SE515962C2 - Anordning för överföring av mönster till objekt - Google Patents

Anordning för överföring av mönster till objekt

Info

Publication number
SE515962C2
SE515962C2 SE0000848A SE0000848A SE515962C2 SE 515962 C2 SE515962 C2 SE 515962C2 SE 0000848 A SE0000848 A SE 0000848A SE 0000848 A SE0000848 A SE 0000848A SE 515962 C2 SE515962 C2 SE 515962C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
holder
stamp
male
female
pressure
Prior art date
Application number
SE0000848A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0000848D0 (sv
SE0000848L (sv
Inventor
Lars Montelius
Babak Heidari
Thord Stjernholm
Original Assignee
Obducat Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Obducat Ab filed Critical Obducat Ab
Priority to SE0000848A priority Critical patent/SE515962C2/sv
Publication of SE0000848D0 publication Critical patent/SE0000848D0/sv
Priority to JP2001568134A priority patent/JP3833537B2/ja
Priority to US10/221,331 priority patent/US7165957B2/en
Priority to AT01915982T priority patent/ATE344938T1/de
Priority to EP01915982A priority patent/EP1264215B1/en
Priority to HK04101215.3A priority patent/HK1058553B/xx
Priority to AU2001242926A priority patent/AU2001242926A1/en
Priority to DE60124377T priority patent/DE60124377T2/de
Priority to PCT/SE2001/000527 priority patent/WO2001069317A1/en
Priority to CN01806518.XA priority patent/CN1211706C/zh
Publication of SE0000848L publication Critical patent/SE0000848L/sv
Publication of SE515962C2 publication Critical patent/SE515962C2/sv

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Sewing Machines And Sewing (AREA)
  • Auxiliary Devices For And Details Of Packaging Control (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

