ES2335156T3 - Procedimiento de marcacion de celdas solares y celda solar. - Google Patents
Procedimiento de marcacion de celdas solares y celda solar. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2335156T3 ES2335156T3 ES07726561T ES07726561T ES2335156T3 ES 2335156 T3 ES2335156 T3 ES 2335156T3 ES 07726561 T ES07726561 T ES 07726561T ES 07726561 T ES07726561 T ES 07726561T ES 2335156 T3 ES2335156 T3 ES 2335156T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- marking
- insert
- deepening
- solar cell
- solar cells
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/101—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification characterised by the type of information, e.g. logos or symbols
- H10W46/103—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification characterised by the type of information, e.g. logos or symbols alphanumeric information, e.g. words, letters or serial numbers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/101—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification characterised by the type of information, e.g. logos or symbols
- H10W46/106—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification characterised by the type of information, e.g. logos or symbols digital information, e.g. bar codes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/401—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for identification or tracking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Procedimiento de marcación de celdas solares, con los pasos - disposición de un sustrato con una superficie de sustrato para confeccionar una celda solar (1) que presenta una zona activa (5), y - producción de como mínimo un ahondamiento (21, 31) en la superficie de sustrato mediante el uso de radiación láser, donde el como mínimo un ahondamiento (21, 31) forma una marcación (2, 3) para marcar la celda solar (1), y la producción del ahondamiento (21, 31) se realiza antes de efectuar un proceso de confección de celdas solares o mientras se lleva a cabo un proceso de fabricación de celdas solares, caracterizado porque el sustrato se conforma como plaquita semiconductora con una superficie de plaquita, y la marcación (2, 3) en la superficie de plaquita se posiciona de modo tal que la marcación (2, 3) se ubica en la zona activa (5) de la celda solar (1) formada por la plaquita semiconductora.
Description
Procedimiento de marcación de celdas solares y
celda solar.
La invención se refiere a un procedimiento de
marcación de celdas solares según el concepto general de la
reivindicación 1, como también a una celda solar según el concepto
general de la reivindicación 17.
En el documento US 6.235.637 B1, se revela un
procedimiento para la marcación de plaquitas semiconductoras por
medio de un láser. Para ello en primer lugar se recubre la
superficie de la plaquita con barniz fotosensible. A continuación,
en una forma de realización, se graba mediante láser un surco en el
barniz fotosensible que se extiende hasta la superficie de la
plaquita y eventualmente penetra en la superficie de la plaquita. De
acuerdo con una realización alternativa, en primera instancia se
elimina la capa de barniz fotosensible en un área de marcación en
el borde de la plaquita. A continuación, en esta área de marcación,
se graba una marca por medio de un láser.
En el documento US 4.568.409 A, se describe la
estructuración por láser de capas delgadas para confeccionar un
módulo solar de capa delgada con conmutación monolítica. Para ello
se graban "scribes" de láser, en especial en capas de
metalización.
El documento US 2004/166444 A1, se refiere al
posicionamiento de una marcación en un sustrato que es procesado en
un procedimiento en línea. El sustrato luego se utiliza en una
estructura de sustrato o de superestrato como soporte para celdas
solares de capa delgada que están conmutadas para conformar un
módulo solar.
Por el documento EP 1 089 346 A2, se conoce un
procedimiento para la marcación de celdas solares, en el que en
primer lugar se pone a disposición un sustrato con una superficie de
sustrato para confeccionar una celda solar que presenta una zona
activa, y a continuación se efectúa al menos un ahondamiento en la
superficie del sustrato, utilizando para ello un rayo láser. Ese
como mínimo un hueco constituye una marcación para marcar la celda
solar, y la realización del hueco se lleva a cabo antes del proceso
de fabricación de celdas solares o mientras se concreta la
fabricación de la celda solar. Pero este procedimiento de marcación
de celdas solares está optimizado para el uso de módulos solares
denominados de capa delgada. Dichos módulos de capa delgada
comprenden una multiplicidad de celdas solares de capa delgada que
están conmutadas en serie de manera monolítica. Estas celdas
solares de capa delgada son asentadas en un sustrato conformado como
placa de vidrio. A fin de que la marcación grabada con rayo láser
no afecte la función de las celdas solares de capa delgada, la
marcación es ubicada en el área perimetral de la placa de vidrio
que no es utilizada para la generación de corriente eléctrica en el
módulo solar.
Pero dado que las áreas perimetrales no aportan
a la generación de corriente eléctrica de las celdas solares, es
deseable conformar estas áreas perimetrales lo más reducidas
posible.
La presente invención se basa en el objetivo de
crear un sencillo procedimiento de marcación de celdas solares que
permita minimizar las áreas perimetrales de la celda solar que no se
utilizan para la generación de corriente eléctrica.
Este objetivo se cumple por medio de un
procedimiento de marcación de celdas solares con las características
de la reivindicación 1.
Según la invención, se prevé que el sustrato se
conforme como plaquita semiconductora con una superficie de
plaquita y que la marcación en la superficie de plaquita se
posicione de modo tal que la marcación se ubica en la zona activa
de la celda solar conformada por la plaquita semiconductora.
Debido a que se utilizan plaquitas
semiconductoras como sustratos, es posible maximizar la zona activa
de la celda solar generada en la superficie del sustrato hasta poco
antes del borde del sustrato. Los diferentes pasos del proceso en
comparación con los módulos solares de capa delgada, al confeccionar
celdas solares de plaquitas semiconductoras, permiten el
posicionamiento de una marcación en la zona activa de la celda
solar, donde la marcación se produce en forma de como mínimo un
ahondamiento realizado en la superficie de la plaquita, generado
mediante radiación
láser.
láser.
Durante la fabricación de las celdas solares de
plaquitas semiconductoras, en el paso del proceso en el que se
realiza la marcación en la superficie de la plaquita, es posible
efectuar un seguimiento retrospectivo de dicho proceso de
fabricación al elegir una marcación en especial.
Como plaquita semiconductora se puede usar
material poli o monocristalino, en especial naturalmente silicio,
pero también germanio y otros materiales de semiconductores
conocidos como plaquitas. Asimismo es factible utilizar una
plaquita semiconductora confeccionada mediante el procedimiento
"string-ribbon".
La selección de las marcaciones, de preferencia
se efectúa al final del proceso de fabricación de celdas solares,
aunque también es posible concretarla entre distintos pasos
parciales durante el procesamiento. Al continuar con el
procesamiento de las celdas solares, por ejemplo para la confección
de un módulo solar, se dispone de la misma posibilidad. Las celdas
solares dispuestas en los módulos solares están orientadas con sus
zonas activas de modo tal que puedan ser alcanzadas lo mejor
posible por la irradiación lumínica. De esa manera se asegura
además, como efecto adicional, que las marcaciones de las celdas
solares en cada módulo solar puedan ser leídas sin dificultades por
medio de dispositivos de lectura que operan con generadores ópticos
de imagen. De ese modo es posible concretar un seguimiento a largo
plazo de las celdas solares en módulos solares durante toda la vida
útil del producto.
El procedimiento se refiere tanto al caso, en el
que en una plaquita semiconductora se fabrique una sola celda
solar, como también al caso en que en una plaquita semiconductora se
fabrique una pluralidad de celdas solares. Si se trata de varias
celdas solares, se puede generar una o más marcaciones.
De preferencia, se realiza como mínimo un
ahondamiento con una profundidad tal que la marcación así obtenida
incluso pueda ser leída por medio de un dispositivo optoelectrónico
de lectura, incluso después de realizado el proceso de fabricación
completo. De esa manera, con un mismo ahondamiento es posible
efectuar el seguimiento del proceso de fabricación completo de una
celda solar de plaquita semiconductora. En los pasos del proceso
durante la confección es posible, por ejemplo, aplicar material
sobre la superficie de la plaquita, como también, por ejemplo en
forma de procesos de corrosión, se puede erosionar material de la
superficie de la plaquita. Dependiendo del espesor (espesores de
capa al precipitar y corrosionar) y la isotropía de la alteración
del material, como también teniendo en cuenta los requerimientos
del dispositivo lector que se utilice, se determina la profundidad
de los ahondamientos.
Una variante especialmente ventajosa del
procedimiento está caracterizada porque después de producir el como
mínimo un ahondamiento se prevé un paso de corrosión de manera tal
que las zonas afectadas por la carga de energía en la superficie de
la plaquita son eliminadas por completo en el área del ahondamiento.
