ES2373760T3 - Un diseño de mezclador y simetrizador combinados. - Google Patents

Un diseño de mezclador y simetrizador combinados. Download PDF

Info

Publication number
ES2373760T3
ES2373760T3 ES08724270T ES08724270T ES2373760T3 ES 2373760 T3 ES2373760 T3 ES 2373760T3 ES 08724270 T ES08724270 T ES 08724270T ES 08724270 T ES08724270 T ES 08724270T ES 2373760 T3 ES2373760 T3 ES 2373760T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
transistors
circuit
signal
input
mixer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES08724270T
Other languages
English (en)
Inventor
Mingquan Bao
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Application granted granted Critical
Publication of ES2373760T3 publication Critical patent/ES2373760T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1433—Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14—Balanced arrangements
    • H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1441—Balanced arrangements with transistors using field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
    • H03D2200/0023—Balun circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
    • H03D2200/0088—Reduction of intermodulation, nonlinearities, adjacent channel interference; intercept points of harmonics or intermodulation products

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Abstract

Un circuito (300) que comprende puertos (365, 370) de entrada para una primera (IF) y una segunda (OL) señales de entrada asimétricas, estando dichas primera y segunda señales de entrada, respectivamente, a primera y segunda frecuencias, comprendiendo también el circuito (300) un mezclador (303) para mezclar dichas primera y segunda señales de entrada de forma que se produce una tercera señal (RF) a una tercera frecuencia en un puerto (315) de salida del circuito, comprendiendo el mezclador (303) un primer (330) y un segundo (335) transistores los cuales están en acoplamiento mutuo entre sí, estando acoplando el terminal de control de cada transistor al terminal de entrada del otro transistor, con los terminales de salida de los transistores estando conectados a dicho puerto (315) de salida del circuito, comprendiendo también el mezclador (300) una primera impedancia (350) la cual está conectada a tierra y al terminal de entrada de cada uno de dichos transistores, estando acoplado el puerto de entrada para la primera señal de entrada asimétrica al terminal de entrada de uno de dichos transistores, en el que el mezclador (303) por medio de los transistores (330, 335) y dicha primera impedancia (350) lleva a cabo la función de un simetrizador activo para la primera señal (IF) de entrada, en el que el puerto (365) de entrada para la segunda señal (OL) comprende una segunda impedancia (360) y en el que dichas primera (350) y segunda (360) impedancias juntas actúan como un simetrizador pasivo para la segunda señal (OL).

