SE515962C2 - Anordning för överföring av mönster till objekt - Google Patents
Anordning för överföring av mönster till objektInfo
- Publication number
- SE515962C2 SE515962C2 SE0000848A SE0000848A SE515962C2 SE 515962 C2 SE515962 C2 SE 515962C2 SE 0000848 A SE0000848 A SE 0000848A SE 0000848 A SE0000848 A SE 0000848A SE 515962 C2 SE515962 C2 SE 515962C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- holder
- stamp
- male
- female
- pressure
- Prior art date
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Sewing Machines And Sewing (AREA)
- Auxiliary Devices For And Details Of Packaging Control (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
25 30 35 515 952 gægggfiä' o coon o o a 2 lella med en noggrannhet av några få nanometer. Vid in- dustriella tillämpningar kan objektet ha en diameter av ca 15-30 cm, vilket innebär att de mot varandra anbringa- de ytorna kan ha en maximal snedställningsvinkel om ca 10” rad; En större snedstållning mellan stämpeln och objektet kan; förutom ojämn strukturering av objektet, också leda till att det senare krossas. Substratet är nämligen som regel tillverkat av ett sprött material, t ex Si/SiO2, GaAs eller InP, och det tryck som applice- ras på substratet under ansättningen är högt, typiskt 4- 10 MPa.
En tänkbar lösning på ovanstående problem vore att fixera anordningens upptagningsytor i ett inbördes helt parallellt förhållande en gång för alla. Detta förutsät- ter dock att alla objekt har perfekt planparallella flat- sidor. Av tillverkningstekniska skäl är detta inte möj- ligt, varför anordningen måste justeras för varje enskilt objekt. _ I Enligt en tidigare föreslagen lösning på detta prob- lem är ett flertal kraft- eller trycksensorer monterade i upptagningsytan för stämpeln eller objektet. En styrenhet är inrättad att aktivt reglera ansättningsorganens inbör- des vinkelläge baserat på den sålunda uppmätta tryckför- delningen. Detta är dock en både dyr och komplicerad lös- ning, som ocksä är svår att skala upp för strukturering av större objekt.
Sammanfattning av uppfinningen Det är ett ändamål med uppfinningen att helt eller delvis övervinna ovan beskrivna problem med känd teknik.
Närmare bestämt är det ett ändamål att åstadkomma en en- kel anordning för överföring av ett mönster från en stäm- pel till ett objekt med hög grad av inbördes parallelli- tet mellan stämpeln och objektet.
Det är också ett ändamål med uppfinningen att åstad- komma en sådan anordning som medger ansättning av stäm- peln mot objektet under högt tryck. lO 15 20 25 30 35 515 962 3 Det år ett speciellt ändamål med uppfinningen att åstadkomma en anordning som är lämpad för överföring av mikro- eller nanostrukturer till objektet.
Dessa och andra ändamål, som kommer att frangå av efterföljande beskrivning, har nu uppnåtts medelst en an- ordning enligt efterföljande patentkrav 1. Föredragna ut- föringsformer definieras i de underordnade patentkraven.
I den uppfinningsenliga anordningen kan upptagnings- ytorna, och stämpeln och objektet som är upptagna på dessa, sammanföras i ett icke-parallellt läge. När stäm- peln ansätts mot objektet kommer dessa automatiskt att bringas i ett inbördes parallellt läge genom att kraft- verkan dem emellan svänger den ena upptagningsytan rela- tivt den andra upptagningsytan. Anordningen år av enkel konstruktion och kan utformas att medge ansåttning av stämpeln mot objektet under högt tryck. Anordningen kan dessutom enkelt skalas upp för strukturering av objekt med större diameter eller tjocklek.
Enligt en föredragen utföringsform år hållaren är svängbart förbunden med stommen via samverkande han- och honpartier, vilka mellan sig avgränsar en kammare för upptagning av en vätska, företrädesvis en hydraulvåtska.
