FR1399130A - Perfectionnements aux matériaux de dopage des semiconducteurs et à la fabrication de dispositifs semiconducteurs - Google Patents

Perfectionnements aux matériaux de dopage des semiconducteurs et à la fabrication de dispositifs semiconducteurs

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
    • C30B13/12—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials in the gaseous or vapour state
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0745704A3 (fr) * 1995-06-01 1996-12-18 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Procédé pour la préparation d'une plaquette de semi-conducteur avec film épitaxial

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0745704A3 (fr) * 1995-06-01 1996-12-18 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Procédé pour la préparation d'une plaquette de semi-conducteur avec film épitaxial
US5897705A (en) * 1995-06-01 1999-04-27 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbeitermaterialien Mbh Process for the production of an epitaxially coated semiconductor wafer

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