Al producir los ahondamientos se actúa sobre la microestructura del
material semiconductor en el área de la superficie de la plaquita
mediante la aplicación de energía. De ese modo se actúa en especial
sobre la vida útil del soporte de carga como magnitud importante
para la función de la celda solar. Debido a que las zonas afectadas
por la carga de energía son eliminadas en la superficie de la
plaquita, puede evitarse que la celda solar sea afectada por la
aplicación de energía de la radiación láser.
De preferencia, el paso de corrosión para
eliminar la zona afectada por la carga de energía, se conforma de
manera tal que la superficie de la plaquita es corroída con un mayor
índice de corrosión en el área de los ahondamientos que fuera de la
misma. De esa manera puede intensificarse aún más los ahondamientos
en la superficie de la plaquita.
Es ventajoso que el paso de corrosión se realice
como pulido químico en húmedo o como paso de corrosión en seco, en
especial como proceso de corrosión plasmática. En este caso pueden
usarse formas del proceso que se conocen, por ejemplo en la técnica
de microsistemas, para el procesamiento controlado de la superficie
de la plaquita.
En una variante especialmente ventajosa del
proceso de fabricación se prevé que por medio del paso de corrosión
adicionalmente se textura la superficie de la plaquita provista de
la marcación. Al combinar la texturación con la eliminación de las
zonas afectadas por la carga de energía, el proceso de fabricación
puede ser implementado de manera más económica.
Las realizaciones preferidas del procedimiento
están caracterizadas porque el como mínimo un ahondamiento se
produce mediante erosión láser con una profundidad mayor que 8
\mum, de preferencia mayor que 12 \mum, de preferencia especial
entre 15 y 30 \mum.
En relación con los parámetros antes mencionados
respecto de la profundidad de los ahondamientos, es ventajoso que
la relación de la profundidad respecto del diámetro del como mínimo
un ahondamiento al producir el ahondamiento sea mayor que 1:12, de
preferencia mayor que 1:10 y de preferencia especial se ubica en el
rango que varía entre 1:7 y 1:3. En el caso de ahondamientos que no
presentan un contorno redondo, la característica del diámetro en el
sentido de la presente invención, se debe entender como la menor
medida de distancia de áreas perimetrales situadas frente al
ahondamiento. Mediante las relaciones de tamaño se asegura que la
marcación pueda leerse de modo seguro con los dispositivos lectores
para marcaciones, por ejemplo con escáneres optoelectrónicos para
el reconocimiento óptico de caracteres "Optical Character
Recognition" (OCR), durante y después de pasar por todos los
pasos del proceso en la fabricación de celdas solares de plaquitas
semiconductoras.
Otro aspecto importante es la distancia entre
los distintos ahondamientos, cuando se usa una pluralidad de
ahondamientos para conformar la marcación. A lo largo de la
distancia mínima de dos ahondamientos adyacentes, por lo general se
extiende un nervio que separa entre sí a los dos ahondamientos. Para
el contraste necesario para la selección de la marcación se
requiere un suficiente ancho del nervio. Los ahondamientos
adyacentes deberían producirse con una distancia mínima de
aproximadamente 20 a 30 \mum. Debe tenerse en cuenta que la
distancia de los ahondamientos se reduce aún más mediante un paso de
corrosión isotrópico para eliminar las zonas afectadas por la
radiación láser. Si en cambio el paso de corrosión se conforma de
manera anisotrópica, la distancia entre dos ahondamientos se
mantiene esencialmente igual.
En un procedimiento preferido para la marcación
de celdas solares se prevé que el proceso de fabricación de las
celdas solares comprenda los siguientes pasos: la producción de un
pasaje p-n de gran superficie en la superficie de
la plaquita provista de la marcación, por ejemplo mediante difusión
térmica con una sustancia de dotación, en especial con fósforo; la
precipitación de una capa antirreflectora en la superficie de la
plaquita provista de la marcación, por ejemplo en forma de una capa
delgada de nitruro de silicio o dióxido de titanio, y la
aplicación, el secado y el cocido de una pasta en forma de una
rejilla metálica de electrodos (frontgrid) que incluye circuitos
impresos en la superficie de la plaquita con la zona activa provista
de la marcación. Naturalmente pueden concretarse otras
conformaciones del pasaje p-n o de la realización de
la rejilla de electrodos que difieren de las realizaciones
indicadas previamente. Así, por ejemplo, también pueden conformarse
una diversidad de pasajes p-n en una plaquita
semiconductora o bien realizarse la rejilla de electrodos mediante
una precipitación de capas con posterior estructuración de capas, en
lugar de utilizar el procedimiento por serigrafía.
En los procedimientos antes mencionados es
preferible que los circuitos impresos se dispongan a una cierta
distancia de la marcación. De esta manera se evita que los circuitos
impresos durante su confección sean afectados en su conductividad
de corriente eléctrica por los ahondamientos que existen en la
superficie de la plaquita.
Otra variante ventajosa del procedimiento prevé
que dichos circuitos impresos se dispongan equidistantes entre
sí.
En otra variante del procedimiento de marcación,
se prevé respecto de la disposición de los circuitos impresos que
la marcación se disponga en el centro de la plaquita semiconductora
y los circuitos impresos se dispongan de manera tal que un primer
circuito impreso central desde uno de los lados de la superficie de
la plaquita se extienda hacia la marcación y un segundo circuito
impreso central del lado opuesto de la superficie de la plaquita se
extienda hacia la marcación, mientras que el primer circuito impreso
central y el segundo circuito impreso central, antes de contactarse
con la marcación doblen en sentidos opuestos y desemboquen en
circuitos impresos que son adyacentes en cada caso. De esta manera
es posible posicionar marcaciones en la zona activa de las celdas
solares, cuyas medidas son más anchas que la distancia máxima entre
dos circuitos impresos adyacentes.
De preferencia, la marcación se compone de una
pluralidad de ahondamientos de manera tal que está conformada como
un código matriz de datos o como un código de barras. Los
ahondamientos en principio pueden ser de una forma cualquiera, por
ejemplo, en forma de punto o de raya. De esta manera se pueden usar
sistemas de marcación ya probados en la práctica para celdas
solares de plaquitas semiconductoras. De preferencia, la marcación
se genera como código matriz de datos 14 x 14 con una longitud de
borde de esencialmente 2 mm x 2 mm.
De manera alternativa o acumulativa, la
marcación se genera como identificación de serie legible por medio
de un procedimiento de OCR, que comprende una pluralidad de signos y
cifras y/o letras, donde los signos se conforman con una altura de
aproximadamente un milímetro.
Una variante preferida del procedimiento de
marcación está caracterizada porque se generan una pluralidad de
marcaciones en la superficie de plaquita. De este modo, la plaquita
semiconductora se puede proveer de diferente información, por
ejemplo, en diferentes pasos del proceso.
El objetivo de la presente invención se cumple
además por medio de una celda solar con las características de la
reivindicación 17.
Se prevé, según la invención, que la celda solar
se fabrique de una plaquita semiconductora con una superficie de
plaquita y la marcación en la superficie de la plaquita se conforme
en el área de la zona activa de la celda
solar.
solar.
Debido a que la celda solar está compuesta de
una plaquita semiconductora a modo de sustratos, la zona activa de
la celda solar generada en la superficie del sustrato puede
maximizarse hasta poco antes del borde del sustrato. Las distintas
pasos del proceso en la confección de celdas solares de plaquitas
semiconductoras que son diferentes en comparación con módulos
solares de capa delgada, permiten el posicionamiento de una
marcación en la zona activa de la celda solar, donde la marcación se
conforma a modo de como mínimo un ahondamiento generado por
radiación láser en la superficie de la plaquita.
De preferencia, la celda solar comprende como
mínimo un ahondamiento con una profundidad tal que la marcación
conformada por el mismo, continúa siendo legible por medio de un
dispositivo optoelectrónico de lectura, incluso después de
realizado el proceso de fabricación completo. De esta manera con un
mismo ahondamiento es posible realizar el seguimiento del proceso
de fabricación completo de una celda solar de plaquita
semiconductora. Los pasos del proceso durante la confección pueden
consistir tanto, por ejemplo, en la precipitación de capas para la
aplicación de material en la superficie de la plaquita, como
también, por ejemplo, en forma de procesos de corrosión para
erosionar material de la superficie de la plaquita. La profundidad
de los ahondamientos se determina en relación con el espesor
(espesor de capas al realizar el precipitado y la corrosión) y la
isotropía de la alteración de material y teniendo en cuenta el
requerimiento del dispositivo de lectura utilizado.