En sådan anordning medger mjuk och gradvis ansättning av stämpeln mot objektet tack vare att vätskan förmår bi- bringa hàllarens svängningsrörelse en viss tröghet. Väts- kan i kammaren mellan hanpartiet och honpartiet förmår också ta upp plötsliga tryckförändringar som kan uppkomma vid ansättningen, vilket också gynnar en mjuk och gradvis ansåttning. En ytterligare fördel med denna utföringsform ligger i möjligheten att via en trycksensor avkänna det i kammaren upprättade trycket, vilket kan omvandlas till ett nära nog exakt värde på det faktiska ansättnings- trycket mellan stämpeln och objektet. Baserat på det av trycksensorn avkända trycket kan således pressdonet styras att åstadkomma ett väldefinierat tryck mellan stämpeln och objektet. accou- 10 15 20 25 30 35 4 Enligt ett ytterligare föredraget utförande är han- partiet infört i honpartiet så, att kammaren omsluter det i honpartiet anordnade hanpartiet. Därigenom minimeras den mekaniska kontakten mellan han- och honpartierna.
När stämpeln och objektet under ansättningen svängs till ett inbördes parallellt läge utövas störst krafter pä objektets periferikanter. Dessa krafter minimeras i ett föredraget utförande genom att honpartiet avgränsar ett mynningsparti, vilket står i tätande kontakt med ett runtomgàende parti av hanpartiet, och att det runtomgàen- de partiet har en diameter som lika stor som eller mindre än diametern av hàllarens upptagningsyta.
För ästadkommande av en optimalt jämn ansättning av stämpeln mot objektet är det föredraget det pà hàllaren anordnade han- eller honpartiet är koaxiellt med hàlla- rens upptagningsyta.
Kort beskrivning av ritningarna Uppfinningen och dess fördelar kommer att beskrivas närmare i det följande under hänvisning till bifogade schematiska ritningar, vilka i exemplifierande syfte visar för närvarande föredragna utföringsformer av upp- finningen.
Fig la-ld åskådliggör överföring av ett mönster från en stämpel till ett substrat genom nanoimprintlitografi enligt en känd process.
Fig 2 är en principskiss av en anordning enligt en första utföringsform av uppfinningen. \ Fig 3a är en sidovy i större skala av det i fig 2 àtergivna mothället, varvid vissa inre delar visas med streckade linjer, och fig 3b är en sektionsvy tagen i centrumplanet av mothàllet i fig 3a.
Fig 4-6 är sektionsvyer tagna i centrumplanet av mothåll enligt alternativa utföringsformer av uppfin- ningen.
Beskrivning av föredragna utföringsformer I fig 2 visas schematiskt en anordning enligt en första utföringsform av uppfinningen. Anordningen, som är 10 15 20 25 30 35 515 1962 f i::= 5 avsedd att överföra ett mönster från en stämpel 1 till ett objekt 2, omfattar en press 10 och ett med pressen samverkande mothàll 20. Pressen 10, som kan vara av känt slag, t ex en hydrauliskt manövrerad press, har ett kolv- element 11 som är rörligt fram och tillbaka i en väldefi- nierad riktning relativt en fast anordnad stomme 12 hos pressen 10. Kolvelementet 11 har på sin bort från stommen 12 vända sida en yta 13 för mottagning av stämpeln 1, Anordningen inbegriper vidare ett mothäll 20, vilket omfattar en fast anordnad stomme 21 och en hållare 22, vilken pä sin bort från stommen 21 vända sida har en yta 23 för mottagning av objektet 2. Denna yta 23 har väsent- ligen samma utsträckning som det objekt 2 som skall-mot- tagas därpå. Vid ytan 23 är det inrättat ett låsorgan (ej visat) för fasthällning av objektet 2. Detta läsorgan kan vara av godtyckligt slag, men för automatiserad produk- tion är det föredraget att undertryck används vid denna fasthállning. Hàllaren 22 är svängbar relativt stommen 21, såsom kommer att beskrivas närmare i anslutning till' fig 3a-3b.
