grabación mediante aplicación por vaporización o similar. En este
procedimiento se puede cambiar la densidad de nitrógeno en la
dirección del espesor de la capa de grabación controlando el caudal
del nitrógeno gaseoso o la tasa de crecimiento. En este caso se
puede usar un objetivo único en el proceso de crecimiento. La capa
de grabación de
Ag-In-Sb-Te tiene
una temperatura de cristalización aumentada cuando se añade
nitrógeno. Por lo tanto, es fácil formar la capa de grabación de
tal forma que la porción o porciones de interfaz de la misma tengan
una densidad de nitrógeno mayor que la de la porción interna
restante de la misma. De esta forma se puede mejorar el rendimiento
de grabación a una velocidad lineal de grabación relativamente
baja.
La fig. 7 es una vista en sección transversal de
un medio de grabación óptica según la segunda forma de realización
de la presente invención. En la fig. 7, las partes que son las
mismas que las mostradas en las figuras descritas previamente
tienen los mismos números de referencia. Una capa de grabación 100
que tiene una estructura multicapa está formada sobre la primera
capa de protección 2. La capa de grabación está formada de AgInSbTe.
La capa de grabación 100 consta de primeras capas 110 y segundas
capas 120, que están apiladas de forma alterna. En la estructura
mostrada en la fig. 7, dos primeras capas 110 y dos segundas capas
120 están apiladas de forma alterna. Las primeras capas 110 tienen
una temperatura de cristalización mayor que la de las segundas capas
120. Por lo tanto, se puede obtener los diferentes tiempos de
cristalización en la dirección del espesor de la capa de grabación
100. De esta forma se puede suprimir el crecimiento de partículas
cristalinas y se puede mejorar el rendimiento de sobreescritura. La
longitud preferiblemente de la capa de grabación 100 es 15 a 40 nm
cuando la longitud de onda de grabación es igual a 780 nm. Los
espesores de las capas 2, 3 y 4 están optimizados teniendo en el
rendimiento óptico, la forma de las hendiduras de guía, las
características térmicas y/o las características mecánicas de las
mismas.
Es posible disponer la capa de grabación 100 de
tal forma que la diferencia en la temperatura de cristalización
entre las primeras capas 110 y las segundas capas 120 se produzca
después de que se inicialice la capa de grabación 100. En este
caso, la capa de grabación 100 no se cristaliza completamente
durante el procedimiento de inicialización, sino que se hacen
disponibles diferentes estados de cristalización en la dirección del
espesor después del procedimiento de inicialización. Esto pretende
evitar la diferencia entre el rendimiento que se obtienen cuando se
graba información por primera vez y el rendimiento de sobreescritura
(grado de modulación y fluctuación) obtenido después de ello. La
inicialización anterior se puede realizar enfriando rápidamente una
porción de la capa de grabación 100 a una tasa de enfriamiento
rápido dada para cambiar la porción al estado amorfo después de la
cristalización.
Como alternativa, se cristaliza parcialmente la
capa de grabación 100 a una temperatura de inicialización
relativamente baja a una tasa de enfriamiento menor que aquella a la
que la capa de grabación 100 cambia al estado amorfo. En este
último procedimiento, la cristalización inicial se realiza de forma
que permanece la porción incompletamente cristalizada. En
cualquiera de los procedimientos, los diferentes estados de
cristalización que corresponden a la diferencia en la temperatura
de cristalización se forman en la dirección del espesor de la capa
de grabación 100 y se puede evitar la diferencia entre el
rendimiento obtenido después de la escritura inicial y el
rendimiento de sobreescritura en y después de la segunda
escritura.
En la práctica, la capa de protección del
entorno se puede proporcionar sobre la capa de reflexión que irradia
el calor 4.
La fig. 8 es una vista en sección transversal de
otro medio de grabación óptica según la segunda forma de
realización de la presente invención. En la fig. 8, las partes que
son las mismas que las mostradas en la fig. 7 tienen los mismos
números de referencia. Las capas de protección 2 y 3 están hechas de
ZnS (80% en moles) SiO_{2} (20% en moles) y la capa de reflexión
que irradia el calor está hecha de AlSi.
La capa de grabación 100 mostradas en la fig. 8
consta de las dos primeras capas 110 cada una hecha de AgInSbTe (5 :
10 : 55 : 30%) y la segunda capa 120 hecha de AgInSbTe (5 : 5 : 62 :
28%). Las primeras capas 110 entre las que está intercalada la
segunda capa 120 tiene una temperatura de cristalización mayor que
la de la segunda capa 120. La anterior estructura de la capa de
grabación 100 es adecuada para la grabación a la velocidad lineal
de grabación
baja.
baja.
El espesor de la primera capa de protección 2 se
selecciona teniendo en cuenta una interferencia óptica y es igual a
30 a 300 nm. Los espesores de las capas 4, 3, 110 y 120 se
determinan respectivamente teniendo en cuenta una velocidad lineal
de grabación dada. De esta forma se puede obtener una tasa de
enfriamiento apropiada de la segunda capa de grabación 120 y se
puede obtener un grado de modulación apropiado. Por ejemplo, cuando
la velocidad lineal de grabación es 20,8 m/s y la longitud de onda
de grabación es igual a 780 nm, las capas 4, 3, la capa 110
adyacente a la capa 2, la capa 120 y la capa 110 adyacente a la capa
3 son respectivamente 100 nm, 20 nm, 5 nm, 20 nm
y 5 nm.
y 5 nm.
La capa de grabación 100 consta de las primeras
capas 110 que tienen una temperatura de cristalización relativamente
alta y la segunda capa 120 que tiene una temperatura de
cristalización relativamente baja, de forma que las capas 110 y 120
están apiladas de forma alterna. De esta forma se pueden obtener los
diferentes tiempos de cristalización en la dirección del espesor de
la capa de grabación 100. De esta forma se puede suprimir el
crecimiento de partículas cristalinas y se puede mejorar el
rendimiento de sobreescritura.
De esta forma, cuando se lleva a cabo
repetidamente la operación de grabación/eliminación a una velocidad
lineal de grabación relativamente baja, las primeras capas de
grabación 110 no están completamente cristalizadas en comparación
con la segunda capa 120. Es decir, es difícil que se produzca la
transición entre la fase cristalina y la fase amorfa en las
primeras capas de grabación 110, de forma que sólo se provoca un
pequeño cambio en el estado de las primeras capas 110 debido a la
grabación repetitiva. De esta forma se puede estabilizar la
formación de las primeras capas 110 y se puede suprimir el
crecimiento de grandes partículas cristalinas. Como resultado, se
puede mejorar el rendimiento de sobreescritura.
En la práctica, las primeras capas 110 pueden
estar hechas de una sustancia diferente de la de la segunda
capa 120.
capa 120.
Se dará una descripción, con referencia a la
fig. 9, de otro medio de grabación óptica más según la segunda
forma de realización de la presente invención. En la fig. 9, las
partes que son las mismas que las mostradas en la fig. 8 tienen los
mismos números de referencia. La capa de grabación mostrada en la
fig. 9 incluye las dos capas diferentes 110 y la segunda capa 120
que está intercalada entre las primeras capas 110. Se añade
nitrógeno a las primeras capas 110 y a la segunda capa 120. La
densidad de nitrógeno en las primeras capas 110 es mayor que en la
segunda capa 120 y se optimiza para obtener una temperatura de
cristalización dada. La densidad de nitrógeno en las primeras capas
110 es aproximadamente 2-20% y la densidad de
nitrógeno en la segunda capa 120 es aproximadamente 0 a 10%.
La tabla 1 muestra los resultados de un análisis
térmico DSC (una tasa de aumento de la temperatura de 10ºC/min) de
la cristalización inicial para la capa de grabación de
Ag-In-Sb-Te con
nitrógeno añadido. La densidad de nitrógeno en la capa de grabación
aumenta según aumenta el caudal de nitrógeno en el momento del
crecimiento de la
capa.
capa.
Las primeras capas 110 que tienen una
temperatura de cristalización relativamente alta y la segunda capa
120 que tiene una temperatura de cristalización relativamente baja
están apiladas de forma alterna. De esta forma, se pueden obtener
los diferentes tiempos de cristalización en la dirección del espesor
de la capa de grabación 100. De esta forma se puede suprimir el
crecimiento de partículas cristalinas y se puede mejorar el
rendimiento de sobreescritura.
De esta forma, cuando se lleva a cabo
repetidamente la operación de grabación/eliminación a una velocidad
lineal de grabación relativamente baja, las primeras capas de
grabación 110 no están completamente cristalizadas en comparación
con la segunda capa 120. Es decir, es difícil que se produzca la
transición entre la fase cristalina y la fase amorfa en las
primeras capas de grabación 110, de forma que sólo se provoca un
pequeño cambio en el estado de las primeras capas 110 debido a la
grabación repetitiva. De esta forma se puede estabilizar la
formación de las primeras capas 110 y se puede suprimir el
crecimiento de grandes partículas cristalinas. Como resultado, se
puede mejorar el rendimiento de sobreescritura.
Los efectos anteriores se pueden obtener
fácilmente seleccionando de forma apropiada las densidades de
nitrógeno en las primeras y segunda capas 110 y 120.
La fig. 10 es un gráfico de la dependencia de la
potencia de grabación de la fluctuación 3T del medio de grabación
óptica mostrado en la fig. 9 formado en la formación de
CD-RW después de que se lleve a cabo repetidamente
la grabación 1000 veces. En la fig. 10 se muestra una muestra
comparativa que sólo tiene la capa de grabación 110. La señal de
grabación usada es un patrón aleatorio EFM (8,64 MHz) y la velocidad
lineal de grabación/reproducción es de 2,4 m/s. Las capas 2, 4, 3,
la capa 110 adyacente a la capa 3, la capa 120 y la capa 110
adyacente a la capa 2 son respectivamente 100 nm, 140 nm, 20 nm, 2
nm, 17 nm y 10 nm. Se puede ver a partir de la fig.10 que la
estructura mostrada en la fig. 9 tiene sólo una pequeña dependencia
de la potencia de grabación de la fluctuación 3T en comparación con
la del ejemplo comparativo.
La tabla 2 muestra la relación entre la potencia
para inicializar el medio de grabación óptica según la segunda
forma de realización de la presente invención y el rendimiento del
mismo (la relación de reflexión post-inicialización
y el valor de fluctuación/grado de modulación después de que se haya
llevado a cabo la sobreescritura 1300 veces). La potencia de
grabación es 12 mW y la velocidad lineal de grabación/reproducción
es de 2,4 m/s.
La fuente para la inicialización es un láser
semiconductor. Según se aumenta la fuente para la inicialización,
la capa de grabación se calienta suficientemente y se facilita la
cristalización inicial. Según se desarrolla la cristalización
inicial, la relación de reflexión aumenta. Si la relación de
reflexión aumenta excesivamente de forma que toda la capa de
grabación se cristaliza completamente, se degradará el rendimiento
de sobreescritura. Por otro lado, el medio de grabación de la
presente invención tiene una variación en la temperatura de
cristalización en la dirección del espesor y por lo tanto las
porciones de la capa de grabación que tienen una temperatura de
cristalización relativamente alta no están completamente
cristalizadas.
La presente invención no se limita a las formas
de realización específicamente descritas, y se pueden realizar
variaciones y modificaciones sin apartarse del alcance de la
invención.
Claims (3)
1. Un medio de grabación óptica que
comprende:
un sustrato (1);
una primera capa de protección (2) formada sobre
el sustrato;
una capa de grabación (10) formada sobre la
primera capa de protección;
una segunda capa de protección (3) formada sobre
la capa de grabación; y
una capa de reflexión (4) formada sobre la
segunda capa de protección,
siendo la capa de grabación de un tipo de cambio
de fase en el que la capa de grabación se cambia de un estado de
amorfo a un estado cristalino mediante un proceso de aumento de
temperatura y enfriamiento proyectando un haz láser sobre la capa
de grabación,
teniendo la capa de grabación una porción de
interfaz (11; 12, 13) haciendo contacto con una de las primera y
segunda capas de protección (2, 3), teniendo dicha porción de
interfaz una conductividad térmica menor que la de una porción
restante de la capa de grabación (10),
variando una densidad de al menos un elemento
aditivo en una dirección del espesor de la capa de grabación (10),
siendo la densidad mayor en la porción de interfaz que en la porción
interna de la capa de grabación (10), en el que dicho al menos un
elemento aditivo es nitrógeno;
la capa de grabación tiene una porción interna
(12) diferente a la porción de interfaz (11, 13) haciendo contacto
con una de las primera y segunda capas de protección (2, 3);
la densidad de nitrógeno contenido en dicha
porción interna es igual o menor que 2 a 10%; y
la densidad de nitrógeno en la porción de
interfaz es 15% o mayor.
2. El medio de grabación óptica según la
reivindicación 1, en el que la capa de grabación comprende otra
porción de interfaz haciendo contacto con la otra de la primera y
segunda capas de protección, teniendo dicha otra porción de
interfaz una conductividad térmica menor que la de la porción
restante de la capa de grabación (10).
3. El medio de grabación óptica según la
reivindicación 1 ó 2, en el que la capa de grabación comprende al
menos un elemento aditivo adicional que se selecciona entre un grupo
constituido por Si, Al, Ca y Mg.
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