CH444975A - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone

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CH444975A
CH444975A CH1393966A CH1393966A CH444975A CH 444975 A CH444975 A CH 444975A CH 1393966 A CH1393966 A CH 1393966A CH 1393966 A CH1393966 A CH 1393966A CH 444975 A CH444975 A CH 444975A
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CH
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emitter zone
pnpn structure
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Edouard Dipl Ing Eugster
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Bbc Brown Boveri & Cie
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DE19661539665 DE1539665C (de) 1966-09-27 1966-11-02 Verfahren zum Herstellen eines steuerbaren Halbleiterelementes mit pnpn-Zonenfolge, dessen Emitterzone an mehreren Stellen kurzgeschlossen ist
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US664121A US3494791A (en) 1966-09-27 1967-08-29 Process for the production of a controllable semiconductor element with a pnpn structure with short-circuits in the emitter zone
GB43544/67A GB1196014A (en) 1966-09-27 1967-09-25 Process for the Production of a Controllable Semiconductor Element with a pnpn Structure with Short-Circuits in the Emitter Zone.
FR122073A FR1537585A (fr) 1966-09-27 1967-09-25 Procédé pour la fabrication d'un élément commandé à semi-conducteur, de stucture pnpn, avec des courts-circuits dans la zone de l'émetteur
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DE1539665A1 (de) 1970-07-23
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