De preferencia, la celda solar se conforma de
manera tal que las áreas adyacentes presentan en el interior del
como mínimo un ahondamiento, una microestructura multicristalina o
monocristalina que no es afectada esencialmente por la carga de
energía láser. Al producir los ahondamientos, se afecta la
microestructura del material semiconductor en el área de la
superficie de la plaquita por medio de la energía aplicada. De esa
manera se influye especialmente en la vida útil del soporte de
carga como magnitud importante para la función de la celda solar.
Debido a que las zonas afectadas por la carga de energía son
eliminadas en la superficie de la plaquita, las áreas adyacentes en
el interior del como mínimo un ahondamiento se presentan como
semiconductores multicristalinos o monocristalinos no afectados por
la aplicación de energía del rayo láser.
\newpage
En una variante preferida de la celda solar, se
prevé que la superficie de la plaquita en el interior del como
mínimo un ahondamiento presente una conformación texturada. Mediante
la texturación se puede aumentar el grado de efectividad de la
celda solar, como es de conocimiento general.
Es ventajoso que la celda solar comprenda como
mínimo un ahondamiento con una profundidad mayor que 8 \mum, de
preferencia mayor que 12 \mum, de preferencia especial entre 15 y
30 \mum. En relación con la profundidad de los ahondamientos,
además es ventajoso para la celda solar que la relación de tamaño de
la profundidad respecto al diámetro del como mínimo un ahondamiento
al producir el ahondamiento sea mayor que 1:12, de preferencia
mayor que 1:10 y de preferencia especial se ubica en el rango que
varía entre 1:7 y 1:3. De esa manera se asegura que la marcación
pueda leerse de modo seguro con los dispositivos lectores para
marcaciones, por ejemplo con escáneres optoelectrónicos para el
reconocimiento óptico de caracteres "Optical Character
Recognition" (OCR), durante y después de pasar por todos los
pasos del proceso en la confección de celdas solares de plaquitas
semiconductoras.
Otro aspecto importante es la distancia entre
los distintos ahondamientos, cuando se usa una pluralidad de
ahondamientos para conformar la marcación. A lo largo de la
distancia mínima de dos ahondamientos adyacentes por lo general se
extiende un nervio que separa los dos ahondamientos. Para el
contraste necesario para la selección de la marcación se requiere
un suficiente ancho de nervio. Los ahondamientos adyacentes deberían
producirse con una distancia mínima de aproximadamente 20 a 30
\mum.
Una realización preferida de la celda solar
comprende un pasaje p-n de gran superficie en la
superficie de la plaquita provista de la marcación; una capa
antirreflectora en la superficie de la plaquita provista de la
marcación y una rejilla metálica de electrodos (frontgrid) con una
pluralidad de circuitos impresos en la superficie de la plaquita
con la zona activa provista de la marcación, extendiéndose los
circuitos impresos a una cierta distancia de la marcación.
Naturalmente existe una cantidad de otras variantes que no se
describen aquí, en especial respecto a la conformación y el
posicionamiento del pasaje p-n en la plaquita
semiconductora.
Un ejemplo consiste en una celda solar
individual con una marcación en forma de un código de datos matriz
dispuesto en forma central en el lado anterior en la zona activa de
la celda solar. El frontgrid de la celda entonces se habría
conformado de manera tal que los circuitos impresos del frontgrid
que se extienden en el área central de la celda solar se prolongan
alrededor de la marcación del código de los datos matriz.
En una variante de la realización preferida de
la celda solar que se ha descrito antes, se prevé que la marcación
se haya dispuesto en el centro en la plaquita semiconductora y los
circuitos impresos se hayan dispuesto de modo tal que un primer
circuito impreso central desde uno de los lados de la superficie de
la plaquita se extienda hacia la marcación y un segundo circuito
impreso central del lado opuesto de la superficie de la plaquita se
extienda hacia la marcación, mientras que el primer circuito impreso
central y el segundo circuito impreso central, antes de contactarse
con la marcación doblen en sentidos opuestos y desemboquen en
circuitos impresos que son adyacentes en cada caso. De esta manera
es posible posicionar marcaciones en la zona activa de las celdas
solares, cuyas dimensiones son más anchas que la distancia máxima
entre dos circuitos impresos adyacentes.
La marcación de la celda solar preferentemente
se compone de una pluralidad de ahondamientos y está conformada a
modo de identificación de serie, como un código matriz de datos o
como un código de barras. De este modo es posible implementar
diferentes sistemas de marcación conocidos del estado de la técnica
con sus ventajas y desventajas para el uso de celdas solares de
plaquitas semiconductoras.
En una variante ventajosa de la celda solar, se
prevé que la marcación se haya conformado como código matriz de
datos 14 x 14 con una longitud de borde de esencialmente 2 mm x 2
mm. De manera alternativa o acumulativa, la marcación se genera
como identificación de serie legible por medio de un procedimiento
de OCR, que comprende una pluralidad de signos y cifras y/o letras,
donde los signos se conforman con una altura de aproximadamente un
milímetro.
Otra variante de la celda solar se conforma con
una pluralidad de marcaciones en la superficie de la plaquita. Así
pueden combinarse diferentes sistemas de marcación con sus
respectivas ventajas y desventajas para una celda solar de plaquita
semiconductora.
Además, y por medio de la determinación de las
medidas de las marcaciones, se puede tener en cuenta el hecho de
que el tiempo insumido para marcar y seleccionar la marcación, no
debería reducir el rendimiento durante la confección de las celdas
solares. La marcación se debería concebir adecuada respecto de su
realización y la selección para un tiempo de ciclo típico para el
área de las celdas solares de un equipo de producción en línea de
1,5 seg. Esto rige tanto para el proceso de marcación de celdas
solares, como también para la celda solar provista de la
marcación.
La presente invención se explica a continuación
con mayor detalle mediante los ejemplos de realización y haciendo
referencia a las figuras. Estas muestran:
Figura 1: Un recorte de la zona activa 5 de una
primera forma de realización de la celda solar.
Figura 2: Un recorte en representación ampliada
en comparación con la figura 1, de la zona activa 5 de una segunda
forma de realización de la celda solar.
Figura 3a: Una representación esquemática no a
escala de una sección transversal a través de tres ahondamientos 21
dispuestos de manera adyacente en la superficie de una plaquita
semiconductora aún sin tratar.
Figura 3b: Representación de tres ahondamientos
21 dispuestos de manera adyacente en la figura 3a, después de un
paso de corrosión.
Figura 3c: Representación de ahondamientos 21
adyacentes de la figura 3b, después del paso de la difusión de una
sustancia de dotación para conformar un pasaje
p-n.
Figura 3d: vista esquemática en sección
transversal, no a escala, de tres ahondamientos 21 adyacentes de la
figura 2 a lo largo de la línea de corte IIId - IIId, y:
Figura 4: Una representación esquemática de
pasos del procedimiento para la confección de celdas solares de
acuerdo con las representaciones de las figuras 1 a 3d.
En la figura 1, se representa un recorte de la
zona activa 5 de una celda solar 1. La celda solar 1 presenta una
marcación de código matriz de datos 2, que se compone de distintos
ahondamientos 21, dispuesta en la zona activa 5 en la superficie de
la plaquita. La celda solar 1 se confeccionó de una plaquita de
silicio multicristalina o monocristalina, en la que antes del
procesamiento propiamente dicho para confeccionar la celda solar 1
ya se generaron los ahondamientos 21 por erosión láser. La
marcación de código matriz de datos 2 presenta una pluralidad de
ahondamientos adyacentes 21 que en cada caso tienen una forma
puntual y están dispuestos en una estructura matriz bidimensional
de conformación periódica. Los distintos ahondamientos 21
representan distintos segmentos o bien unidades informativas de un
código matriz de datos.
Adicionalmente, se prevé debajo de la marcación
de código matriz de datos 2 una marcación en forma de una
identificación de serie 3 realizada en la superficie de la plaquita
de la celda solar 1. La identificación de serie 3 también está
dispuesta en el área de la zona activa 5 de la celda solar 1. En el
presente caso, la identificación de serie 3 está conformada por la
combinación de ahondamientos 31 en forma de cifras. Pero también es
factible utilizar una combinación cualquiera de cifras y letras de
cualquier idioma. Los ahondamientos 31 que forman la identificación
de serie 3 son generados, al igual que los ahondamientos 21 de la
marcación de código matriz de datos 2, mediante erosión por láser
en la plaquita de silicio en bruto, antes del proceso propiamente
dicho para la confección de la celda solar 1 en una posición que se
ubica en la zona activa 5 de la celda solar 1 que aún debe
conformarse. La identificación de serie 3 se compone de una
secuencia de ahondamientos 31 dispuestos adyacentes que en cada
caso poseen la forma de una cifra. Estos ahondamientos 31 de
preferencia se conformaron de modo tal que pueden leerse mediante,
por ejemplo, un dispositivo lector OCR de efecto electroóptico. En
general tales marcaciones de OCR pueden presentar secuencias
legibles por seres humanos o bien en forma mecánica de signos
cualesquiera, por ejemplo, letras o números.
