ES2338304T3 - Controlador de puente-h y sistema de conversion de potencia con dicho controlador. - Google Patents
Controlador de puente-h y sistema de conversion de potencia con dicho controlador. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2338304T3 ES2338304T3 ES02779847T ES02779847T ES2338304T3 ES 2338304 T3 ES2338304 T3 ES 2338304T3 ES 02779847 T ES02779847 T ES 02779847T ES 02779847 T ES02779847 T ES 02779847T ES 2338304 T3 ES2338304 T3 ES 2338304T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- current
- controller
- bridge
- bridge controller
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 16
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/125—Discriminating pulses
- H03K5/1252—Suppression or limitation of noise or interference
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Automatic Cycles, And Cycles In General (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
Un puente-H que comprende: interruptores de potencia primero y segundo, conectados con sus respectivos circuitos de corriente en serie, un generador de pulsos para generar una forma de onda de pulsos de voltaje, dispuesto para controlar dicho primer interruptor de potencia (33), un primer generador de corriente (11), para generar una primera señal de corriente que incluye un pulso de corriente por cada flanco negativo de dicha forma de onda de pulsos de voltaje, un segundo generador de corriente (12), para generar una segunda señal de corriente que incluye un pulso de corriente por cada flanco positivo de dicha forma de onda de pulsos de voltaje, y un circuito (27) receptor de corriente diferencial, conectado a dichos generadores de corriente primero y segundo, y dispuesto para generar una señal de corriente de salida (Ilatch) igual a la diferencia de dichas señales de corriente primera y segunda generadas por dichos generadores de corriente (11, 12), dispuesta dicha señal de corriente de salida para controlar a dicho segundo interruptor de potencia (31).
Description
Controlador de puente-H y
sistema de conversión de potencia con dicho controlador.
El presente invento se refiere a un controlador
de la etapa de potencia de puente-H que comprende
interruptores de potencia primero y segundo conectados a sus
respectivos circuitos de corriente en serie, un generador de pulsos
para generar una forma de onda de pulsos de voltaje, dispuesto para
controlar dicho primer interruptor de potencia, un primer generador
de corriente para generar un pulso de corriente para cada borde de
salida de dicha forma de onda de pulsos de voltaje, y un segundo
generador de corriente para generar un pulso de corriente para cada
borde de ataque de dicha forma de onda de pulsos de voltaje.
El invento puede ser usado ventajosamente en los
sistemas de conversión de potencia, en los que se requiere una
operación combinada con un bajo consumo de energía, como por ejemplo
en un controlador de un motor, y en particular en la amplificación
de potencia para usos de audio.
Un puente-H es un convertidor de
potencia que comprende dos interruptores de potencia, por ejemplo,
transistores, uno denominado como el transistor del lado de baja, y
el otro denominado como el transistor del lado de alta. Cada
transistor es controlado por circuitos de controlador separados, es
decir, por un controlador del lado de baja y por un controlador del
lado de alta.
En la técnica bien conocida, los sistemas de
control para un controlador del lado de alta comprenden una técnica
de pulsos, según la cual se transmiten pulsos estrechos de corriente
de establecer y de restablecer al controlador del lado de alta, en
el cual está situado un circuito usado para almacenamiento de
información, para restablecer la señal de control original. Tal
sistema es conocido de la patente de EE.UU. Nº 5.514.981 titulada
"Reset dominant level-shift circuit for noise
immunity" ("Circuito de desplazamiento de nivel dominante de
restablecimiento para inmunidad frente a ruidos"), de la patente
de EE.UU. Nº 5.105.099 titulada "Level shift circuit with common
mode rejection" ("Circuito de desplazamiento de nivel con
rechazo del modo común"), y del documento WO 2001/75941.
