FR2000299A1 - Procede et dispositif pour ajuster a une valeur desiree le courant d'amorcage d'un element commande a semi-conducteurs - Google Patents

Procede et dispositif pour ajuster a une valeur desiree le courant d'amorcage d'un element commande a semi-conducteurs

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    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
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    • H10P50/61—Electrolytic etching
    • H10P50/613—Electrolytic etching of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CH444975A (de) * 1966-09-27 1967-10-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone

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CH444975A (de) * 1966-09-27 1967-10-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone

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