I utföringsformen enligt fig 3a-3b omfattar stommen 21 en vertikal stödplatta 24 och ett honparti i form av ett utskott 25, vilket är hylsformigt och således avgrän- sar en urtagning 26. Hàllaren 22 omfattar en bottenplatta 27, vilken på sin ena sida avgränsar ytan 23 och på sin andra sida har ett hanparti i form av en utskjutande axel 28 som är anordnad koaxiellt med upptagningsytan 23. Q Axelns 28 distala ände är införd i urtagningen 26 och bildar med denna en sluten kammare 29. Både axeln 28 och urtagningen 26 har cirkulärt tvärsnitt. En tätning i form av en O-ring 30 är anordnad i ett runtomgáende spår 31 vid urtagningens 26 mynningsomràde 32. O-ringen 30 ligger an mot axelns 28 mantelyta för tätning av kammaren 29 mot omgivningen. Kammaren 29 är fylld med en lämplig hydraul- vätska med låg kompressibilitet, t ex en bromsolja för fordon. 10 15 20 25 30 35 5 'i 5 962 6 När stämpeln l pressas mot objektet 2 skapas ett förhöjt tryck i kammaren 29, vilket strävar efter att pressa O-ringen 30 ut ur spåret 31. För att motverka detta uppvisar mynningsomràdet 32 en runtomgäende styr- klack 33 som ansluter till spåret 31. För att minimera vätskeläckage fràn kammaren 29 via O-ringen 30 kan enligt ett ej visat utförande en flexibel duk, t ex av gummi- material, vara tätande fäst vid kammarens inre väggar, för bildande av ett vätskeavgränsande membran i kammaren 29. Vätskan är därvid fångad i utrymmet mellan membranet och kammarens 29 inre väggar och tar upp krafter från axelns 28 distala ände, vilken anligger mot membranet, när stämpeln 1 pressas mot objektet 2.
En trycksensor 34 sträcker sig genom en borrning 35 i stödplattan 24 till kontakt med vätskan i kammaren 29, antingen direkt eller via en skiljevägg (ej visad).
Enligt fig 1 är denna trycksensor 34 ansluten till en styrenhet 36, såsom en dator. Styrenheten 36 är kopplad -till pressen 10 och styr dess ansättning av stämpeln 1 mot objektet 2 via ett tryckstyrdon 37, t ex en pump/ven- til som styr ett på kolvelementet 11 verkande hydraul- tryck.
I ett fördraget utförande omfattar hàllaren 22 ett värmningsorgan (ej visat) för värmning av objektet 2.
Dessutom har hàllaren 22 lämpligen ett kylningsorgan i form av en kylkrets K som genomströmmas av ett kylmedium (fig 3a). en temperaturstabilisering av axeln 28 för undvikande av Förutom kylning av objektet 2 möjliggörs därmed formförändringar i densamma.
Anordningens arbetssätt kommer i korthet att beskri- vas nedan i anslutning till fig 1. Styrenheten 36 aktive- rar tryckstyrdonet 37 att förflytta kolvelementet ll i riktning mot det orörliga mothàllet 20 för ansättning mot detta. Normalt är den på kolvelementet 11 monterade stäm- peln 1 inte helt parallell med det på mothàllet 20 monte- rade objektet 2. Vid ansättningen mot objektet 2 elimine- ras automatiskt varje snedställning mellan stämpeln 1 och 10 l5 20 25 30 35 5 15 9 :62 ïÉÉÉ 7 objektet 2 genom att kraftverkan dem emellan bringar hàl- laren 22 att svänga relativt stommen 21 kring en centralt i mynningsomrädet 32 lokaliserad svängningspunkt. Vätskan i kammaren 29 dämpar hàllarens 22 rörelse under parallel- liseringen, sä att ansättningen kan ske mjukt. Därefter pressas de parallella upptagningsytorna 13; 23 mot var- andra tills trycksensorn 34 registrerar ett önskat an- sättningstryck, varpå styrenheten 36 bringar pressen 10 att låsa kolvelementet ll under en given tidsperiod. Där- efter aktiverar styrenheten 36 tryckstyrdonet 37 att för- flytta kolvelementet ll bort från mothàllet 20, sä att det strukturerade objektet 2 kan avlägsnas från upptag- ningsytan 23.