En el control de pulsos, un problema importante
es el que plantean las corrientes inducidas dv/dt en el modo común,
en los circuitos de corriente de los nodos de establecer y
restablecer, que surgen de las capacidades parásitas en los
generadores de pulsos de corriente. El valor de dv/dt en el terminal
de salida (voltaje de error) de la etapa de salida puede alcanzar
valores muy altos -por lo que incluso capacitancias parásitas muy
pequeñas darán por resultado corrientes inducidas en el modo común
de dv/dt. El ruido en el modo común puede ser causa de operación
falsa en el interruptor de salida, dando por resultado una descarga
brusca en la etapa de potencia.
Convencionalmente, los pulsos de corriente han
sido convertidos en pulsos de voltaje en el controlador del lado de
alta, por medio de dos resistencias de polarización. Esta solución
no proporciona de por sí rechazo alguno del modo común, y han sido
obligatorios circuitos adicionales.
Un modo de resolver los problemas causados por
el ruido en el modo común ha consistido en añadir un filtrado de
paso bajo combinado con el ajuste de los umbrales de los niveles de
establecer/restablecer, con objeto de obtener una función dominante
de restablecimiento, que conduzca a una operación más predecible.
Desafortunadamente, esa solución pone en compromiso la velocidad y
el rendimiento energético a causa del filtrado de paso bajo, el
cual exige un aumento de la anchura de los pulsos de corriente.
Otra solución ha consistido en añadir
circuitería lógica después de dichas resistencias de polarización,
para suprimir las señales en el modo común; esto, sin embargo,
implica una cantidad sustancial de circuitería de puerta.
Se puede conseguir disminuir el consumo de
energía en el controlador para lograr un alto rendimiento del
sistema, disminuyendo para ello el voltaje de control de la puerta,
preferiblemente hasta el nivel lógico (5 voltios). Al hacerlo así,
se mejora también la actuación en cuanto a velocidad del sistema. La
disminución del voltaje de control de la puerta reduce también el
margen de ruido para la caída de voltaje en las resistencias
polarizadoras. Por lo tanto, se plantea un reto para los circuitos
de desplazamiento de nivel basados en las resistencias
polarizadoras cuando el terminal de carga sea negativo con respecto
a tierra. Esto es debido al hecho de que las caídas de voltaje en
las resistencias polarizadoras son limitadas, lo cual puede ser
causa de una operación falsa del MOSFET (Transistor de Efecto de
Campo de Semiconductor de Óxido Metálico). La situación de voltaje
del terminal de carga negativo tiene lugar en situaciones de
oscilación no deseada ("ringing") y cuando el diodo del cuerpo
(diodo entre el cátodo (salida) y el ánodo/fuente)) en el lado de
baja del MOSFET del puente-H está conduciendo.
En general, el uso de resistencias de
polarización no es adecuado para el voltaje del controlador del
nivel lógico, debido a que el voltaje en el terminal de carga
negativo que debe esperarse pone en compromiso el nivel lógico de
las entradas de establecer/restablecer del lado de alta.
Un objeto del presente invento es proporcionar
un nuevo sistema para recibir y manipular los pulsos de corriente
de establecer y restablecer en un controlador del lado de alta,
obteniéndose con ello condiciones de funcionamiento fiables para
operar los transistores de conmutación de potencia.
Un segundo objeto del invento es proporcionar un
controlador de puente-H con cancelación de las
corrientes en el modo común.
Estos y otros objetos se consiguen mediante un
controlador de puente-H de la clase mencionada a
modo de introducción, que comprende además un circuito receptor de
corriente diferencial, que tiene al menos una memoria intermedia de
baja impedancia conectada a dichos generadores de corriente primero
y segundo, dispuesto dicho circuito de receptor de corriente
diferencial para generar una señal de salida igual a la diferencia
de las corrientes que circulan a través de dichos generadores de
corriente, dispuesta dicha señal de salida para controlar dicho
segundo interruptor de potencia.
