FR2423865A1 - Procede pour l'application d'une couche epitaxiale sur un substrat a partir d'une phase gazeuse - Google Patents

Procede pour l'application d'une couche epitaxiale sur un substrat a partir d'une phase gazeuse

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Abstract

Procédé pour l'application d'une couche épitaxiale sur un substrat à partir d'une phase gazeuse, selon lequel un support chauffant, à l'aide duquel le substrat est chauffé, est muni d'une couche du matériau dont est réalisé le substrat, couche sur laquelle est appliqué le substrat, après quoi un agent de décapage passe sur le substrat de façon à décaper sa face située à l'opposé du support chauffant et à provoquer un transport chimique dudit matériau du support chauffant vers la face du substrat située en regard du support chauffant, après quoi la couche épitaxiale est déposée sur la face du substrat située à l'opposée du support chauffant. Le passage de l'agent de décapage s'effectue en deux étapes entre lesquelles est intercalée une étape de croissance épitaxiale; lors de la seconde étape de décapage, le matériau déposé pendant l'étape de croissance est partiellement enlevé, et le matériau obtenu par transport chimique sur la face du substrat située à l'opposé du support chauffant acquiert l'épaisseur requise. Application : Fabrication de dispositifs semiconducteurs.
FR7910090A 1978-04-21 1979-04-20 Procede pour l'application d'une couche epitaxiale sur un substrat a partir d'une phase gazeuse Granted FR2423865A1 (fr)

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NLAANVRAGE7804268,A NL187414C (nl) 1978-04-21 1978-04-21 Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag.

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FR2423865B1 FR2423865B1 (fr) 1984-07-27

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NL187414C (nl) 1991-09-16
GB2019644B (en) 1982-09-29
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IT7921949A0 (it) 1979-04-18
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