Mycket tillfredsställande resultat har uppnåtts med den i fig 2-3 àskädliggjorda anordningen vid framställ- ning av mikro- och nanostrukturer. Ett substrat av Si/SiO2 försågs med ett 300 nm tjockt skikt av 950K PMMA.
Detta objekt bakades i l80°C under ett dygn. Därefter monterades objektet i anordningen, varpä PMMA-skiktet värmdes till ca 170°C. Vid denna temperatur avslutades värmningen, och en stämpel med ett mönster av 300 nm djupa strukturer pressades mot objektet vid ett tryck av ca 60 bar under ca 1 minut. Samtidigt kyldes objektet till ca 80°C. Det sälunda strukturerade objektet upp- visade ett mönsterdjup pà ca 200 nm med god jämnhet över hela substratet, vars diameter i detta fall var ca 5 cm¿ I fig 4-6 visas schematiskt olika alternativa utfö- randen av mothàllet 20, varvid delar med motsvarighet i fig 2-3 har samma hänvisningsbeteckningar.
I fig 4 har stommens 21 och hàllarens 22 samverkandey hon- och hanpartier 25, 28 komplementär form, närmare be- stämt en delsfärisk form. Detta utförande torde resultera i en ännu något följsammare ansättning av stämpeln 1 pà' objektet 2. .
I fig 5 har hàllarens 22 upptagningsyta 23 väsent- ligen samma diameter som hanpartiets 28 mantelyta i myn- ningsomràdet. 10 15 _. ... n. . . u u - v .v . _ :_ _ ::::: ::::: :: J -."... n. o.. n n u u o o Q u a u» n o :z \ . . . . . - v ~ I u u v u u v _ l . a n 1 n an nu o» ao 8 I fig 6 är stommen 21 försedd med ett utskjutande hanparti 28' som samverkar med ett i hàllaren 22 utformat honparti 25'.
Det bör dock understrykas att uppfinningen ej är be- gränsad till ovan beskrivna utföringsformer-och att ät-- skilliga modifieringar är tänkbara inom ramen för efter- följande patentkrav. Exempelvis kan stämpeln 1 och objek- tet 2 byta plats pà bifogade ritningar. Enligt ett annat alternativ är hàllaren 22 svängbart anordnad på kolv- elementet 11 i stället för på mothállets 20 stomme 21.
Enligt ett ytterligare alternativ är mothàllet 20 anord- nat för rörelse mot kolvelementet ll. Det bör också inses att hällaren 22 i ett tänkbart utförande är svängbart förbunden med stommen 21 via en mekaniskt koppling, i stället för den ovan beskrivna hydromekaniska kopplingen.
Claims (17)
1. Anordning för överföring av ett mönster från en stämpel (1) till ett objekt (2), omfattande ett första ansättningsorgan (11) med en upptagningsyta (13) för' stämpeln (1), ett andra ansättningsorgan (20) med en upp- tagningsyta (23) för objektet (2), och ett pressdon (10) som är utformat att manövrera minst ett av ansättnings- organen (11, 20) för ansättning av stämpeln (1) och ob- jektet (2) mot varandra, kännetecknad av att ettdera av de första och andra ansättningsorganen (11, 20) omfattar en stomme (21) och en hållare (22), varvid hàllaren (22) har en första ände, (23), som är sà svängbart förbunden med stommen (21) som avgränsar en av nämnda upptagningsytor och en andra motstàende att stämpeln (1) och objektet (2) automatiskt bringas i ett ände, inbördes parallellt läge vid sin ansättning mot varandra.
2. Anordning enligt krav 1, varvid hàllaren (22) är svängbart förbunden med stommen (21) via samverkande han- och honpartier (28, 25; 28', 25'), vilka mellan sig av- gränsar en kammare (29) för upptagning av en vätska, företrädesvis en hydraulvätska. (28; 28') är infört i honpartiet (25; 25') sä, att kammaren
3. Anordning enligt krav 2, varvid hanpartiet (29) omsluter det i honpartiet (25; 25') anordnade han- partiet (28; 28').
4. Anordning enligt krav 2, varvid kammaren (29) är bildad vid nämnda motstäende ände av hàllaren (22).
5. Anordning enligt något av kraven 2-4, varvid ett- 25; 28', anordnat pä hällaren (22), företrädesvis koaxiellt med hällarens (22) (23).