Description

Un diseno de mezclador y simetrizador combinados.
Campo tecnico
La presente invenci6n describe un circuito con puertos de entrada para una primera y una segunda senal en sus 5 respectivas primera y segunda frecuencias. El circuito tambien comprende un mezclador para mezclar dicha primera senal de entrada con dicha segunda senal de entrada.
Antecedentes
En la tecnologia de comunicaciones, los denominados mezcladores son circuitos usados con frecuencia, los cuales, como su nombre indica, mezclan una primera y una segunda senal de entrada, las cuales estan, respectivamente, a
10 primera y segunda frecuencias, y produce una senal de salida a una tercera frecuencia.
En un transceptor de un sistema de comunicaciones, se utilizara usualmente un mezclador con objeto de mezclar una frecuencia intermedia (IF) a una radiofrecuencia (RF), o viceversa, mezclar RF a IF.
Un simetrizador (del ingles "balanced-unbalanced") es un componente que convierte una senal simetrica en una senal asimetrica o viceversa, y que puede ser usado junto con ciertos tipos de mezcladores en los cuales se desea
15 convertir una senal de entrada asimetrica en una simetrica (o viceversa). Un simetrizador puede ser activo o pasivo.
En un mezclador, como se ha explicado arriba, se usan dos senales de entrada, lo cual significa que con respecto a la noci6n de senales de entrada simetricas y asimetricas, pueden discernirse varios casos: si una de las senales de entrada es asimetrica, esa senal debe ser conectada al mezclador por via de un simetrizador, para convertirla en una senal simetrica. Si ambas senales de entrada son asimetricas, las dos necesitan ser conectadas al mezclador
20 por via de correspondientes simetrizadores, con objeto de convertir las senales asimetricas en senales simetricas.
Resumen
Puesto que, como se explic6 arriba, se usan a menudo simetrizadores junto con mezcladores, la presente invenci6n describe una soluci6n por medio de la cual un circuito puede llevar a cabo la funci6n de un mezclador asi como la funci6n de un simetrizador lo cual es, naturalmente, ventajoso en cuanto se refiera a coste y tamano.
25 Por medio de la invenci6n, de acuerdo con la reivindicaci6n 1, se describe un circuito el cual puede llevar a cabo la funci6n de simetrizadores para una primera y una segunda senal de entrada asimetricas las cuales van a ser mezcladas una con otra, al tiempo que es un mezclador.
El circuito de la invenci6n comprende puertos de entrada para una primera y una segunda senales de entrada asimetricas, con las senales de entrada primera y segunda que estan, respectivamente, a primera y segunda
30 frecuencias.
Ademas, el circuito comprende tambien un mezclador para mezclar las primera y segunda senales de entrada de forma que se produce una tercera senal a una tercera frecuencia en un puerto de salida del circuito. A este fin, el mezclador comprende un primer y un segundo transistor los cuales estan en acoplamiento mutuo entre si, y los terminales de salida de los transistores estan conectados al puerto de salida del circuito.
35 Ademas, el circuito comprende tambien una primera impedancia la cual esta conectada a tierra y, por medio de los transistores y la primera impedancia, el mezclador lleva a cabo la funci6n de un simetrizador activo para la primera senal de entrada. Tambien, el puerto de entrada para la segunda senal comprende una segunda impedancia y esta segunda impedancia, junto con la primera impedancia, actua como un simetrizador pasivo para la segunda senal.
Los dos transistores del circuito pueden de forma conveniente estar en acoplamiento mutuo entre si a traves de 40 condensadores.
Tambien, los transistores que se usan en la invenci6n peden ser transistores bipolares, en cuyo caso los terminales de salida de los transistores son los colectores de los transistores. Si se usan transistores bipolares, estos pueden de forma conveniente estar en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas bases.
Como alternativa, los transistores que se usan en la invenci6n pueden ser Transistores de Efecto de Campo, FETs,
45 en cuyo caso los terminales de salida de los transistores son los drenadores de los transistores. Si se usan FETs, estos pueden de forma conveniente estar en acoplamiento mutuo por via de sus respectivas puertas.