La celda solar 1 además presenta en su zona
activa 5, circuitos impresos 4, 4a, 4b, 41a, 41b. Estos circuitos
impresos 4, 4a, 4b, 41a, 41b dispuestos esencialmente equidistantes
entre sí y que se extienden paralelos, se utilizan para contactar
la celda solar 1 y conforman un electrodo, así llamado, de
frontgrid. Los circuitos impresos 4a, 4b, 41a, 41b, en el ejemplo
de realización de la figura 1, se disponen de modo tal en el área
de la marcación de código matriz de datos 2 que presentan una
suficiente distancia respecto de la marcación 2. En el presente
caso, la marcación de código matriz de datos 2 se dispone en el
centro de la celda solar 1 en su zona activa 5 y cubre una
superficie de aproximadamente 2 x 2 mm^2. En el centro a través de
la zona activa 5 de la celda solar 1 se extienden dos circuitos
impresos 41a y 41b hacia la marcación 2 y antes de contactarse con
la marcación de código matriz de datos 2 doblan en sentidos opuestos
para desembocar en los circuitos impresos 4a, 4b, que son
adyacentes en cada caso. De esta manera se puede respetar una
distancia suficiente respecto de la marcación de código matriz de
datos 2, incluso cuando las medidas de una marcación 2, 3 se
extendieran superando la distancia de dos circuitos impresos
4
adyacentes.
adyacentes.
En la figura 2, se muestra un recorte ampliado
en relación con la figura 1, de la zona activa 5 de una segunda
forma de realización de una celda solar 1 con una marcación de
código matriz de datos 2 y una identificación de serie 3, que
también se conforma como marcación OCR, y donde las marcaciones 2, 3
se disponen en el centro entre dos circuitos impresos 4
adyacentes. La marcación de código matriz de datos 2 se compone de
una pluralidad de ahondamientos 21 puntuales que se realizan en la
zona activa 5 en la superficie de plaquita de la celda solar 1 y
conjuntamente forman la marcación 2 a modo de un código matriz de
datos. La identificación de serie 3 presenta ahondamientos 31
individuales en forma de cifras, que se forman en cada caso mediante
una entalladura continua de mayor tamaño, en comparación con los
ahondamientos 21 de la marcación de código matriz de datos 2, en la
zona activa 5 de la superficie de plaquita de la celda solar 1.
Tanto la marcación de código matriz de datos 2
como también la identificación de serie 3 se conforman por acción
del láser antes del procesamiento propiamente dicho de la plaquita
semiconductora para la confección de la celda solar 1 en la
superficie de la plaquita. En principio es factible realizar también
la conformación de una marcación 2, 3 en un momento posterior
durante el proceso de confección de una celda solar 1.
Independientemente del momento en el que se realiza la marcación
durante el proceso de fabricación, mediante la posición de la
marcación 2, 3 en la zona activa 5 de la celda solar 1, se garantiza
que incluso después de la instalación de la celda solar 1 en un
módulo solar, la celda solar 1 pueda reconocerse bien y por lo tanto
leerse con facilidad.
Cuanto antes en el proceso de confección de la
celda solar 1 se haya producido la marcación en la superficie de la
plaquita, tanto más importante es prever una profundidad y diámetro
suficientes para los ahondamientos 21, 31. Ello se debe a que los
posteriores pasos del proceso como, por ejemplo, los pasos de
corrosión y precipitación, modifican la profundidad, el diámetro y
las características ópticas de la superficie de los ahondamientos
21, 31 y por lo tanto afectan al contraste óptico de la marcación
2,3 que es esencial para la lectura de la marcación.
En relación con la conformación concreta de los
pasos del proceso, los distintos ahondamientos 21 puntuales o los
ahondamientos 31 que conforman la identificación de serie 3, se
deben generar con una profundidad tal que no se destruyan o no sean
mayormente afectados por los posteriores pasos del proceso para la
confección de la celda solar, es decir, que aún puedan ser leídos,
en especial en forma mecánica mediante por ejemplo un dispositivo
de lectura optoelectrónico para marcaciones OCR.
Las medidas preferidas para la marcación al
comenzar un proceso de fabricación de celdas solares se explican a
continuación, a modo de ejemplo, para los pasos del proceso
representados en las figuras 3a a 3d para la fabricación de una
celda solar 1.
En la figura 3a se muestra una representación
esquemática en sección transversal, que no obedece a una escala, a
través de tres ahondamientos 21 dispuestos en forma adyacente en la
superficie de una plaquita semiconductora aún sin procesar. Los
ahondamientos 21 adyacentes están distanciados entre sí mediante
nervios con un ancho de nervio S. En los nervios se pueden observar
las asperezas en la superficie de la plaquita producidas por el
aserrado de la plaquita semiconductora. En el área de los tres
ahondamientos 21, la superficie de la plaquita presenta una
conformación lisa. Ello se debe a que en estas áreas el material
semiconductor está modificado en su microestructura debido a la
aplicación de energía durante la erosión por láser, pero aún no está
sometido a vaporización o sublimado directamente. Después de la
desconexión del rayo láser, en la superficie de la plaquita existe
material semiconductor modificado en su microestructura debido a la
carga de energía. En contraposición a la microestructura cristalina
no modificada de la plaquita semiconductora, se obtiene una zona 11
("heat affected zone") en los ahondamientos que está afectada
por la carga de energía. Mediante la energía de pulsación, la
longitud de pulso como también el perfil de intensidad del rayo
láser y el tiempo de uso de la radiación láser es posible manipular
el ancho W y la profundidad C de los ahondamientos 21. Por medio de
estos parámetros también se actúa sobre la profundidad Z de la zona
11 afectada por la aplicación de energía. Esta profundidad Z se
reduce en el área de los flancos del ahondamiento de acuerdo con la
intensidad de pulso que disminuye en los laterales.
Dado que los semiconductores con, por ejemplo,
una microestructura cristalina afectada o no afectada por la
radiación láser, presentan una vida útil de diferente duración de la
de los soportes de carga, los parámetros físicos de una celda solar
sobre la base de una plaquita semiconductora policristalina o
monocristalina serían afectados negativamente por las zonas 11
afectadas por la aplicación de energía. Por esta razón, las zonas
11 afectadas por la aplicación de energía, de preferencia son
eliminadas en un paso de corrosión posterior.
En la figura 3b, se muestra la representación de
la figura 3a después de un paso de corrosión isotrópico, por
ejemplo, una corrosión química en húmedo. Por medio de la
concentración, la temperatura y el tiempo de acción del agente de
corrosión se puede ajustar una profundidad de corrosión E deseada, y
de ese modo eliminar de forma controlada material semiconductor.
Puede observarse que el ancho de nervio S' corrosionado se ha
reducido en comparación con el ancho de nervio S en aproximadamente
el doble de la profundidad de corrosión E y el ancho del
ahondamiento W' corrosionado ha aumentado de manera correspondiente
el doble de la profundidad de corrosión E. Debido a la conducta
isotrópica de corrosión, la profundidad C de los ahondamientos se
mantiene esencialmente igual. Además, y debido a las razones antes
mencionadas, se ajusta la profundidad de corrosión de modo tal que
las zonas 11 representadas en la figura 3a, afectadas por la
aplicación de energía, son eliminadas por completo en el área de
los ahondamientos 21.
De manera adicional o simultánea con el pulido
químico en húmedo, es ventajoso conformar el paso de corrosión de
manera tal que se confiera a la superficie de la plaquita una forma
de textura. Se trata de estructuras en forma de cráter o bien de
aguja con diámetros o bien distancias en el rango submicrométrico y
micrométrico y de profundidades que pueden ser de varios
micrómetros.
La texturación definida de las superficies
superiores y perimetrales es conocida y usual en las celdas solares.
Las estructuras de las texturas finas producen múltiples
reflexiones de la luz que impacta sobre ellas, por lo que se acopla
mayor cantidad de luz en las celdas o bien la luz "captada" se
mantiene durante mayor tiempo en las estructuras de absorción. De
esta manera se aumenta finalmente el grado de efectividad de las
celdas solares.