6. Anordning enligt något av kraven 2-5, varvid hon- 25') (32), vilket står i tätande kontakt med ett runtomgäende parti (28; 28'). dera av nämnda han- och honpartier (28, 25') är upptagningsyta partiet (25; avgränsar ett mynningsparti av hanpartiet II J 0 00 OI 00 OO II s 0 I I 0 I I 0 I I 10 15 20 25 30 35 51 5. 9.6 2 Éiïš 10
7. Anordning enligt krav 6, varvid mynningspartiet (32) omfattar ett av flexibelt material utformat tät- ningselement (30) som anligger mot det runtomgående par- 'tiet av hanpartiet (28; 28').
8. Anordning enligt krav 6 eller 7, varvid det runt- omgående partiet är väsentligen cirkulärt. I
9. Anordning enligt något av kraven 6-8, varvid det runtomgående partiet har en diameter som är lika stor som eller mindre än diametern av hållarens (22) upptagnings- (23).
10. Anordning enligt något av kraven 2-9, varvid yta hanpartiet (28) är utformat vid hàllarens (22) motstående ände, och varvid honpartiet (25) är utformat i stommen (21).
11. Anordning enligt något av kraven 2-9, varvid honpartiet (25') år utformat vid hållarens (22) motstå- ende ände, och varvid hanpartiet (28') är utformat i stommen (21). V
12. Anordning enligt något av kraven 2-11, varvid en trycksensor (34) är anordnad att avkånna trycket hos den (29)
13. Anordning enligt krav 12, varvid trycksensorn i kammaren upptagna vätskan. (34) är anordnad i stommen (21). '
14. Anordning enligt krav 12 eller 13, varvid en styrenhet (36) är anordnad att baserat på det av tryck- att y upprätta ett givet tryck mellan ståmpeln (1) och objektet (2).
15. Anordning enligt något av föregående krav, var-V sensorn (34) avkända trycket styra pressdonet (10) vid hàllaren (22) innehåller en kylkrets (K) för genom- strömning av ett kylmedium.
16. Anordning enligt något av föregående krav, var- vid stämpeln (1) har ett mönster av mikro- eller nano- strukturer.
17. Anordning enligt något av föregående krav, var- vid objektet (2) applicerat skikt omfattar ett substrat (2a) och ett därpå (2b) av ett polymermaterial.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0000848A SE515962C2 (sv) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Anordning för överföring av mönster till objekt |
| CN01806518.XA CN1211706C (zh) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | 将图案转移到一个物体上的装置 |
| EP01915982A EP1264215B1 (en) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Device for transferring a pattern to an object |
| US10/221,331 US7165957B2 (en) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Device for transferring a pattern to an object |
| AT01915982T ATE344938T1 (de) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Einrichtung zum transferieren eines musters auf ein objekt |
| JP2001568134A JP3833537B2 (ja) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | 物体へのパターン転写装置 |
| HK04101215.3A HK1058553B (en) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Device for transferring a pattern to an object |
| AU2001242926A AU2001242926A1 (en) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Device for transferring a pattern to an object |
| DE60124377T DE60124377T2 (de) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Einrichtung zum transferieren eines musters auf ein objekt |
| PCT/SE2001/000527 WO2001069317A1 (en) | 2000-03-15 | 2001-03-14 | Device for transferring a pattern to an object |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0000848A SE515962C2 (sv) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Anordning för överföring av mönster till objekt |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE0000848D0 SE0000848D0 (sv) | 2000-03-15 |
| SE0000848L SE0000848L (sv) | 2001-09-16 |
| SE515962C2 true SE515962C2 (sv) | 2001-11-05 |
Family
ID=20278807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE0000848A SE515962C2 (sv) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Anordning för överföring av mönster till objekt |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7165957B2 (sv) |
| EP (1) | EP1264215B1 (sv) |
| JP (1) | JP3833537B2 (sv) |
| CN (1) | CN1211706C (sv) |
| AT (1) | ATE344938T1 (sv) |
| AU (1) | AU2001242926A1 (sv) |
| DE (1) | DE60124377T2 (sv) |
| SE (1) | SE515962C2 (sv) |
| WO (1) | WO2001069317A1 (sv) |
Families Citing this family (92)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6921615B2 (en) | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
| EP2270592B1 (en) | 2000-07-17 | 2015-09-02 | Board of Regents, The University of Texas System | Method of forming a pattern on a substrate |
| JP2004523906A (ja) | 2000-10-12 | 2004-08-05 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート |
| US6964793B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| US20030186405A1 (en) * | 2002-04-01 | 2003-10-02 | The Ohio State University Research Foundation | Micro/nano-embossing process and useful applications thereof |
| AU2003230483A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-10 | Obducat Ab | Device and method for transferring a pattern to a substrate |
| US7037639B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
| JP4372683B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2009-11-25 | オブデュキャット、アクチボラグ | パターン転写方法 |
| US7252492B2 (en) | 2002-06-20 | 2007-08-07 | Obducat Ab | Devices and methods for aligning a stamp and a substrate |
| AU2003239022A1 (en) | 2002-06-20 | 2004-01-06 | Obducat Ab | Mold tool method of manufacturing a mold tool and storage medium formed by use of the mold tool |
| US7179079B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Conforming template for patterning liquids disposed on substrates |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7019819B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
| US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| US7071088B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
| JP2005537656A (ja) * | 2002-08-27 | 2005-12-08 | オブデュキャット、アクチボラグ | 対象物にパターンを転写するための装置 |
| JP4640512B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2011-03-02 | 凸版印刷株式会社 | パターン形成装置及び方法 |
| US6936194B2 (en) | 2002-09-05 | 2005-08-30 | Molecular Imprints, Inc. | Functional patterning material for imprint lithography processes |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6980282B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-12-27 | Molecular Imprints, Inc. | Method for modulating shapes of substrates |
| US6871558B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7323130B2 (en) | 2002-12-13 | 2008-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Magnification correction employing out-of-plane distortion of a substrate |
| US7452574B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US7179396B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
| TW568349U (en) | 2003-05-02 | 2003-12-21 | Ind Tech Res Inst | Parallelism adjusting device for nano-transferring |
| US6951173B1 (en) | 2003-05-14 | 2005-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Assembly and method for transferring imprint lithography templates |
| US6805054B1 (en) | 2003-05-14 | 2004-10-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| JP2005064492A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
| JP2005101201A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US7090716B2 (en) | 2003-10-02 | 2006-08-15 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
| JP4625247B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2011-02-02 | 株式会社ナノテック | マイクロコンタクトプリント方法及び装置 |
| US7122482B2 (en) | 2003-10-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography |
| JP2005153113A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | ナノプリントを用いた微細3次元構造体の製造方法及び微細3次元構造体 |
| JPWO2005057634A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2007-07-05 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | ナノインプリントを利用するパターン形成方法および該方法を実行する装置 |
| US7019835B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate |
| US7730834B2 (en) * | 2004-03-04 | 2010-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Printing apparatus and device manufacturing method |
| ATE477515T1 (de) * | 2004-06-03 | 2010-08-15 | Molecular Imprints Inc | Fluidausgabe und tropfenausgabe nach bedarf für die herstellung im nanobereich |
| JP4713102B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2011-06-29 | Scivax株式会社 | 傾き調整機能付きプレス装置、傾き調整機能付きパターン形成装置、型の傾き調整方法 |
| JP4718946B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | 板状構造体の製造装置 |
| US7676088B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7686970B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US20060144814A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US20060144274A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7490547B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7354698B2 (en) * | 2005-01-07 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7922474B2 (en) * | 2005-02-17 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7523701B2 (en) | 2005-03-07 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography method and apparatus |
| KR100729427B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2007-06-15 | 주식회사 디엠에스 | 미세패턴 형성장치 |