Como se mostrara mas abajo, la invenci6n, de acuerdo con la reivindicaci6n 8 independiente, tambien describe una realizaci6n para la situaci6n en la que se desea mezclar una primera senal asimetrica con una segunda senal de entrada simetrica.
Breve descripcion de los dibujos
La invenci6n se describira con mayor detalle en lo que sigue, haciendo referencia a los dibujos que acompanan, en los cuales
las figuras 1 y 2 muestra mezcladores con simetrizadores de la tecnica anterior; y
la figura 3 muestra una primera realizaci6n de la invenci6n; y
la figura 4 muestra una segunda realizaci6n de la invenci6n.
Descripcion detallada
La figura 1 muestra un ejemplo de un mezclador de la tecnica anterior. En los ejemplos de mezcladores dados mas abajo, tanto los mezcladores de la tecnica anterior como los mezcladotes de la invenci6n, se asumira que el prop6sito de los mezcladores es llegar a una senal de salida en Radio Frecuencia, RF, por medio de mezclar una senal en Frecuencia Intermedia; IF, con una senal de un Oscilador Local, un OL. Un mezclador de la tecnica anterior similar al circuito ilustrado en la figura 1 es conocido, por ejemplo, del documento de patente alemana DE 34 09 555
A.
Asi, las senales de entrada mostradas en los ejemplos que van mas abajo seran una senal IF y una senal de un OL, las cuales son mezcladas con objeto de obtener una senal RF. No obstante, debe hacerse notar que la invenci6n no esta limitada a tales combinaciones de senales de entrada/salida.
Mirando ahora a la figura 1, hay mostrado un mezclador 100 de la tecnica anterior el cual comprende un primer 110 y un segundo 120 transistores, los cuales estan conectados entre si. Los transistores en el ejemplo son transistores bipolares y estan conectados entre si por via de sus respectivos emisores.
Una senal IF asimetrica es introducida al mezclador 100 por via delos emisores de los dos transistores 110, 120.
Una senal de OL asimetrica tambien es usada como entrada al mezclador 100, pero es introducida por via de una simetrizador 140, de forma que los componentes primero y segundo de una senal OL simetrica son producidos y pueden ser usados como entrada a los primer 110 y segundo 120 transistores respectivamente, por via de las bases de los transistores.
Los terminales de salida de los dos transistores, en este caso los colectores, estan conectados a un segundo simetrizador 130, de forma que una senal RF asimetrica es producida como senal de salida del mezclador 100, en el puerto de salid del simetrizador 130.
Ademas, el mezclador 100 comprende tambien una impedancia, es decir un componente resistivo o reactivo, en este caso una bobina de inductancia 150, por via del cual la senal IF de entrada esta conectada a tierra.
La figura 2 muestra otro ejemplo de un mezclador 200 de la tecnica anterior. El mezclador 200 de la tecnica anterior es similar al de la figura 1, con la diferencia de que aqui la senal IF es tambien introducida por via de un segundo simetrizador 230, de forma que se produce una pareja de senales IF simetricas, la cual puede ser usada como entrada a los emisores de cada uno de los transistores. En este caso, la senal RF de salida es asimetrica sin el uso de un simetrizador en el puerto de salida.
La figura 3 muestra un diagrama de un circuito 300 de la invenci6n, el cual esta destinado a aplicaciones en las cuales las dos senales, es decir las senales que van a ser mezcladas entre si, son asimetricas.
Como se muestra en la figura 3, la realizaci6n 300 comprende puertos 365, 370 de entrada para una primera y una segunda senales de entrada asimetricas. En la figura 3, las senales de entrada que van a ser mezclada una con otra son una senal IF y una senal de OL. No obstante, debe entenderse que estas senales de entrada se usan meramente para mostrar un ejemplo de una aplicaci6n conveniente del circuito 300.
Como se muestra en la figura 3, el circuito 300 comprende tambien un mezclador 303 el cual lleva a cabo la verdadera mezcla de las dos senales de entrada. El mezclador 303 del circuito 300 comprende un primer 330 y un segundo 335 transistores, los cuales estan en acoplamiento mutuo entre si.
