ES2323979T3 - Metodo de impresion, aparato de impresion y procedimiento para la fabricacion de un chip. - Google Patents
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Abstract
Método de impresión para imprimir una configuración de impresión de un molde (4105, 6105) sobre un material de formación de una configuración sobre un substrato (4104, 6104), comprendiendo dicho método de impresión: y poner la configuración de impresión y el material de formación de la configuración en contacto uno con el otro; aplicar una primera presión entre el molde (4105, 6105) y el substrato (4104, 6104) para incrementar la zona de contacto entre la configuración de impresión y el material de formación de la configuración; caracterizado por la aplicación de una segunda presión menor que la primera presión y por ajustar la relación de posición entre el molde (4105, 6105) y el substrato (4104, 6104) en la segunda presión.
Description
Método de impresión, aparato de impresión y
procedimiento para la fabricación de un chip.
La presente invención se refiere a un método de
impresión, a un aparato de impresión y a un proceso para fabricar
un chip o pastilla mediante la utilización del aparato de
impresión.
En los últimos años, tal como se propone en
Appl. Phys. Lett., Vol. 67, Edición 21, páginas 3114 a 3116 (1995)
por Stephan Y. Chou y otros, se ha desarrollado y ha recibido una
gran atención una tecnología de proceso de precisión para
transferir una estructura muy pequeña que tiene una configuración de
impresión dispuesta en un molde, sobre un objeto (o una pieza) tal
como un semiconductor, cristal, resina o metal. Esta tecnología se
denomina nanoimpresión o nanoembutición, dado que puede esperarse
realizar una resolución del orden de algunos nanómetros. Además, la
tecnología de nanoimpresión es capaz de formar al mismo tiempo una
estructura tridimensional sobre un disco u oblea, de manera que
además de la tecnología de fabricación de semiconductores, se
espera que esta tecnología sea aplicada a las tecnologías de
producción de dispositivos ópticos tales como cristal fotónico y a
las tecnologías de producción de \mu-TAS (Micro
Sistemas de Análisis Total) y de biochips.
En las técnicas anteriores se conocen diversos
métodos de impresión. Por ejemplo, el documento US 2004/021254 A1
da a conocer un método para configurar un substrato mediante
impresión litográfica. Se distribuye un líquido sobre un substrato,
a continuación se pone en contacto una plantilla con el líquido y se
endurece el líquido. La fuerza aplicada mediante la plantilla se
determina de tal forma que no fuerza al líquido más allá del borde
de la plantilla. Para la alineación, se endurece una parte del
substrato mediante la aplicación al mismo de una cantidad
determinada de luz de activación. Después, se sitúa la plantilla
para obtener la posición deseada.
Además, el documento DE 37 24 996 A1 da a
conocer un método para el llenado rápido de un volumen o un
intersticio con una resina. Para mejorar la velocidad del proceso,
se lleva a cabo el moldeado mediante la ayuda de ultrasonidos. Por
consiguiente, puede ser posible evitar un tratamiento a temperatura
en el transcurso del proceso de moldeo.
Además, el documento US 2005/184436 A1 da a
conocer un proceso de nanoimpresión litográfica mediante la
utilización de una estampa o sello cuyo tamaño es igual de grande o
algo menor que el substrato. Se dispone una unidad de suministro de
presión para la aplicación de gas a presión a algunas zonas
seleccionadas del substrato para ayudar a completar algunos
elementos de las estampas llenados de forma incompleta. Esta unidad
de suministro de presión puede determinar la presión aplicada entre
el molde y el substrato.
De modo adicional, el documento WO 2005/054948 A
da a conocer un aparato y un método para litografía en grandes
superficies. El aparato comprende unos medios para regular el
intersticio, medios de soporte para soportar la plantilla y el
substrato, y una fuente de radiación concebida para emitir radiación
hacia dicho intersticio. Una cavidad tiene una primera pared que
comprende una membrana flexible ideada para acoplar dicha plantilla
o substrato, y están dispuestos medios para aplicar una sobrepresión
regulable a un medio presente en dicha cavidad, con lo cual se
obtiene una distribución uniforme de la fuerza sobre la totalidad de
la superficie de contacto entre el substrato y la plantilla.
En lo que se refiere a la tecnología de
nanoimpresión en los Procedimientos del 24 Simposio Internacional
de la SPIE sobre Microlitografía: Tecnologías Litográficas
Emergentes III, Santa Clara, CA, Vol. 3676, Primera parte pags. 379
a 389, Marzo (1999), se describe una tecnología de transferencia de
una estructura muy pequeña en un molde sobre una pieza, realizada
de la manera siguiente.
En primer lugar, se forma la estructura muy
pequeña en la superficie de un substrato de cuarzo para preparar el
molde.
Además se prepara la pieza mediante la
aplicación de un material líquido de una resina en forma de gotas
susceptible de curado o endurecimiento mediante rayos ultravioleta
(UV), sobre un área de proceso de un substrato.
A continuación, se presiona el molde contra la
pieza para llenar con el material de la resina endurecible mediante
UV el intersticio entre el molde y el substrato. A continuación, se
irradia la estructura resultante con luz UV para endurecer el
material de la resina endurecible mediante UV.
Finalmente, se retira el molde de la pieza para
completar la transferencia de la estructura muy pequeña.
Cuando se aplica industrialmente la tecnología
de proceso descrita anteriormente utilizando la nanoimpresión, un
factor importante es la mejora de la producción. En particular, se
ha señalado que la etapa de llenado del material de resina en el
intersticio entre el molde y el substrato precisa mucho tiempo.
El motivo por el que la etapa de llenado del
material de resina requiere un largo tiempo se describirá de forma
más específica.
El espesor de una configuración de protección
resistente formada de manera convencional mediante un aparato de
exposición a la luz, varía según una regla que depende del ancho de
línea o de la influencia de otro proceso, pero puede estar
comprendida generalmente dentro de una gama de unas decenas de nm a
varias centenas de nm.
Cuando se aplica la tecnología de proceso de
precisión utilizando la nanoimpresión descrita anteriormente a la
fabricación de semiconductores, se utiliza una capa de resina
después del proceso, en vez de la configuración de protección del
aparato de exposición a la luz descrito anteriormente. En este caso,
es difícil cambiar de una manera importante el espesor de la capa
de resina desde el valor del espesor de la configuración de
protección al cual se aplica la regla de ancho de línea descrita
anteriormente, con el objeto de garantizar una resistencia de la
estructura muy pequeña o suprimir la influencia de la misma en otra
etapa tal como la de ataque con ácido.
Por ejemplo, en el caso en que la capa de resina
tiene un espesor de 100 nm y el molde tiene un tamaño de 20 mm
cuadrados, el intersticio entre el molde y el substrato incluye un
gran espacio que tiene una relación entre dimensiones o relación de
aspecto de 1:50.000.
Por este motivo, cuando el material de la resina
fluye a dicho espacio, se origina una gran resistencia que tiene
como resultado un largo tiempo de llenado del material de
resina.
Con el objeto de reducir el tiempo de llenado
del material de resina, puede considerarse, por ejemplo, disminuir
la viscosidad del material de resina y modificar de manera adecuada
el método de recubrimiento. Sin embargo, la realidad es que las
mejoras únicamente en la viscosidad y en el método de recubrimiento
siguen requiriendo todavía un largo tiempo de llenado del material
de resina.
A la vista del problema descrito anteriormente,
un objetivo de la presente invención es dar a conocer un método de
impresión y un aparato de impresión que pueden conseguir una
producción elevada.
Otro objetivo de la presente invención es dar a
conocer un proceso para producir un chip mediante la utilización
del aparato de impresión.
Según un primer aspecto de la presente
invención, se da a conocer un método de impresión para imprimir la
configuración de impresión de un molde sobre un material de
formación de una configuración en un substrato, según la
reivindicación 1.
Según un segundo aspecto de la presente
invención, se da a conocer un aparato de impresión para imprimir la
configuración de impresión de un molde sobre un material de
formación de la configuración en un substrato, según la
reivindicación 11.
Según un tercer aspecto de la presente
invención, se da a conocer un proceso para producir un chip según la
reivindicación 14.
En las reivindicaciones dependientes se muestran
características adicionales y modificaciones ventajosas.
Según la presente invención es posible alcanzar
un rendimiento elevado en el método de impresión, el aparato de
impresión y el proceso de fabricación de chips descritos
anteriormente.
Estos y otros objetivos, características y
ventajas de la presente invención serán más evidentes considerando
la siguiente descripción de las realizaciones preferentes de la
presente invención tomadas conjuntamente con los dibujos
adjuntos.
Las figuras 1A a 1D son vistas esquemáticas para
mostrar un método de impresión según la primera realización de la
presente invención.