| US7611348B2 (en) * | 2005-04-19 | 2009-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7762186B2 (en) * | 2005-04-19 | 2010-07-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7442029B2 (en) * | 2005-05-16 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7708924B2 (en) * | 2005-07-21 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7692771B2 (en) * | 2005-05-27 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US20060267231A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7418902B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography including alignment |
| JP3958344B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法 |
| US7377764B2 (en) * | 2005-06-13 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| KR101264673B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2013-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법 |
| US20070023976A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP4330168B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法 |
| JP4533358B2 (ja) | 2005-10-18 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
| US8011915B2 (en) | 2005-11-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7878791B2 (en) * | 2005-11-04 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP4923924B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2012-04-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
| US20070138699A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US7517211B2 (en) | 2005-12-21 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2007250685A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Engineering System Kk | ナノインプリント装置の型押し機構 |
| US8850980B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
| US7547398B2 (en) | 2006-04-18 | 2009-06-16 | Molecular Imprints, Inc. | Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features |
| JP4830171B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2011-12-07 | 学校法人早稲田大学 | モールド支持構造 |
| JP4830170B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2011-12-07 | 学校法人早稲田大学 | 転写装置 |
| US8318253B2 (en) * | 2006-06-30 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US8015939B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Imprintable medium dispenser |
| JP4745177B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2011-08-10 | 株式会社ナノテック | マイクロコンタクトプリントにおけるプリント圧力検出方法及び装置 |
| US7763484B2 (en) * | 2007-06-13 | 2010-07-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method to form an optical grating and to form a distributed feedback laser diode with the optical grating |
| US20090038636A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning method |
| US7854877B2 (en) | 2007-08-14 | 2010-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithography meandering order |
| JP5205866B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-06-05 | 住友電気工業株式会社 | モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| US8144309B2 (en) | 2007-09-05 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| DE102008002736A1 (de) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Bearbeitung einer Platte zu einem nanostrukturierten Formteil und ein Verfahren zur Herstellung desselben |
| JP5297266B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2013-09-25 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
| RU2436847C1 (ru) * | 2010-06-09 | 2011-12-20 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Физики Прочности И Материаловедения Сибирского Отделения Ран (Ифпм Со Ран) | Способ деформирования для получения заготовок в субмикрокристаллическом и наноструктурированном состоянии и устройство для его осуществления |
| FR2965495B1 (fr) * | 2010-10-01 | 2013-08-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'estampage et/ou de percage comprenant une tete support de substrat dont l'orientation est commandee en continu |
| JPWO2012147958A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2014-07-28 | Scivax株式会社 | 流体圧インプリント装置および加圧装置 |
| US9427893B2 (en) * | 2014-09-18 | 2016-08-30 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Molding press and a platen for a molding press |
| JP6611450B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-11-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
| US10438919B1 (en) | 2016-06-28 | 2019-10-08 | Northrop Grumman Systems Corporation | Passive hydraulic load leveler for thermal compression bonding |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873923A (en) * | 1986-05-16 | 1989-10-17 | Manning Douglas E | Hydraulic press platon support |
| DE3719200A1 (de) * | 1987-06-09 | 1988-12-29 | Ibm Deutschland | Optische speicherplatte und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5156782A (en) * | 1991-10-02 | 1992-10-20 | John T. Hepburn, Limited | Maintaining press platens in parallel relationship |