Los transistores 330 y 335 del circuito 300 se muestran en la figura 3 como transistores bipolares. En el caso de transistores bipolares, el acoplamiento mutuo de los transistores se lleva a cabo por medio de la base de cada transistor que esta conectada al emisor del otro transistor, lo cual es hecho de forma conveniente de forma capacitiva, por ejemplo por via de condensadores 340, 345 respectivos. Ademas, la base de cada uno de los transistores 330, 335 es polarizada por via de respectivas impedancias 320, 325 de puesta a tierra.
Los terminales de salida de los transistores 330, 335, los cuales en el caso de transistores bipolares y la aplicaci6n de la figura 3 son los colectores de los transistores, estan conectaos a un puerto 315 de salida del circuito 300. Una tercera senal es producida, la cual es una senal RF, en el caso de que las senales mezcladas sean las mostradas,
es decir, una senal IF y una senal de OL. Se puede acceder a la senal RF en un puerto 315 de salida del circuito, al cual estan conectados los colectores de los transistores. El puerto 315 de salida esta tambien polarizado con una tensi6n de CC VC 405, por via de la impedancia 310.
Como puede verse en la figura 3, el circuito 300 tambien comprende un primer componente reactivo 350 el cual esta conectado a tierra, y por via del cual los emisores de los transistores 330, 335 estan conectados entre si.
Aquellas partes del circuito 300 que han sido descritas hasta ahora comprenden un mezclador para las senales de entrada, es decir, en este ejemplo las senales IF y de LO.
No obstante, el circuito 300, por medio de los transistores y el primer componente reactivo 350 tambien lleva a cabo la funci6n de un simetrizador activo para la primera senal de entrada, es decir la senal IF en el ejemplo mostrado en la figura 3, de forma que una pareja de senales IF simetricas son producidas como tensiones base-emisor VBE (antifase) en los dos transistores 330, 335.
Ademas de los componentes descritos arriba, el circuito 300 comprende tambien una segunda impedancia 360 conectada en serie con el puerto 365 de entrada para la segunda senal, de forma que la segunda impedancia puede tambien ser vista para estar comprendida en el puerto 365 de entrada. En la realizaci6n de la figura 3, la segunda impedancia 360 es una inductancia, el cual es tambien el caso para la primera impedancia 350.
De esta manera, las dos inductancias 360, 350 se acoplaran entre si y actuaran juntas como un simetrizador para la segunda senal, es decir la senal de OL, de forma que se produce una pareja de senales de OL simetricas, una parte de dicha pareja a cada lado de la primera inductancia 350.
Por lo tanto, el diseno 300 actuara como mezclador para las dos senales de entrada, y asi mismo comprende un simetrizador para cada una de las senales de entrada asimetricas. En el caso de la primera senal de entrada, la senal IF en el ejemplo anterior, el simetrizador sera un simetrizador activo, es decir uno que consume energia mientras que en el caso de la segunda senal, es decir la senal de OL en el ejemplo anterior, el simetrizador sera pasivo, de forma que no necesitara consumir energia.
Tambien se puede mencionar que la pareja de transistores 330, 325 en acoplamiento mutuo, actuara para compensar activamente el simetrizador 350, 360 pasivo ya que la pareja de transistores 330 335 actuara como un amplificador diferencial que corrige errores en amplitud y fase en las salidas del simetrizador pasivo sobre una amplio espectro de frecuencias.
Ademas, la pareja de transistores 330, 335 en acoplamiento mutuo constituira tambien un denominado "nucleo mezclador". Las senales IF y LO diferenciales son aplicadas en la Vbe de los dos transistores, es decir, son aplicadas como tensiones entre la base y el emisor de cada uno de los transistores.
Con objeto de mezclar las senales IF y OL de entrada, en el circuito 300 se saca partido de la relaci6n no lineal entre Ic y Vbe, es decir, Ic"Is exp (Vbe/VT), donde Is representa la intensidad de saturaci6n del transistor bipolar. El componente deseado de frecuencia RF f=fOL + fIF se encontrara en las intensidades de colector de los transistores.
Las senales IF y OL diferenciales aplicadas en la pareja de transistores generaran asi una senal RF en fase en el puerto 315 de salida del circuito 300.
