CH444975A - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone

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CH444975A
CH444975A CH1393966A CH1393966A CH444975A CH 444975 A CH444975 A CH 444975A CH 1393966 A CH1393966 A CH 1393966A CH 1393966 A CH1393966 A CH 1393966A CH 444975 A CH444975 A CH 444975A
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CH
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emitter zone
pnpn structure
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Edouard Dipl Ing Eugster
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Bbc Brown Boveri & Cie
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NL6713025A NL6713025A (de) 1966-09-27 1967-09-25
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2000299A1 (fr) * 1968-01-16 1969-09-05 Bbc Brown Boveri & Cie Procede et dispositif pour ajuster a une valeur desiree le courant d'amorcage d'un element commande a semi-conducteurs
FR2424631A1 (fr) * 1978-04-26 1979-11-23 Fiz Tekhn I Thyristor

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3874959A (en) * 1973-09-21 1975-04-01 Ibm Method to establish the endpoint during the delineation of oxides on semiconductor surfaces and apparatus therefor
US4097887A (en) * 1976-09-13 1978-06-27 General Electric Company Low resistance, durable gate contact pad for thyristors

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2923868A (en) * 1954-07-22 1960-02-02 Rca Corp Semiconductor devices
US3163568A (en) * 1961-02-15 1964-12-29 Sylvania Electric Prod Method of treating semiconductor devices
US3343048A (en) * 1964-02-20 1967-09-19 Westinghouse Electric Corp Four layer semiconductor switching devices having a shorted emitter and method of making the same
US3365794A (en) * 1964-05-15 1968-01-30 Transitron Electronic Corp Semiconducting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2000299A1 (fr) * 1968-01-16 1969-09-05 Bbc Brown Boveri & Cie Procede et dispositif pour ajuster a une valeur desiree le courant d'amorcage d'un element commande a semi-conducteurs
FR2424631A1 (fr) * 1978-04-26 1979-11-23 Fiz Tekhn I Thyristor

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US3494791A (en) 1970-02-10
DE1539665B2 (de) 1972-08-31
SE317449B (de) 1969-11-17
NL6713025A (de) 1968-03-28
GB1196014A (en) 1970-06-24
DE1539665A1 (de) 1970-07-23

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