De acuerdo con una realización preferida, los
pulsos de corriente de establecer y restablecer son recibidos en
memorias intermedias de la corriente de no inversión y de inversión
de baja impedancia, respectivamente. Las salidas de estas memorias
intermedias con luego conectadas y sumadas. Cuando se suman las
corrientes de ruido en el modo común inducidas por el dv/dt en los
circuitos de corriente de establecer y restablecer, una corriente
será invertida, de modo que las corrientes se cancelan, y se evita
un disparo en falso.
De acuerdo con el invento, las señales generadas
por pulsos permanecen como corrientes que son insensibles a las
capacitancias, y también el controlador es inmune a los voltajes de
error negativos. Además, es ahora posible reducir el voltaje de
control requerido, reduciéndose con ello el consumo de energía y
disminuyendo las temperaturas de funcionamiento para el controlador
de puente-H.
Las entradas de baja impedancia dan por
resultado la eliminación de las oscilaciones de voltaje en las
entradas, y el puno de sesgo de esas entradas estará tan próximo
como sea posible al suministro de energía positiva del controlador
del lado de alta. Esto permitirá que el desplazamiento de nivel
presente una función segura, incluso para altos voltajes de error
negativos, debido a que los puntos de decisión no están ya basados
en las caídas de voltaje a través de las anteriores resistencias de
polarización. Esta característica representa una gran ventaja en
términos de reducción de la energía, ya que permite disminuir el
voltaje de operación del controlador. Esto hace posible disminuir
la disipación de ener-
gía, una reducción del tamaño de la parte de oblea electrónica, y una mejora de las actuaciones en cuanto a velocidad.
gía, una reducción del tamaño de la parte de oblea electrónica, y una mejora de las actuaciones en cuanto a velocidad.
En la salida de ese punto de suma puede estar
dispuesta una memoria intermedia lógica con una resistencia de
realimentación, que actúa como una célula de memoria. La señal de
control restaurada para el controlador de la puerta se encuentra
entonces en la salida de la célula de memoria. El valor de la
resistencia y el umbral del error determinan la magnitud de la
corriente para voltear el circuito de almacenamiento de información.
Se cancelan con ello las corrientes del modo común y se consigue el
rechazo del ruido en el modo común.
En lo que sigue se describirá con más detalle la
realización actualmente preferida del presente invento, con
referencia a los dibujos que se acompañan.
La Fig. 1 es un diagrama esquemático de una
implementación de la técnica anterior de un control de pulsos de un
controlador del lado de alta.
La Fig. 2 es un diagrama con una base de tiempos
común, en el que se ha representado la temporización del sistema de
la Fig. 1.
La Fig. 3 es un diagrama esquemático de un
controlador de puente-H de acuerdo con una
realización preferida del invento.
La Fig. 4 es un diagrama en el que se muestran
los pulsos de corriente en el sistema de la Fig. 3.
En la Fig. 1 se ha ilustrado una topología para
una etapa de salida. El controlador tiene dos resistencias de
polarización 1, 2, un filtro o bloque de puerta 4 para rechazar el
ruido, y un circuito 3 de almacenamiento de información. El sistema
comprende además generadores de corriente 11, 12 controlados por un
generador de pulsos 10.
La etapa de salida comprende dos interruptores
31 y 33 de potencia de canal N. El terminal de carga se ha
designado como V_{offset} 41. Los terminales de salida, 41 y
tierra o -V_{d}, pueden controlar cualquier tipo de carga, por
ejemplo una carga inductiva, tal como una bobina o un transductor
electrodinámico. El voltaje de error es también el potencial de
referencia para el controlador del lado de alta, y en la operación
normal será de 0 V o de \pmV_{d} 42. El controlador del lado de
alta es alimentado desde el suministro V_{bs} 40, y ese voltaje
es preferiblemente igual al voltaje de suministro V_{d} 42.
En la Fig. 2 se explica la funcionalidad básica
del controlador del lado de alta controlado por pulsos, conocida de
la técnica anterior, mostrándose la temporización del sistema. Los
generadores de corriente 11, 12 generan pulsos de corriente
estrechos en los bordes de ataque y de salida de la forma de onda de
pulsos de voltaje generada por el generador de pulsos 10. Éste
produce pulsos de voltaje estrechos sobre las resistencias 1 y 2
para establecer y restablecer, respectivamente, el circuito de
almacenamiento de información 3, el cual, a través de un
controlador 26, proporciona una señal de control de puerta para el
dispositivo de interruptor flotante.
En la Fig. 3 se ha representado la primera
realización preferida del invento, en la que a los componentes que
son similares a los componentes de la Fig. 1 se les han asignado
idénticos números de referencia. Los generadores de corriente 11,
12 y el generador de pulsos 10, pueden ser implementados como
cualquier topología de generador dado. Los interruptores de
potencia 31 y 33 pueden ser cualquier tipo de transistor,
preferiblemente un tipo de transistor optimizado para operar en un
estado de "on" (conectado), o de "off" (desconectado),
tal como un Transistor de Efecto de Campo. El suministro de potencia
V_{d} 42, como se ha ilustrado en la Fig. 3, es un solo
suministro de potencia de voltaje (+ y referencia a tierra). Los
nodos del circuito fijados a tierra pueden ser reemplazados por
nodos de circuito de suministro negativo, de modo que el controlador
del lado de baja use el suministro negativo como referencia, y se
puede usar un doble suministro (\pm) V_{d} 42.
Además, el controlador de
puente-H de la Fig. 3 comprende un circuito 27
receptor de corriente, que tiene una pluralidad de memorias
intermedias de corriente de entrada de baja impedancia. En el
ejemplo ilustrado, esas memorias intermedias de corriente de baja
impedancia son implementadas como espejos de corriente 20, 21, 23,
basados en transistores MOSFET. Las memorias intermedias de
corriente 20, 21, 23 están conectadas al suministro de voltaje
V_{bs} de acuerdo con la Fig. 3.
El controlador incluye también una célula de
memoria 28, que comprende una memoria intermedia lógica 25 y una
resistencia de realimentación positiva 24, conectada al controlador
26. Los generadores de corriente 11, 12 están conectados a los
espejos 20 y 21, respectivamente, mientras que los espejos 21 y 23
están conectados a la célula de memoria 28.
Al operar, se generan formas de onda de pulsos
de voltaje por el generador de pulsos 10, y son transformados en
pulsos de corriente por los generadores de corriente 11 y 12. El
primer generador de corriente 11 genera un pulso I_{reset} para
cada borde de salida del pulso de voltaje, mientras que el segundo
generador de corriente 12 genera un pulso I_{set} para cada borde
de ataque del pulso de voltaje. Estos pulsos de corriente son
recibidos por los espejos de corriente 20 y 21, respectivamente, en
el circuito receptor de corriente 27. El pulso de corriente de
restablecimiento I_{reset} recogido en el espejo es suministrado
desde el espejo de corriente 20 al espejo de corriente 23, donde es
de nuevo reflejado en el espejo. Finalmente, las salidas de los
espejos de corriente 21 y 23 son sumadas en el terminal de entrada
de ka memoria intermedia 25.
Mediante esta topología, las señales permanecen
como corrientes y los voltajes de error pueden entonces llegar a
ser de hasta V_{BS}-1 V, antes de que el
desplazamiento de nivel pierda su funcionalidad. Si el voltaje de
error aumentase hasta un nivel en el que los generadores de
corriente no sean ya capaces de entregar la corriente necesaria, el
desplazamiento de nivel no será capaz de conectar el interruptor del
lado de alta, evitándose así una fatal descarga brusca. En segundo
lugar, es ahora posible reducir los voltajes preferiblemente
iguales V_{BS} y V_{drive} hasta tan solo 5 voltios, o incluso
menos, obteniéndose con ello considerables economías de energía.
Esto contribuirá a disminuir las temperaturas de funcionamiento para
el controlador de puente-H.