Las figuras 2A a 2C son gráficos que muestran,
cada uno de ellos, los cambios de presión en función del tiempo
durante la impresión, en la primera realización de la presente
invención.
La figura 3 es un diagrama de bloques que
muestra un aparato de impresión según la segunda realización de la
presente invención.
La figura 4 es una vista esquemática estructural
que muestra un aparato de impresión utilizado en la realización 1
de la presente invención.
Las figuras 5A a 5D son gráficos que muestran,
cada uno de ellos, el control de la presión en la realización 1 de
la presente invención.
Las figuras 6A a 6C son vistas esquemáticas para
mostrar el proceso de llenado de un material de resina en la
realización 1 de la presente invención.
La figura 7 es un gráfico que muestra el cambio
en función del tiempo en la señal de salida de un fotodiodo en el
proceso de llenado del material de resina en la realización 1 de la
presente invención.
Las figuras 8A a 8D son gráficos que muestran,
cada uno de ellos, el control de la presión en la realización 2 de
la presente invención, en los que se muestra una cantidad asociada
al control y un cambio de la misma en función del tiempo.
\vskip1.000000\baselineskip
Primera
realización
Haciendo referencia a las figuras 1A a 1D se
describirá un método de impresión según la primera realización de la
presente invención.
Haciendo referencia a la figura 1A, sobre un
substrato (1104) se dispone un material (1106) para la formación de
la configuración sobre el cual debe imprimirse la configuración de
impresión (1115) de un molde (1105). El molde (1105) y el substrato
(1104) son dispuestos en oposición uno al otro, y se disminuye
gradualmente la distancia entre ellos, con el resultado de que el
molde (1105) y el material (1106) de formación de la configuración
entran en contacto uno con el otro.
A continuación, se aplica una presión (P1) entre
el molde (1105) y el substrato (1104) con lo que se aumenta la zona
de contacto del material (1106) de formación de la configuración con
la configuración de impresión (1115) (figuras 1B y 1C). En la
figura 1B, las flechas (1198) y (1199) representan un ejemplo de las
direcciones en las que debe aumentar la zona de contacto.
A este respecto, en esta realización, el
incremento de la zona de contacto incluye no solo el caso en que la
zona de contacto se extiende en una dirección en el plano tal como
se muestra en la figura 1B, sino también el caso en que el material
de formación de la configuración efectúa llenado en la dirección de
la profundidad de un rebaje de la configuración de impresión
(1115) del molde (1105).
A continuación, en un estado en el que la
presión (P1) se ha disminuido hasta (P2) (<-P1-), se ajusta la
relación de posición entre el substrato (1104) y el molde (1105)
(figura 1D).
En esta realización, la presión (P2) durante el
ajuste de la posición del substrato (1104) con respecto al molde
(1105), es menor que la presión (P1), hasta que la zona de contacto
entre la configuración de impresión (1115) y el material (1106) de
formación de la configuración en el substrato (1104) está
suficientemente garantizada. Como resultado, es posible realizar
una alineación de posiciones entre el molde y el substrato con una
precisión elevada, reduciendo simultáneamente el tiempo requerido
para llenar el material de formación de la configuración en el
intersticio entre el molde y el substrato. Más específicamente, con
respecto a la presión durante el llenado del material de resina en
el intersticio entre el molde y el substrato, la presión durante el
ajuste de posición se hace que sea menor que la presión máxima
durante el llenado, con lo que se consigue una producción elevada y
una elevada alineación de precisión, de manera compatible.
Esto puede ser atribuido al control de la
presión, de tal forma que la aplicación de la presión puede ser
llevada a cabo de forma individual en un periodo de llenado en el
que el material de resina es llenado a gran velocidad mediante la
aplicación de una gran presión al mismo, y en un periodo de
exposición de la alineación en el que se realizan a baja presión y
con una precisión elevada una etapa de alineación y una etapa de
endurecimiento de la resina (incluyendo la etapa de exposición a la
luz o la etapa de calentamiento).
En este caso, los ajustes de las presiones
pueden ser realizadas, por ejemplo, de la forma siguiente.
En primer lugar, durante el incremento de la
zona de contacto entre la configuración de impresión (1115) y el
material (1106) de formación de la configuración, se aumenta la
presión hasta (P1) y después se disminuye hasta (P2). Este estado
se muestra en la figura 2A, en la que la ordenada representa la
presión o carga ejercida entre el molde y el substrato.
A partir del instante de contacto del molde
(configuración de impresión), el material de formación de la
configuración y el substrato, se incrementa la presión o carga
medida en el lado del substrato o en el lado del molde, tal como se
muestra en la figura 2A. En este caso, el intersticio entre el molde
y el substrato disminuye en realidad de manera gradual. En
consecuencia, la presión ejercida entre el molde y el substrato
llega hasta (P1).
A continuación, con el objeto de realizar el
ajuste de posición (alineación) entre el molde y el substrato, se
reduce la presión hasta (P2). En este caso, es posible asimismo
reducir la presión a (P2) después de haber mantenido la presión a
(P1) durante un cierto tiempo (-t2- mostrado en la figura 2B).
A este respecto, con el objeto de reducir la
presión, el material de formación de la configuración interpuesto
en el intersticio entre el molde y el substrato, se extiende todavía
más manteniendo el intersticio a un nivel constante desde un estado
en que la presión llega a (P1), de modo que es posible reducir la
presión hasta (P2). Además, es posible asimismo reducir la presión
a (P2) por medio del desplazamiento relativo del molde y el
substrato alejándolos uno del otro. Además, el valor (P1) de la
presión puede ser mantenido asimismo a un nivel constante durante
el incremento de la zona de contacto entre la configuración de
impresión (1115) y el material (1106) de formación de la
configuración. En otras palabras, el valor determinado (P1) de la
presión puede ser también fijo. Asimismo, es posible aplicar una
cierta carga de manera directa o indirecta al substrato o al molde
durante el incremento de la zona de
contacto.
contacto.
A este respecto, en lo que se refiere a la
relación entre (P1) y (P2), ésta no está limitada particularmente
siempre que satisfaga P2 < P1 pero también puede ser fijada
asimismo de modo que (P2) satisfaga la relación: 0,3P1 < P2 <
0,7P1.
La primera presión (P1) puede ser, por ejemplo,
5 veces o menos, preferentemente 3 veces o menos, más
preferentemente 1,5 veces o menos que la segunda presión (P2).
Además, como un valor absoluto de (P1), puede ser ajustado, por
ejemplo, a 0,1 MPa o superior y a 10 MPa o inferior.
El valor de (P2) puede ser ajustado de modo que
sea -0,1 MPa o superior, y 0,1 MPa o inferior.
A este respecto, cuando se realiza el ajuste del
molde con el substrato en la dirección en el plano, el valor medido
de la presión puede ser asimismo un valor negativo.
Además, la presente invención incluye asimismo
el caso en el que una relación entre los valores de la primera y de
la segunda presión satisfacen la relación descrita anteriormente
incluso cuando solamente se realiza el ajuste de la carga sin
controlar el propio valor de la presión.
En las figuras 2A y 2B, se describen los casos
en que la presión es modificada linealmente hasta que alcanza (P1).
No obstante, es posible asimismo conseguir la presión (P1)
produciendo un cambio escalonado o vibratorio de la presión
mediante el control de una distancia (intersticio) entre el molde y
el substrato. Por ejemplo, durante el incremento de la zona de
contacto entre la configuración de impresión y el material de
formación de la configuración, la primera presión descrita
anteriormente aumenta y disminuye de forma repetida, y la segunda
presión descrita anteriormente puede ser menor que la primera
presión en el momento del incremento.
Asimismo, puede hacerse que el valor de la
presión alcance (P1) mediante un cambio de presión tal como se ha
mostrado en la figura 2C.
A este respecto, con el objeto de hacer oscilar
la presión ejercida entre el molde y el substrato hasta que el
valor de la presión alcance (P1), la relación de posición entre el
molde y el substrato puede estar controlada de manera que oscile el
intersticio (distancia) entre ambos. Además, es posible asimismo
utilizar vibración ultrasónica o similar.
En el caso de utilizar vibración ultrasónica, la
vibración ultrasónica se imparte de manera directa o indirecta, por
lo menos a uno de: substrato y molde. Asimismo, es posible impartir
la vibración al propio material de resina.
Además, después de que se haya aplicado la
primera presión (P1) entre el molde y el substrato y antes de
aplicar la segunda presión (P2) entre los mismos, es posible
asimismo reducir la fuerza de empuje mediante la aplicación de una
presión inferior a la segunda presión o aplicar una presión negativa
entre los mismos.
Además, al poner la configuración de impresión y
el material de formación de la configuración en contacto entre sí,
es posible asimismo modificar la presión aplicada entre el molde y
el substrato a impulsos, durante el incremento de la zona de
contacto.