En la figura 3c, se muestra la representación en
sección transversal de la figura 3b. En la superficie que se
muestra de la plaquita semiconductora, se incluye una sustancia de
dotación para la generación de un pasaje p-n. La
profundidad de dotación D en toda la superficie, por ejemplo es de
manera uniforme de 0,5 \mum y como sustancia de dotación se
integra fósforo mediante difusión térmica en la superficie de una
plaquita semiconductora p-conductora. De esta
manera se forma una zona de dotación 12 n-conductiva
en forma de una capa delgada.
En la figura 3d, por último, se muestra la
sección transversal esquemática, que no obedece a una escala, a
través de tres ahondamientos 21 adyacentes de la figura 2 a lo largo
de la línea de corte IIId - IIId de la figura 2. A diferencia de la
representación de la figura 3c se agrega una capa antirreflectiva 13
de nitruro de silicio que se aplica por precipitación en la
superficie completa de la plaquita semiconductora.
Para la generación de ahondamientos 21 son
adecuados los sistemas de marcación láser Nd:YAG que pueden
obtenerse en el mercado. Con tales sistemas con longitudes de onda
de 1064 nm, una duración de pulso de 20 a 50 ns y potencias medias
de láser de 5 a 30 W, pueden lograrse buenos resultados para la
marcación de la plaquita semiconductora.
En caso de procesarse las marcaciones realizadas
al principio en el área de la futura zona activa de una celda solar
con los pasos de proceso indicados a continuación, se deben tener en
cuenta las modificaciones así generadas en las medidas y
propiedades ópticas de superficie, en vista de la aptitud de los
ahondamientos procesados para el desechado de las marcaciones.
En principio, el elevado grado de absorción de
zonas activas de celdas solares para luz visible contrarresta por
sí mismo una representación contrastada de una marcación dispuesta
en la zona activa, cuando esta es iluminada. Resulta necesario
conformar los ahondamientos notoriamente más anchos que profundos.
En profundidades de 10 a 30 \mum, de preferencia de 20 \mum,
resulta adecuado un diámetro de 100 \mum antes de un paso de
corrosión realizado a continuación. La profundidad de corrosión E
del posterior paso de corrosión es de 5 \mum, de modo han sido
erosionadas por completo las zonas 11 generadas con los parámetros
antes indicados, afectadas morfológicamente por la aplicación de la
energía de la pulsación láser.
Otro aspecto importante es la distancia de los
distintos ahondamientos 21, 31 entre sí. Los nervios que por
ejemplo se muestran entre los ahondamientos 21 en la figura 3a con
un ancho de nervio S o bien con el ancho de nervio S' corrosionado
que se muestra en la figura 3b, son importantes para el contraste de
la marcación 2, 3 al realizar el desechado. Para la variante que se
describió antes de ahondamientos 21 adyacentes con forma de base
redonda, el ancho de nervio S debería ser de aproximadamente 30
\mum. Mediante el paso de corrosión se reduce el nervio
esencialmente en el doble de profundidad de corrosión E, de modo que
restan aproximadamente 20 \mum de ancho corrosionado de
nervio.
En la figura 4, se brinda mediante el diagrama
de la secuencia, una sinopsis del procesamiento estándar completo
para confeccionar una celda solar, que se explica por secciones en
las figuras 3a a 3d.
El primer paso que se efectúa en la locación del
fabricante de la celda solar, comprende una primera
individualización de la plaquita semiconductora en el clasificador
A, a fin de preparar cada plaquita para los siguientes pasos del
proceso. La marcación láser de las celdas solares que deben
confeccionarse con la plaquita se efectúa antes de la
individualización (variante A1) o después de esta primera
individualización en el clasificador A (variante A2). La
representación ampliada correspondiente se muestra en la figura 3a.
De todos modos, la plaquita es marcada antes del primer paso del
proceso, la corrosión de los daños de aserrado B, de modo tal que
la marcación se posiciona en la zona activa de la celda solar
confeccionada de esta manera.
La corrosión del daño del aserrado B de acuerdo
con la representación de la figura 3b puede por ejemplo incluir un
pulido químico en húmedo, en el que se erosiona material del lado
anterior o bien del posterior de la plaquita. Aunque la marcación
por láser de las celdas solares se realiza - tal como se explica
previamente - de manera tal que no es destruida o no es afectada en
mayor grado por el paso del proceso químico en húmedo. Una variante
preferida del procedimiento y de la celda solar así confeccionada
prevé que las zonas 11 representadas en la figura 3a en los
ahondamientos 21 que son afectadas por la aplicación de energía, son
eliminadas mediante el paso de corrosión del daño del aserrado
B.
Antes del paso B del proceso propiamente dicho,
se efectúa en el clasificador la lectura de la marcación de una
celda solar, a fin de identificar la celda solar. En caso de que la
primera selección se efectúe directamente después del procedimiento
de marcación, también es posible realizar un control funcional de la
unidad de marcación láser.
Posteriormente se efectúa el procesamiento
propiamente dicho de la plaquita en los pasos de proceso C a F. Por
medio de la difusión térmica de fósforo C se genera una
n-dotación y en la superficie de la plaquita
semiconductora p-conductiva se produce un pasaje
n-p de gran superficie (compárese, figura 3c).
Después del paso de difusión C, en la superficie de plaquita se
realiza la precipitación D de una capa antirreflectiva en forma de
un recubrimiento SiN. Sobre la capa SiN se produce el proceso de
serigrafía E con una pasta plateada con contenido metálico, en
especial, para la conformación del electrodo frontgrid, que es
cocido mediante el tratamiento térmico en el horno de cocción F a
través de la capa antirreflectiva D hasta contactar con la capa
semiconductora n-dotada. Después de este paso de
procedimiento, se considera concluido el proceso de fabricación de
la celda solar.
Para el control de calidad, a continuación se
efectúa una nueva lectura de la marcación en el tester G para
comprobar el funcionamiento de la celda solar confeccionada, por lo
que es posible asignar de manera segura la celda solar a los datos
determinados por el tester. Al mismo tiempo se pueden desechar de
forma automática las celdas solares cuya marcación es ilegible. Al
final se efectúa una clasificación de la celda solar en diferentes
clases de calidad de acuerdo con características de rendimiento
claramente definidas.
Naturalmente también es posible realizar la
lectura de las marcaciones de las distintas celdas solares durante
el proceso, es decir, entre dos pasos de proceso. De esa manera se
posibilita que el proceso de fabricación completo pueda ser
registrado y seguido en forma continua.
- 1
- celda solar
- 11
- zona afectada por el aporte de energía ("heat affected zone")
- 12
- zona de dotación
- 13
- capa antirreflectora
- 2
- marcación como código bidimensional de matriz de datos
- 21
- ahondamiento
- 3
- marcación como identificación de serie legible por OCR
- 31
- ahondamiento
- 4
- circuito impreso
- 4a, 4b
- circuitos impresos adyacentes a los circuitos impresos centrales 41a, 41b
- 41a, 41b
- circuito impreso central
- 5
- zona activa de la celda solar 1
- C
- profundidad de los ahondamientos 21
- D
- profundidad de difusión de la zona de dotación 12
- S
- distancia de los ahondamientos 21 antes del paso de corrosión
- S'
- distancia de los ahondamientos 21 después del paso de corrosión
- W
- diámetro de los ahondamientos 21 antes del paso de corrosión
- W'
- diámetro de los ahondamientos 21 después del paso de corrosión
- E
- profundidad de corrosión para el paso de corrosión isotrópica
- Z
- profundidad de la zona afectada por la carga de energía 11.
Claims (28)
1. Procedimiento de marcación de celdas
solares, con los pasos
- -
- disposición de un sustrato con una superficie de sustrato para confeccionar una celda solar (1) que presenta una zona activa (5), y
- -
- producción de como mínimo un ahondamiento (21, 31) en la superficie de sustrato mediante el uso de radiación láser, donde el como mínimo un ahondamiento (21, 31) forma una marcación (2, 3) para marcar la celda solar (1), y la producción del ahondamiento (21, 31) se realiza antes de efectuar un proceso de confección de celdas solares o mientras se lleva a cabo un proceso de fabricación de celdas solares,
caracterizado porque el sustrato se
conforma como plaquita semiconductora con una superficie de
plaquita, y la marcación (2, 3) en la superficie de plaquita se
posiciona de modo tal que la marcación (2, 3) se ubica en la zona
activa (5) de la celda solar (1) formada por la plaquita
semiconductora.