Con referencia a los diagramas de la Fig. 4, el
pulso de corriente de establecer I_{set} produce un impulso de
corriente de la misma magnitud y dirección en el punto designado
como I_{latch} en la Fig. 3. La corriente fluye a la célula de
memoria 28. Dicha corriente I_{latch} es convertida en un voltaje
a través de la resistencia de realimentación positiva 24, haciendo
que la célula de memoria 28 entre en el estado de alta. Cuando se
recibe un impulso de corriente de restablecer I_{reset}, circulará
una corriente de la misma magnitud, pero de sentido opuesto, en la
resistencia de realimentación positiva 24, dando por resultado un
restablecimiento de la célula de memoria.
Continuando con referencia a la Fig. 4, se ha
ilustrado en ella un ejemplo de una situación de ruido en el modo
común, como pulsos de establecer y restablecer que tienen lugar al
mismo tiempo. En esta situación, esas dos corrientes simplemente se
cancelan entre sí, obteniéndose un rechazamiento de la corriente en
el modo común. Esto se consigue dado que la corriente que fluye a
través de la resistencia de realimentación 24 es cero, por lo que
no se producirá una caía de voltaje a través de la misma. El
controlador de puente-H puede ser implementado en
cualquier sistema de conversión de energía dado, que comprenda un
puente-H de transistores, tal como de c.c.-c.c., de
c.a.-c.a., c.c.-c.a., y c.a.-c.c., o cualquier combinación de los
antes mencionados. En particular, el controlador de
puente-H puede ser implementado en sistemas de
conversión de energía de c.c.-c.a. de alta precisión que comprendan
uno, o una pluralidad de puentes-H y uno o una
pluralidad de controladores de puente-H.
El controlador de puente-H puede
ser implementado en silicio, reduciéndose así el tamaño y mejorando
las actuaciones, en términos de velocidad y de precisión, del
controlador de puente-H.
Claims (14)
1. Un puente-H que
comprende:
interruptores de potencia primero y segundo,
conectados con sus respectivos circuitos de corriente en serie,
un generador de pulsos para generar una forma de
onda de pulsos de voltaje, dispuesto para controlar dicho primer
interruptor de potencia (33),
un primer generador de corriente (11), para
generar una primera señal de corriente que incluye un pulso de
corriente por cada flanco negativo de dicha forma de onda de pulsos
de voltaje,
un segundo generador de corriente (12), para
generar una segunda señal de corriente que incluye un pulso de
corriente por cada flanco positivo de dicha forma de onda de pulsos
de voltaje, y
un circuito (27) receptor de corriente
diferencial, conectado a dichos generadores de corriente primero y
segundo, y dispuesto para generar una señal de corriente de salida
(I_{latch}) igual a la diferencia de dichas señales de corriente
primera y segunda generadas por dichos generadores de corriente (11,
12),
dispuesta dicha señal de corriente de salida
para controlar a dicho segundo interruptor de potencia (31).
2. Un controlador de puente-H de
acuerdo con la reivindicación 1, en el que dicho circuito (27)
receptor de la corriente diferencial comprende al menos una memoria
intermedia de corriente de baja impedancia (20, 21, 23).
3. Un controlador de puente-H de
acuerdo con la reivindicación 1, en el que dicho circuito (27)
receptor de la corriente diferencial comprende tres memorias
intermedias de corrientes de baja impedancia (20, 21, 23).
4. Un controlador de puente-H de
acuerdo con la reivindicación 2 ó 3, en el que una al menos de
dichas memorias intermedias de corriente es un circuito de espejos
de corriente (20, 21, 23).
5. Un controlador de puente-H de
acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que
comprende además una célula de memoria (28) que tiene una memoria
intermedia (25) y una resistencia de realimentación (24), estando
conectada dicha célula de memoria a dicha señal de salida
(I_{latch}).
6. Un controlador de puente-H de
acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el
que dichos interruptores de potencia son transistores (31, 33),
tales como Transistores de Efecto de Campo.
7. Un controlador de puente-H de
acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que
comprende además dos fuentes de voltaje (40, 42), que
preferiblemente entregan voltajes de la misma magnitud.
8. Un controlador de puente-H de
acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que
comprende además una operación de voltaje de nivel lógico, con un
voltaje de nivel lógico de 0-5 voltios.
9. Un controlador de puente-H de
acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones precedentes,
implementado sobre sustratos de silicio.
10. Un sistema de conversión de energía para
controlar una carga inductiva, que comprende un controlador de
puente-H de acuerdo con cualquiera de las
reivindicaciones precedentes.
11. Un sistema de conversión de energía de
acuerdo con la reivindicación 10, que comprende una pluralidad de
controladores de puentes-H de acuerdo con cualquiera
de las reivindicaciones precedentes.
12. Un sistema de conversión de energía, de
acuerdo con la reivindicación 10 u 11, usado para conversión de
potencia de audio de c.c.-c.a.
13. Un controlador de puente-H
de acuerdo con la reivindicación 1, que comprende además:
una primera memoria intermedia de corriente de
inversión de baja impedancia (20, 23) dispuesta para recibir dicha
primera señal de corriente,
una segunda memoria intermedia de corriente de
no inversión de baja impedancia (21) dispuesta para recibir a dicha
primera señal de corriente,
una memoria intermedia (25) dispuesta para sumar
las salidas de dichas memorias intermedias de corrientes primera y
segunda y para dar salida a dicha señal de corriente de salida.
\newpage
14. Un controlador de puente-H
de acuerdo con la reivindicación 1, que comprende además:
un primer espejo de corriente (20) dispuesto
para recibir dicha primera señal de corriente,
un segundo espejo de corriente (21) dispuesto
para recibir dicha segunda señal de corriente,
un tercer espejo de corriente (23) dispuesto
para recibir una salida de dicho primer espejo de corriente,
una memoria intermedia (25) dispuesta para sumar
las salidas de dichos espejos de corriente primero y tercero (20,
23) y para dar salida a dicha señal de corriente de salida.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE2001104400 | 2001-12-21 | ||
| SE0104400A SE0104400D0 (sv) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Half-bridge driver and power conversion system with such driver |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2338304T3 true ES2338304T3 (es) | 2010-05-06 |
Family
ID=20286496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES02779847T Expired - Lifetime ES2338304T3 (es) | 2001-12-21 | 2002-12-05 | Controlador de puente-h y sistema de conversion de potencia con dicho controlador. |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7323912B2 (es) |
| EP (1) | EP1456951B1 (es) |
| JP (1) | JP4235561B2 (es) |
| KR (1) | KR100933651B1 (es) |
| CN (1) | CN1248415C (es) |
| AT (1) | ATE456187T1 (es) |
| AU (1) | AU2002343177A1 (es) |
| DE (1) | DE60235197D1 (es) |
| ES (1) | ES2338304T3 (es) |
| SE (1) | SE0104400D0 (es) |
| WO (1) | WO2003055072A1 (es) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050085461A (ko) * | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 다운 컨버터 및 전기 부하 스위칭 방법 |
| KR100568107B1 (ko) * | 2003-10-24 | 2006-04-05 | 삼성전자주식회사 | 고속 및 저전력 전압 레벨 변환 회로 |
| KR100600452B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-13 | 한국전기연구원 | 펄스 발생기를 위한 반도체 스위치 구동회로 |
| WO2007003967A2 (en) | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Cambridge Semiconductor Limited | Switch mode power supply control systems |
| EP1770862B1 (en) * | 2005-09-29 | 2008-04-02 | Infineon Technologies AG | Adaptive method for driving a half-bridge circuit, and a control circuit for a half-bridge circuit |
| US7710098B2 (en) | 2005-12-16 | 2010-05-04 | Cambridge Semiconductor Limited | Power supply driver circuit |
| GB2433363A (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-20 | Cambridge Semiconductor Ltd | A high side transistor drive circuit |
| US7733098B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-06-08 | Cambridge Semiconductor Limited | Saturation detection circuits |
| US20070223154A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Christian Locatelli | High side reset logic for gate driver |
| US7986926B2 (en) * | 2006-09-27 | 2011-07-26 | Silicon Laboratories Inc. | Integrating an FM transmitter into a cellular telephone |
| KR100750734B1 (ko) * | 2006-10-26 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 광원구동회로 및 구동방법 |
| JP5082574B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2012-11-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US8044699B1 (en) * | 2010-07-19 | 2011-10-25 | Polar Semiconductor, Inc. | Differential high voltage level shifter |
| US8405422B2 (en) * | 2010-09-30 | 2013-03-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Level shift circuit |
| CN102468828B (zh) * | 2010-11-03 | 2017-11-28 | 北京普源精电科技有限公司 | 一种波形发生器的脉冲边沿调控装置 |
| KR101350545B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2014-01-13 | 삼성전기주식회사 | 레벨 변환 회로 및 그를 포함하는 게이트 드라이버 회로 |
| US8633745B1 (en) * | 2012-08-30 | 2014-01-21 | Allegro Microsystems, Llc | Circuits and related techniques for driving a high side of a half bridge circuit |
| US9509300B2 (en) | 2013-05-24 | 2016-11-29 | Dialog Semiconductor Gmbh | Anti-shoot-through automatic multiple feedback gate drive control circuit |
| US9960620B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-05-01 | Navitas Semiconductor, Inc. | Bootstrap capacitor charging circuit for GaN devices |
| US9780639B2 (en) * | 2015-01-19 | 2017-10-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Protection from hard commutation events at power switches |
| US10116301B2 (en) * | 2016-07-12 | 2018-10-30 | Infineon Technologies Americas Corp. | Cross-coupled, narrow pulse, high voltage level shifting circuit with voltage domain common mode rejection |
| US10230356B2 (en) | 2017-02-27 | 2019-03-12 | Allegro Microsystems, Llc | High-side output transistor circuit |
| US10498212B2 (en) * | 2017-05-26 | 2019-12-03 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Gate driver |
| US10355674B2 (en) * | 2017-07-24 | 2019-07-16 | Arm Limited | Clock gating circuit |
| US10164618B1 (en) * | 2017-12-28 | 2018-12-25 | Micron Technology, Inc. | Jitter cancellation with automatic performance adjustment |
| US10833672B2 (en) * | 2018-11-15 | 2020-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Driving circuit for high-side transistor, switching circuit, and controller for DC/DC converter |
| CN112118003B (zh) * | 2020-08-19 | 2025-03-07 | 苏州锴威特半导体股份有限公司 | 一种电平位移电路 |
| JP2022144130A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-10-03 | ローム株式会社 | ハイサイドトランジスタの駆動回路、スイッチング回路、ｄｃ／ｄｃコンバータのコントローラ |
| CN115632553B (zh) * | 2022-10-31 | 2025-12-16 | 西安微电子技术研究所 | 一种快速导通的高压驱动半桥电路 |
| US12580570B2 (en) | 2023-11-29 | 2026-03-17 | Infineon Technologies Austria Ag | Level shifter having a cross-coupled current mirror circuit for reducing or cancelling common mode slew current |
| US12597928B2 (en) * | 2024-03-11 | 2026-04-07 | Infineon Technologies Austria Ag | Level shifter for power electronics circuits |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283477A (en) * | 1989-08-31 | 1994-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Common driver circuit |
| US4994955A (en) | 1989-12-29 | 1991-02-19 | North American Philips Corporation | Half-bridge driver which is insensitive to common mode currents |
