FR1109512A - Perfectionnement aux transistors à jonctions et à leurs procédés de fabrication - Google Patents

Perfectionnement aux transistors à jonctions et à leurs procédés de fabrication

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1125551B (de) * 1956-05-04 1962-03-15 Philco Corp Verfahren zur Herstellung eines legierten pn-UEbergangs sehr geringer Eindringtiefe in einem Halbleiterkoerper

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1125551B (de) * 1956-05-04 1962-03-15 Philco Corp Verfahren zur Herstellung eines legierten pn-UEbergangs sehr geringer Eindringtiefe in einem Halbleiterkoerper

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DE1024639B (de) 1958-02-20
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