En el caso de aplicar la presión a impulsos, el
periodo (ciclo de tiempo) de los mismos puede ser, por ejemplo,
desde varios microsegundos a varias decenas de segundos,
preferentemente varios segundos o menos. Más preferentemente, el
periodo es desde varios milisegundos hasta varias decenas de
segundos. En este caso, los varios milisegundos pueden ser, por
ejemplo, dos o tres milisegundos.
En dicho método de presión intermitente, la
fuerza aplicada al material de resina es liberada de manera
temporal, particularmente en el caso de una gran inercia del
material de resina (por ejemplo, en el caso de una baja viscosidad
del material de resina). De acuerdo con ello, desde el punto de
vista de la capacidad de control del intersticio entre el substrato
y el molde, es preferente que se realice dicha aplicación de la
presión en forma de impulsos.
A este respecto, la presión en el momento en que
se realiza el llenado deseado puede ser tomada asimismo como (P1)
cuando se mide o se observa la cantidad del llenado (o de la zona de
contacto) del material de formación de la configuración que llena
el intersticio entre el substrato y el molde sin ejercer la carga
entre el substrato y el molde, de modo que proporciona una cierta
presión (P1) anticipadamente.
Por ejemplo, cuando se realiza la impresión en
una serie de zonas del substrato mediante el método de etapa y
repetición, el propio valor (P1) de la presión puede variar
dependiendo de la posición de impresión. Es posible seleccionar el
control de manera apropiada en base a un estado de llenado del
material de formación de la configuración o controlando mediante el
valor de la presión. Es posible reducir la variación del tiempo de
llenado disponiendo el método de compresión de modo que el estado de
llenado o el estado del material de resina como material de
formación de la configuración se detecte mediante observación óptica
para realizar el cambio entre el periodo de llenado y el periodo de
exposición de la alineación.
Además, el ajuste o el control de la presión se
lleva a cabo desplazando el substrato en una dirección perpendicular
a la superficie de proceso del molde, en base al intersticio entre
el substrato y el molde, y resulta calculada anticipadamente con
respecto al material de formación de la configuración utilizado (o a
los resultados estimados, o a una tabla de datos introducidos).
Cuando el valor de la presión está controlado a un cierto valor de
la presión, se realiza, por ejemplo, el siguiente ajuste o
control.
En primer lugar, se prepara una tabla de datos
que almacena información sobre la correlación entre el intersticio
entre el substrato y el molde y el valor deseado de la presión. A
continuación, se obtiene información sobre la longitud (distancia)
del intersticio correspondiente a un cierto valor de la presión.
A continuación, el molde y el substrato son
desplazados uno con respecto al otro en la dirección del eje de
presión, de modo que se dispone la longitud del intersticio entre
ambos, obteniendo de esta manera un valor predeterminado de la
presión.
Asimismo, es preferente que la presión o la
carga sea medida directamente mediante una célula de carga que es
un convertidor de carga, para convertir el peso de un objeto (carga)
en una señal eléctrica.
Tal como se ha descrito anteriormente, esta
realización de la presente invención se caracteriza porque la
presión (o carga) ejercida en el material de resina durante la
alineación del molde con el substrato es menor que la presión (o
carga) ejercida en el material de resina durante el incremento de la
zona de contacto entre el material de resina y la configuración de
impresión.
A continuación se describirá la alineación en
detalle.
A este respecto, la carga o la presión pueden
ser detectadas mediante la utilización de un detector o de un
elemento piezoeléctrico, de tal forma que el valor de la resistencia
o de la capacitancia cambian dependiendo de la presión o de la
carga.
A continuación, se describirá el ajuste de la
posición entre el molde y el substrato en esta realización. Durante
el ajuste de posición descrito anteriormente entre el molde y el
substrato, tal como se muestra en la figura 1D, el ajuste de
posición entre el molde (1105) (exactamente la configuración de
impresión -1115-) y el substrato (1104) se realiza en el estado
(P2) de la presión.
En este caso, el ajuste de la posición incluye,
por ejemplo, las siguientes etapas (1) a (3).
(1) Ajuste de la relación de posición entre el
molde y el substrato en una dirección en el plano perpendicular al
eje de empuje de la primera presión (P1) (denominada alineación en
la dirección en el plano).
A este respecto, la alineación puede incluir la
que se refiere a la rotación del substrato y el molde con respecto
al eje de empuje. Por ejemplo, cuando el eje de empuje es el eje
(z), incluye las alineaciones con respecto a los ejes (x) e (y), y
un ángulo (\theta). El ángulo (\theta) es el ángulo con respecto
al eje (z).
(2) Ajuste con respecto al intersticio entre el
molde y el substrato en una dirección paralela al eje de empuje de
la primera presión (P1) (ajuste del espacio).
(3) Alineación de las superficies del molde y
del substrato con respecto a (\alpha) (ángulo con respecto al eje
-x-) y (\beta) (ángulo con respecto al eje -y-).
A este respecto, el material de resina como
material de formación de la configuración, se endurece mientras se
controla la posición, por lo menos del molde y del substrato, de
modo que se conserva una relación de posición entre el molde y el
substrato después de ajustar la relación de posición. Además,
durante el ajuste de la posición, es posible realizar asimismo
control de realimentación, de tal modo que la presión (P2) esté
controlada para que no fluctúe o para que el intersticio entre el
molde y el substrato esté controlado de manera que el valor de la
presión no sobrepase (P2). Es posible efectuar además solamente el
ajuste de posición sin efectuar el control, de tal manera que la
presión (P2) se mantiene.
El ajuste de posición puede ser realizado de
manera específica, por ejemplo, de la forma siguiente.
A partir de una relación de posición entre unas
marcas de alineación dispuestas en el lado del molde y en el lado
del substrato, se ajusta una posición con respecto al plano (XY)
(Ajuste -XY-).
Mediante la realización del ajuste (XY) en una
serie de puntos (una serie de zonas diferentes) se ajusta el ángulo
(-\theta-) con respecto al eje (z).
A continuación, se ajusta el intersticio entre
el molde y el substrato (distancia entre ambos en la dirección
del
eje -z-) mediante interferencia óptica entre el molde y el substrato.
eje -z-) mediante interferencia óptica entre el molde y el substrato.
Este ajuste del intersticio se efectúa en una
serie de puntos para ajustar (\alpha) (ángulo con respecto al eje
-x-) y (\beta) (ángulo con respecto al eje -y-).
Además, es posible asimismo disminuir de nuevo
el intersticio entre el substrato y el molde después de la
alineación del substrato con el molde, en la dirección en el plano
en un estado (P2) de la presión. En este caso, es posible disminuir
el espesor de una película residual del material de formación de la
configuración (por ejemplo, el material de resina) interpuesto
entre un saliente de la configuración de impresión y el
substrato.
En el caso en que la dirección de alineación en
el plano se efectúa en un estado en el que la película residual
tiene un espesor muy reducido, existe la posibilidad de que la
superficie del substrato o la configuración de la impresión, queden
dañadas.
No obstante, es preferible que se realice una
etapa de disminución del intersticio después de realizar la
alineación de la dirección en el plano, en un estado en el que se
garantice de alguna forma una película residual.
Más específicamente, (a) se disminuye el
intersticio de modo que la zona de contacto entre la configuración
de impresión y el material de resina esté comprendido dentro de un
margen deseado y a continuación, (b) se realiza la alineación de la
dirección en el plano y de nuevo, (c) se realiza la etapa de
disminuir el intersticio.
En esta realización de la presente invención, la
formación de la configuración se efectúa de la manera siguiente.
Después de ajustar la relación de posición entre
el molde y el substrato, se endurece el material de resina o
similar, como material de formación de la configuración, para
efectuar la formación de la configuración. A continuación, se
realiza una etapa de extracción para extraer uno de otro el material
de formación de la configuración y el molde.
A continuación se describirá el molde
(plantilla) según esta realización.
En esta realización, el molde tiene una
configuración de superficie de impresión (incluyendo un rebaje y un
saliente). La configuración de impresión puede ser preparada
mediante la formación de un rebaje y un saliente en el propio
molde.
En este caso, el rebaje y el saliente del molde
son impresos en el material de formación de la configuración, como
un elemento a procesar, en el substrato.
A este respecto, es posible asimismo poner el
molde y elemento a procesar en contacto indirecto uno con otro, a
través de un agente de desprendimiento que ha sido aplicado a la
configuración de impresión del molde. En otras palabras, en esta
realización de la presente invención, el contacto del molde (o la
configuración de impresión) con el material de formación de la
configuración (por ejemplo, un material de una resina
fotoendurecible) incluye asimismo el caso del contacto indirecto
entre los mismos a través del agente de desprendimiento.