| US5105099A (en) | 1991-03-01 | 1992-04-14 | Harris Corporation | Level shift circuit with common mode rejection |
| US5666280A (en) * | 1993-05-07 | 1997-09-09 | Philips Electronics North America Corporation | High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a jet to emulate a bootstrap diode |
| US5418495A (en) | 1994-05-18 | 1995-05-23 | Elantec | Input stage improvement for current feedback amplifiers |
| US5514981A (en) | 1994-07-12 | 1996-05-07 | International Rectifier Corporation | Reset dominant level-shift circuit for noise immunity |
| US6353345B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-03-05 | Philips Electronics North America Corporation | Low cost half bridge driver integrated circuit with capability of using high threshold voltage DMOS |
| JP3838083B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2006-10-25 | サンケン電気株式会社 | レベルシフト回路 |
-
2001
- 2001-12-21 SE SE0104400A patent/SE0104400D0/xx unknown
-
2002
- 2002-12-05 DE DE60235197T patent/DE60235197D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-05 WO PCT/IB2002/005152 patent/WO2003055072A1/en not_active Ceased
- 2002-12-05 ES ES02779847T patent/ES2338304T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-05 AT AT02779847T patent/ATE456187T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-12-05 JP JP2003555678A patent/JP4235561B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-05 KR KR1020047009756A patent/KR100933651B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-05 AU AU2002343177A patent/AU2002343177A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-05 US US10/499,194 patent/US7323912B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-05 EP EP02779847A patent/EP1456951B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-05 CN CNB028257979A patent/CN1248415C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1456951A1 (en) | 2004-09-15 |
| US20050122754A1 (en) | 2005-06-09 |
| SE0104400D0 (sv) | 2001-12-21 |
| AU2002343177A1 (en) | 2003-07-09 |
| ATE456187T1 (de) | 2010-02-15 |
| CN1248415C (zh) | 2006-03-29 |
| EP1456951B1 (en) | 2010-01-20 |
| DE60235197D1 (de) | 2010-03-11 |
| WO2003055072A1 (en) | 2003-07-03 |
| JP2005513994A (ja) | 2005-05-12 |
| US7323912B2 (en) | 2008-01-29 |
| KR100933651B1 (ko) | 2009-12-23 |
| JP4235561B2 (ja) | 2009-03-11 |
| KR20040075024A (ko) | 2004-08-26 |
| CN1606831A (zh) | 2005-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2338304T3 (es) | Controlador de puente-h y sistema de conversion de potencia con dicho controlador. | |
| US5917359A (en) | Semiconductor apparatus having protective circuitry | |
| KR100947037B1 (ko) | 반도체장치 | |
| CN109560807B (zh) | 高电压电平移位器电路 | |
| TWI482432B (zh) | Quasi-shift circuit | |
| JP4957495B2 (ja) | 信号伝達回路 | |
| JP2011077629A (ja) | 半導体回路 | |
| KR20080074778A (ko) | 입력 신호의 전송을 위한 상단 레벨쉬프터를 구비한구동회로 및 이와 관련된 방법 | |
| JP3702159B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP4077337B2 (ja) | パルス発生回路及びそれを用いたハイサイドドライバ回路 | |
| US20120154007A1 (en) | Semiconductor circuit and semiconductor device | |
| US7023254B2 (en) | Duty ratio corrector, and memory device having the same | |
| KR20010049440A (ko) | 구동회로 | |
| JP6747371B2 (ja) | 高圧レベルシフト回路及び駆動装置 | |
| JP2007243922A (ja) | 発振回路 | |
| US6734704B1 (en) | Voltage level-shifting control circuit for electronic switch | |
| WO2015008331A1 (ja) | 半導体素子の駆動回路および半導体装置 | |
| CN1855724B (zh) | 缓冲电路 | |
| KR101064489B1 (ko) | 넓은 입출력 범위를 갖는 버스 홀더 및 톨러런트 입출력 버퍼 | |
| JPH0738414A (ja) | シングルエンド入力論理ゲートを有する集積論理回路 | |
| CN1825754B (zh) | 振荡缓冲器 | |
| CN115118272B (zh) | 高压电平转换电路 | |
| CN114640330B (zh) | 半导体器件驱动电路 | |
| US6566910B1 (en) | Low power dual trip point input buffer circuit | |
| JP3657486B2 (ja) | スイッチ素子駆動回路 |