Como se muestra, el diseno 300 de la invenci6n proporcionara asi un circuito el cual actua como un mezclador para dos senales de entrada asimetricas, y asi mismo actua como un primer simetrizador para la primera senal de entrada y como un segundo simetrizador para la segunda senal de entrada. Como se entendera, la combinaci6n de estas funciones en un circuito es altamente ventajosa con respecto a parametros tales como, por ejemplo, coste y tamano del circuito, asi como en el consumo de energia en CC, puesto que la invenci6n fusiona un simetrizador activo con un mezclador.
Como se ha afirmado arriba, la realizaci6n mostrada en la figura 3 y descrita en conexi6n con ese dibujo es adecuada para mezclar dos senales asimetricas. Otra realizaci6n de la invenci6n puede ser usada si se desea en vez de esto mezclar una senal asimetrica con una senal simetrica. La realizaci6n se muestra como 400 en la figura 4 y se describira a continuaci6n.
Componentes del circuito 400 que son similares a los del circuito 300 de la figura 3 han conservado sus numeros de referencia de la figura 3 y no seran explicados de nuevo en conexi6n con la figura 4.
Se asumira que la senal de entrada asimetrica al circuito de la figura 4 es la senal IF y la simetrica es la senal de OL, aunque lo contrario podria tambien ser el caso.
Como puede verse en la figura 4, la principal diferencia entre el circuito 400 y el previo, es decir el circuito 300, es que puesto que una de las senales, en este caso la senal de OL, es simetrica, necesitara ser introducida en el circuito 400 en dos puertos de entrada los cuales se muestran como 465 y 465' en la figura 4.
De manera similar al circuito 300, el circuito 400 comprende una impedancia, la cual en este caso consta de dos
inductancias 450, 452 conectadas en serie con un punto entre estas dos inductancias que esta conectado a tierra. Los puertos de entrada 465, 465' para el par de senal simetrica estan en ambos lados de esta impedancia.
Como se muestra en la figura 4, con objeto de llegar a una senal de OL simetrica que pueda ser introducida al circuito 400, puede hacerse uso de un simetrizador 460 el cual es externo al circuito 400. Este simetrizador 460 externo producira el par de senal simetrica (0/180 grados) la cual es introducida en los puertos 465 y 465'.
Puesto que la funci6n del resto del circuito 400 es la misma que la del circuito 300 de la figura 3, la descripci6n no se repetira. Simplemente se hace referencia a la descripci6n anterior del circuito 300 de la figura 3.
Como puede verse, el circuito 400 puede tambien ser visto como un "subconjunto" del circuito 300: la diferencia es que el circuito 300 tiene el segundo inductor 360 que interactua con el primer inductor 350 para formar un simetrizador para la senal de OL de entrada asimetrica, para producir una senal simetrica "dentro" del circuito. Esto es en comparaci6n con el circuito 400 el cual tambien comprende una primera impedancia 450, 452, pero que necesita una senal de entrada simetrica, de forma que se necesita un simetrizador externo (u otros medios para crear una senal de entrada simetrica).
En conclusi6n, por medio de la invenci6n, varias ventajas pueden ser obtenidas tales como, por ejemplo:
•
Ancho de banda alta RF /OL;
•
Buen aislamiento entre puertos OL y RF;
•
Alta linealidad y ganancia de conversi6n moderada;
•
Un circuito de la invenci6n consume una pequena superficie de chip al usar un simetrizador transformador compacto y por medio de no tener que usar un simetrizador IF externo (activo).
•
La tipologia de mezclador propuesta puede ser implementada en cualquier tecnologia de semiconductor, por ejemplo, CMOS, bipolar, Silicio, GaAs, etc. El mezclador propuesto puede ser implementado tambien en circuitos discretos.
La invenci6n no esta limitada a los ejemplos de realizaciones descritos arriba y mostrados en los dibujos, sino que puede ser variada libremente dentro del alcance de las reivindicaciones anexas.
Por ejemplo, los transistores bipolares usados en los ejemplos anteriores con objeto de ilustrar la invenci6n pueden ser reemplazados por Transistores de Efecto de Campo, FETs. En este caso, los terminales de salida de los transistores son los drenadores de los transistores FET y los transistores FET estaran en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas puertas.
Tambien, debe entenderse que aunque la invenci6n ha sido ilustrada por medio de senales IF y de OL que son mezcladas una con otra, estas senales son meros ejemplos, la invenci6n puede ser usada para mezclar senales RF y de OL para generar una senal IF, lo cual se denomina mezclador "convertidor reductor".