El molde puede estar constituido por un
material, incluyendo cristal, tal como cuarzo o similar, metal,
silicio, etc. Además, la configuración de impresión puede estar
formada, por ejemplo, mediante litografía por haz de
electrones.
A continuación se describirá el substrato y el
material de formación de la configuración según esta
realización.
Como substrato es posible utilizar substratos
semiconductores incluyendo substrato de Si, substrato de GaAs,
etc.; substrato de resina; substrato de cuarzo; substrato de
cristal; etc. Es posible asimismo utilizar un substrato transmisor
de la luz tal como substrato de cuarzo. El substrato de esta
realización incluye asimismo un substrato de una película multicapa
que comprende una serie de películas delgadas formadas en un
substrato.
\newpage
Además, como material de formación de la
configuración es posible utilizar, por ejemplo, el material de
resina fotoendurecible.
Con el objeto de endurecer el material de resina
fotoendurecible aplicado sobre el substrato, se irradia, por
ejemplo, el material de resina fotoendurecible con rayos
ultravioleta (UV) desde el lado del molde.
Como ejemplos del material de resina
fotoendurecible pueden citarse los de tipo uretano, de tipo epoxy,
de tipo acrílico, etc. Por ejemplo, son conocidos los materiales de
resinas endurecibles mediante UV de baja viscosidad, tales como
HDDA (1,6-hexanodiol-diacrilato) y
HEBDM (bis(hidroxietilo)bifenol-A
dimetilacrilato).
La propia irradiación de la luz puede ser
efectuada asimismo desde el lado del substrato cuando se utiliza un
substrato transparente.
Además, como material de formación de la
configuración, es posible asimismo utilizar materiales de resina
termoendurecibles tales como resina fenólica, resina epoxy, resina
siliconas y poliimida, y resinas termoplásticas tales como
polimetil metacrilato (PMMA), policarbonato (PC), tereftalato de
polietileno (PET) y resina acrílica. Si el material de resina es un
material de resina termoendurecible o no, puede ser determinado
mediante un mecanismo de polimerización descrito anteriormente de
la resina fenólica o mediante un mecanismo similar.
Es posible asimismo realizar la formación de la
configuración mediante la realización de un tratamiento térmico si
se desea.
Además, como material de formación de la
configuración es posible asimismo utilizar plata en pasta, un
material metálico de bajo punto de fusión que contiene indio,
etc.
A este respecto, cuando el material de resina
está dispuesto en el substrato, es posible colocar el material de
resina en el substrato en cada zona en que se realiza la impresión
mediante un distribuidor que se describirá más adelante. Además, es
posible asimismo realizar la etapa de impresión de manera repetida
una vez que la resina ha sido aplicada en toda la superficie del
substrato mediante recubrimiento previo por centrifugado. A este
respecto, en la figura 1A el material (1106) de formación de la
configuración aplicado en el substrato está representado en bruto,
pero es meramente un ejemplo. Como otro ejemplo, los casos en que el
material de resina está dispuesto en el substrato en forma de una
serie de pequeñas gotas y cuando está dispuesto en la totalidad de
la superficie del substrato en forma de capa, pueden estar asimismo
abarcados por la presente invención.
Los factores técnicos o elementos A a E,
descritos anteriormente en la primera realización, pueden ser
aplicables asimismo a todas las realizaciones de la presente
invención. Además, la totalidad de las características de las
patentes U.S. Nº. 6.696.220; 6.719.915; 6.334.960; y 5.772.905 y la
solicitud de patente U.S. Nº 10/221.331 están incorporadas
expresamente en esta memoria como referencia, siempre que sean
coherentes con las realizaciones de la presente invención.
A este respecto, el método de impresión de la
presente invención es aplicable particularmente a la formación de
configuraciones que tengan rebajes y salientes del orden desde
nanómetros hasta micras. Por ejemplo, el método de impresión puede
ser utilizado de manera adecuada para la formación de
configuraciones con un paso de varios nanómetros hasta varios
centenares de nanómetros.
Además, tal como se describirá más adelante en
otras realizaciones, es posible asimismo disponer un periodo de
relajación de la presión (alivio) entre el periodo de llenado y el
periodo de ajuste de la posición, o entre el periodo de llenado y
el periodo de exposición.
Además, es preferente que las presiones en el
periodo de exposición y en el periodo de ajuste de la posición sean
iguales o diferentes, dentro de \pm 15%. Esto es debido a que
existe la posibilidad de que un cambio en la posición sea producido
debido al cambio en la presión.
\vskip1.000000\baselineskip
Segunda
realización
A continuación se describirá el aparato de
impresión según la segunda realización de la presente invención
haciendo referencia a la figura 3.
En este caso, el aparato de impresión significa
un aparato de impresión tal que la configuración de impresión del
molde es impresa en el material de formación de la configuración en
el substrato, e incluye, por lo menos los siguientes elementos o
partes del aparato.
Más específicamente, el aparato de impresión
incluye una parte de soporte del molde para soportar el molde, y
una plataforma del substrato para montar el substrato en la misma.
La parte de soporte del molde incluye un mecanismo de mordaza para
sujetar el molde.
El aparato de impresión incluye además una parte
(3001) de detección, para detectar la presión o carga ejercida
entre el molde y el substrato, una parte (3002) de control de la
presión para controlar la presión ejercida entre el molde y el
substrato, una parte (3003) de ajuste de la posición para ajustar la
relación de posición entre el molde y el substrato, y una parte
(3004) de adquisición de información para adquirir información
sobre el estado de contacto de la configuración de impresión con el
material de formación de la configuración. En este caso, la parte
(3002) de control de la presión incluye una parte de control de la
carga para controlar la carga.
La parte (3001) de detección puede estar
dispuesta en uno de los lados del molde y de la plataforma del
substrato, pero puede estar asimismo dispuesta en ambos lados.
Desde la parte (3001) de detección, los datos
tales como la presión o la carga ejercida entre el substrato y el
molde son introducidos en la parte (3002) de control de la
presión.
La parte (3004) de adquisición de información
adquiere información sobre el estado del contacto de la
configuración de impresión con el material de formación de la
configuración desde un aparato óptico de observación tal como un
microscopio, e introduce la información adquirida en la parte (3002)
de control de la presión.
En este caso, la información introducida desde
la parte (3004) de adquisición de información, en la parte (3002)
de control de la presión, puede ser asimismo información temporal en
vez de la información sobre el aparato óptico de observación
descrito anteriormente. En este caso, la información temporal es,
por ejemplo, un periodo de tiempo desde el momento en que el
material de resina, la configuración de impresión del molde y el
substrato son puestos en contacto entre sí.
Desde el momento del contacto, cambia el valor
detectado en la parte (3001) de detección, de manera que los datos
de la parte (3001) de detección están configurados para ser
introducidos en la parte (3004) de adquisición de la información.
Como resultado, en el momento en que ha transcurrido un tiempo
predeterminado desde el momento del contacto, es posible introducir
la información del tiempo desde la parte (3004) de adquisición de
información, en la parte (3002) de control de la presión.
Empíricamente, la información temporal es útil
asimismo en el caso en que se conozca ya el momento en que el
material de resina así como el material de formación de la
configuración y la configuración de impresión son puestos en el
contacto deseado uno con el otro.
La parte (3002) de control de la presión
determina si el valor de la presión o similar detectado en la parte
(3001) de detección debe ser mantenido, aumentado, disminuido o no
controlado y, en base a la determinación, proporciona instrucciones
a la parte (3003) de ajuste de la posición. La parte (3003) de
ajuste de la posición incluye un circuito de control del
intersticio y un mecanismo de ajuste del intersticio (o mecanismo de
ajuste de la carga) que son utilizados para ajustar el intersticio,
de acuerdo con las instrucciones de la parte (3002) de control de
la presión. La parte (3003) de ajuste de la posición incluye además
un circuito de control de la posición en la dirección en el plano y
un mecanismo de ajuste de la alineación en la dirección en el
plano.
En esta realización, la parte (3002) de control
de la presión, descrita anteriormente, se caracteriza porque los
valores fijados de la primera y de la segunda presión son
ajustables.
El cambio del valor ajustado de la presión a
partir del valor ajustado de la primera presión, al valor ajustado
de la segunda presión inferior al valor fijado de la primera
presión, se realiza en base a la información de la parte (3004) de
adquisición de información. Una vez que el valor de la presión ha
disminuido al segundo valor determinado, el control de la
alineación en la dirección en el plano se realiza mediante el
mecanismo de ajuste de la alineación de la parte (3003) de ajuste
de la posición.
A este respecto, cuando el aparato de impresión
incluye, como un todo, el circuito de control de la posición en la
dirección en el plano y el mecanismo de ajuste de la alineación en
la dirección en el plano, todos estos elementos no están
incorporados necesariamente en la parte (3003) de ajuste de la
posición.