25 30 35 515 952 gægggfiä' o coon o o a 2 lella med en noggrannhet av några få nanometer. Vid in- dustriella tillämpningar kan objektet ha en diameter av ca 15-30 cm, vilket innebär att de mot varandra anbringa- de ytorna kan ha en maximal snedställningsvinkel om ca 10” rad; En större snedstållning mellan stämpeln och objektet kan; förutom ojämn strukturering av objektet, också leda till att det senare krossas. Substratet är nämligen som regel tillverkat av ett sprött material, t ex Si/SiO2, GaAs eller InP, och det tryck som applice- ras på substratet under ansättningen är högt, typiskt 4- 10 MPa.
En tänkbar lösning på ovanstående problem vore att fixera anordningens upptagningsytor i ett inbördes helt parallellt förhållande en gång för alla. Detta förutsät- ter dock att alla objekt har perfekt planparallella flat- sidor. Av tillverkningstekniska skäl är detta inte möj- ligt, varför anordningen måste justeras för varje enskilt objekt. _ I Enligt en tidigare föreslagen lösning på detta prob- lem är ett flertal kraft- eller trycksensorer monterade i upptagningsytan för stämpeln eller objektet. En styrenhet är inrättad att aktivt reglera ansättningsorganens inbör- des vinkelläge baserat på den sålunda uppmätta tryckför- delningen. Detta är dock en både dyr och komplicerad lös- ning, som ocksä är svår att skala upp för strukturering av större objekt.
Sammanfattning av uppfinningen Det är ett ändamål med uppfinningen att helt eller delvis övervinna ovan beskrivna problem med känd teknik.
Närmare bestämt är det ett ändamål att åstadkomma en en- kel anordning för överföring av ett mönster från en stäm- pel till ett objekt med hög grad av inbördes parallelli- tet mellan stämpeln och objektet.
Det är också ett ändamål med uppfinningen att åstad- komma en sådan anordning som medger ansättning av stäm- peln mot objektet under högt tryck. lO 15 20 25 30 35 515 962 3 Det år ett speciellt ändamål med uppfinningen att åstadkomma en anordning som är lämpad för överföring av mikro- eller nanostrukturer till objektet.
Dessa och andra ändamål, som kommer att frangå av efterföljande beskrivning, har nu uppnåtts medelst en an- ordning enligt efterföljande patentkrav 1. Föredragna ut- föringsformer definieras i de underordnade patentkraven.
I den uppfinningsenliga anordningen kan upptagnings- ytorna, och stämpeln och objektet som är upptagna på dessa, sammanföras i ett icke-parallellt läge. När stäm- peln ansätts mot objektet kommer dessa automatiskt att bringas i ett inbördes parallellt läge genom att kraft- verkan dem emellan svänger den ena upptagningsytan rela- tivt den andra upptagningsytan. Anordningen år av enkel konstruktion och kan utformas att medge ansåttning av stämpeln mot objektet under högt tryck. Anordningen kan dessutom enkelt skalas upp för strukturering av objekt med större diameter eller tjocklek.
Enligt en föredragen utföringsform år hållaren är svängbart förbunden med stommen via samverkande han- och honpartier, vilka mellan sig avgränsar en kammare för upptagning av en vätska, företrädesvis en hydraulvåtska.
En sådan anordning medger mjuk och gradvis ansättning av stämpeln mot objektet tack vare att vätskan förmår bi- bringa hàllarens svängningsrörelse en viss tröghet. Väts- kan i kammaren mellan hanpartiet och honpartiet förmår också ta upp plötsliga tryckförändringar som kan uppkomma vid ansättningen, vilket också gynnar en mjuk och gradvis ansåttning. En ytterligare fördel med denna utföringsform ligger i möjligheten att via en trycksensor avkänna det i kammaren upprättade trycket, vilket kan omvandlas till ett nära nog exakt värde på det faktiska ansättnings- trycket mellan stämpeln och objektet. Baserat på det av trycksensorn avkända trycket kan således pressdonet styras att åstadkomma ett väldefinierat tryck mellan stämpeln och objektet. accou- 10 15 20 25 30 35 4 Enligt ett ytterligare föredraget utförande är han- partiet infört i honpartiet så, att kammaren omsluter det i honpartiet anordnade hanpartiet. Därigenom minimeras den mekaniska kontakten mellan han- och honpartierna.