| US5378583A (en) * | 1992-12-22 | 1995-01-03 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet |
| JPH0757408B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1995-06-21 | 日清紡績株式会社 | 液圧プレス装置 |
| DE4317476C2 (de) * | 1993-05-26 | 1996-05-15 | Kloeckner Desma Elastomertechn | Vorrichtung zur Austriebsminimierung an Spritzgießteilen |
| US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
| GB9601289D0 (en) * | 1996-01-23 | 1996-03-27 | Nimbus Manufacturing Uk Limite | Manufacture of optical data storage disc |
| DE19609568C2 (de) * | 1996-03-12 | 2000-06-21 | Krauss Maffei Kunststofftech | Druckausgleichsvorrichtung zur Kompensation von Verkantungen |
| AUPO710697A0 (en) * | 1997-06-02 | 1997-06-26 | Becfab Equipment Pty Ltd | Press |
| US6027595A (en) * | 1998-07-02 | 2000-02-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby |
| US5947027A (en) * | 1998-09-08 | 1999-09-07 | Motorola, Inc. | Printing apparatus with inflatable means for advancing a substrate towards the stamping surface |
| US6758664B1 (en) * | 2001-01-12 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Self-leveling stamper module |
-
2000
- 2000-03-15 SE SE0000848A patent/SE515962C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-03-14 WO PCT/SE2001/000527 patent/WO2001069317A1/en not_active Ceased
- 2001-03-14 AT AT01915982T patent/ATE344938T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-03-14 JP JP2001568134A patent/JP3833537B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-14 US US10/221,331 patent/US7165957B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-14 DE DE60124377T patent/DE60124377T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-14 CN CN01806518.XA patent/CN1211706C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-14 EP EP01915982A patent/EP1264215B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-14 AU AU2001242926A patent/AU2001242926A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030170053A1 (en) | 2003-09-11 |
| JP3833537B2 (ja) | 2006-10-11 |
| EP1264215B1 (en) | 2006-11-08 |
| JP2003527248A (ja) | 2003-09-16 |
| SE0000848D0 (sv) | 2000-03-15 |
| WO2001069317A1 (en) | 2001-09-20 |
| US7165957B2 (en) | 2007-01-23 |
| HK1058553A1 (en) | 2004-05-21 |
| EP1264215A1 (en) | 2002-12-11 |
| AU2001242926A1 (en) | 2001-09-24 |
| SE0000848L (sv) | 2001-09-16 |
| CN1211706C (zh) | 2005-07-20 |
| DE60124377D1 (de) | 2006-12-21 |
| CN1437714A (zh) | 2003-08-20 |
| ATE344938T1 (de) | 2006-11-15 |
| DE60124377T2 (de) | 2007-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE515962C2 (sv) | Anordning för överföring av mönster till objekt | |
| CN100454141C (zh) | 用于将图案转印到物体的设备 | |
| CN100365507C (zh) | 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板 | |
| Greener et al. | Rapid, cost-efficient fabrication of microfluidic reactors in thermoplastic polymers by combining photolithography and hot embossing | |
| US8024977B2 (en) | Pressure sensor having a high full-scale value with package thereof | |
| US5537754A (en) | Extensometer and support for an extensometer | |
| CN1454333A (zh) | 压印制版用的透明模板与衬底之间间隙和取向的高精度控测方法 | |
| JP5824380B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 | |
| TW201929047A (zh) | 結合基材的裝置與方法 | |
| WO2014133624A2 (en) | Membrane-based fluid-flow control devices | |
| EP1789848A1 (en) | A flexible nano-imprint stamp | |
| WO2003020634A3 (en) | A method of fabrication of a sensor | |
| Park et al. | Thermal cycling characteristics of a 3D-printed serpentine microchannel for DNA amplification by polymerase chain reaction | |
| WO2010008508A1 (en) | Inner cavity system for nano-imprint lithography | |
| JP5590785B2 (ja) | 基板の均一な構造化のためのシステム | |
| US7632088B2 (en) | Cyclic loading system and methods for forming nanostructures | |
| Feng et al. | Arch-shaped ionic polymer–metal composite actuator integratable with micromachined functional tools for micromanipulation | |
| Islam et al. | One micron precision optically aligned method for hot-embossing and nanoimprinting | |
| JPWO2006082867A1 (ja) | ハイブリッド接離システム | |
| CN101920347A (zh) | 一种微量进给刀具及其方法 | |
| Liu et al. | A closed-loop intelligent control strategy for precise non-contact liquid dispensing | |
| Nie et al. | Next-Generation Superlubric Microvalves for Flexible Robotics: Enhancing Fluid Control with Zero Leakage, Ultralong Life, and Intrinsic Sensing Capability | |
| CN104967356B (zh) | 无过约束型微位移放大机构 | |
| Bageant et al. | Measurement and Process Control in Precision Hot Embossing | |
| US20080210109A1 (en) | Apparatus for applying a controlled force to an article |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |