ES2339323T3 - Procedimiento de produccion de un plasma elemental con vistas a crear un plasma uniforme para una superficie de utilizacion y dispositivo de produccion de dicho plasma. - Google Patents
Procedimiento de produccion de un plasma elemental con vistas a crear un plasma uniforme para una superficie de utilizacion y dispositivo de produccion de dicho plasma. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2339323T3 ES2339323T3 ES00420172T ES00420172T ES2339323T3 ES 2339323 T3 ES2339323 T3 ES 2339323T3 ES 00420172 T ES00420172 T ES 00420172T ES 00420172 T ES00420172 T ES 00420172T ES 2339323 T3 ES2339323 T3 ES 2339323T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- plasma
- applicator
- microwave
- elementary
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims abstract description 92
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 13
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 241000842962 Apoda limacodes Species 0.000 description 3
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N cobalt samarium Chemical compound [Co].[Sm] KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000835 Sweet iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Procedimiento de producción de un plasma para una superficie de utilización (Su) con la ayuda de un dispositivo que comprende unos medios de producción de una energía en el campo de las microondas y unos medios para crear por lo menos una superficie (6) de campo magnético constante y de intensidad correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica y dispuesta por lo menos en la zona de propagación de las microondas, con vistas a la excitación del plasma, caracterizado porqué consiste: - en constituir una serie de dispositivos elementales de excitación de plasma (3) constituidos cada uno por un aplicador filar (4) de una energía microonda del que un extremo está conectado a una fuente de producción (E) de una energía microonda y del que el otro extremo está equipado con por lo menos un dipolo magnético (5) como medios para crear por lo menos una superficie de campo magnético constante y de intensidad correspondiente a la resonancia cilotrónica electrónica, - en montar el dipolo magnético (5) en el extremo (41) del aplicador microondas (4), de manera que asegure la oscilación entre los polos de los electrones acelerados a la resonancia ciclotrónica electrónica, con el fin de crear una zona de difusión (Z) de plasma situada por lo menos en la parte opuesta del extremo del aplicador, con respecto al dipolo, y - en repartir los dispositivos elementales de excitación de plasma (3) entre sí y en relación de proximidad de la superficie de utilización (Su), de manera que se obtenga por lo menos una yuxtaposición entre los plasmas producidos por cada dispositivo elemental (3), con vistas a crear un plasma uniforme para la superficie de utilización.
Description
Procedimiento de producción de un plasma
elemental con vistas a crear un plasma uniforme para una superficie
de utilización y dispositivo de producción de dicho plasma.
La presente invención se refiere al campo
técnico general de la producción de plasma a baja presión excitado
por una energía microonda en el campo de la resonancia ciclotrónica
electrónica.
El objeto de la invención se refiere a todas las
aplicaciones que necesitan una uniformidad de plasma controlable
sobre grandes superficies que presentan un carácter plano o
curvo.
La presente invención se refiere a unas
aplicaciones muy diversas, tales como los tratamientos de
superficie, como el grabado, el depósito, el tratamiento químico o
termoquímico, la pulverización, la limpieza, la desinfección, la
descontaminación o la producción de haces de iones obtenidos por
extracción del plasma.
En el campo de la técnica de excitación de un
plasma a la resonancia ciclotrónica electrónica, la resonancia se
obtiene cuando la frecuencia de rotación de un electrón en un campo
magnético estático o casi estático es igual a la frecuencia del
campo eléctrico acelerador aplicado. Esta resonancia se obtiene para
un campo magnético B y una frecuencia de excitación f relacionada
por la relación:
B =
2\pimf/e
en la que m y e son la masa y la
carga del
electrón.
En el caso de la excitación de un plasma, la
resonancia ciclotrónica electrónica es eficaz únicamente si el
electrón está suficientemente acelerado, es decir si el electrón
puede girar un tiempo suficientemente largo en fase con el campo
eléctrico para adquirir la energía de umbral necesaria para la
ionización del gas. Para satisfacer esta condición, es preciso, por
una parte, que el radio de rotación del electrón sea suficientemente
pequeño, en particular, para quedar en la región del espacio que
reúne las condiciones de resonancia, es decir la presencia
simultánea del campo eléctrico y del campo magnético y, por otra
parte, que la frecuencia de rotación f quede grande frente a la
frecuencia de colisión de los electrones sobre los elementos
neutros, tales como los átomos y/o las moléculas. Dicho de otro
modo, las mejores condiciones de excitación de un plasma a la
resonancia ciclotrónica electrónica se obtienen a la vez para una
presión de gas relativamente baja y una frecuencia f de campo
eléctrico elevada, es decir también para una intensidad de campo
magnético B elevada.
La patente francesa nº 85 08 836 describe una
técnica de excitación de plasma a la resonancia ciclotrónica
electrónica que necesita la utilización de imanes permanentes que
crean cada uno por lo menos una superficie de campo magnético
constante y de intensidad correspondiente a la resonancia
ciclotrónica electrónica. La energía microonda es llevada a nivel
de la zona de resonancia por medio de antenas o de excitadores de
plasma constituidos cada uno por un elemento filar metálico. Cada
excitador se extiende en la proximidad y a lo largo de un imán
estando dispuesto en la vertical de un imán permanente.
El campo magnético de intensidad igual al valor
que da la resonancia y el campo eléctrico microonda están ambos
localizados y confinados esencialmente en el espacio situado entre
un excitador y la parte de la pared del recinto dispuesta frente a
un imán. En presencia de un medio gaseoso que presenta una presión
reducida, los electrones son acelerados en la zona de resonancia y
se arrollan a lo largo de las líneas de campo magnético que definen
una superficie de confinamiento del plasma. Estas líneas de campo en
forma de festones unen el polo de un imán con su polo opuesto o al
polo opuesto de un imán consecutivo. A lo largo de su trayecto, el
electrón disocia e ioniza las moléculas y los átomos con los cuales
entra en colisión. El plasma así formado en los festones del campo
magnético se difunde a continuación, a partir de las líneas de
campo, para formar un plasma prácticamente exento de los electrones
energéticos que quedan entrampados en los festones.
El principal inconveniente de la técnica
descrita por esta patente se refiere al hecho de que la zona de
propagación de la energía microonda y la zona de resonancia donde
la energía microonda es absorbida se superponen. La propagación de
las microondas sólo puede efectuarse por tanto con pérdidas y la
intensidad del campo eléctrico microonda y la densidad del plasma
disminuyen ambos progresivamente a lo largo del excitador a partir
de la fuente microonda. El plasma obtenido presenta una densidad no
uniforme a lo largo del excitador, de manera que dicho plasma
resulta inadaptado para la mayor parte de las aplicaciones
industriales.
Una variante de la técnica descrita más arriba
constituye el objeto de la patente francesa nº 93 02 414. Según
esta técnica, las microondas son aplicadas directamente a uno de los
extremos del aplicador de campo magnético constituido por unos
imanes permanentes o por un conductor recorrido por una corriente
eléctrica. Esta vez también, las microondas se propagan
principalmente en la zona de resonancia ciclotrónica electrónica y
sufren por tanto una fuerte atenuación, lo que conduce a la
producción de un plasma no uniforme a lo largo del imán. El interés
de esta solución con respecto a la técnica anterior es, por una
parte, la simplificación del dispositivo y, por otra parte, una
eficacia incrementada de la excitación del plasma, en la medida en
que la intensidad del campo magnético y la intensidad del campo
eléctrico microonda son ambas máximas en la superficie del
aplicador.
En el mismo sentido, la solicitud de patente JP
05 314 918 describe un dispositivo de producción de un plasma
constituido por un aplicador filar de una energía microonda,
equipado en su extremo con un imán.
Con el fin de evitar el defecto de uniformidad
del plasma relacionado con la propagación de una onda progresiva
muy atenuada, la patente francesa nº 91 00 894 propone excitar el
plasma con la ayuda de una onda estacionaria de amplitud constante.
Con este fin, se ha propuesto hacer propagar las microondas en una
zona distinta de aquella en la que se cumplen las condiciones de
resonancia cilotrónica electrónica. La solución propuesta es
aplicar la potencia microonda con la ayuda de un aplicador filar
situado no frente a los polos de los imanes, sino a media distancia
de dos polos opuestos próximos en la zona prohibida al plasma. Así,
es posible obtener un plasma uniforme a lo largo de los imanes,
siendo los máximos y los mínimos de campos microondas debidos a la
onda estacionaria a lo largo de los imanes "borrados" por la
velocidad de deriva de los electrones a lo largo de los imanes,
perpendicularmente al plano del campo magnético.
La generalización de la utilización de ondas
estacionarias para excitar unos plasmas uniformes con la resonancia
ciclotrónica electrónica se ha propuesto en la patente francesa nº
94 13 499 en la que el establecimiento de las ondas estacionarias
está controlado por la adición de propagadores filares cerca del
aplicador de las microondas, dispuestos fuera de la zona de
absorción de las microondas a la resonancia ciclotrónica
electrónica.
Sin embargo, las técnicas descritas por estas
patentes nº 91 00 894 y nº 94 13 499 en las que la propagación de
las microondas se efectúa en forma de ondas estacionarias adolecen
de la dificultad de obtener una amplitud constante, en particular
para una longitud relativamente importante del aplicador de
microondas. Además, el ajuste de la uniformidad y de la amplitud
impone generalmente utilizar una adaptación de impedancia corriente
arriba del aplicador microondas.
El análisis de las diferentes técnicas de la
técnica anterior conduce a constatar unos defectos de uniformidad
del campo eléctrico y del plasma a lo largo de los aplicadores,
debidos a la atenuación muy fuerte del campo eléctrico por
absorción resonante de la potencia microonda por los electrones a la
resonancia ciclotrónica electrónica. Dicho de otro modo, las
técnicas descritas anteriormente no permiten producir un plasma
uniforme sobre grandes longitudes y por tanto sobre grandes
superficies típicamente, sobre unas dimensiones del orden del metro
o superior. Además, estas técnicas adolecen de un inconveniente
importante, a saber la radiación de las microondas a partir de los
aplicadores y de los propagadores, debido al confinamiento mediocre
de la potencia microonda en la zona de propagación. Resultan de
ello unos acoplamientos entre los aplicadores particularmente
nefastos para la obtención de buenas uniformidades de plasma. Otro
inconveniente reside en la dificultad de realizar e introducir en
un recinto bajo vacío unos aplicadores o unos propagadores no
rectilíneos. Resulta de ello una casi imposibilidad de tratar de
forma uniforme unas superficies curvas.
El objetivo de la invención prevé por tanto
evitar los inconvenientes de las técnicas anteriores proponiendo un
procedimiento que permite producir un plasma uniforme en relación
con una superficie de utilización de dimensiones relativamente
importantes.
Otro objetivo de la invención es ofrecer un
procedimiento de producción de un plasma uniforme en relación con
una superficie de utilización de forma plana o curva.
Para alcanzar los diversos objetivos enunciados
más arriba, el objeto de la invención se refiere a un procedimiento
de producción de un plasma para una superficie de utilización, con
la ayuda de un dispositivo que comprende unos medios de producción
de una energía en el campo de las microondas y unos medios para
crear por lo menos una superficie de campo magnético constante y de
intensidad correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica
y dispuesta por lo menos en la zona de propagación de las
microondas, con vistas a la excitación del plasma.
Según la invención, el procedimiento
consiste:
- -
- en constituir una serie de dispositivos elementales de excitación de plasma constituidos cada uno por un aplicador de una energía microonda del que un extremo está conectado a una fuente de producción de una energía microonda y del que el otro extremo está equipado con por lo menos un dipolo magnético como medios para crear por lo menos una fuente de campo magnético constante y de intensidad correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica,
- -
- en montar el dipolo magnético en el extremo del aplicador microondas, de manera que asegure la oscilación entre los polos de los electrones acelerados a la resonancia ciclotrónica electrónica, con vistas a crear una zona de difusión de plasma situada por lo menos en la parte opuesta del extremo del aplicador, con respecto a dicho dipolo, y
- -
- en repartir los dispositivos elementales de excitación de plasma entre sí y en relación de proximidad de la superficie de utilización, de manera que se obtenga por lo menos una yuxtaposición entre los plasmas producidos por cada dispositivo elemental, con vistas a crear un plasma uniforme para la superficie de utilización.
\newpage
Otro objetivo de la invención prevé proponer un
dispositivo de producción de un plasma en relación a una superficie
de utilización, comprendiendo el dispositivo unos medios de
producción de una energía en el campo de las microondas, y unos
medios para crear por lo menos una superficie de campo magnético
constante y de intensidad correspondiente a la resonancia
ciclotrónica electrónica y dispuesta por lo menos en la zona de
propagación de las microondas, con vistas a la excitación del
plasma.
Según la invención, el dispositivo comprende una
serie de dispositivos elementales de excitación de plasma,
constituidos cada uno por un aplicador filar de una energía
microonda del que un extremo está conectado a la fuente de
producción y del que el otro extremo está equipado, como medios para
crear por lo menos una fuente de campo magnético constante y de
intensidad correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica,
con por lo menos un dipolo magnético montado en el extremo del
aplicador microondas, de manera que asegure la oscilación entre los
polos de los electrones acelerados a la resonancia cilclotrónica
electrónica, con el fin de crear una zona de difusión de plasma
situada en la parte opuesta al extremo del aplicador con respecto a
dicho dipolo, estando los dispositivos elementales de excitación
repartidos entre sí y en relación de proximidad de la superficie de
utilización, con el fin de crear juntos un plasma uniforme para la
superficie de utilización.
Otras diversas características se pondrán más
claramente de manifiesto a partir de la descripción dada a
continuación haciendo referencia a los planos adjuntos que
muestran, a título de ejemplos no limitativos, unas formas de
realización y de utilización del objeto de la invención.
La figura 1 es una vista esquemática en alzado
que permite ilustrar un dispositivo de producción de un plasma de
acuerdo con la invención.
La figura 2 es una vista por encima que muestra
un ejemplo de realización de un dispositivo de producción de un
plasma de acuerdo con la invención.
Las figuras 3 a 8 ilustran diversas variantes de
realización de un dispositivo elemental de excitación de plasma que
forma parte de un dispositivo de producción de acuerdo con la
invención.
Las figuras 9 y 10 son unos esquemas que
ilustran diversos montajes de los dispositivos elementales de
excitación entre sí.
Las figuras 1 y 2 ilustran, a título de ejemplo,
un dispositivo I de producción de un plasma en relación con la
superficie de utilización en el sentido general S_{u}, que puede
constituir, por ejemplo, una superficie susceptible de recibir
diferentes tratamientos de superficie. El dispositivo I comprende,
de forma clásica, un recinto estanco 1 representado a título
esquemático, equipado con dispositivos de introducción de gas y de
bombeo de gas, no representados pero conocidos, que permiten
mantener la presión del gas a ionizar a un valor deseado que puede
ser por ejemplo del orden de 10^{-3} a algunas decenas de Pascals
según la naturaleza del gas y la frecuencia de excitación.
De acuerdo con la invención, el dispositivo de
producción I comprende una serie de dispositivos 3 elementales de
excitación de plasma repartidos entre sí y en relación de proximidad
de la superficie de utilización S_{u}, con el fin de crear juntos
un plasma uniforme para esta superficie de utilización S_{u}. De
acuerdo con la invención, cada dispositivo elemental 3 de
excitación de plasma está constituido por un aplicador de una
energía microonda 4 realizado en una forma filar, es decir alargada.
El aplicador filar 4 está conectado por uno de sus extremos,
preferentemente, por una estructura coaxial 4', a una fuente de
energía E en el campo de las microondas, exterior al recinto 1.
Cada aplicador filar 4 se encuentra realizado ventajosamente en
forma de un tubo rodeado de un tubo coaxial 4' que permite así la
propagación de la energía microonda hasta su extremo libre 4_{1}
evitando la radiación de las microondas y el acoplamiento de las
microondas entre los aplicadores.
Según otra característica de la invención
ilustrada más precisamente en la figura 3, cada aplicador microonda
4 está destinado a ser conectado por su extremo 4_{1} opuesto al
que está conectado a la fuente de energía microonda E, a por lo
menos un dipolo magnético 5 adaptado para crear por lo menos una
superficie 6 de campo magnético y de intensidad que corresponde a
la resonancia ciclotrónica electrónica. En el ejemplo de
realización ilustrado en la figura 3, el dipolo magnético 5 está
constituido por un imán permanente de forma esférica, cuya
dirección de imantación A y la posición de los polos norte N y sur S
con respecto al punto de aplicación de las microondas, a saber el
extremo 4_{1} del aplicador, son cualesquiera. Este imán
permanente 5 crea así una superficie 6 alrededor de la esfera
correspondiente a la condición de resonancia ciclotrónica
electrónica, mientras que las líneas 7 representan las líneas de
campo magnético que unen los dos polos opuestos del imán y que
convergen en estos polos. Entre dos colisiones, los electrones
acelerados a nivel de la zona de resonancia 6 por el campo
eléctrico microonda aplicado por el aplicador filar 2, oscilan
entre el polo norte y el polo sur y entre las líneas de campo 7. De
manera ventajosa, estos electrones acelerados a la resonancia
ciclotrónica electrónica oscilan entre unos puntos espejos P_{1},
P_{2} situados en la proximidad y frente a cada polo, y presentan
una misma intensidad de campo magnético, de acuerdo con la teoría
descrita en el libro titulado "MICROWAVE EXCITED PLASMA",
cap.12, página 368 editado por M. MOISAN Y J. PELLETIER, ELSEVIER,
Amsterdam (1992). Estos electrones sufren también un movimiento de
deriva alrededor del eje de imantación del imán, siendo estas
derivas magnéticas debidas a la curvatura y al gradiente del campo
magnético. El plasma producido por estos electrones a lo largo de
su trayectoria, se difunde a continuación en el exterior de la zona
fuente bajo la influencia de los gradientes de densidad del plasma.
Aparece así una zona Z de difusión de plasma situada por lo menos en
la parte opuesta, con respecto al dipolo 5, del extremo 4_{1} del
aplicador.
En el ejemplo de realización ilustrado en la
figura 3, se debe constatar que una parte por lo menos de las
trayectorias electrónicas encuentra el aplicador filar 4, de manera
que una parte de los electrones se encuentra recogida por este
aplicador filar 4, de manera que aparece una pérdida para los
electrones.
Para evitar esta pérdida de electrones, puede
estar previsto, como se ha ilustrado en la figura 4, colocar el
dipolo magnético 5 de manera que su eje de imantación A se encuentre
situado, de forma sustancialmente paralela al eje del aplicador
filar. Preferentemente, el eje de imantación A del dipolo magnético
5 está situado sustancialmente en la prolongación del eje del
aplicador filar 4. Según este ejemplo, las trayectorias electrónicas
no encuentran ya el aplicador filar 4 y los electrones pueden
proseguir su trayectoria sin obstáculo entre dos colisiones
elásticas o inelásticas. En este tipo de funcionamiento, se obtiene
así una estructura magnética tridimensional de tipo magnetrón en la
que los electrones pueden oscilar y derivar indefinidamente sin
perderse en las paredes. En realidad, los electrones rápidos o
primarios, acelerados a la resonancia ciclotrónica electrónica,
pierden inevitablemente energía produciendo el plasma y resultan
unos electrones lentos o térmicos contribuyendo así en parte a la
población electrónica del plasma.
Según los ejemplos de realización ilustrados en
las figuras 3 y 4, los imanes permanentes 5 están representados con
una forma esférica. De hecho, en el caso de la invención, la forma
de los imanes importa poco y éstos pueden ser de forma cualquiera,
e incluso compleja (anillos, toroidal, paralelepipédica, etc,) y
presentar unas imantaciones muy variadas (por ejemplo axial,
diametral o radial). Sin embargo, estos imanes 5 deben presentar
una imantación suficiente para generar la condición de resonancia
ciclotrónica electrónica. Además, como en el caso de los imanes
esféricos, es preferible que estos imanes puedan constituir una
estructura de tipo magnetrón en la cual la aplicación de las
microondas no provoca pérdida de electrones.
Según una solución preferida de realización
ilustrada en la figura 5, cada dipolo 5 está constituido por un
imán de forma cilíndrica que presenta una imantación axial A que se
encuentra sustancialmente situada en la prolongación del eje del
aplicador filar 4. Uno de los polos del imán delimitado por una
superficie transversal 5_{1}, está destinado a entrar en contacto
con el extremo 4_{1} del aplicador para permitir la aplicación de
las microondas. Se obtiene así una estructura magnética del tipo
magnetrón con simetría de revolución. Según este ejemplo de
realización, se debe observar que algunas líneas de campo 7 pasan a
converger a nivel del polo situado en el extremo 4_{1} del
aplicador, encontrando dicho aplicador filar 4, lo que provoca
también pérdidas de electrones significativas.
Para evitar dicho inconveniente, puede estar
previsto realizar un imán 5 cilíndrico de imantación axial y que
presenta un mandrilado central 8 según el eje del imán. Según este
ejemplo de realización ilustrado en la figura 6, una parte 7' de
las líneas de campo magnético pasa por otra parte por el mandrilado
central 8 del imán. Además, los polos magnéticos ya no son
puntuales sino que describen unos círculos centrados sobre el eje
de revolución del imán hacia los cuales convergen las líneas de
campo magnético 7 y 7'. Asimismo, si el diámetro de la envolvente
externa del aplicador 4 es igual al diámetro del círculo descrito
por el polo magnético, los electrones acelerados a la resonancia
ciclotrónica electrónica no pueden describir trayectorias que se
apoyan sobre las líneas de campo 7'. Aparece así que el extremo
4_{1} del aplicador filar no franquea el polo magnético. Las
únicas líneas de campo útiles son por tanto las líneas de campo 7
exteriores al imán y, por consiguiente, ninguna trayectoria
electrónica encuentra el aplicador filar 4 entre dos puntos espejos
P_{1}, P_{2}. No aparece por tanto pérdida de electrones y
pueden obtenerse así unos rendimientos óptimos en términos de
rendimiento energético.
Según esta característica preferida de
realización, cada mandrilado axial 8 puede ser utilizado para
permitir el montaje de una conducción 9 de traída de un fluido de
enfriado y que sirve ventajosamente de soporte de montaje para el
imán 5. Esta conducción 9 realizada en forma de un tubo comunica,
por su extremo, con un recinto 11 delimitado entre el imán y una
envolvente 12 que rodea a distancia el imán. El recinto 11 desemboca
en un conducto 13 de retorno del fluido de enfriado delimitado
entre la conducción de traída 9 y el aplicador filar 4 constituido
por un tubo. El imán 5 se encuentra así encapsulado por la
envolvente de protección 12 que permite la circulación de un fluido
de enfriado alrededor el imán. Por ejemplo, el material de
encapsulación del imán y el que constituye los aplicadores filares
4 están realizados en material amagnético buen conductor (metales
no magnéticos), pero pueden estar también rodeados, por razones de
contaminación, por unos materiales dieléctricos sin perjudicar el
buen funcionamiento del dispositivo.
Según otra característica posible de
realización, se debe observar que puede estar previsto equipar cada
dipolo magnético 5 con un conducto 14 de traída de un gas que
atraviesa el dipolo magnético por su mandrilado axial 8. Por
ejemplo, el conducto 14 está montado en el interior de la conducción
de traída 9 para desembocar en el extremo opuesto de la envolvente
12.
La figura 7 ilustra otra variante de realización
en la que cada dipolo magnético 5 presenta una cara polar
delimitada por un material de alta permeabilidad magnética 15, tal
como por ejemplo una plaqueta de hierro dulce sobre la cual está
montado el extremo 4_{1} del aplicador filar 4. Dicho dipolo
magnético 5 está constituido para presentar unos polos magnéticos
adyacentes. Así, como aparece en la figura 7, se puede obtener, a
partir de imanes concéntricos acoplados norte/sur montados
alternativamente de forma opuesta, unas líneas de campo 7 que se
establecen entre dos polos adyacentes consecutivos situados sobre
una cara polar opuesta a la cara polar constituida por la plaqueta
15.
La figura 8 ilustra una variante de realización
de la descrita en la figura 7. Según esta variante, el dipolo
magnético 5 presenta una cara polar delimitada por la plaqueta 15
sobre la cual está montado el extremo 4_{1} del aplicador filar
4. El dipolo 5 está constituido por un imán con imantación axial que
prolonga el eje del aplicador filar 4. En esta configuración, los
electrones son acelerados a la resonancia cilclotrónica electrónica
a partir de las líneas correspondientes 6 y oscilan entre dos puntos
espejos P_{1}, P_{2}. Uno P_{1} de los puntos ya no está
situado frente al polo del imán sino en el lado, a lo largo del
aplicador filar 4, mientras que el otro punto P_{2} queda frente
al polo. Así, la presencia de la plaqueta 15 dispuesta más allá del
extremo 4_{1} del aplicador filar, permite modificar la posición
espacial de los puntos espejos P_{1}, P_{2} asociados a los
polos de cada dipolo magnético 5. Estos dos ejemplos de realización
descritos en las figuras 7 y 8, no son limitativos de las otras
posiciones relativas del o de los materiales 15 con respecto a la
configuración de los imanes 5.
Tal como se desprende directamente de la
descripción anterior, el procedimiento según la invención consiste
por tanto en constituir una serie de dispositivos elementales de
excitación de plasma 3 que permiten crear cada uno por lo menos una
superficie 6 de campo magnético constante y de intensidad
correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica. Un dipolo
magnético 5 está montado en el extremo del aplicador microondas, de
manera que asegure la oscilación de los electrones entre los polos,
con el fin de crear una zona de difusión de plasma Z situada por lo
menos en la parte opuesta del extremo 4_{1} del aplicador con
respecto al dipolo. A continuación, está previsto repartir los
dispositivos elementales de excitación de plasma 3 entre sí y en
relación de proximidad con la superficie de utilización S_{u}, de
manera que se obtenga por lo menos una yuxtaposición entre los
plasmas producidos por cada dispositivo elemental, con el fin de
crear un plasma uniforme para la superficie de utilización. Debe
comprenderse que los plasmas elementales producidos por los
dispositivos 3 se recubren o se cabalgan por lo menos en parte, con
el fin de obtener un plasma uniforme para la superficie de
utilización S_{u}.
Según una característica preferida de
realización, está previsto regular la distancia entre los
dispositivos elementales de excitación 3 y la superficie de
utilización S_{u}, con el fin de ajustar la excitación de plasma
al perfil de la superficie de utilización. Así, tal como se
desprende más precisamente del las figuras 1 y 9, cada dispositivo
elemental de excitación de plasma 3 comprende unos medios 18 de
regulación del desplazamiento axial del aplicador filar 4, de
manera que regulen la distancia de cada dispositivo elemental 3 con
respecto a la superficie a tratar S_{u}. Se puede obtener así una
disposición relativa de los dispositivos que se adapta mejor a los
perfiles de la superficie a tratar, por ejemplo curva. Además, la
potencia de la energía microonda de cada dispositivo elemental de
excitación 3 puede ser regulada, con el fin de adaptar la
uniformidad del plasma.
En el ejemplo de realización ilustrado en la
figura 9, los dispositivos elementales de excitación de plasma 3
están repartidos de manera que los dipolos magnéticos 5 presenten
unos ejes de imantación orientados en un mismo sentido. Se puede
obtener así a una distancia alejada de los dipolos 5, un campo
magnético ligeramente divergente y cuya intensidad decrece
lentamente.
En el ejemplo ilustrado en la figura 10, está
previsto repartir los dispositivos elementales de excitación de
plasma 3, de manera que los dipolos magnéticos 5 presenten unos ejes
de imantación alternativamente orientados de un dispositivo vecino
a otro. Se obtiene así una estructura multipolar clásica con un
decrecimiento rápido, casi exponencial, de la intensidad del campo
magnético en función del alejamiento con respecto a los imanes.
Según la descripción anterior, el objeto de la
invención permite obtener una uniformidad de plasma que no depende
de las condiciones de propagación de las microondas y ofrece la
posibilidad de tratar unas superficies de utilización de grandes
dimensiones.
Los principales campos de aplicación de la
invención son el tratamiento uniforme (limpieza, depósito, grabado,
etc) de las superficies de grandes dimensiones, planas o curvadas. A
título de ejemplo, para la fabricación de los circuitos integrados,
es posible efectuar unos tratamientos de superficie sobre unas
plaquetas de silicio de diámetro 300 mm utilizando una
red de 32 fuentes elementales separadas entre sí 60 mm (figura 2).
Los imanes cilíndricos, de samario-cobalto
(Sm-Co), tienen 20 mm de diámetro y 30 mm de
longitud y están realizados según el ejemplo ilustrado en la figura
6. El plasma es excitado a la resonancia ciclotrónica electrónica
por unas microondas a 245 GHz, siendo la condición de resonancia
(B_{0}=0,0875 tesla) ampliamente cumplida por los imanes
permanente sutilizados. Para todos los tipos de procedimiento
desarrollados, la uniformidad obtenida es mejor que \pm 5%.
La invención no está limitada a los ejemplos
descritos y representados, puesto que se pueden aportar diversas
modificaciones a los mismos sin apartarse por ello de su
alcance.
Claims (14)
1. Procedimiento de producción de un plasma para
una superficie de utilización (S_{u}) con la ayuda de un
dispositivo que comprende unos medios de producción de una energía
en el campo de las microondas y unos medios para crear por lo menos
una superficie (6) de campo magnético constante y de intensidad
correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica y
dispuesta por lo menos en la zona de propagación de las microondas,
con vistas a la excitación del plasma, caracterizado porqué
consiste:
- -
- en constituir una serie de dispositivos elementales de excitación de plasma (3) constituidos cada uno por un aplicador filar (4) de una energía microonda del que un extremo está conectado a una fuente de producción (E) de una energía microonda y del que el otro extremo está equipado con por lo menos un dipolo magnético (5) como medios para crear por lo menos una superficie de campo magnético constante y de intensidad correspondiente a la resonancia cilotrónica electrónica,
- -
- en montar el dipolo magnético (5) en el extremo (4_{1}) del aplicador microondas (4), de manera que asegure la oscilación entre los polos de los electrones acelerados a la resonancia ciclotrónica electrónica, con el fin de crear una zona de difusión (Z) de plasma situada por lo menos en la parte opuesta del extremo del aplicador, con respecto al dipolo, y
- -
- en repartir los dispositivos elementales de excitación de plasma (3) entre sí y en relación de proximidad de la superficie de utilización (S_{u}), de manera que se obtenga por lo menos una yuxtaposición entre los plasmas producidos por cada dispositivo elemental (3), con vistas a crear un plasma uniforme para la superficie de utilización.
2. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado porque consiste en regular la distancia entre
los dispositivos elementales de excitación (3) y la superficie de
utilización (S_{u}), con el fin de ajustar la excitación de
plasma al perfil de la superficie de utilización.
3. Procedimiento según la reivindicación 1 ó 2,
caracterizado porque consiste en regular la potencia de la
energía microonda de cada dispositivo elemental de excitación (3),
con vistas a regular la uniformidad del plasma.
4. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado porque consiste en repartir los dispositivos
elementales de excitación de plasma (3), de manera que los dipolos
magnéticos (5) presenten unos ejes de imantación orientados en un
mismo sentido.
5. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado porque consiste en repartir los dispositivos
elementales de excitación de plasma (3), de manera que los dipolos
magnéticos (5) presenten unos ejes de imantación alternativamente
orientados de un dispositivo vecino a otro.
6. Dispositivo de producción de un plasma para
una superficie de utilización (S_{u}), comprendiendo el
dispositivo unos medios de producción de una energía en el campo de
las microondas, y unos medios para crear por lo menos una
superficie (6) de campo magnético constante y de intensidad
correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica y
dispuesta por lo menos en relación con la zona de propagación de las
microondas, con vistas a la excitación del plasma,
caracterizado porque comprende una serie de dispositivos
elementales de excitación de plasma (3), constituidos cada uno por
un aplicador filar (4) de una energía microonda, del que un extremo
está conectado a la fuente de producción (E) y del que el otro
extremo está equipado, como medios para crear por lo menos una
superficie de campo magnético constante y de intensidad
correspondiente a la resonancia ciclotrónica electrónica, con por
lo menos un dipolo magnético (5) montado en el extremo (4_{1}) del
aplicador microondas, de manera que asegure la oscilación entre los
polos de los electrones acelerados a la resonancia ciclotrónica
electrónica, con vistas a crear una zona de difusión (Z) de plasma
situada en la parte opuesta al extremo (4_{1}) del aplicador con
respecto a dicho dipolo, estando los dispositivos elementales de
excitación (3) repartidos entre sí y en relación de proximidad de la
superficie de utilización (S_{u}), con vistas a crear juntos un
plasma uniforme para la superficie de utilización.
7. Dispositivo según la reivindicación 6,
caracterizado porque cada dispositivo elemental de excitación
(3) comprende por lo menos un dipolo magnético (5) cuyo eje de
imantación (A) está situado de forma sustancialmente paralela al
eje del aplicador filar (4).