\vskip1.000000\baselineskip
2. Procedimiento de marcación de celdas solares
según la reivindicación 1, caracterizado porque el como
mínimo un ahondamiento (21, 31) se produce con una profundidad tal
que la marcación (2, 3) conformada por el mismo continúa siendo
legible por medio de un dispositivo optoelectrónico de lectura,
incluso después de realizado el proceso de fabricación
completo.
3. Procedimiento de marcación de celdas solares
según la reivindicación 1 ó 2, caracterizado porque después
de producir el como mínimo un ahondamiento (21, 31) se prevé un paso
de corrosión de manera tal que las zonas (11) afectadas por la
carga de energía en la superficie de la plaquita son eliminadas por
completo en el área del ahondamiento (21, 31).
4. Procedimiento de marcación de celdas solares
según la reivindicación 3, caracterizado porque el paso de
corrosión previsto se conforma de manera tal que la superficie de la
plaquita es corroída con un mayor índice de corrosión en el área de
los ahondamientos que fuera de la misma.
5. Procedimiento de marcación de celdas solares
según la reivindicación 3 ó 4, caracterizado porque el paso
de corrosión se realiza como pulido químico en húmedo o como paso de
corrosión en seco (por ejemplo corrosión por plasma).
6. Procedimiento de marcación de celdas solares
según la reivindicación 5, caracterizado porque mediante el
paso de corrosión se efectúa adicionalmente una textura de la
superficie de la plaquita provista de la marcación (2, 3).
7. Procedimiento de marcación de celdas solares
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado
porque el como mínimo un ahondamiento (21, 31) se produce mediante
erosión láser con una profundidad mayor que 8 \mum, de
preferencia mayor que 12 \mum, de preferencia especial entre 15 y
30 \mum.
8. Procedimiento de marcación de celdas solares
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado
porque la relación de tamaño de la profundidad respecto al diámetro
del como mínimo un ahondamiento (21, 31) al producir el
ahondamiento (21, 31) es mayor que 1:12, de preferencia mayor que
1:10 y de preferencia especial se ubica en el rango que varía entre
1:7 y 1:3.
9. Procedimiento de marcación de celdas solares
según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado
porque el proceso de fabricación de las celdas solares comprende los
siguientes pasos:
- \bullet
- la producción de un pasaje p-n de gran superficie en la superficie de la plaquita provista de la marcación (2, 3), por ejemplo mediante difusión térmica con una sustancia de dotación, en especial con fósforo;
- \bullet
- la precipitación de una capa antirreflectora en la superficie de la plaquita provista de la marcación (2, 3), por ejemplo en forma de una capa delgada (13) de nitruro de silicio o dióxido de titanio y
- \bullet
- la aplicación, el secado y el cocido de una pasta en forma de una rejilla metálica de electrodos que incluye circuitos impresos (4), en la superficie de la plaquita provista de la marcación (2, 3).
\vskip1.000000\baselineskip
10. Procedimiento de marcación de celdas
solares según la reivindicación 9, caracterizado porque los
circuitos impresos (4) se disponen a una cierta distancia de la
marcación (2, 3).
11. Procedimiento de marcación de celdas
solares según la reivindicación 10, caracterizado porque los
circuitos impresos (4) se disponen equidistantes entre sí.
\newpage
12. Procedimiento de marcación de celdas
solares según la reivindicación 10 u 11, caracterizado porque
la marcación (2, 3) se dispone en el centro de la plaquita
semiconductora y los circuitos impresos (4) se disponen de manera
tal que un primer circuito impreso central (41a) desde uno de los
lados de la superficie de la plaquita se extiende hacia la
marcación (2) y un segundo circuito impreso central (41 b) del lado
opuesto de la superficie de la plaquita se extiende hacia la
marcación (2, 3), mientras que el primer circuito impreso central
(41a) y el segundo circuito impreso central (41b) antes de
contactarse con la marcación (2, 3) doblan en sentidos opuestos y
desembocan en circuitos impresos (4a, 4b) que son adyacentes en cada
caso.
13. Procedimiento de marcación de celdas
solares según una de las reivindicaciones anteriores,
caracterizado porque la marcación (2, 3) que consiste en una
pluralidad de ahondamientos (21, 31) se conforma a modo de
identificación de serie, como un código matriz de datos o como un
código de barras.
14. Procedimiento de marcación de celdas
solares según la reivindicación 13, caracterizado porque la
marcación (2) se genera como código matriz de datos 14 x 14 con una
longitud de borde de esencialmente 2 mm x 2 mm.
15. Procedimiento de marcación de celdas
solares según la reivindicación 14, caracterizado porque la
marcación (3) se genera como identificación de serie legible por
medio de un procedimiento de OCR, que comprende una pluralidad de
signos y cifras y/o letras, donde los signos se conforman con una
altura de aproximadamente un milímetro.
16. Procedimiento de marcación de celdas
solares según como mínimo una de las reivindicaciones 13 a 15,
caracterizado porque se produce una pluralidad de marcaciones
(2, 3) en la superficie de la plaquita.
17. Celda solar (1) con una zona
fotovoltaicamente activa (5) que comprende una marcación (2, 3) que
consiste en un ahondamiento (21, 31) producido por erosión con
láser, caracterizada porque la celda solar (1) se fabrica de
una plaquita semiconductora con una superficie de plaquita y la
marcación (2,3) en la superficie de la plaquita se conforma en el
área de la zona activa (5) de la celda solar.
18. Celda solar (1) según la reivindicación 17,
caracterizada porque el como mínimo un ahondamiento (21, 31)
se conforma con una profundidad tal que la marcación (2, 3)
conformada por el mismo continúa siendo legible por medio de un
dispositivo optoelectrónico de lectura, incluso después de realizado
el proceso de fabricación completo.
19. Celda solar (1) según la reivindicación 17
o 18, caracterizada porque las áreas adyacentes (12) en el
interior del como mínimo un ahondamiento (21, 31) presentan una
microestructura multicristalina o monocristalina que no está
afectada esencialmente por la carga de energía láser.
20. Celda solar (1) según una de las
reivindicaciones 17 a 19, caracterizada porque la superficie
de la plaquita en el interior del como mínimo un ahondamiento (21,
31) se conforma de manera texturada.
21. Celda solar (1) según una de las
reivindicaciones 17 a 20, caracterizada porque el como mínimo
un ahondamiento (21, 31) tiene una profundidad mayor que 8 \mum,
de preferencia mayor que 12 \mum, de preferencia especial entre
15 y 30 \mum.
22. Celda solar (1) según una de las
reivindicaciones 17 a 21, caracterizada porque el como mínimo
un ahondamiento (21, 31) se conforma de modo tal que la relación de
tamaño de la profundidad respecto al diámetro del como mínimo un
ahondamiento (21, 31) es mayor que 1:12, de preferencia mayor que
1:10 y de preferencia especial se incluye en el rango entre 1:7 y
1:3.
23. Celda solar (1) según una de las
reivindicaciones 17 a 22, que comprende:
- \bullet
- un pasaje p-n de gran superficie en la superficie de la plaquita provista de la marcación (2, 3);
- \bullet
- una capa antirreflectora en la superficie de la plaquita provista de la marcación (2, 3), y
- \bullet
- una rejilla metálica de electrodos que incluye circuitos impresos (4), en la superficie de la plaquita provista de la marcación (2, 3),
donde los circuitos impresos (4) se extienden a
una cierta distancia de la marcación (2,3).
24. Celda solar (1) según la reivindicación 23,
caracterizada porque la marcación (2, 3) se dispone en el
centro de la plaquita semiconductora y los circuitos impresos (4) se
disponen de manera tal que un primer circuito impreso central (41a)
desde uno de los lados de la superficie de la plaquita se extiende
hacia la marcación (2) y un segundo circuito impreso central (41b)
del lado opuesto de la superficie de la plaquita se extiende hacia
la marcación (2, 3), y el primer circuito impreso central (41a) y el
segundo circuito impreso central (41b) antes de contactarse con la
marcación (2, 3) doblan en sentidos opuestos y desembocan en
circuitos impresos (4a, 4b) que son adyacentes en cada caso.
25. Celda solar (1) según una de las
reivindicaciones anteriores 17 a 24, caracterizada porque la
marcación (2, 3) que consiste en una pluralidad de ahondamientos
(21, 31) se conforma a modo de identificación de serie, como un
código matriz de datos o como un código de barras.