Claims (13)

  1. REIVINDICACIONES
    1.-Un circuito (300) que comprende puertos (365, 370) de entrada para una primera (IF) y una segunda (OL) senales de entrada asimetricas, estando dichas primera y segunda senales de entrada, respectivamente, a primera y segunda frecuencias, comprendiendo tambien el circuito (300) un mezclador (303) para mezclar dichas primera y segunda senales de entrada de forma que se produce una tercera senal (RF) a una tercera frecuencia en un puerto
    (315)
    de salida del circuito, comprendiendo el mezclador (303) un primer (330) y un segundo (335) transistores los cuales estan en acoplamiento mutuo entre si, estando acoplando el terminal de control de cada transistor al terminal de entrada del otro transistor, con los terminales de salida de los transistores estando conectados a dicho puerto
    (315)
    de salida del circuito, comprendiendo tambien el mezclador (300) una primera impedancia (350) la cual esta conectada a tierra y al terminal de entrada de cada uno de dichos transistores, estando acoplado el puerto de entrada para la primera senal de entrada asimetrica al terminal de entrada de uno de dichos transistores, en el que el mezclador (303) por medio de los transistores (330, 335) y dicha primera impedancia (350) lleva a cabo la funci6n de un simetrizador activo para la primera senal (IF) de entrada, en el que el puerto (365) de entrada para la segunda senal (OL) comprende una segunda impedancia (360) y en el que dichas primera (350) y segunda (360) impedancias juntas actuan como un simetrizador pasivo para la segunda senal (OL).
  2. 2.-El circuito (300) de la reivindicaci6n 1, en el que dichas primera (350) y segunda (360) impedancias comprenden inductancias.
  3. 3.-El circuito (300) de la reivindicaci6n 1 o 2, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si a traves de condensadores (340, 345).
  4. 4.-El circuito (300) de cualquiera de las reivindicaciones 1-3, en el que los transistores (330, 335) son transistores bipolares y los terminales de salida de los transistores son los colectores de los transistores.
  5. 5.-El circuito (300) de la reivindicaci6n 4, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas bases.
  6. 6.-El circuito (300) de cualquiera de las reivindicaciones 1-3, en el que los transistores son Transistores de Efecto de Campo, FTEs, y los terminales de salida de los transistores son los drenadores de los transistores.
  7. 7.-El circuito (300) de la reivindicaci6n 6, en el que los transistores FET estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas puertas.
  8. 8.-Un circuito (400) que comprende puertos (370, 465, 465') de entrada para una primera asimetrica (IF) y una segunda simetrica (OL) senales de entrada, respectivamente, a primera y segunda frecuencias, comprendiendo tambien el circuito (400) un mezclador (303) para mezclar dicha primera senal de entrada (IF) con dicha segunda senal de entrada (OL), comprendiendo el mezclador (303) un primer (330) y un segundo (335) transistores los cuales estan en acoplamiento mutuo entre si, estando acoplado el terminal de control de cada transistor al terminal de entrada del otro transistor, de forma que se produce una tercera senal (RF) a una tercera frecuencia en un puerto
    (315) de salida del circuito al cual estan conectados los terminales de salida de los transistores (330, 335), comprendiendo tambien el circuito (400) una impedancia (450, 452) la cual esta conectada a tierra y al terminal de entrada de cada uno de dichos transistores, estando acoplado el puerto de entrada para la primera senal de entrada asimetrica al terminal de entrada de uno de dichos transistores, dicho circuito (400) en el que el mezclador (303) por medio de los transistores (330, 335) y dicha impedancia (450, 452) tambien lleva a cabo la funci6n de un simetrizador activo para la primera senal (IF) de entrada.
  9. 9.-El circuito (400) de la reivindicaci6n 8, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si a traves de condensadores (340, 345).
  10. 10.-El circuito (400) de la reivindicaci6n 8 o 9, en el que los transistores (330, 335) son transistores bipolares y los terminales de salida de los transistores son los colectores de los transistores.
  11. 11.-El circuito (400) de la reivindicaci6n 10, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas bases.
  12. 12.-El circuito (400) de cualquiera de la reivindicaci6n 8 o 9, en el que los transistores son Transistores de Efecto de Campo, FTEs, y los terminales de salida de los transistores son los drenadores de los transistores.
  13. 13.-El circuito (400) de la reivindicaci6n 12, en el que los transistores FET estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas puertas.
ES08724270T 2008-03-25 2008-03-25 Un diseño de mezclador y simetrizador combinados. Active ES2373760T3 (es)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/SE2008/050323 WO2009120117A1 (en) 2008-03-25 2008-03-25 A combined mixer and balun design