När stämpeln och objektet under ansättningen svängs till ett inbördes parallellt läge utövas störst krafter pä objektets periferikanter. Dessa krafter minimeras i ett föredraget utförande genom att honpartiet avgränsar ett mynningsparti, vilket står i tätande kontakt med ett runtomgàende parti av hanpartiet, och att det runtomgàen- de partiet har en diameter som lika stor som eller mindre än diametern av hàllarens upptagningsyta.
För ästadkommande av en optimalt jämn ansättning av stämpeln mot objektet är det föredraget det pà hàllaren anordnade han- eller honpartiet är koaxiellt med hàlla- rens upptagningsyta.
Kort beskrivning av ritningarna Uppfinningen och dess fördelar kommer att beskrivas närmare i det följande under hänvisning till bifogade schematiska ritningar, vilka i exemplifierande syfte visar för närvarande föredragna utföringsformer av upp- finningen.
Fig la-ld åskådliggör överföring av ett mönster från en stämpel till ett substrat genom nanoimprintlitografi enligt en känd process.
Fig 2 är en principskiss av en anordning enligt en första utföringsform av uppfinningen. \ Fig 3a är en sidovy i större skala av det i fig 2 àtergivna mothället, varvid vissa inre delar visas med streckade linjer, och fig 3b är en sektionsvy tagen i centrumplanet av mothàllet i fig 3a.
Fig 4-6 är sektionsvyer tagna i centrumplanet av mothåll enligt alternativa utföringsformer av uppfin- ningen.
Beskrivning av föredragna utföringsformer I fig 2 visas schematiskt en anordning enligt en första utföringsform av uppfinningen. Anordningen, som är 10 15 20 25 30 35 515 1962 f i::= 5 avsedd att överföra ett mönster från en stämpel 1 till ett objekt 2, omfattar en press 10 och ett med pressen samverkande mothàll 20. Pressen 10, som kan vara av känt slag, t ex en hydrauliskt manövrerad press, har ett kolv- element 11 som är rörligt fram och tillbaka i en väldefi- nierad riktning relativt en fast anordnad stomme 12 hos pressen 10. Kolvelementet 11 har på sin bort från stommen 12 vända sida en yta 13 för mottagning av stämpeln 1, Anordningen inbegriper vidare ett mothäll 20, vilket omfattar en fast anordnad stomme 21 och en hållare 22, vilken pä sin bort från stommen 21 vända sida har en yta 23 för mottagning av objektet 2. Denna yta 23 har väsent- ligen samma utsträckning som det objekt 2 som skall-mot- tagas därpå. Vid ytan 23 är det inrättat ett låsorgan (ej visat) för fasthällning av objektet 2. Detta läsorgan kan vara av godtyckligt slag, men för automatiserad produk- tion är det föredraget att undertryck används vid denna fasthállning. Hàllaren 22 är svängbar relativt stommen 21, såsom kommer att beskrivas närmare i anslutning till' fig 3a-3b.
I utföringsformen enligt fig 3a-3b omfattar stommen 21 en vertikal stödplatta 24 och ett honparti i form av ett utskott 25, vilket är hylsformigt och således avgrän- sar en urtagning 26. Hàllaren 22 omfattar en bottenplatta 27, vilken på sin ena sida avgränsar ytan 23 och på sin andra sida har ett hanparti i form av en utskjutande axel 28 som är anordnad koaxiellt med upptagningsytan 23. Q Axelns 28 distala ände är införd i urtagningen 26 och bildar med denna en sluten kammare 29. Både axeln 28 och urtagningen 26 har cirkulärt tvärsnitt. En tätning i form av en O-ring 30 är anordnad i ett runtomgáende spår 31 vid urtagningens 26 mynningsomràde 32. O-ringen 30 ligger an mot axelns 28 mantelyta för tätning av kammaren 29 mot omgivningen. Kammaren 29 är fylld med en lämplig hydraul- vätska med låg kompressibilitet, t ex en bromsolja för fordon. 10 15 20 25 30 35 5 'i 5 962 6 När stämpeln l pressas mot objektet 2 skapas ett förhöjt tryck i kammaren 29, vilket strävar efter att pressa O-ringen 30 ut ur spåret 31. För att motverka detta uppvisar mynningsomràdet 32 en runtomgäende styr- klack 33 som ansluter till spåret 31. För att minimera vätskeläckage fràn kammaren 29 via O-ringen 30 kan enligt ett ej visat utförande en flexibel duk, t ex av gummi- material, vara tätande fäst vid kammarens inre väggar, för bildande av ett vätskeavgränsande membran i kammaren 29. Vätskan är därvid fångad i utrymmet mellan membranet och kammarens 29 inre väggar och tar upp krafter från axelns 28 distala ände, vilken anligger mot membranet, när stämpeln 1 pressas mot objektet 2.