26. Celda solar (1) según la reivindicación 25,
caracterizada porque la marcación (2) se genera como código
matriz de datos 14x14 con una longitud de borde de esencialmente 2
mm x 2 mm.
27. Celda solar (1) según la reivindicación 25,
caracterizada porque la marcación (3) se genera como
identificación de serie legible por medio de un procedimiento de
OCR, que comprende una pluralidad de signos y cifras y/o letras,
donde los signos se conforman con una altura de aproximadamente un
milímetro.
28. Celda solar (1) según una de las
reivindicaciones anteriores 25 a 27, caracterizada porque se
produce una pluralidad de marcaciones (2, 3) en la superficie de la
plaquita.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006009584 | 2006-02-28 | ||
| DE102006009584 | 2006-02-28 | ||
| PCT/EP2007/051925 WO2007099138A1 (de) | 2006-02-28 | 2007-02-28 | Solarzellenmarkierverfahren und solarzelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2335156T3 true ES2335156T3 (es) | 2010-03-22 |
| ES2335156T5 ES2335156T5 (es) | 2020-03-09 |
Family
ID=38080852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES07726561T Active ES2335156T5 (es) | 2006-02-28 | 2007-02-28 | Procedimiento de marcación de celdas solares y celda solar |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8492240B2 (es) |
| EP (1) | EP1989740B2 (es) |
| JP (1) | JP5627855B2 (es) |
| KR (1) | KR101110467B1 (es) |
| CN (1) | CN101395724B (es) |
| AT (1) | ATE445912T1 (es) |
| DE (1) | DE502007001732D1 (es) |
| DK (1) | DK1989740T4 (es) |
| ES (1) | ES2335156T5 (es) |
| PT (1) | PT1989740E (es) |
| SI (1) | SI1989740T2 (es) |
| WO (1) | WO2007099138A1 (es) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3333280B1 (en) | 2007-09-12 | 2026-04-01 | Flisom AG | Method for manufacturing a compound film with compositional grading |
| DE102008043750A1 (de) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Q-Cells Se | Verfahren zur Makierung/Codierung einer Solarzelle und Solarzelle |
| WO2010072017A1 (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 致茂电子股份有限公司 | 太阳能电池及其辨识方法与相关的辨识标示制造系统 |
| KR101549620B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2015-09-02 | 삼성전자주식회사 | ｐｎ 구조를 지닌 Ｚｎ 산화물 나노 와이어 및 그 제조 방법 |
| DE102009009499B4 (de) | 2009-02-18 | 2015-10-15 | Solarworld Industries Sachsen Gmbh | Markierungsverfahren, Halbleiterbauelement sowie Solar-Modul |
| DE102010015970B4 (de) | 2010-03-15 | 2013-09-26 | Solarworld Innovations Gmbh | Satz mehrerer Photovoltaikzellen, Photovoltaikzellenmodul, Anordnung zum Aufbringen einer vorgegebenen Information auf einen Satz von Photovoltaikzellen, Verfahren zum Ermitteln einer Information von einem Satz von Photovoltaikzellen, Anordnung zum Ermitteln einer Information von einem Satz von Photovoltaikzellen |
| DE102010014937B4 (de) | 2010-04-14 | 2013-10-17 | Ioss Intelligente Optische Sensoren & Systeme Gmbh | Verfahren zum Lesen eines Codes auf einem Substrat durch Zusammensetzen von Code-Fragmenten unter Verwendung eines bildgebenden Codelesers |
| WO2011154033A2 (en) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | Q-Cells Se | Method for marking a solar cell and solar cell |
| CN103109374A (zh) * | 2010-07-26 | 2013-05-15 | 韩华Q.Cells有限公司 | 用于标记太阳能电池的方法以及太阳能电池 |
| CN102145602A (zh) * | 2010-11-19 | 2011-08-10 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法 |
| DE102010060695B4 (de) | 2010-11-22 | 2015-10-08 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Verfahren zur Markierung von Halbleiterwafern |
| DE102010060908A1 (de) | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Q-Cells Se | Verfahren zur Kennzeichnung von Wafersolarzellen oder zur Kennzeichnung von Vorprodukten von Wafersolarzellen |
| TWI431787B (zh) * | 2010-11-30 | 2014-03-21 | Inventec Solar Energy Corp | 印製識別碼於太陽能電池基板的方法及其應用 |
| DE102010062965A1 (de) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Solarworld Innovations Gmbh | Markierung eines Substrats einer Solarzelle |
| ITUD20110090A1 (it) * | 2011-06-14 | 2012-12-15 | Applied Materials Italia Srl | Cella fotovoltaica provvista di un codice identificativo e procedimento per realizzarla |
| CN103000723A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 茂迪股份有限公司 | 太阳能电池 |
| DE102011083252B9 (de) * | 2011-09-23 | 2013-01-03 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Handgeführtes Beschriftungssystem |
| US20130160832A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Andreas Krause | Marking of a substrate of a solar cell |
| JP2013211541A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-10-10 | Kyocera Corp | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 |
| DE102012217539A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
| CN103258910B (zh) * | 2013-05-03 | 2015-09-30 | 天津英利新能源有限公司 | 一种实现碎片率自动化统计的方法 |
| EP3010723B1 (en) * | 2013-06-18 | 2021-09-22 | Apple Inc. | Laser engraved reflective surface structures and method therefor |
| JP6098815B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2017-03-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | マーキングを有する太陽電池セルおよびその製造方法 |
| JP2015005140A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及び製造方法 |
| CN103434273B (zh) * | 2013-09-06 | 2016-08-17 | 常州天合光能有限公司 | 一种光伏组件边框打标方法及其光伏组件生产工艺 |
| CN104385795B (zh) * | 2014-10-24 | 2017-11-03 | 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种光伏组件条码信息的修正方法及系统 |
| KR101661839B1 (ko) | 2015-01-05 | 2016-09-30 | 금오공과대학교 산학협력단 | 솔라셀 제조 공정 관리 방법 |
| US10923606B2 (en) | 2016-10-26 | 2021-02-16 | Kaneka Corporation | Photoelectric conversion element |
| CN107221509B (zh) * | 2017-06-20 | 2020-10-13 | 南京矽邦半导体有限公司 | 一种识别单颗产品在qfn框架上位置信息的方法 |
| DE102017131419A1 (de) | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Hanwha Q Cells Gmbh | Ausleseverfahren und Auslesevorrichtung |
| CA3100087A1 (en) | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Laserax Inc. | Metal workpieces with shot blast resistant identifiers, methods and systems for laser-marking such identifiers |
| JP7206660B2 (ja) | 2018-07-17 | 2023-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器 |
| FR3089350B1 (fr) * | 2018-11-29 | 2020-12-25 | Commissariat Energie Atomique | Tri et recyclage de modules photovoltaiques ou de cellules solaires presentant des fonnctions de stockage d’information et d’affichage |
| FR3089349B1 (fr) * | 2018-11-29 | 2021-09-17 | Commissariat Energie Atomique | Cellule solaire photovoltaique presentant des fonctions de stockage d’information et d’affichage |
| WO2020109696A1 (fr) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Cellule solaire photovoltaique presentant des fonctions de stockage d'information et d'affichage |
| DE102019006090A1 (de) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | Azur Space Solar Power Gmbh | Markierungsverfahren |
| CN113814570A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-12-21 | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) | 一种硅片的激光打标方法及异质结电池的制造方法 |
| WO2022186787A1 (en) * | 2021-03-01 | 2022-09-09 | Kalyon Gunes Teknolojileri Uretim Anonim Sirketi | A marking system and method for marking semiconductor substrates |
| CN116154013B (zh) * | 2021-11-19 | 2026-01-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种光伏电池及光伏组件 |
| CN116154012A (zh) * | 2021-11-19 | 2023-05-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 制造具有可追溯信息的太阳能电池的方法及太阳能电池 |
| CN116314131A (zh) * | 2021-12-09 | 2023-06-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池 |
| CN115117022B (zh) * | 2022-03-03 | 2026-04-24 | 晶科能源(海宁)有限公司 | 光伏电池及其形成方法、光伏组件 |
| CN115020540B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-03-24 | 晶科能源股份有限公司 | 一种硅片的制作方法及硅片 |
| CN116230788A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-06-06 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池、太阳能电池制备方法及光伏组件 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2944185A1 (de) * | 1979-11-02 | 1981-05-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Solarzelle |