El ajuste de la relación de posición entre el
molde y el substrato mediante la parte (3003) de ajuste de la
posición, puede ser efectuado preferentemente en el valor
determinado de la segunda presión descrito anteriormente o en un
valor inferior. Después de haber llevado a cabo la etapa de
alineación en la dirección en el plano, la irradiación de energía
desde una fuente de energía (por ejemplo, una fuente de luz UV) para
endurecer el material de formación de la configuración descrito
anteriormente, puede ser efectuada preferentemente al valor
determinado de la segunda presión o a un valor inferior.
A este respecto, el aparato de impresión está
descrito más adelante de manera más específica en las realizaciones
de la presente invención.
\newpage
Tercera
realización
A continuación se describirá un proceso para la
producción de chips según la tercera realización de la presente
invención.
En el proceso de producción de chips de esta
realización, es posible utilizar como aparato de impresión el
aparato de impresión utilizado en las realizaciones descritas más
adelante.
Más específicamente, la configuración de
impresión del molde se imprime en el material de formación de la
configuración (por ejemplo, material de resina fotoendurecible). El
material de resina fotoendurecible después que la configuración de
impresión haya sido impresa en el mismo mediante irradiación de
energía con rayos UV o similares, pierde normalmente su propiedad
de fotoendurecimiento.
A continuación, se realiza el ataque químico del
substrato (por ejemplo, substrato de silicio) mediante la
utilización del material de formación de la configuración como
máscara.
A este respecto, es posible asimismo eliminar
una parte del material de resina en el rebaje formado en el
material de resina (en este caso, esta parte se denomina "película
residual") reduciéndolo a cenizas (ataque químico con oxígeno
reactivo), según se desee, dependiendo del espesor de la película
residual.
Tal como se ha descrito anteriormente, es
posible formar diversas configuraciones en el substrato incluyendo
una película delgada de silicio o de óxidos. En otras palabras,
mediante la introducción de la etapa de impresión en un proceso de
producción en vez de la etapa de litografía en el proceso ordinario
de un semiconductor, es posible producir un denominado chip
semiconductor que incluye un transistor o una memoria. A este
respecto, el chip incluye no solamente productos semiconductores
sino también un biochip preparado mediante la formación de
trayectorias de flujo o similares en un substrato de cuarzo.
\vskip1.000000\baselineskip
Cuarta
realización
En el método de impresión según el cuarto
aspecto de la presente invención, se aplica energía (luz o calor)
en forma de impulsos al material de resina interpuesto entre el
molde y el elemento a procesar, tal como un disco o una oblea, para
controlar el estado de endurecimiento del material de resina. Por
ejemplo, se dispone una película eléctricamente conductora en la
superficie posterior o en el interior del molde, y la corriente que
se hace pasar a través de la película eléctricamente conductora
puede ser utilizada como una corriente pulsante.
A continuación, se describirá la presente
invención en base a las realizaciones.
\vskip1.000000\baselineskip
Realización
1
En la realización 1, se describe un ejemplo
constitutivo de un aparato de proceso de la presión (aparato de
impresión) al cual está aplicada la presente invención.
La figura 4 muestra un ejemplo constitutivo del
aparato de proceso de la presión en esta realización.
Haciendo referencia a la figura 4, el aparato de
proceso de la presión incluye un cuerpo envolvente (4101), una
plataforma (4102), una mordaza (4103), una pieza (substrato) (4104),
un molde (4105), una célula de carga (4106), una pantalla (4107),
un láser (4108), un fotodiodo (4109), una fuente de luz UV (4110),
un distribuidor (4111), una parte móvil (4112) de la plataforma, un
circuito (4120) de aplicación del control, un circuito (4121) de
detección de la posición, un circuito (4122) de control de la
cantidad de la exposición, un circuito (4123) de detección de la
cantidad de llenado, un circuito (4124) de detección de la presión,
un circuito (4125) de control de la presión, un circuito (4126) de
control de la posición, un circuito (4127) de control del proceso y
un circuito (4128) de control de la cantidad de llenado. A este
respecto, en la figura 4 no se muestra el material de resina
interpuesto entre el molde (4105) y el substrato (4104).
Tal como se muestra en la figura 4, el molde
(4105) y la pieza (substrato) (4104) están dispuestos opuestos uno
al otro. El molde (4105) está formado de un material transparente y
tiene la configuración de impresión deseada en la superficie
situada frente a la pieza (4104). El molde (4105) está conectado al
cuerpo envolvente (4101) a través de la célula de carga (4106) y un
elemento o similar. El material transparente para el molde (4105)
puede ser escogido de forma apropiada entre cuarzo, zafiro.
TiO_{2}, SiN, etc. La superficie del molde (4105) situada frente
a la pieza (4104) está habitualmente sometida a un tratamiento de
desprendimiento mediante la realización de un tratamiento con un
agente de acoplamiento de silano o similar.
La pantalla (4107) está constituida por un
sistema de lentes y una cámara CCD, y adquiere información en forma
de imagen sobre el molde (4105), la pieza (4104) y el intersticio
entre ambos.
En una parte (4101) del cuerpo envolvente
situada opuesta a la superficie posterior del molde (4105), está
dispuesta la fuente (4110) de luz UV. El láser (4108) y el fotodiodo
(4109) están dispuestos de modo que sus ejes ópticos se cruzan en
el intersticio entre el molde (4105) y la pieza (4104). El ángulo de
intersección entre los ejes ópticos está determinado de tal modo
que la luz emitida desde el láser (4108), que ha sido reflejada por
las superficies del molde (4105) y de la pieza (4104), no entra
directamente en el fotodiodo (4109).
La pieza (4104) está montada en la plataforma
(4102) mediante la mordaza (4103). La plataforma (4102) tiene
orientaciones móviles con respecto a seis ejes (-x-, -y-, -z-,
-\theta-, -\alpha- y -\beta-) y está sujeta al cuerpo
envolvente (4101).
El distribuidor (4111) está sujeto al cuerpo
envolvente a través de un elemento de soporte en dirección (z)
dentro de un margen de movilidad de la pantalla (4102), de manera
que puede ser situado opuesto a una posición arbitraria en la pieza
(4104).
El circuito (4127) de control del proceso
proporciona instrucciones al circuito (4120) de aplicación del
control, al circuito (4121) de detección de la posición, al
circuito (4122) de control de la cantidad de exposición, al
circuito (4123) de detección de la cantidad de llenado, al circuito
(4124) de detección de la presión, al circuito (4125) de control de
la presión, al circuito (4126) de control de la posición, y al
circuito (4128) de control de la cantidad de llenado. Además, el
circuito (4127) de control del proceso recibe datos de salida de los
circuitos descritos anteriormente cuando se realiza un proceso.
El circuito (4120) de control de la aplicación,
controla el distribuidor (4111) de modo que aplica un material
(4155) de resina fotoendurecible sobre la pieza (4104).
El circuito (4122) de control de la cantidad de
exposición, controla la fuente de luz UV para realizar la exposición
a la luz.
El circuito (4121) de detección de la posición
realiza el proceso de la imagen de la imagen adquirida mediante la
pantalla (4107) para calcular la relación de posición entre el molde
(4105) y la pieza (4104).
El circuito (4123) de detección de la cantidad
de llenado hace que el láser (4108) emita luz láser y calcule la
cantidad de llenado del material de resina en el intersticio entre
el molde (4105) y la pieza (4104) a partir del resultado de la
detección por medio del fotodiodo (4109).
El circuito (4124) de detección de la presión,
calcula la presión ejercida en el intersticio entre el molde (4105)
y la pieza (4104) a partir de una señal de detección de la célula de
carga (4106) y una zona de la parte a procesar.
El circuito (4125) de control de la presión
controla la plataforma (4102) de manera que se ejerce la presión
deseada en el intersticio entre el molde (4105) y la pieza
(4104).
El circuito (4126) de control de la posición
controla la plataforma (4102) de modo que el molde (4105) y la
pieza (4104) proporcionan la relación de posición deseada entre
ambos.
El circuito (4128) de control de la cantidad de
llenado proporciona instrucciones al circuito (4125) de control de
la presión y al circuito (4126) de control de la posición, de manera
que la cantidad de llenado del material de resina tiene el valor
deseado en el intersticio entre el molde (4105) y la pieza (4104).
Además, el circuito (4128) de control de la cantidad de llenado
realiza el cambio entre el circuito (4125) de control de la presión
y el circuito (4126) de control de la posición.
A este respecto, las disposiciones, formas y
similares de los mecanismos respectivos no están limitadas a las
descritas en esta realización sino que asimismo pueden ser
modificadas en otras constituciones. Por ejemplo, puede desplazarse
asimismo el molde (4105) en vez de la pieza (4104).