En trycksensor 34 sträcker sig genom en borrning 35 i stödplattan 24 till kontakt med vätskan i kammaren 29, antingen direkt eller via en skiljevägg (ej visad).
Enligt fig 1 är denna trycksensor 34 ansluten till en styrenhet 36, såsom en dator. Styrenheten 36 är kopplad -till pressen 10 och styr dess ansättning av stämpeln 1 mot objektet 2 via ett tryckstyrdon 37, t ex en pump/ven- til som styr ett på kolvelementet 11 verkande hydraul- tryck.
I ett fördraget utförande omfattar hàllaren 22 ett värmningsorgan (ej visat) för värmning av objektet 2.
Dessutom har hàllaren 22 lämpligen ett kylningsorgan i form av en kylkrets K som genomströmmas av ett kylmedium (fig 3a). en temperaturstabilisering av axeln 28 för undvikande av Förutom kylning av objektet 2 möjliggörs därmed formförändringar i densamma.
Anordningens arbetssätt kommer i korthet att beskri- vas nedan i anslutning till fig 1. Styrenheten 36 aktive- rar tryckstyrdonet 37 att förflytta kolvelementet ll i riktning mot det orörliga mothàllet 20 för ansättning mot detta. Normalt är den på kolvelementet 11 monterade stäm- peln 1 inte helt parallell med det på mothàllet 20 monte- rade objektet 2. Vid ansättningen mot objektet 2 elimine- ras automatiskt varje snedställning mellan stämpeln 1 och 10 l5 20 25 30 35 5 15 9 :62 ïÉÉÉ 7 objektet 2 genom att kraftverkan dem emellan bringar hàl- laren 22 att svänga relativt stommen 21 kring en centralt i mynningsomrädet 32 lokaliserad svängningspunkt. Vätskan i kammaren 29 dämpar hàllarens 22 rörelse under parallel- liseringen, sä att ansättningen kan ske mjukt. Därefter pressas de parallella upptagningsytorna 13; 23 mot var- andra tills trycksensorn 34 registrerar ett önskat an- sättningstryck, varpå styrenheten 36 bringar pressen 10 att låsa kolvelementet ll under en given tidsperiod. Där- efter aktiverar styrenheten 36 tryckstyrdonet 37 att för- flytta kolvelementet ll bort från mothàllet 20, sä att det strukturerade objektet 2 kan avlägsnas från upptag- ningsytan 23.
Mycket tillfredsställande resultat har uppnåtts med den i fig 2-3 àskädliggjorda anordningen vid framställ- ning av mikro- och nanostrukturer. Ett substrat av Si/SiO2 försågs med ett 300 nm tjockt skikt av 950K PMMA.
Detta objekt bakades i l80°C under ett dygn. Därefter monterades objektet i anordningen, varpä PMMA-skiktet värmdes till ca 170°C. Vid denna temperatur avslutades värmningen, och en stämpel med ett mönster av 300 nm djupa strukturer pressades mot objektet vid ett tryck av ca 60 bar under ca 1 minut. Samtidigt kyldes objektet till ca 80°C. Det sälunda strukturerade objektet upp- visade ett mönsterdjup pà ca 200 nm med god jämnhet över hela substratet, vars diameter i detta fall var ca 5 cm¿ I fig 4-6 visas schematiskt olika alternativa utfö- randen av mothàllet 20, varvid delar med motsvarighet i fig 2-3 har samma hänvisningsbeteckningar.
I fig 4 har stommens 21 och hàllarens 22 samverkandey hon- och hanpartier 25, 28 komplementär form, närmare be- stämt en delsfärisk form. Detta utförande torde resultera i en ännu något följsammare ansättning av stämpeln 1 pà' objektet 2. .
I fig 5 har hàllarens 22 upptagningsyta 23 väsent- ligen samma diameter som hanpartiets 28 mantelyta i myn- ningsomràdet. 10 15 _. ... n. . . u u - v .v . _ :_ _ ::::: ::::: :: J -."... n. o.. n n u u o o Q u a u» n o :z \ . . . . . - v ~ I u u v u u v _ l . a n 1 n an nu o» ao 8 I fig 6 är stommen 21 försedd med ett utskjutande hanparti 28' som samverkar med ett i hàllaren 22 utformat honparti 25'.
Det bör dock understrykas att uppfinningen ej är be- gränsad till ovan beskrivna utföringsformer-och att ät-- skilliga modifieringar är tänkbara inom ramen för efter- följande patentkrav. Exempelvis kan stämpeln 1 och objek- tet 2 byta plats pà bifogade ritningar. Enligt ett annat alternativ är hàllaren 22 svängbart anordnad på kolv- elementet 11 i stället för på mothállets 20 stomme 21.
Enligt ett ytterligare alternativ är mothàllet 20 anord- nat för rörelse mot kolvelementet ll. Det bör också inses att hällaren 22 i ett tänkbart utförande är svängbart förbunden med stommen 21 via en mekaniskt koppling, i stället för den ovan beskrivna hydromekaniska kopplingen.