8. Dispositivo según la reivindicación 6 ó 7,
caracterizado porque cada dipolo magnético (5) comprende por
lo menos un material (15) de alta permeabilidad magnética, situado
más allá del extremo (4_{1}) del aplicador filar, de manera que
modifique la posición de puntos espejos (P_{1}, P_{2}) asociados
a cada polo de un dipolo magnético y entre los cuales oscilan unos
electrones acelerados a la resonancia ciclotrónica electrónica.
9. Dispositivo según una de las reivindicaciones
6 a 8, caracterizado porque cada dipolo magnético (5) está
constituido por un cilindro imantado axialmente y en el que está
practicado un mandrilado axial (8), y porque el diámetro del
aplicador filar (4) es igual al diámetro del círculo descrito por el
polo magnético, con vistas a evitar que corte las trayectorias de
los electrones acelerados a la resonancia ciclotrónica
electrónica.
10. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 6 a 9, caracterizado porque cada dipolo
magnético (5) está provisto de una conducción (9) de traída de un
fluido de enfriado montada en un mandrilado axial y que comunica
con un recinto (11) que envuelve el dipolo magnético y que desemboca
en un conducto de retorno (13) del fluido de enfriado.
11. Dispositivo según la reivindicación 10,
caracterizado porque la conducción de retorno (13) del fluido
de enfriado está delimitada entre la conducción de traída (9) y un
tubo (4) que forma el aplicador filar.
12. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 9 a 11, caracterizado porque cada dipolo
magnético (5) está equipado con un conducto de traída de gas (14)
que atraviesa el dipolo magnético por su mandrilado axial (8).
13. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 6 a 12, caracterizado porque cada
dispositivo elemental de producción (3) está equipado con unos
medios de desplazamiento axial que permiten regular la distancia
entre la superficie de utilización (S_{u}) y el dipolo magnético
(5).
14. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 6 a 13, caracterizado porque cada aplicador
filar (4) está conectado por una estructura coaxial (4'), a una
fuente de energía (E) en el campo de las microondas, exterior al
recinto (1).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9910291 | 1999-08-04 | ||
| FR9910291A FR2797372B1 (fr) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | Procede de production de plasmas elementaires en vue de creer un plasma uniforme pour une surface d'utilisation et dispositif de production d'un tel plasma |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2339323T3 true ES2339323T3 (es) | 2010-05-19 |
Family
ID=9548996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES00420172T Expired - Lifetime ES2339323T3 (es) | 1999-08-04 | 2000-08-02 | Procedimiento de produccion de un plasma elemental con vistas a crear un plasma uniforme para una superficie de utilizacion y dispositivo de produccion de dicho plasma. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6407359B1 (es) |
| EP (1) | EP1075168B1 (es) |
| JP (1) | JP2001102200A (es) |
| AT (1) | ATE458384T1 (es) |
| DE (1) | DE60043831D1 (es) |
| ES (1) | ES2339323T3 (es) |
| FR (1) | FR2797372B1 (es) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2833452B1 (fr) | 2001-12-07 | 2004-03-12 | Centre Nat Rech Scient | Source d'electrons |
| EP1361437A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-12 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | A novel biological cancer marker and methods for determining the cancerous or non-cancerous phenotype of cells |
| US7432470B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-10-07 | Btu International, Inc. | Surface cleaning and sterilization |
| US7445817B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
| US7497922B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
| WO2003096749A1 (en) | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Dana Corporation | Plasma-assisted heat treatment |
| US7560657B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-07-14 | Btu International Inc. | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
| JP4163681B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2008-10-08 | レオナード クルツ シュティフトゥング ウント コンパニー カーゲー | 大型のプラスチック製三次元物体の装飾方法 |
| US7638727B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
| US7465362B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-12-16 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
| US7498066B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International Inc. | Plasma-assisted enhanced coating |
| US7494904B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-02-24 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted doping |
| US20060062930A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-03-23 | Devendra Kumar | Plasma-assisted carburizing |
| FR2840451B1 (fr) * | 2002-06-04 | 2004-08-13 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de production d'une nappe de plasma |
| US7189940B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
| GB0517334D0 (en) * | 2005-08-24 | 2005-10-05 | Dow Corning | Method and apparatus for creating a plasma |
| FR2895208B1 (fr) * | 2005-12-16 | 2008-06-27 | Metal Process Sarl | Procede de production de plasma par decharge capacitive associe a un plasma annexe a decharge distribuee, et systeme de mise en oeuvre associe |
| FR2904178B1 (fr) | 2006-07-21 | 2008-11-07 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif et procede de production et/ou de confinement d'un plasma |
| DE102006037144B4 (de) * | 2006-08-09 | 2010-05-20 | Roth & Rau Ag | ECR-Plasmaquelle |
| EP1921178A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-14 | Dow Corning Corporation | Film deposition of amorphous films by electron cyclotron resonance |
| EP1918967B1 (en) * | 2006-11-02 | 2013-12-25 | Dow Corning Corporation | Method of forming a film by deposition from a plasma |
| EP1918414A1 (en) | 2006-11-02 | 2008-05-07 | Dow Corning Corporation | Film deposition of amorphous films with a graded bandgap by electron cyclotron resonance |
| EP1923483A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-21 | Dow Corning Corporation | Deposition of amorphous silicon films by electron cyclotron resonance |
| EP1919264A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-07 | Dow Corning Corporation | Device for forming a film by deposition from a plasma |
| EP1918965A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-07 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for forming a film by deposition from a plasma |
| EP1918966A1 (en) | 2006-11-02 | 2008-05-07 | Dow Corning Corporation | Method for forming a film with a graded bandgap by deposition of an amorphous material from a plasma |
| EP1976346A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | Ecole Polytechnique | Apparatus for generating a plasma |
| FR2922358B1 (fr) * | 2007-10-16 | 2013-02-01 | Hydromecanique & Frottement | Procede de traitement de surface d'au moins une piece au moyen de sources elementaires de plasma par resonance cyclotronique electronique |
| FR2938150B1 (fr) | 2008-10-30 | 2010-12-17 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif et procede de production et/ou de confinement d'un plasma |
| FR2993429B1 (fr) | 2012-07-11 | 2016-08-05 | Centre Nat De La Rech Scient (Cnrs) | Applicateur micro-onde coaxial pour la production de plasma |
| FR2995493B1 (fr) | 2012-09-11 | 2014-08-22 | Hydromecanique & Frottement | Dispositif pour generer un plasma presentant une etendue importante le long d'un axe par resonnance cyclotronique electronique rce a partir d'un milieu gazeux |
| EP2784175A1 (fr) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | NeoCoat SA | Equipement de dépôt de diamant en phase vapeur |
| FR3019708B1 (fr) | 2014-04-04 | 2016-05-06 | Hydromecanique & Frottement | Procede et dispositif pour generer un plasma excite par une energie micro-onde dans le domaine de la resonnance cyclonique electronique (rce), pour realiser un traitement de surface ou revetement autour d'un element filiforme. |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2480552A1 (fr) * | 1980-04-10 | 1981-10-16 | Anvar | Generateur de plasma |
| US5111111A (en) * | 1990-09-27 | 1992-05-05 | Consortium For Surface Processing, Inc. | Method and apparatus for coupling a microwave source in an electron cyclotron resonance system |
| DE9102438U1 (de) * | 1991-03-01 | 1992-06-25 | Röhm GmbH, 6100 Darmstadt | Niederdruck-Plasmagenerator |
| JPH05314918A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源用マイクロ波アンテナ |
| FR2702119B1 (fr) * | 1993-02-25 | 1995-07-13 | Metal Process | Dispositif d'excitation d'un plasma à la résonance cyclotronique électronique par l'intermédiaire d'un applicateur filaire d'un champ micro-onde et d'un champ magnétique statique. |
| DE4403125A1 (de) * | 1994-02-02 | 1995-08-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Plasmaerzeugung |
| FR2726729B1 (fr) * | 1994-11-04 | 1997-01-31 | Metal Process | Dispositif de production d'un plasma permettant une dissociation entre les zones de propagation et d'absorption des micro-ondes |
| DE19600223A1 (de) * | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Ralf Dr Dipl Phys Spitzl | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasmen mittels Mikrowellen |
| US5770143A (en) * | 1996-07-03 | 1998-06-23 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Method for liquid thermosetting resin molding using radiofrequency wave heating |
-
1999
- 1999-08-04 FR FR9910291A patent/FR2797372B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000231994A patent/JP2001102200A/ja not_active Withdrawn
- 2000-08-02 DE DE60043831T patent/DE60043831D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-02 EP EP00420172A patent/EP1075168B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-02 AT AT00420172T patent/ATE458384T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-02 US US09/631,347 patent/US6407359B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-02 ES ES00420172T patent/ES2339323T3/es not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6407359B1 (en) | 2002-06-18 |
| EP1075168B1 (fr) | 2010-02-17 |
| FR2797372A1 (fr) | 2001-02-09 |
| DE60043831D1 (de) | 2010-04-01 |
| JP2001102200A (ja) | 2001-04-13 |
| EP1075168A1 (fr) | 2001-02-07 |
| FR2797372B1 (fr) | 2002-10-25 |
| ATE458384T1 (de) | 2010-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2339323T3 (es) | Procedimiento de produccion de un plasma elemental con vistas a crear un plasma uniforme para una superficie de utilizacion y dispositivo de produccion de dicho plasma. | |
| ES2600252T3 (es) | Dispositivo y procedimiento de producción y/o de confinamiento de un plasma | |
| ES2589109T3 (es) | Dispositivo y procedimiento de producción y/o de confinamiento de un plasma | |
| ES2424764T3 (es) | Fuente de iones con hueco en el electrodo | |
| KR101502536B1 (ko) | 고밀도 광폭 리본 이온 빔 생성을 위한 작은 폼 팩터 플라즈마 소스 | |
| JP3869680B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| KR940008368B1 (ko) | 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치 | |
| JP2013546122A5 (es) | ||
| TW201113923A (en) | Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control | |
| FR2838020A1 (fr) | Dispositif de confinement de plasma | |
| ES2733773B2 (es) | Motor espacial de plasma sin electrodos con geometría en U y uso de dicho motor | |
| ES3014992T3 (en) | Low-erosion internal ion source for cyclotrons | |
| HU230587B1 (hu) | Rövid periódusú undulátor | |
| KR100242332B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 생성장치 | |
| JP2021533572A (ja) | 中性原子ビームを使用した被加工物処理のためのシステムおよび方法 | |
| ES2245632T3 (es) | Dispositivo formador de plasma de alta densidad. | |
| WO2013030804A2 (es) | Fuente compacta autoresonante de rayos x | |
| JPS6127035A (ja) | 電子ビームスクランブラ | |
| KR101310093B1 (ko) | 플라즈마 생성을 위한 방법 및 장치 | |
| JP2007505451A5 (es) | ||
| JP2007505451A (ja) | 直線プラズマ放電開口部を有するｅｃｒプラズマ源 | |
| KR970008650B1 (ko) | 여기원자선원 | |
| US4931698A (en) | Ion source | |
| JP2003045698A (ja) | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 | |
| ES2343939T3 (es) | Procedimiento de produccion de un plasma mediante descargas distribuidas de tipo capacitivo, y dispositivo para la realizacion de dicho procedimiento. |