A continuación se describirá la etapa de proceso
de la presión en esta realización.
En primer lugar, se dispone la parte a procesar
de la pieza (4104) opuesta al distribuidor (4111) desde el cual se
aplica el material de resina endurecible mediante UV a la parte a
procesar.
A continuación, se desplaza la parte a procesar
de modo que quede opuesta al molde (4105). A continuación, la pieza
(4104) y el molde (4105) son presionados uno contra el otro, de
manera que se aplica una presión elevada al intersticio entre ambos
de manera que se permite un llenado a gran velocidad del material de
resina en el
intersticio.
intersticio.
A continuación, en el momento en que se detecta
que se ha completado el llenado del material de resina se disminuye
la presión, de manera que se ajusta la relación de posición entre la
pieza (4104) y el molde (4105).
Entonces, se irradia el material de resina que
debe ser endurecido con luz UV (rayos) en el intersticio entre la
pieza (4104) y el molde (4105).
Finalmente, la pieza (4104) y el molde (4105)
son separados uno del otro para extraer el material de resina
endurecido del molde (4105).
Por medio de las etapas de proceso descritas
anteriormente, se imprime la configuración de impresión de la
superficie del molde (4105) sobre la capa de resina en la pieza
(4104).
Además, se efectúan las etapas del proceso
descritas anteriormente con respecto a otra parte de la pieza (4104)
y mediante la repetición de esta operación es posible también
formar una serie de configuraciones de impresión en la pieza
(4104), como en el caso de un aparato de exposición a la luz
representativo, tal como un dispositivo paso a paso o un
escáner.
A este respecto, el método de aplicación del
material de resina no está limitado a lo descrito en esta
realización, pero puede ser seleccionado asimismo de manera
apropiada. Por ejemplo, es posible asimismo realizar la aplicación
del material de resina utilizando otro aparato.
Además, el ajuste de la relación de posición
puede continuar asimismo durante la irradiación de la luz UV o
durante un cierto tiempo hasta la etapa de extracción en los casos
en que se requiere una precisión de proceso más elevada y en los
que una desviación de la posición del material de resina durante o
después del endurecimiento pueda significar un problema debido a la
contracción al endurecerse el material de resina, a la deformación
térmica de los elementos respectivos, a vibraciones de los elementos
ambientales, etc.
A continuación, se describirá el control de la
presión en esta realización, haciendo referencia a las figuras 5A a
5D, en las que se muestra la cantidad de control para la presión y
el cambio de la misma en función del tiempo.
En las figuras 5A a 5D, el periodo de llenado es
el periodo para llenar el material de resina, y el periodo de
exposición de alineación es el periodo para realizar el ajuste de la
relación de posición y de la irradiación con luz UV.
Se determina de manera apropiada un valor de la
presión en cada periodo, en vista del equilibrio entre
características de la resina, resistencia del molde, precisión
requerida, producción requerida, etc. Por ejemplo, el valor de la
presión es 1 MPa en el periodo de llenado y 0,05 MPa en el periodo
de exposición de la alineación.
La figura 5A muestra un ejemplo en el que se
realiza la etapa de presión mediante la división de un periodo
total para el control de la presión en un periodo de llenado, en el
que se llena el material de resina bajo la aplicación de una
presión elevada y un periodo de exposición de la alineación, en el
que se lleva a cabo la alineación con una precisión elevada y el
endurecimiento de la resina a una presión reducida. Mediante la
realización de dicha etapa de presión, es posible realizar un
aparato de proceso de la presión (aparato de impresión) y un método
de proceso de la presión (método de impresión) que pueden
proporcionar una producción elevada y una precisión elevada.
La figura 5B muestra un ejemplo en el cual se
dispone un periodo de relajación (alivio) para efectuar la
aplicación de la presión a un valor inferior al del periodo de
exposición de la alineación o a una fuerza de compresión negativa,
entre el periodo de llenado y el periodo de exposición de la
alineación. En este caso, por ejemplo, es posible efectuar un
control preciso de la cantidad de llenado del material de resina
incluso en el caso en que el material de resina tenga una gran
inercia, de modo que es posible realizar una reducción en el tiempo
de llenado mediante la aplicación de una presión más elevada y de
una forma de proceso más precisa. Además, al relajar la tensión
residual en el material de resina, es posible mejorar la precisión
de la forma después de la conformación. Además, en el caso en que
la presión o el resultado del proceso puede ser calculado o
estimado de forma empírica a partir de dimensiones y constantes
mecánicas de los elementos respectivos, de las características del
líquido, etc., es posible asimismo utilizar una posición como la
cantidad de control, en vez de la presión medida realmente.
Las figuras 5C y 5D muestran ejemplos en los que
la presión como la magnitud de control en las figuras 5A y 5B se
cambia a una magnitud de control de la posición de la plataforma
(4102) en la dirección (z) (figura 4). En estos ejemplos, las
irregularidades en la presión o en el resultado del proceso pueden
ser debidas a desigualdades en las dimensiones y en las constantes
mecánicas del molde (4105) y de la pieza (4104), en la viscosidad y
en la magnitud de aplicación del material de resina, en errores de
posición de la plataforma, en deformación del elemento respectivo
debido a cambios de temperatura, etc. Sin embargo, en el caso en que
las irregularidades sean aceptables, es posible omitir la detección
de la presión y el mecanismo de control, de modo que es posible
realizar un aparato más simple y de menor coste.
A este respecto, como información de la posición
utilizada para el control, puede utilizarse otra información de la
posición obtenida mediante medición directa del intersticio entre el
molde (4105) y la pieza (4104) o mediante la medición de la
posición de otro elemento tal como la mordaza o similar.
A continuación se describirá la detección de la
cantidad de llenado en esta realización, haciendo referencia a las
figuras 6A a 6C las cuales son vistas esquemáticas para ilustrar un
proceso de llenado del material de resina.
En las figuras 6A a 6C, el numeral de referencia
(6104) representa una pieza (substrato), el numeral de referencia
(6105) representa un molde, el numeral de referencia (6108)
representa un láser, el numeral de referencia (6109) representa un
fotodiodo y el numeral de referencia (6201) representa un material
de resina.
La figura 6A muestra el estado antes de la
aplicación de la presión. Bajo la aplicación de la presión, el
estado de llenado del material de resina (6201) progresa hasta el
estado mostrado en la figura 6C a través de un estado mostrado en
la figura 6B, conduciendo de este modo a completar el llenado del
material de resina (6201).
En el estado mostrado en la figura 6A, la luz
láser emitida desde el láser (6108) es reflejada en las superficies
del molde (6105) y de la pieza (6104), pero no penetra en el
fotodiodo (6109) debido a la disposición descrita anteriormente del
láser (6108) y del fotodiodo (6109).
Cuando el estado de llenado del material de
resina progresa hasta el estado mostrado en la figura 6B, de modo
que el interfaz entre el material de resina (6201) y el molde (6105)
se cruza con la luz láser, la luz láser reflejada y dispersada en
el interfaz, penentra en el fotodiodo (6109).
Cuando el estado de llenado del material de
resina progresa todavía más hasta el estado mostrado en la figura
6C de manera que el interfaz es desviado de la luz láser, la luz
láser que penetra en el fotodiodo (6109) vuelve a ser nula.
La figura 7 muestra un ejemplo de un cambio en
el tiempo de una señal de salida del fotodiodo en el proceso
descrito anteriormente.
En esta realización, en un momento de cambio
mostrado en la figura 7, se inicia la operación de finalización del
periodo de llenado, es decir, una disminución en la fuerza de
presión.
A este respecto, el método de detección de la
cantidad de llenado no está limitado a lo descrito en esta
realización. Por ejemplo, es aplicable asimismo otro método tal
como el incremento del margen del material de resina captado por la
pantalla (4107) para calcular la cantidad de llenado a través del
proceso de la imagen. Es posible asimismo, aplicar un método tal
como que la operación de finalización del periodo de llenado se
inicia después de un cierto lapso de tiempo después del tiempo de
detección descrito anteriormente de la cantidad de llenado, en el
caso en que deba localizarse un punto de detección de la cantidad de
llenado próximo al centro del molde debido a la constitución del
aparato y cuando la velocidad de llenado es reducida debido a las
características del material de resina. Además, es posible asimismo
dejar de utilizar el mecanismo de detección de la cantidad de
llenado en los casos en que la irregularidad en el tiempo de llenado
es menor y cuando es aceptable una disminución en el rendimiento o
en la precisión del proceso debido a la irregularidad en el tiempo
de llenado. Por ejemplo, es posible asimismo terminar el periodo de
llenado mediante la gestión del tiempo a partir del inicio de la
aplicación de la presión por medio del circuito (4128) de control de
la cantidad de llenado. En este caso es posible omitir el mecanismo
de detección y control de la cantidad de llenado, de modo que puede
realizarse un aparato más simple y de menor
coste.
coste.
A este respecto, con el objeto de llevar a cabo
con precisión la alineación en la dirección en el plano, la
alineación puede ser realizada preferentemente bajo la aplicación de
una presión reducida de 0,01 a 0,1 MPa, o una presión menor que la
presión baja.
\vskip1.000000\baselineskip
Realización
2
En la realización 2, se describirá otro ejemplo
constitutivo, diferente del ejemplo constitutivo de la realización
1.
La diferencia entre esta realización y la
realización 1 es solamente la diferencia en el método de control de
la presión, de modo que se omite la descripción de la parte común y
solamente se describirá el control de presión de esta
realización.
Las figuras 8A a 8D son gráficos, cada uno de
los cuales muestra una relación entre una cantidad de control y su
cambio con el tiempo.
Las figuras 8A a 8D corresponden a las figuras
5A a 5D, respectivamente. En el periodo de llenado mostrado en cada
una de las figuras 8A a 8D la presión está aplicada en forma de
impulsos.
En esta realización, en el periodo de llenado,
la cantidad del material de resina llenado se detecta de manera
similar a la de la realización 1 y se interrumpe la aplicación de
la presión posterior en un momento (en un punto) en que la cantidad
de llenado detectada alcanza un valor de referencia, para realizar
el cambio al periodo de exposición de la alineación.
En el método de control de la presión de esta
realización, el cambio de periodo se realiza con una temporización
diferenciada entre los impulsos respectivos, de modo que se
disminuye la resolución del control de la cantidad de llenado.
No obstante, es posible terminar el periodo de
llenado con fiabilidad incluso en el caso en que es difícil
controlar la cantidad de llenado, tal como en el caso de una gran
inercia del material de resina o en el caso de una velocidad de
llenado muy elevada del material de resina, de manera que se puede
mejorar la fiabilidad del proceso.
A este respecto, en la figura 8A, el límite
inferior de la presión (fuerza de empuje) durante el periodo de
llenado esta representado de modo que es igual al valor de la
presión en el periodo de exposición de la alineación, pero asimismo
puede ser menor o mayor que el valor de la presión en el periodo de
exposición de la alineación. La diferencia entre el límite inferior
de la presión en el periodo de llenado y el valor de la presión en
el periodo de exposición de la alineación puede ser preferentemente
de 0 a 50%, más preferentemente de 0 a 30%, todavía más
preferentemente de 0 a 15%.
\vskip1.000000\baselineskip
Realización
3
En la realización 3 se describirá un método de
proceso de la presión (método de impresión) según la presente
invención.
Más específicamente, en el método de proceso de
la presión de esta realización, se endurece un material de resina
interpuesto entre un molde y un elemento a procesar mediante la
aplicación al mismo de energía en forma de impulsos, por lo menos
desde uno de los lados del molde y del elemento a procesar. Como
resultado del endurecimiento del material de resina, es posible
formar una configuración, dispuesta en una superficie de proceso del
molde en el material de resina.
En lo que se refiere a la energía pulsante, es
posible utilizar rayos UV o luz láser en caso de utilizar un
material de resina fotoendurecible. En caso de utilizar el efecto
térmico, es posible utilizar, por ejemplo, rayos infrarrojos.
Tal como se ha descrito anteriormente, mediante
la aplicación de energía para el endurecimiento en una forma
pulsante, se mejora la capacidad de control del estado de
endurecimiento del material de resina.
Esta realización es aplicable asimismo a la
realización 1 y a la realización 2, en las que se realiza el control
de la presión aplicada al material de resina.
Aunque la invención ha sido descrita haciendo
referencia a las estructuras dadas a conocer en esta memoria, está
definida mediante las reivindicaciones adjuntas.
Un método de impresión para imprimir una
configuración de impresión de un molde en un material de formación
de una configuración en un substrato de modo que se consiga un
rendimiento elevado, incluye las etapas de poner en contacto la
configuración de impresión y el material de formación de la
configuración uno con el otro; aplicar una primera presión entre el
molde y el substrato para incrementar la zona de contacto entre la
configuración de impresión y el material de formación de la
configuración; y ajustar la relación de posición entre el molde y
el substrato con una segunda presión menor que la primera
presión.
Claims (16)
1. Método de impresión para imprimir una
configuración de impresión de un molde (4105, 6105) sobre un
material de formación de una configuración sobre un substrato
(4104, 6104), comprendiendo dicho método de impresión:
poner la configuración de impresión y el
material de formación de la configuración en contacto uno con el
otro;
y
y
aplicar una primera presión entre el molde
(4105, 6105) y el substrato (4104, 6104) para incrementar la zona
de contacto entre la configuración de impresión y el material de
formación de la configuración;
caracterizado por la aplicación de una
segunda presión menor que la primera presión y por ajustar la
relación de posición entre el molde (4105, 6105) y el substrato
(4104, 6104) en la segunda presión.
2. Método según la reivindicación 1, en el que
la primera presión se incrementa durante el incremento de la zona
de contacto entre la configuración de impresión y el material de
formación de la configuración hasta un primer valor de la presión
(P1), y la segunda presión es menor que el primer valor de la
presión (P1) hasta el cual se incrementa la primera presión.
3. Método según la reivindicación 1, en el que
la primera presión aumenta y disminuye de forma repetitiva durante
el incremento de la zona de contacto entre la configuración de
impresión y el material de formación de la configuración para
alcanzar un valor de la primera presión (P1), y la segunda presión
es inferior al valor de la primera presión (P1) hasta el cual se
incrementa la primera presión.
4. Método según la reivindicación 1, en el que
el material de formación de la configuración es un material de
resina que es endurecido después de ajustar la relación de la
posición entre el molde (4105, 6105) y el substrato (4104,
6104).
5. Método según la reivindicación 1, en el que
el material de formación de la configuración es un material de
resina que es endurecido mientras se controla la posición, por lo
menos del molde (4105, 6105) y del substrato (4104, 6104), de modo
que se mantiene la relación de posición entre el molde (4105, 6105)
y el substrato (4104, 6104) después de ajustar la relación de la
posición.
6. Método según la reivindicación 1, en el que
la relación de posición se ajusta en una dirección en el plano
perpendicular al eje de presión de la primera presión.
7. Método según la reivindicación 1, en el que
la relación de posición es un intersticio entre el molde (4105,
6105) y el substrato (4104, 6104) en una dirección paralela al eje
de empuje de la primera presión.
8. Método según la reivindicación 1, en el que
el substrato (4104, 6104) o el molde (4105, 6105) están sometidos a
vibración ultrasónica durante el incremento de la zona de contacto
entre la configuración de impresión y el material de formación de la
configuración.
9. Método según la reivindicación 1, en el que
se aplica una presión menor que la segunda presión o una presión
negativa, entre el molde (4105, 6105) y el substrato (4104, 6104)
para aliviar una fuerza de empuje después de aplicar la primera
presión entre el molde (4105, 6105) y el substrato (4104, 6104) y
antes de aplicar la segunda
presión.
presión.
10. Método según la reivindicación 1, en el que
una presión aplicada entre el molde (4105, 6105) y el substrato
(4104, 6104) cambia a una forma de impulsos durante el incremento de
la zona de contacto entre la configuración de impresión y el
material de formación de la configuración.
11. Aparato de impresión para imprimir una
configuración de impresión de un molde (4105, 6105) sobre un
material de formación de una configuración en un substrato (4104,
6104), comprendiendo dicho aparato de impresión:
una parte de soporte del molde (4105, 6106) para
soportar el molde (4105, 6105);
una plataforma (4102) de un substrato (4104,
6104) para montar el substrato (4104, 6104) en la misma;
una parte (3001) de detección para detectar una
presión o una carga aplicada entre el molde (4105, 6105) y el
substrato (4104, 6104);
una parte (3002) de control de la presión para
controlar la presión aplicada entre el molde (4105, 6105) y el
substrato (4104, 6104);
una parte (3003) de ajuste de la posición para
ajustar la relación de posición entre el molde (4105, 6105) y el
substrato (4104, 6104); y
una parte (3004) de adquisición de información
para adquirir información sobre el estado del contacto entre la
configuración de impresión y el material de formación de la
configuración en el substrato (4104, 6104) y para transmitir
información a la parte (3002) de control de la presión;
en el que dicha parte (3002) de control de la
presión puede determinar valores de una primera presión y de una
segunda presión menor que la primera presión, y cambiar un valor
determinado de la primera presión al valor de la segunda presión en
base a la información de dicha parte (3004) de adquisición de
información.
12. Aparato, según la reivindicación 11, en el
que dicha parte (3003) de ajuste de la posición, ajusta la relación
de posición entre el molde (4105, 6105) y el substrato (4104, 6104)
al valor de la segunda presión.
13. Aparato, según la reivindicación 11, en el
que dicho aparato de impresión comprende además una fuente de
energía para endurecer el material de formación de la configuración,
y en el que el material de formación de la configuración es
endurecido al valor de la segunda presión mediante dicha fuente de
energía.
14. Proceso para la producción de un chip, que
comprende:
imprimir una configuración de impresión de un
molde (4105, 6105) sobre un material de formación de una
configuración en un substrato (4104, 6104) utilizando un método de
impresión según la reivindicación 1; y
efectuar un ataque químico del substrato (4104,
6104) utilizando el material de formación de la configuración como
máscara.
15. Método de impresión, para imprimir una
configuración de impresión de un molde (4105, 6105) en un material
de formación de una configuración en un substrato (4104, 6104) según
la reivindicación 1, en el que la presión es producida por una
carga.
16. Proceso para la producción de un chip, que
comprende:
imprimir una configuración de impresión de un
molde (4105, 6105) sobre un material de formación de una
configuración en un substrato (4104, 6104) utilizando un método de
impresión según la reivindicación 1; y
efectuar un ataque químico del substrato (4104,
6104) utilizando el material de formación de la configuración como
máscara.
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|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| ES06122371T Active ES2323979T3 (es) | 2005-10-18 | 2006-10-16 | Metodo de impresion, aparato de impresion y procedimiento para la fabricacion de un chip. |
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|---|---|
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Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078617A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
| WO2008099795A2 (en) | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method and imprint apparatus |
| JP5188192B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法 |
| JP4810496B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2011-11-09 | 株式会社東芝 | パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート |
| JP5144127B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント用のモールドの製造方法 |
| KR100867951B1 (ko) * | 2007-07-16 | 2008-11-11 | 삼성전기주식회사 | 임프린팅 방법 |
| KR100914061B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2009-08-28 | 주식회사 디씨엔 | 소프트 스탬핑 장치 |
| US8945444B2 (en) * | 2007-12-04 | 2015-02-03 | Canon Nanotechnologies, Inc. | High throughput imprint based on contact line motion tracking control |
| US8457175B2 (en) * | 2008-01-29 | 2013-06-04 | Sony Corporation | Systems and methods for securing a digital communications link |
| JP5326468B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-10-30 | 凸版印刷株式会社 | インプリント法 |
| JP5150309B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2013-02-20 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
| JP5666082B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2015-02-12 | 東芝機械株式会社 | 転写装置およびプレス装置 |
| US20100022036A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Ikuo Yoneda | Method for forming pattern, and template |
| JP5279397B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、およびデバイス製造方法 |
| KR101027468B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2011-04-06 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
| JP5517423B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
| JP2010067796A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Canon Inc | インプリント装置 |
| NL2003347A (en) | 2008-09-11 | 2010-03-16 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
| JP2010080631A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | 押印装置および物品の製造方法 |
| US8652393B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-02-18 | Molecular Imprints, Inc. | Strain and kinetics control during separation phase of imprint process |
| US8309008B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-11-13 | Molecular Imprints, Inc. | Separation in an imprint lithography process |
| US20110210480A1 (en) * | 2008-11-18 | 2011-09-01 | Rolith, Inc | Nanostructures with anti-counterefeiting features and methods of fabricating the same |
| FR2939241B1 (fr) * | 2008-11-28 | 2011-03-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un substrat nanostructure pour oled et procede de fabrication d'une oled |
| JP5376930B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-12-25 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP5402069B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2014-01-29 | 凸版印刷株式会社 | 針状構造物の製造方法 |
| JP5173944B2 (ja) | 2009-06-16 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
| JP5284212B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US9044879B2 (en) | 2009-08-31 | 2015-06-02 | Konica Minolta Opto, Inc. | Production method of wafer lens |
| NL2005265A (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-11 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
| JP5385749B2 (ja) * | 2009-10-08 | 2014-01-08 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
| JP5364533B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | インプリントシステムおよびインプリント方法 |
| JP2011146447A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Canon Inc | インプリント装置及び物品の製造方法 |
| JPWO2012063948A1 (ja) * | 2010-11-12 | 2014-05-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 金型の微細パターン面清掃方法とそれを用いたインプリント装置 |
| JP5850717B2 (ja) | 2010-12-02 | 2016-02-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法 |
| JP5637931B2 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-12-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法 |
| JP5864929B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
| JP6061524B2 (ja) | 2011-08-11 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
| JP6333039B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法 |
| JP6315904B2 (ja) | 2013-06-28 | 2018-04-25 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法 |
| CN103596372B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-08-31 | 丁保美 | Pcb板超声波灌孔方法 |
| JP6363838B2 (ja) | 2014-01-08 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
| JP6465577B2 (ja) | 2014-07-11 | 2019-02-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
| TWI512292B (zh) * | 2014-09-04 | 2015-12-11 | Taiwan Green Point Entpr Co | 薄膜式生物晶片之製作方法 |
| JP6470153B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-02-13 | 東芝メモリ株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP6875879B2 (ja) | 2017-02-22 | 2021-05-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
| US10534259B2 (en) * | 2017-03-28 | 2020-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and system for imprint force control |
| US10211072B2 (en) * | 2017-06-23 | 2019-02-19 | Applied Materials, Inc. | Method of reconstituted substrate formation for advanced packaging applications |
| US11036130B2 (en) * | 2017-10-19 | 2021-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Drop placement evaluation |
| CN109119404B (zh) * | 2018-07-16 | 2021-04-02 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 对准方法、压印方法和晶圆堆叠方法 |
| US11815811B2 (en) | 2021-03-23 | 2023-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnification ramp scheme to mitigate template slippage |
| US12124165B2 (en) | 2021-10-25 | 2024-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for optimizing actuator forces |
| JP7840790B2 (ja) * | 2022-06-09 | 2026-04-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH084958B2 (ja) * | 1986-07-23 | 1996-01-24 | 石川島播磨重工業株式会社 | 等方圧圧縮成形プレス |
| DE3724996C2 (de) | 1987-07-28 | 1993-11-04 | Siemens Ag | Verfahren zur schnellen fuellung eines engen raumes mit einem fliessfaehigen harz |
| JP3166203B2 (ja) * | 1991-06-05 | 2001-05-14 | 日本板硝子株式会社 | 基板上に微細凹凸パターンを形成する方法 |
| JP3322351B2 (ja) * | 1992-04-22 | 2002-09-09 | 大日本印刷株式会社 | 両面レリーフパターン複製方法及び装置 |
| US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
| JPH09201874A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-05 | Sony Corp | 表面に凹凸模様を備えた物品、特に光ディスクの成形方法及びその成形装置 |
| US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
| SE515962C2 (sv) | 2000-03-15 | 2001-11-05 | Obducat Ab | Anordning för överföring av mönster till objekt |
| US6551720B2 (en) * | 2000-05-02 | 2003-04-22 | Sarnoff Corporation | Materials to fabricate a high resolution plasma display back panel |
| CN100365507C (zh) | 2000-10-12 | 2008-01-30 | 德克萨斯州大学系统董事会 | 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板 |
| EP1441868A4 (en) * | 2001-10-11 | 2006-08-30 | Brewer Science Inc | REPRODUCTION OF PATTERNED STRUCTURE USING NON-STICKING FORM |
| US7442336B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-10-28 | Molecular Imprints, Inc. | Capillary imprinting technique |
| US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| EP1593477A1 (en) * | 2003-01-15 | 2005-11-09 | Scivax Corporation | Device, method, and system for pattern forming |
| JP4090374B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2008-05-28 | 株式会社日立製作所 | ナノプリント装置、及び微細構造転写方法 |
| US7618510B2 (en) * | 2003-05-23 | 2009-11-17 | The Regents Of The University Of Michigan | Imprinting polymer film on patterned substrate |
| US7150622B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-12-19 | Molecular Imprints, Inc. | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes |
| JP4569744B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2010-10-27 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 光学素子の成形方法 |
| JP2005153091A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | 転写方法及び転写装置 |
| EP1538482B1 (en) | 2003-12-05 | 2016-02-17 | Obducat AB | Device and method for large area lithography |
| KR100558754B1 (ko) * | 2004-02-24 | 2006-03-10 | 한국기계연구원 | Ｕｖ 나노임프린트 리소그래피 공정 및 이 공정을수행하는 장치 |
| JP4564272B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7229933B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-06-12 | Intel Corporation | Embossing processes for substrate imprinting, structures made thereby, and polymers used therefor |
| JP4574240B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 加工装置、加工方法、デバイス製造方法 |
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