Claims (17)

10 15 20 25 30 35 ... ... . . .. .. __ _ H :_ ,; 9 2 z :z : : z 'o . ." ' . n _. . N - . :~:~n.:::::-::., . H l I I D ll ll I Ü' 9 PATENTKRAV
1. Anordning för överföring av ett mönster från en stämpel (1) till ett objekt (2), omfattande ett första ansättningsorgan (11) med en upptagningsyta (13) för' stämpeln (1), ett andra ansättningsorgan (20) med en upp- tagningsyta (23) för objektet (2), och ett pressdon (10) som är utformat att manövrera minst ett av ansättnings- organen (11, 20) för ansättning av stämpeln (1) och ob- jektet (2) mot varandra, kännetecknad av att ettdera av de första och andra ansättningsorganen (11, 20) omfattar en stomme (21) och en hållare (22), varvid hàllaren (22) har en första ände, (23), som är sà svängbart förbunden med stommen (21) som avgränsar en av nämnda upptagningsytor och en andra motstàende att stämpeln (1) och objektet (2) automatiskt bringas i ett ände, inbördes parallellt läge vid sin ansättning mot varandra.
2. Anordning enligt krav 1, varvid hàllaren (22) är svängbart förbunden med stommen (21) via samverkande han- och honpartier (28, 25; 28', 25'), vilka mellan sig av- gränsar en kammare (29) för upptagning av en vätska, företrädesvis en hydraulvätska. (28; 28') är infört i honpartiet (25; 25') sä, att kammaren
3. Anordning enligt krav 2, varvid hanpartiet (29) omsluter det i honpartiet (25; 25') anordnade han- partiet (28; 28').
4. Anordning enligt krav 2, varvid kammaren (29) är bildad vid nämnda motstäende ände av hàllaren (22).
5. Anordning enligt något av kraven 2-4, varvid ett- 25; 28', anordnat pä hällaren (22), företrädesvis koaxiellt med hällarens (22) (23).
6. Anordning enligt något av kraven 2-5, varvid hon- 25') (32), vilket står i tätande kontakt med ett runtomgäende parti (28; 28'). dera av nämnda han- och honpartier (28, 25') är upptagningsyta partiet (25; avgränsar ett mynningsparti av hanpartiet II J 0 00 OI 00 OO II s 0 I I 0 I I 0 I I 10 15 20 25 30 35 51 5. 9.6 2 Éiïš 10
7. Anordning enligt krav 6, varvid mynningspartiet (32) omfattar ett av flexibelt material utformat tät- ningselement (30) som anligger mot det runtomgående par- 'tiet av hanpartiet (28; 28').
8. Anordning enligt krav 6 eller 7, varvid det runt- omgående partiet är väsentligen cirkulärt. I
9. Anordning enligt något av kraven 6-8, varvid det runtomgående partiet har en diameter som är lika stor som eller mindre än diametern av hållarens (22) upptagnings- (23).
10. Anordning enligt något av kraven 2-9, varvid yta hanpartiet (28) är utformat vid hàllarens (22) motstående ände, och varvid honpartiet (25) är utformat i stommen (21).
11. Anordning enligt något av kraven 2-9, varvid honpartiet (25') år utformat vid hållarens (22) motstå- ende ände, och varvid hanpartiet (28') är utformat i stommen (21). V
12. Anordning enligt något av kraven 2-11, varvid en trycksensor (34) är anordnad att avkånna trycket hos den (29)
13. Anordning enligt krav 12, varvid trycksensorn i kammaren upptagna vätskan. (34) är anordnad i stommen (21). '
14. Anordning enligt krav 12 eller 13, varvid en styrenhet (36) är anordnad att baserat på det av tryck- att y upprätta ett givet tryck mellan ståmpeln (1) och objektet (2).
15. Anordning enligt något av föregående krav, var-V sensorn (34) avkända trycket styra pressdonet (10) vid hàllaren (22) innehåller en kylkrets (K) för genom- strömning av ett kylmedium.
16. Anordning enligt något av föregående krav, var- vid stämpeln (1) har ett mönster av mikro- eller nano- strukturer.
17. Anordning enligt något av föregående krav, var- vid objektet (2) applicerat skikt omfattar ett substrat (2a) och ett därpå (2b) av ett polymermaterial.
SE0000848A 2000-03-15 2000-03-15 Anordning för överföring av mönster till objekt SE515962C2 (sv)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0000848A SE515962C2 (sv) 2000-03-15 2000-03-15 Anordning för överföring av mönster till objekt
CN01806518.XA CN1211706C (zh) 2000-03-15 2001-03-14 将图案转移到一个物体上的装置
EP01915982A EP1264215B1 (en) 2000-03-15 2001-03-14 Device for transferring a pattern to an object
US10/221,331 US7165957B2 (en) 2000-03-15 2001-03-14 Device for transferring a pattern to an object
AT01915982T ATE344938T1 (de) 2000-03-15 2001-03-14 Einrichtung zum transferieren eines musters auf ein objekt
JP2001568134A JP3833537B2 (ja) 2000-03-15 2001-03-14 物体へのパターン転写装置
HK04101215.3A HK1058553B (en) 2000-03-15 2001-03-14 Device for transferring a pattern to an object
AU2001242926A AU2001242926A1 (en) 2000-03-15 2001-03-14 Device for transferring a pattern to an object
DE60124377T DE60124377T2 (de) 2000-03-15 2001-03-14 Einrichtung zum transferieren eines musters auf ein objekt
PCT/SE2001/000527 WO2001069317A1 (en) 2000-03-15 2001-03-14 Device for transferring a pattern to an object