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2373760T3 true ES2373760T3 (es) 2012-02-08

Family

ID=39885805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES08724270T Active ES2373760T3 (es) 2008-03-25 2008-03-25 Un diseño de mezclador y simetrizador combinados.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8299838B2 (es)
EP (1) EP2263308B1 (es)
AT (1) ATE526725T1 (es)
ES (1) ES2373760T3 (es)
WO (1) WO2009120117A1 (es)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8040166B2 (en) * 2008-06-16 2011-10-18 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Frequency multiplier
CN102845126B (zh) 2010-02-04 2015-04-15 康奈尔大学 无线通信设备及软件无线电设备
WO2012175107A1 (en) * 2011-06-20 2012-12-27 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) An improved mixer circuit
EP2786484B1 (en) * 2011-12-02 2016-03-09 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) A subharmonic mixer
WO2015117645A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-13 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) A frequency multiplier and a method therein for generating an output signal with a specific frequency
WO2016041575A1 (en) * 2014-09-16 2016-03-24 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) A power efficient frequency multiplier
US9774297B2 (en) * 2015-11-13 2017-09-26 Linear Technology Corporation Double-balanced field-effect transistor mixer with direct single-ended intermediate frequency outputs
CN109450380A (zh) * 2018-09-26 2019-03-08 江苏大学 一种有源单平衡混频器
KR102876739B1 (ko) * 2019-08-23 2025-10-27 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템에서 신호를 상향 변환하기 위한 장치 및 방법
WO2021040339A1 (en) * 2019-08-23 2021-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for upconverting signal in wireless communication system
CN114826162B (zh) * 2022-05-18 2023-11-10 成都通量科技有限公司 一种5g毫米波双频带双模混频器及无线通信终端
CN118018044B (zh) * 2024-04-09 2024-06-04 成都信息工程大学 一种超宽带发射前端系统

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59144910U (ja) * 1983-03-16 1984-09-27 パイオニア株式会社 バランスドミキサ回路
US4947062A (en) * 1988-05-19 1990-08-07 Adams Russell Electronics Co., Inc. Double balanced mixing
FR2695272B1 (fr) * 1992-08-26 1994-12-09 Philips Composants Circuit mélangeur pour des signaux de radio ou de télévision.
US5379457A (en) * 1993-06-28 1995-01-03 Hewlett-Packard Company Low noise active mixer
JP2001111353A (ja) * 1999-10-13 2001-04-20 Mitsubishi Electric Corp ミキサ回路
US6861891B2 (en) * 2002-11-25 2005-03-01 Dragonwave, Inc. Sub-harmonic mixer
DE102005004084B4 (de) * 2005-01-24 2009-11-26 Atmel Automotive Gmbh Mischstufe und Verfahren zur Mischung von zwei Signalen, die verschiedene Frequenzen besitzen

Also Published As

Publication number Publication date
EP2263308B1 (en) 2011-09-28
US8299838B2 (en) 2012-10-30
WO2009120117A1 (en) 2009-10-01
EP2263308A1 (en) 2010-12-22
US20110001540A1 (en) 2011-01-06
ATE526725T1 (de) 2011-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2373760T3 (es) Un diseño de mezclador y simetrizador combinados.
US7642858B2 (en) Active baluns
KR100487813B1 (ko) 상보 소자를 이용한 싱글엔드형 차동 회로
US8478219B2 (en) Heterodyne receiver
KR100868817B1 (ko) 고 주파수 수신기, 통신 장치 및 저 잡음 증폭기
Wu et al. Amplification of nonlinearity in multiple gate transistor millimeter wave mixer for improvement of linearity and noise figure
US5513390A (en) Biased FET mixer
Parveg et al. Wideband millimeter-wave active and passive mixers in 28 nm bulk CMOS technology
ES2306470T3 (es) Arquitectura de radio.
Zhu et al. A reconfigurable low-voltage and low-power millimeter-wave dual-band mixer in 65-nm CMOS
ES2373435T3 (es) Mezclador pasivo.
Chou et al. A high image rejection E-band sub-harmonic IQ demodulator with low power consumption in 90-nm CMOS process
Hung et al. High-isolation millimeter-wave subharmonic monolithic mixer with modified quasi-circulator
ES2860549T3 (es) Dispositivo circulador con dos circuladores libres de imanes
KR20080010747A (ko) 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기
ES2879232T3 (es) Mezclador entrelazado y triplemente equilibrado
CN106877821B (zh) 一种基于电流模有源器件的宽带射频混频器
EP1952532B1 (en) A subharmonically pumped mixer
US7710216B2 (en) Balun circuit and integrated circuit device
US10666239B2 (en) Balanced frequency doubler
ES2349283T3 (es) Método y disposición para un mezclador lineal.
US6603964B1 (en) Mixer with reduced carrier feedthrough
Kim et al. A 28GHz Quadrature Up-conversion Transmitter in 65nm CMOS for 5G mmWave Radio
JP2015100078A (ja) 周波数変換器
Li et al. A wideband Ka-band receiver front-end in 90-nm CMOS technology