FR1210880A - Perfectionnements aux transistors à effet de champ - Google Patents

Perfectionnements aux transistors à effet de champ

Info

Publication number
FR1210880A
FR1210880A FR1210880DA FR1210880A FR 1210880 A FR1210880 A FR 1210880A FR 1210880D A FR1210880D A FR 1210880DA FR 1210880 A FR1210880 A FR 1210880A
Authority
FR
France
Prior art keywords
field
effect transistors
transistors
effect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Joachim Immanuel Franke
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Application granted granted Critical
Publication of FR1210880A publication Critical patent/FR1210880A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P10/12—Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates
FR1210880D 1958-08-29 1958-08-29 Perfectionnements aux transistors à effet de champ Expired FR1210880A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR773464 1958-08-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1210880A true FR1210880A (fr) 1960-03-11

Family

ID=8707362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1210880D Expired FR1210880A (fr) 1958-08-29 1958-08-29 Perfectionnements aux transistors à effet de champ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US2952804A (fr)
CH (1) CH370488A (fr)
DE (1) DE1099646B (fr)
FR (1) FR1210880A (fr)
GB (1) GB899858A (fr)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1197987B (de) * 1960-01-26 1965-08-05 Fuji Electric Co Ltd Halbleiterbauelement mit Feldsteuerung fuer Schaltzwecke und Betriebsschaltungen
DE1208414B (de) * 1959-12-14 1966-01-05 Westinghouse Electric Corp Betriebsschaltung eines Mehrfach-Halbleiterbauelements aus einer Halbleiterscheibe und mehreren Elektroden auf der einen Hauptoberflaeche und Ausbildung des Halbleiterbauelements
DE1209213B (de) * 1960-05-02 1966-01-20 Westinghouse Electric Corp Unipolartransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und Verfahren zum Herstellen
DE1639306B1 (de) * 1963-05-30 1971-10-07 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen eines gemeinsamen kontaktes an min destens zwei benachbarten zonen entgegengesetzten leitungs typs eines steuerbaren halbleiterbauelements sowie danach hergestelltes halbleiterbauelement
DE1185294C2 (de) * 1960-04-01 1974-02-14 Schaltungsanordnung mit unipolartransistoren auf einer einkristallinen halbleiterplatte

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1245720A (fr) * 1959-09-30 1960-11-10 Nouvelles structures pour transistor à effet de champ
NL269131A (fr) * 1960-10-25
US3242395A (en) * 1961-01-12 1966-03-22 Philco Corp Semiconductor device having low capacitance junction
DE1464669B1 (de) * 1961-03-06 1971-02-04 Itt Ind Gmbh Deutsche Halbleiterdiode mit stark spannungsabhaengiger Kapazitaet
US3287611A (en) * 1961-08-17 1966-11-22 Gen Motors Corp Controlled conducting region geometry in semiconductor devices
US3171042A (en) * 1961-09-08 1965-02-23 Bendix Corp Device with combination of unipolar means and tunnel diode means
DE1150153B (de) * 1962-02-01 1963-06-12 Ibm Deutschland Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
NL288745A (fr) * 1962-02-19
US3223904A (en) * 1962-02-19 1965-12-14 Motorola Inc Field effect device and method of manufacturing the same
NL290035A (fr) * 1962-03-12
US3246214A (en) * 1963-04-22 1966-04-12 Siliconix Inc Horizontally aligned junction transistor structure
FR1377330A (fr) * 1963-07-26 1964-11-06 Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés
US3316131A (en) * 1963-08-15 1967-04-25 Texas Instruments Inc Method of producing a field-effect transistor
US3450960A (en) * 1965-09-29 1969-06-17 Ibm Insulated-gate field effect transistor with nonplanar gate electrode structure for optimizing transconductance
NL153947B (nl) * 1967-02-25 1977-07-15 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE500302A (fr) * 1949-11-30
US2764642A (en) * 1952-10-31 1956-09-25 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating devices
US2831787A (en) * 1954-07-27 1958-04-22 Emeis
US3081421A (en) * 1954-08-17 1963-03-12 Gen Motors Corp Unipolar transistor
BE541575A (fr) * 1954-09-27
GB807582A (en) * 1954-12-27 1959-01-21 Clevite Corp High power junction transistor
DE1768285U (de) * 1955-10-29 1958-06-12 Siemens Ag Flaechengleichrichter bzw. -transistor.

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1208414B (de) * 1959-12-14 1966-01-05 Westinghouse Electric Corp Betriebsschaltung eines Mehrfach-Halbleiterbauelements aus einer Halbleiterscheibe und mehreren Elektroden auf der einen Hauptoberflaeche und Ausbildung des Halbleiterbauelements
DE1197987B (de) * 1960-01-26 1965-08-05 Fuji Electric Co Ltd Halbleiterbauelement mit Feldsteuerung fuer Schaltzwecke und Betriebsschaltungen
DE1185294C2 (de) * 1960-04-01 1974-02-14 Schaltungsanordnung mit unipolartransistoren auf einer einkristallinen halbleiterplatte
DE1185294B (de) * 1960-04-01 1974-02-14 Schaltungsanordnung mit unipolartransistoren auf einer einkristallinen halbleiterplatte
DE1209213B (de) * 1960-05-02 1966-01-20 Westinghouse Electric Corp Unipolartransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und Verfahren zum Herstellen
DE1639306B1 (de) * 1963-05-30 1971-10-07 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen eines gemeinsamen kontaktes an min destens zwei benachbarten zonen entgegengesetzten leitungs typs eines steuerbaren halbleiterbauelements sowie danach hergestelltes halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
DE1099646B (de) 1961-02-16
US2952804A (en) 1960-09-13
GB899858A (en) 1962-06-27
CH370488A (fr) 1963-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH367570A (de) Transistoranordnung
FR1240436A (fr) Transistor
FR1221489A (fr) Amplificateur à transistors
CH374390A (de) Transistorvorverstärker
FR1202426A (fr) Perfectionnements aux transistors à effet de champ
FR1246238A (fr) Transistor perfectionné
CH387801A (de) Flächentransistor
CH381278A (de) Exklusives Oder-Tor
FR1131253A (fr) Perfectionnements aux transistors à effet de champ
BE582244R (fr) Transistoroscillator-oscillateur à transistor
FR1227508A (fr) Transistor à jonctions
FR1207113A (fr) Perfectionnements aux pyromètres à contact
FR1230913A (fr) Perfectionnements aux circuits à transistors
FR1227716A (fr) Perfectionnements aux robinets-vannes
FR1201727A (fr) Perfectionnements aux dispositifs de transport à vis
FR1226312A (fr) Transistor à jonction
FR1220887A (fr) Perfectionnements aux robinets à vanne
FR1251682A (fr) Perfectionnements aux radio-électrophones à transistors
FR1233998A (fr) Transistor à jonction
FR1268228A (fr) Perfectionnements aux transistors
FR1279313A (fr) Perfectionnements aux transistors à jonction
FR1216765A (fr) Perfectionnements aux vannes à opercule
FR1302488A (fr) Perfectionnements aux multivibrateurs à transistors
FR1235788A (fr) Transistor perfectionné
FR1216766A (fr) Perfectionnements apportés aux vannes à opercule