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0000848A SE515962C2 (sv) 2000-03-15 2000-03-15 Anordning för överföring av mönster till objekt

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0000848D0 SE0000848D0 (sv) 2000-03-15
SE0000848L SE0000848L (sv) 2001-09-16
SE515962C2 true SE515962C2 (sv) 2001-11-05

Family

ID=20278807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0000848A SE515962C2 (sv) 2000-03-15 2000-03-15 Anordning för överföring av mönster till objekt

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7165957B2 (sv)
EP (1) EP1264215B1 (sv)
JP (1) JP3833537B2 (sv)
CN (1) CN1211706C (sv)
AT (1) ATE344938T1 (sv)
AU (1) AU2001242926A1 (sv)
DE (1) DE60124377T2 (sv)
SE (1) SE515962C2 (sv)
WO (1) WO2001069317A1 (sv)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6921615B2 (en) 2000-07-16 2005-07-26 Board Of Regents, The University Of Texas System High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography
EP2270592B1 (en) 2000-07-17 2015-09-02 Board of Regents, The University of Texas System Method of forming a pattern on a substrate
JP2004523906A (ja) 2000-10-12 2004-08-05 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート
US6964793B2 (en) 2002-05-16 2005-11-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field
US20030186405A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-02 The Ohio State University Research Foundation Micro/nano-embossing process and useful applications thereof
AU2003230483A1 (en) * 2002-04-24 2003-11-10 Obducat Ab Device and method for transferring a pattern to a substrate
US7037639B2 (en) 2002-05-01 2006-05-02 Molecular Imprints, Inc. Methods of manufacturing a lithography template
JP4372683B2 (ja) * 2002-06-07 2009-11-25 オブデュキャット、アクチボラグ パターン転写方法
US7252492B2 (en) 2002-06-20 2007-08-07 Obducat Ab Devices and methods for aligning a stamp and a substrate
AU2003239022A1 (en) 2002-06-20 2004-01-06 Obducat Ab Mold tool method of manufacturing a mold tool and storage medium formed by use of the mold tool
US7179079B2 (en) 2002-07-08 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Conforming template for patterning liquids disposed on substrates
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US6916584B2 (en) 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US7071088B2 (en) 2002-08-23 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Method for fabricating bulbous-shaped vias
JP2005537656A (ja) * 2002-08-27 2005-12-08 オブデュキャット、アクチボラグ 対象物にパターンを転写するための装置
JP4640512B2 (ja) * 2002-08-29 2011-03-02 凸版印刷株式会社 パターン形成装置及び方法
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US6929762B2 (en) 2002-11-13 2005-08-16 Molecular Imprints, Inc. Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes
US6980282B2 (en) 2002-12-11 2005-12-27 Molecular Imprints, Inc. Method for modulating shapes of substrates
US6871558B2 (en) 2002-12-12 2005-03-29 Molecular Imprints, Inc. Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries
US7323130B2 (en) 2002-12-13 2008-01-29 Molecular Imprints, Inc. Magnification correction employing out-of-plane distortion of a substrate
US7452574B2 (en) 2003-02-27 2008-11-18 Molecular Imprints, Inc. Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7122079B2 (en) 2004-02-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
TW568349U (en) 2003-05-02 2003-12-21 Ind Tech Res Inst Parallelism adjusting device for nano-transferring
US6951173B1 (en) 2003-05-14 2005-10-04 Molecular Imprints, Inc. Assembly and method for transferring imprint lithography templates
US6805054B1 (en) 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
JP2005064492A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
JP2005101201A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc ナノインプリント装置
US7136150B2 (en) 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
US7090716B2 (en) 2003-10-02 2006-08-15 Molecular Imprints, Inc. Single phase fluid imprint lithography method
JP4625247B2 (ja) * 2003-10-24 2011-02-02 株式会社ナノテック マイクロコンタクトプリント方法及び装置
US7122482B2 (en) 2003-10-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography
JP2005153113A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Ricoh Opt Ind Co Ltd ナノプリントを用いた微細3次元構造体の製造方法及び微細3次元構造体
JPWO2005057634A1 (ja) * 2003-12-11 2007-07-05 農工大ティー・エル・オー株式会社 ナノインプリントを利用するパターン形成方法および該方法を実行する装置
US7019835B2 (en) * 2004-02-19 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate
US7730834B2 (en) * 2004-03-04 2010-06-08 Asml Netherlands B.V. Printing apparatus and device manufacturing method
ATE477515T1 (de) * 2004-06-03 2010-08-15 Molecular Imprints Inc Fluidausgabe und tropfenausgabe nach bedarf für die herstellung im nanobereich
JP4713102B2 (ja) * 2004-07-29 2011-06-29 Scivax株式会社 傾き調整機能付きプレス装置、傾き調整機能付きパターン形成装置、型の傾き調整方法
JP4718946B2 (ja) * 2004-09-27 2011-07-06 株式会社東芝 板状構造体の製造装置
US7676088B2 (en) * 2004-12-23 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7686970B2 (en) * 2004-12-30 2010-03-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144814A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144274A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7490547B2 (en) * 2004-12-30 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7354698B2 (en) * 2005-01-07 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7922474B2 (en) * 2005-02-17 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7523701B2 (en) 2005-03-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography method and apparatus
KR100729427B1 (ko) * 2005-03-07 2007-06-15 주식회사 디엠에스 미세패턴 형성장치
US7611348B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-03 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7762186B2 (en) * 2005-04-19 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7442029B2 (en) * 2005-05-16 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7708924B2 (en) * 2005-07-21 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7692771B2 (en) * 2005-05-27 2010-04-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060267231A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7418902B2 (en) * 2005-05-31 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography including alignment
JP3958344B2 (ja) * 2005-06-07 2007-08-15 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法
US7377764B2 (en) * 2005-06-13 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
KR101264673B1 (ko) * 2005-06-24 2013-05-20 엘지디스플레이 주식회사 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법
US20070023976A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP4330168B2 (ja) 2005-09-06 2009-09-16 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法
JP4533358B2 (ja) 2005-10-18 2010-09-01 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法
US8011915B2 (en) 2005-11-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7878791B2 (en) * 2005-11-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP4923924B2 (ja) * 2005-11-22 2012-04-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
US20070138699A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7517211B2 (en) 2005-12-21 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2007250685A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Engineering System Kk ナノインプリント装置の型押し機構
US8850980B2 (en) 2006-04-03 2014-10-07 Canon Nanotechnologies, Inc. Tessellated patterns in imprint lithography
US7547398B2 (en) 2006-04-18 2009-06-16 Molecular Imprints, Inc. Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features
JP4830171B2 (ja) * 2006-05-15 2011-12-07 学校法人早稲田大学 モールド支持構造
JP4830170B2 (ja) * 2006-05-15 2011-12-07 学校法人早稲田大学 転写装置
US8318253B2 (en) * 2006-06-30 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8015939B2 (en) 2006-06-30 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Imprintable medium dispenser
JP4745177B2 (ja) * 2006-09-05 2011-08-10 株式会社ナノテック マイクロコンタクトプリントにおけるプリント圧力検出方法及び装置
US7763484B2 (en) * 2007-06-13 2010-07-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method to form an optical grating and to form a distributed feedback laser diode with the optical grating
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
US7854877B2 (en) 2007-08-14 2010-12-21 Asml Netherlands B.V. Lithography meandering order
JP5205866B2 (ja) * 2007-08-23 2013-06-05 住友電気工業株式会社 モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法
US8144309B2 (en) 2007-09-05 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
DE102008002736A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Bearbeitung einer Platte zu einem nanostrukturierten Formteil und ein Verfahren zur Herstellung desselben
JP5297266B2 (ja) * 2009-05-19 2013-09-25 東芝機械株式会社 転写装置および転写方法
RU2436847C1 (ru) * 2010-06-09 2011-12-20 Учреждение Российской Академии Наук Институт Физики Прочности И Материаловедения Сибирского Отделения Ран (Ифпм Со Ран) Способ деформирования для получения заготовок в субмикрокристаллическом и наноструктурированном состоянии и устройство для его осуществления
FR2965495B1 (fr) * 2010-10-01 2013-08-02 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'estampage et/ou de percage comprenant une tete support de substrat dont l'orientation est commandee en continu
JPWO2012147958A1 (ja) * 2011-04-28 2014-07-28 Scivax株式会社 流体圧インプリント装置および加圧装置
US9427893B2 (en) * 2014-09-18 2016-08-30 Asm Technology Singapore Pte Ltd Molding press and a platen for a molding press
JP6611450B2 (ja) * 2015-03-31 2019-11-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法
US10438919B1 (en) 2016-06-28 2019-10-08 Northrop Grumman Systems Corporation Passive hydraulic load leveler for thermal compression bonding