| US4568409A (en) | 1983-11-17 | 1986-02-04 | Chronar Corp. | Precision marking of layers |
| US4626613A (en) | 1983-12-23 | 1986-12-02 | Unisearch Limited | Laser grooved solar cell |
| JPH0196920A (ja) | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Fujitsu Ltd | ウエーハの識別方法 |
| US5024953A (en) | 1988-03-22 | 1991-06-18 | Hitachi, Ltd. | Method for producing opto-electric transducing element |
| DE3815512C2 (de) | 1988-05-06 | 1994-07-28 | Deutsche Aerospace | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
| US5256578A (en) | 1991-12-23 | 1993-10-26 | Motorola, Inc. | Integral semiconductor wafer map recording |
| JP3098695B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2000-10-16 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US5610104A (en) | 1996-05-21 | 1997-03-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of providing a mark for identification on a silicon surface |
| JPH10256105A (ja) | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | レーザマークを付けたウェーハ |
| JP2000068537A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-03-03 | Canon Inc | 太陽電池モジュ―ル、ストリングおよびシステムならびに管理方法 |
| US6303899B1 (en) | 1998-12-11 | 2001-10-16 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for scribing a code in an inactive outer clear out area of a semiconductor wafer |
| US6112738A (en) | 1999-04-02 | 2000-09-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method of slicing silicon wafers for laser marking |
| DE19933703B4 (de) | 1999-04-07 | 2005-07-28 | Shell Solar Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Abtragen von Schichten auf einer Solarzelle |
| US6235637B1 (en) * | 1999-09-15 | 2001-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for marking a wafer without inducing flat edge particle problem |
| ES2360031T3 (es) | 1999-09-28 | 2011-05-31 | Kaneka Corporation | Método de control del proceso de fabricacioón de un aparato de conversión fotoeléctrica. |
| TW587332B (en) | 2000-01-07 | 2004-05-11 | Canon Kk | Semiconductor substrate and process for its production |
| US7007855B1 (en) | 2000-03-17 | 2006-03-07 | International Business Machines Corporation | Wafer identification mark |
| US6489216B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Chemical mechanical polish (CMP) planarizing method employing topographic mark preservation |
| JP3809353B2 (ja) | 2001-08-02 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | Ｉｄ付き加工物の製造方法 |
| JP4244549B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2009-03-25 | トヨタ自動車株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
| JP2003258285A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sharp Corp | 表面凹凸構造の作製方法及び太陽電池 |
| AU2003242229A1 (en) * | 2002-06-06 | 2003-12-22 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | Method for producing polycrystalline silicon substrate for solar cell |
| US6954002B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-10-11 | Infineon Technologies North America Corp. | System and method of enhancing alignment marks |
| US6812477B2 (en) | 2002-12-04 | 2004-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit identification |
| JP4035042B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2008-01-16 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
| JP2004259790A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Canon Inc | マークを付与した基板の製造方法及びマークの読み取りプログラム及びマークの読み取り装置 |
| KR100543507B1 (ko) | 2003-05-22 | 2006-01-20 | 준 신 이 | 황화아연 반사방지막을 갖는 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| JP4328166B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2009-09-09 | 有限会社松宮半導体研究所 | 太陽電池セルの製造方法 |
| KR100562789B1 (ko) * | 2003-11-10 | 2006-03-21 | 준 신 이 | 친산화성 금속박막을 이용한 낮은 접촉저항과 반사방지막실리콘 태양전지 및 그 제조방법 |
| JP2005183469A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 太陽電池セル |
| DE102004021259B4 (de) | 2004-04-30 | 2010-09-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats |
| US20060065985A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Berman Michael J | Substrate edge scribe |
| US20070163634A1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-07-19 | Kyocera Corporation | Solar cell, manufacturing method and manufacturing management system thereof, and solar cell module |
-
2007
- 2007-02-28 DE DE502007001732T patent/DE502007001732D1/de active Active
- 2007-02-28 CN CN2007800071310A patent/CN101395724B/zh active Active
- 2007-02-28 SI SI200730137T patent/SI1989740T2/sl unknown
- 2007-02-28 AT AT07726561T patent/ATE445912T1/de active
- 2007-02-28 US US12/224,403 patent/US8492240B2/en active Active
- 2007-02-28 PT PT07726561T patent/PT1989740E/pt unknown
- 2007-02-28 EP EP07726561.9A patent/EP1989740B2/de active Active
- 2007-02-28 DK DK07726561.9T patent/DK1989740T4/da active
- 2007-02-28 WO PCT/EP2007/051925 patent/WO2007099138A1/de not_active Ceased
- 2007-02-28 KR KR1020087022418A patent/KR101110467B1/ko active Active
- 2007-02-28 ES ES07726561T patent/ES2335156T5/es active Active
- 2007-02-28 JP JP2008556782A patent/JP5627855B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK1989740T4 (da) | 2019-08-26 |
| CN101395724A (zh) | 2009-03-25 |
| DE502007001732D1 (de) | 2009-11-26 |
| PT1989740E (pt) | 2010-01-11 |
| EP1989740B2 (de) | 2019-05-22 |
| US8492240B2 (en) | 2013-07-23 |
| JP5627855B2 (ja) | 2014-11-19 |
| EP1989740A1 (de) | 2008-11-12 |
| DK1989740T3 (da) | 2010-02-15 |
| KR20080098062A (ko) | 2008-11-06 |
| JP2009528687A (ja) | 2009-08-06 |
| SI1989740T2 (sl) | 2019-10-30 |
| ATE445912T1 (de) | 2009-10-15 |
| ES2335156T5 (es) | 2020-03-09 |
| US20090050198A1 (en) | 2009-02-26 |
| CN101395724B (zh) | 2010-10-27 |
| KR101110467B1 (ko) | 2012-01-31 |
| SI1989740T1 (sl) | 2010-02-26 |
| EP1989740B1 (de) | 2009-10-14 |
| WO2007099138A1 (de) | 2007-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2335156T3 (es) | Procedimiento de marcacion de celdas solares y celda solar. | |
| ES2384428T3 (es) | Método para la producción de un dispositivo semiconductor que usa el recocido láser para activar selectivamente los adulterantes implantados | |
| ES2314688T3 (es) | Dopado con laser de cuerpos solidos con un rayo laser linealmente enfocado y fabricacion de emisores de celulas solares basada en el mismo. | |
| ES2316059T3 (es) | Celula solar de contacto en la cara posterior y procedimiento para su fabricacion. | |
| ES2270414T3 (es) | Procedimiento de fabricacion de celulas solares con metalizacion combinada. | |
| ES2289168T3 (es) | Celula solar con contactos en la parte posterior y su procedimiento de fabricacion. | |
| ES2554504T3 (es) | Módulo de célula solar y procedimiento de fabricación del mismo | |
| HK1216454A1 (zh) | 形成太陽能電池中的結構的方法 | |
| JPWO2012176473A1 (ja) | ドットマーキングを有する半導体基板、およびその製造方法 | |
| KR20230052981A (ko) | 후면 접촉형 태양 전지 및 이의 제조 | |
| TW501286B (en) | Polysilicon thin film solar cell substrate | |
| Kluska et al. | Micro characterization of laser structured solar cells with plated Ni–Ag contacts | |
| US20130160832A1 (en) | Marking of a substrate of a solar cell | |
| KR102214451B1 (ko) | 펄스레이저를 이용한 태양 전지 셀의 국부 후면 전계 영역 형성 방법과 이에 따라 형성된 후면 전계 영역을 포함하는 태양 전지 셀 | |
| CN113196503A (zh) | 具有信息存储和显示功能的光伏太阳能电池 | |
| Huber et al. | Selective structuring of thin-film solar cells by ultrafast laser ablation | |
| ES2728101T3 (es) | Formación de contactos óhmicos en semiconductores de banda prohibida ancha | |
| ES2737977T3 (es) | Convertidor fotovoltaico con estructura de emisor mejorada basada en componentes de silicio y un método para la producción del convertidor fotovoltaico | |
| Heise et al. | Monolithical serial interconnects of large CIS solar cells with picosecond laser pulses | |
| JP6098815B2 (ja) | マーキングを有する太陽電池セルおよびその製造方法 | |
| JP2004066299A (ja) | セラミック材のレーザーマーキング方法 | |
| US20170278990A1 (en) | Approaches for solar cell marking and tracking | |
| JP2020509606A5 (es) | ||
| US20110030773A1 (en) | Photovoltaic cell with back-surface reflectivity scattering | |
| KR20100015717A (ko) | 도전 스팟을 구비한 레이어를 포함하는 태양광 발전 모듈 |