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4873923A (en) * 1986-05-16 1989-10-17 Manning Douglas E Hydraulic press platon support
DE3719200A1 (de) * 1987-06-09 1988-12-29 Ibm Deutschland Optische speicherplatte und verfahren zu ihrer herstellung
US5156782A (en) * 1991-10-02 1992-10-20 John T. Hepburn, Limited Maintaining press platens in parallel relationship
US5378583A (en) * 1992-12-22 1995-01-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet
JPH0757408B2 (ja) * 1993-03-18 1995-06-21 日清紡績株式会社 液圧プレス装置
DE4317476C2 (de) * 1993-05-26 1996-05-15 Kloeckner Desma Elastomertechn Vorrichtung zur Austriebsminimierung an Spritzgießteilen
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
GB9601289D0 (en) * 1996-01-23 1996-03-27 Nimbus Manufacturing Uk Limite Manufacture of optical data storage disc
DE19609568C2 (de) * 1996-03-12 2000-06-21 Krauss Maffei Kunststofftech Druckausgleichsvorrichtung zur Kompensation von Verkantungen
AUPO710697A0 (en) * 1997-06-02 1997-06-26 Becfab Equipment Pty Ltd Press
US6027595A (en) * 1998-07-02 2000-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby
US5947027A (en) * 1998-09-08 1999-09-07 Motorola, Inc. Printing apparatus with inflatable means for advancing a substrate towards the stamping surface
US6758664B1 (en) * 2001-01-12 2004-07-06 Seagate Technology Llc Self-leveling stamper module

Also Published As

Publication number Publication date
US20030170053A1 (en) 2003-09-11
JP3833537B2 (ja) 2006-10-11
EP1264215B1 (en) 2006-11-08
JP2003527248A (ja) 2003-09-16
SE0000848D0 (sv) 2000-03-15
WO2001069317A1 (en) 2001-09-20
US7165957B2 (en) 2007-01-23
HK1058553A1 (en) 2004-05-21
EP1264215A1 (en) 2002-12-11
AU2001242926A1 (en) 2001-09-24
SE0000848L (sv) 2001-09-16
CN1211706C (zh) 2005-07-20
DE60124377D1 (de) 2006-12-21
CN1437714A (zh) 2003-08-20
ATE344938T1 (de) 2006-11-15
DE60124377T2 (de) 2007-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE515962C2 (sv) Anordning för överföring av mönster till objekt
CN100454141C (zh) 用于将图案转印到物体的设备
CN100365507C (zh) 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板
Greener et al. Rapid, cost-efficient fabrication of microfluidic reactors in thermoplastic polymers by combining photolithography and hot embossing
US8024977B2 (en) Pressure sensor having a high full-scale value with package thereof
US5537754A (en) Extensometer and support for an extensometer
CN1454333A (zh) 压印制版用的透明模板与衬底之间间隙和取向的高精度控测方法
JP5824380B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法
TW201929047A (zh) 結合基材的裝置與方法
WO2014133624A2 (en) Membrane-based fluid-flow control devices
EP1789848A1 (en) A flexible nano-imprint stamp
WO2003020634A3 (en) A method of fabrication of a sensor
Park et al. Thermal cycling characteristics of a 3D-printed serpentine microchannel for DNA amplification by polymerase chain reaction
WO2010008508A1 (en) Inner cavity system for nano-imprint lithography
JP5590785B2 (ja) 基板の均一な構造化のためのシステム
US7632088B2 (en) Cyclic loading system and methods for forming nanostructures
Feng et al. Arch-shaped ionic polymer–metal composite actuator integratable with micromachined functional tools for micromanipulation
Islam et al. One micron precision optically aligned method for hot-embossing and nanoimprinting
JPWO2006082867A1 (ja) ハイブリッド接離システム
CN101920347A (zh) 一种微量进给刀具及其方法
Liu et al. A closed-loop intelligent control strategy for precise non-contact liquid dispensing
Nie et al. Next-Generation Superlubric Microvalves for Flexible Robotics: Enhancing Fluid Control with Zero Leakage, Ultralong Life, and Intrinsic Sensing Capability
CN104967356B (zh) 无过约束型微位移放大机构
Bageant et al. Measurement and Process Control in Precision Hot Embossing
US20080210109A1 (en) Apparatus for applying a controlled force to an article

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed