FR2539914A1 - Procede de fabrication d'un diaphragme a semi-conducteur par attaque selective - Google Patents

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS. DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 11, ON REALISE UNE REGION FORTEMENT DOPEE 12A DANS LE POURTOUR DUDIT SUBSTRAT, DANS UN PLAN PRINCIPAL DE CE DERNIER, ET ON SOUMET A UNE ATTAQUE CHIMIQUE SELECTIVE LA PARTIE CENTRALE DU SUBSTRAT DANS LAQUELLE LADITE REGION FORTEMENT DOPEE N'EST PAS FORMEE, DE MANIERE A OBTENIR UNE REGION D'EPAISSEUR DIFFERENTE (RENFONCEMENT 22) DANS LAQUELLE UN DIAPHRAGME EN SILICIUM DOIT ETRE FORME ULTERIEUREMENT AVEC DES CONTOURS PRECIS. APPLICATION NOTAMMENT AUX CAPTEURS DE PRESSION A SEMI-CONDUCTEURS DU TYPE A DIAPHRAGME EN SILICIUM.

Description

La présente invention concerne un procédé de

fabrication d'un diaphragme à semiconducteurs et en par-

ticulier un procédé de réalisation d'un capteur de pres-

sion du type à diaphragme en silicium.

On peut espérer réaliser un capteur de pres- sion à semiconducteurs possédant des dimensions réduites et présentant un faible coût et des performances élevées par rapport à un capteur de pression mécanique utilisant un tube de Bourdon ou un soufflet Un capteur de pression du type à diaphraqme en silicium est un exemple typique d'un capteur de pression à semiconducteurs La structure du capteur de pression du type à diaphragme en silicium est décrite par exemple dans "Formation et sensibibité à

la pression d'un diaphragme dans des capteurs de pres-

sion en silicium fabriqués en série", IEDM Technical

Digest, Décembre 1978, pp 96-99.

Conformément à cette publication, il a été

envisagé de régler ou commander l'épaisseur du diaphra-

gme. Cependant, il est également très important

de réaliser de tels diaphragmes avec des dimensions uni-

formes et une taille uniforme, et jusqu'alors on n'a pas encore suffisamment admis l'importance qu'il y a

d'obtenir des diaphragmes possédant de telles dimen-

sions uniformes et une telle forme uniforme.

D'une manière gaénérale lors de la réalisa-

tion de tels diaphragmes, on utilise une technique de corrosion ou d'attaque chimique anisotrope C'est la raison pour laquelle l'épaisseur du diaphragme peut

être réalée aisément lorsque l'on utilise cette tech-

nique d'attaque chimique.

Par ailleurs, afin d'obtenir la production de contraintes uniformes dans quatre piézo-résistances diffusées, sous l'action de la pression appliquée à un diaphragme, il est souhaitable que le diaphragme soit

circulaire Cependant, lorsqu'un substrat en Si nossé-

dant un plan d'orientation cristallographique ( 100) est

soumis à une attaque sélective selon la technique d'at-

taque chimique anisotrope, il est difficile de réaliser un diaphragme totalement circulaire en raison de la fonction de la direction cristallographique, même si

l'on met en oeuvre une attaque chimique sélective uti-

lisant un masque possédant une ouverture circulaire, si bien que la structure du diaphragme possède une forme 1 G octogonale ou une forme polygonale similaire Dans le cas de cette forme polygonale, la distance du centre au pourtour du diaphragme est différenteau niveau des anales et des sommets de cette forme, ce qui signifie que la contrainte peut être irrégulière sur l'ensemble

de la surface du diaphragme, ce qui entraîne inévitable-

ment l'apparition de variations irrégulières dans les

piézo-r 6 sistances diffusées Il se pose donc le problè-

me selon lequel les dimensions et la forme du diaphra-

gme varient en fonction de la durée d'attaque chimique.

2 O Un but de la présente invention est de réa-

liser un renfoncement commandé ou réglé dans une partie

d'un substrat semiconducteur, par attaque chimique.

Un autre but de la présente invention est

deéfournir un capteur de pression à semiconducteurs pos-

sédant un diaphraame récrlé ou commandé -

Lorsque l'on doit aménager un renfoncement

par attaque chimique dans une partie d'un plan princi-

pal d'un substrat semiconducteur, conformément à la pré-

sente invention on forme une région fortement dopée dans la région périphérique du substrat semiconducteur, en dehors de la partie dans laquelle le renfoncement doit

être formé, et on soumet cette partie à une attaque chi-

mique de telle sorte que l'attaque chimique latérale ex-

cessive est limitée par la région fortement dopée C'est pourquoi il est possible-d'obtenir un renfoncement réglé

ou commandé, conformément à la présente invention.

D'autres caractéristiques et avantages de la

présente invention ressortiront de la description donnée

ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur les-

quels:

les fiaures 1 et 3 à 10 représentent-des cou-

pes illustrant des phases opératoires d'un processus de fabrication d'un capteur de pression, auquel la présente invention est appliquée;

les figures 2 et 11 sont des vues en perspec-

tive du procédé de fabrication du capteur de pression;

la figure 12 est un graphique montrant la re-

lation entre la concentration d'impuretésdans un substrat semiconducteur et la vitesse d'attaque chimique lors d'une attaque chimique anisotrone effectuée en utilisant des agents corrosifs alcalins; la figure 13 est une vue en plan du capteur

de pression à diaphragme, complet, conforme à la présen-

te invention, vu à partir du plan dans lequel des résis-

tances de contrôle sont formées;

la ficure 14 est une vue en coupe prise sui-

vant la ligne A-A' de la-figure 13; et la figure 15 est une vue en coupe montrant un substrat semiconducteur conforme à une autre forme

de réalisation de la présente invention.

Ci-après on va donner une description des

formes de réalisation préférées de l'invention.

On va décrire maintenant de façon détaillée

une forme de réalisation concrète de la présente inven-

tion en référence aux figures 1 à 11.

( 1) On prépare un substrat en silicium mono-

cristallin de type p (ou une pastille ou puce de Si) possédant une résistivité élevée, qui possède un plan cristallin ( 100) ou un plan cristallin voisin de ce dernier Comme cela est illustré sur les figures 1 et 2, l

on introduit de façon sélective des impuretés dans la fa-

ce inverse (ou le premier plan principal)du substrat en silicium 11 au moyen d'un dépôt ou d'une implantation ionique en utilisant un masque 10 Cette introduction d'impuretés est une phase opératoire extrêmement impor-

tante pour atteindre les objectifs de la présente inven-

tion, comme cela sera décrit ci-après On peut utiliser

des impuretés soit du type p, soit du type n Conformé-

ment à la présente forme de réalisation, on introduit

des impuretés possédant un coefficient de diffusion éle-

vé, comme par exemple des ions de bore (B) au moyen d'une implantation ionique dans la partie périphérique du substrat 11 autour d'une région lia (dans laquelle un renfoncement doit être formé) de manière à réaliser une région fortement dopée de type p 12 La partie,dans laquelle aucune impureté n'est introduite,est formée de manière à posséder par exemple une forme circulaire De façon plus spécifique, comme cela est représenté sur la

figure 2, cette partie peut être recouverte par le mas-

que circulaire 10 Il est préférable que l'énergie avec laquelle les ions de bore sont implantés soit comprise

entre-75 ke V et 125 ke V, et que la dose implantée soit-

comprise entre 1014 atomes/cm 2 et 1016 atomes/cm 2 Le masque 10 pourrait être une pellicule isolante telle

qu'une pellicule de Si O 2, ou bien il est possible d'uti-

liser une pellicule d'une résine photorésistante ou une

pellicule de nitrure de silicium En bref, il est suffi-

sant que le masque 10 soit constitué en un matériau qui

bloque l'introduction des impuretés dans le substrat.

( 2) Après élimination du masque 10, on for-

me des pellicules d'oxyde 10 A et 10 B sur les deux plans principaux du substrat On introduit de façon sélective des impuretés de type N, telles que des ions d'antimoine (Sb), dans la surface (le second plan principal) du

substrat voisin de la région 11 en utilisant la pellicu-

le d'oxyde de Si O 2 1 OA en tant aue masque, comme représen-

té sur la fiaure 3, de manière à former une région d'impu-

retés de type N 13 Lorsque le processus utilisé pour

l'introduction des impuretés de type N est une "prédéposi-

tion" ou un dépôt préalable, on peut déposer des impu- retés telles que du Sb 203 sur la surface de la pastille de Si en plaçant une source d'impuretéssolides de Sb 203 ainsi que la pastille en Si dans un tube de quartz, en utilisant du Ar et du 2 en tant que gaz porteurs, et en maintenant la température du four logeant le tube de

quartz à 9000 C Par ailleurs, si l'on utilise l'implanta-

tion ionique, la surface du substrat (c'est-à-dire le se-

cond plan principal), sur laquelle la réaion épitaxiale doit être formée, serait endommagée par des ions si ces derniers étaient implantés à une densité élevée au cours d'une seule opération C'est pourquoi on met en oeuvre l'implantation ionique avec une énergie d'implantation comprise entre 75 ke V et 125 ke V avec une dose de 1 1014

atomes/cm 2, et l'on répète à deux ou trois reprises cet-

te implantation ionique.

On forme une réaion isolante de type p 14 Se-

lon une dispositiôns 4 parée de la région de type N 13, mais entourant cette dernière La région de type N 13

et la région de type p 14, sont formées d'une manière in-

dépendante l'une de l'autre, l'ordre de ces formations n'étant pas limité d'une manière particulière La région isolante de type p 14 est très utile lorsque le capteur de pression et d'autres éléments de circuit doivent être

formé sur un seul substrat semiconducteur.

3 C ( 3) Afin de réaliser une diffusion pénétran-

te ou de redistribution, on effectue un traitement ther-

mique (à au moins 1000 'C) dans une atmosphère oxydante de

manière à réaliser une diffusion d'une concentration éle-

vée d'impuretés dans la partie périphérique ee la surface in-

verse du substrat, comme cela est représenté sur la ficu-

re 4, de manière à former une récion de type p+ 12 a pro-

fonde possédant une concentration en impuretés d'environ

1019 atomes/cm 2.

( 4) Après avoir éliminé les pellicules d'oxy-

de 10 A et 10 B, on forme une région de Si de type N 15 pos- sédant une faible concentration, et ce sur une épaisseur comprise entre 25 et 30 microns au-dessus de la surface supérieure du substrat, comme cela est représenté sur la figure 5, en utilisant une croissance épitaxiale Cette croissance épitaxiale transforme la région de type n+ 13

de la surface du substrat en une région ensevelie de ty-

+ pe N 13 a, et transforme la région de forme p 14 en une

région ensevelie de type p 14 a La croissance épitaxiale-

est effectuée de préférence par décomposition thermique du silane (Si H 4) à environ 11000 C. ( 5) Comme cela est représenté sur la figure 6, on fait diffuser de façon sélective des ions de bore

dans les parties de la surface de la région en Si de ty-

pe N 15 de manière à former des régions diffusées de ty-

pe'p 16 servant à réaliser des résistances de contrôle.

On va décrire ci-après un procédé approprié de formation

des régions diffusées de type p 16.

Tout d'abord, on forme une pellicule isolan-

te 100 sur la surface de la réaion en Si 15 Le -procédé de formation de la pellicule isolante 100 peut être une

oxydation thermique De façon spécifique on oxyde la sur-

-face de la réaion en Si 15 de telle sorte que la pellicu-

le oxydée 100 (c'est-à-dire une pellicule de Si O 2) se

trouve formée par chauffage du substrat en Si 11 sur le-

quel la région en Si 15 est formée dans une atmosphère de 02 humide à 1000 C pendant 110 minutes Ensuite, afin

de former de façon sélective quatre régions semiconduc-

trices destinées à former des résistances dans la région + de Si 15 audessus de la région ensevelie de type N, on élimine de façon sélective la pellicule d'oxyde 100 en

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utilisant une technique bien connue d'attaque chimique photosensible de manière à mettre à nu des parties de

la région en Si de type N 15 On introduit des impure-

tés de type P telles que des ions de bore (B) dans les surfaces à nu de la région en Si 15 en utilisant

le dépôt préalable ou l'implantation d'ions, de maniè-

re à former des régions diffusées de type p 16 avant une profondeur de 2 à 3 microns et une résistance de couche de 100 ohms par carré au moyen de la diffusion pénétrante ou de redistribution des impuretés de type

p dans la région en Si 15 Le dépôt préalable est ef-

fectué au moyen du dépôt du B 203 solide sur la surface

de la pastille en Si, en disposant une source d'impure-

tés solides de B 203 ainsi que la pastille en Si dans un tube en quartz, en maintenant le vide à l'intérieur du tube en quartz et en chauffant ce dernier à environ 9000 C Lorsqu'on utilise le procédé de dépôt préalable, après la diffusion pénétrante ou de redistribution, on élimine le verre au bore recouvrant les surfaces des régions diffusées 16 et la pellicule d'oxyde 100 Après cela, on forme une pellicule d'oxyde mince de 100 a sur les régions diffusées 16, par oxydation des surfaces à

nu de ces régions diffusées 16.

Par ailleurs, dans le cas de l'implantation ionique, on implante des ions de bore dans la pastille en Si avec une énergie d'implantation de 75 ke V et une

dose de 1 1013 atomes/cm 2 Afin d'empêcher tout endomma-

gement de la surface de la région en Si 15 par les ions pendant l'implantation ionique-, il est préférable que la pellicule d'oxyde 100 a soit formée avant l'implantation

ionique et que les ions de bore soient ensuite intro-

duits à traversla pellicule d'oxyde 100 a, dans la ré-

gion en Si 15 En outre, on forme la pellicule d'oxyde

mince ( 100, 100 a) au moyen d'une oxydation thermique.

( 6) Comme cela est représenté sur la fiaure 7, on forme des régions diffusées de type p 17 fortement dopées destinées à former des contacts, de telle sorte

que ces régions soient raccordées aux bornes des résis-

tances diffusées de-contrôle 16 En même temps que la formation des régions diffusées 17, on forme des régions diffusées de type p 18 de manière qu'elles viennent en contact avec la région isolante ensevelie de type p 14 a,

de manière à achever la formation de la région isolante.

( 7) Comme cela est représenté sur la figure

8, on forme des régions de type N 19 servant de disposi-

tifs d'arrêt de canal, de manière qu'elles enserrent cha-

cune des régions diffusées (les résistances de contrôle

ou les éléments piézo-résistifs) 16 Après cela, on sou-

met, la pellicule d'oxyde 100 à un traitement d'attaque chimique photosensible par contact et l'on forme des -âblage en 20 en effectuant une évaporation sous

vide d'aluminium (Al) et une attaque chimique de l'alumi-

nium La surface du substrat semiconducteur 11, sur la-

quelle le câblage en Al 20 est formé, est recouverte par une pellicule de uassivation (non représentée) formée par du nitrure à plasma ou du PSG (verre au silicate

de phosphore ou phosphosilicate) Cette pellicule de pas-

sivation possède de préférence une épaisseur d'environ

1,-2 micron et est formée de manière à empêcher la conta-

mination de la pellicule d'oxyde 100 par l'atmosphère environnante En particulier, on utilise le nitrure à

plasma étant donné qu'il possède la qualité d'une pel-

licule stable Cependant, on peut utiliser en tant que pellicule de passivation une pellicule stratifie, dans

laquelle une pellicule de PSG (d'une épaisseur d'envi-

ron 0,1 micron) et une pellicule de nitrure à plasma-

(d'une épaisseur d'environ 1,1 micron) sont formées

l'une au-dessus de l'autre.

( 8) Afin de réaliser le diaphragme, comme représenté sur les figures 9 et 11, on forme un masque

de résine photorésistante 24 au-dessus de la région de ty-

pe p 12 a dans la région périphérique de la surface inver-

se du substrat, et on soumet de façon sélective le substrat à une attaque chimique anisotrope en utilisant des agents corrosifsalcalins, tels que du KOH, de manière à former un renfoncement 22 dans la partie centralenon recouverte

par le masque Le chiffre de référence 21 désigne la pel-

licule de passivation.

En raison des caractéristiques de l'attaque

chimique anisotrope, la vitesse d'attaque chimique dif-

fère grandement en fonction des concentrations différen-

tes d'impuretés présentes dans le substrat semiconducteur.

De façon plus spécifique, comme cela est illustré sur la

figure 12, la vitesse d'attaque chimique (v) chute brus-

quement aux alentours de la concentration élevée en impu-

retés ( 1019 atomes/cm 3) Il en résulte que pendant cette phase opératoire d'attaque chimique, la partie centrale

du substrat, qui possède une faible concentration en impu-

retés, est soumise d'une manière subséquente et rapide à une attaque chimique suivant la direction des flèches, comme représenté par les lignes formées de tirets sur la figure 10, tandis que la région périphérique fortement

dopée 12 a est à peine soumise à une attaque chimique.

De façon plus spécifique, l'attaque chimique suivant la direction latérale du susbstrat est limitée en raison de la formation de la région diffusée 12 a Cela signifie qu'un renfoncement circulaire 22 est formé si le masque

utilisé lors de la formation sélective de la réQion dif-

fusée 12 a, possède une forme circulaire Lorsque l'atta-

que chimique atteint la région ensevelie de type N for-

tement dopée 13 a, la vitesse d'attaque chimique chute brusquement de sorte que l'on obtient une base plate pour le renfoncement, par suite du ralentissement de

l'attaque chimique On obtient par-conséquent un diaphra-

gme possédant une épaisseur comprise entre 25 et 30 mi-

crons (sensiblement égale à celle de la région épitaxiale).

La figure 13 est une vue en plan d'un capteur de pression à diaphragme, réalisé en utilisant le procédé

spécifique de la présente invention que l'on vient de dé-

crire Sur la figure 13, un cercle 22 b représenté par une ligne en trait plein indique la forme d'une région formée

d'une pellicule mince constituant le diaphragme, et un cer-

cle 22 a repéré par une ligne formée de tirets repère la forme (c'est-àdire la configuration du masque utilisé pour former de façon sélective la réaion fortement dopée

sur la face arrière du substrat) de l'ouverture du renfon-

cement Le chiffre de référence 30 désigne une pellicule de passivation, qui est constituée par l'un des matériaux spécifiés et qui recouvre l'ensemble du plan principal du substrat de telle manière que des bornes (ou des plots'de

connexion)23 sont dégagés Cette pellicule de passiva-

tion 30 peut être une pellicule de Si O 2 déposée selon le procédé de dépôt chimique en phase vapeur ou une résine

de polyimide.

Comme cela est représenté sur la figure 13, l'ensemble des régions diffusées de type p 16 destinéesà former des résistances de contrôle (R 1, R 2, R 3 et R 4) sont

disposées en quatre emplacements sur la surface de la ré-

gion formée d'une pellicule mince, parallèlement à la di-

rection de l'a>a< 110 > dans laquelle intervient l'effet piézo-résistif le plus intense, et des bornes respectives de ces résistances sont constituées par des régions de type p fortement dopées 17, avec lesquelles les câblages

en Al 20 viennent en contact Les câblages en Al 20 rac-

cordent les résistances de contrôle R 1, R 2, R 3 et R 4 de

manière à former un réseau en pont avec les bornes péri-

phériques 23 La figure 14 est une coupe prise suivant la ligne A-A' de la figure 13 Les régions de type N 19 agissant en tant que dispositifs d'arrêt de canal sur la figure 14 ne sont pas représentées sur la figure 13, mais 1 1 elles sont constituées chacune avec une forme annulaire de manière à enserrer les régions diffusées de type p 16 +

et les régions de type p 17.

Conformément à la présente invention que l'on vient de décrire en liaison avec cette forme de réalisa-

tion, il est possible d'obtenir les effets suivants.

( 1) On peut former un renfoncement présentant n'importe quelle forme, sans aucune limitation due à l'orientation cristalline du substrat semiconducteur, en réalisant une différence locale de la concentration

en impuretés dans le substrat semiconducteur, puis en réa-

lisant une attaque chimique sélective de la partie pos-

sédant la concentration la plus faible.

( 2) Lorsque le renfoncement est obtenu par

attaque chimique, l'attaque chimique latérale est limi-

tée par une région semiconductrice fortement dopée pos-

sédant une concentration en impuretéségale à au moins

1019 atomes/cm 3 Il en résulte que l'on réalise un ren-

foncement réglé ou commandé et que la forme du diaphra-

gme et en particulier ses dimensions ne sont pas modi-

fiées par la durée de l'attaque chimique.

( 3) Etant donné qu'il est facile de réaliser

un renfoncement circulaire dans un substrat semiconduc-

teur, il est possible de former un diaphragme en sili-

cium avec un renfoncement circulaire.

( 4) Des irrégularités dans les contraintes, dues à la forme périphérique du diaphragme peuvent être

supprimées grâce à l'adoption d'un diaphragme circulai-

re dans un capteur de pression à diaphragme de telle

sorte que les caractéristiques de température des résis-

tances de contrôle diffusées peuvent être améliorées.

On va décrire ci-après d'autres formes de

réalisation de la présente invention.

(El) Avant la mise en oeuvre de la phase opé-

ratoire ( 5) de la forme de réalisation précédente, on peut mettre en oeuvre la phase opératoire ( 6) Dans ce cas,

les régions diffusées 16 destinées à former les résis-

tances de contrôle sont influencées thermiquement par la formation des autres régions diffusées 17 et 18 En particulier les régions diffusées 16 doivent posséder des valeurs de résistance très précises, si bien que par conséquent, on forme les régions diffusées 16 de

* préférence après que l'ensemble des autres régions se-

miconductrices aient été formées.

(E 2) Afin de former un renfoncement (ou un dia-

phragme) encore mieux réglé ou commandé, il est possi-

ble d'introduire des impuretés de type p lors de la phase opératoire ( 1) de la précédente forme de réalisation dans

les deux plans principaux du substrat semiconducteur, com-

me cela est illustré sur la figure 15, de manière à former la région de type p 12 On réalise cette région de type p 12 de manière qu'elle possède la forme repérée-par des lignes formées de tirets, au moyen de la diffusion pénétrante ou de redistribution La région de type p 12

soumise à cette diffusion pénétrante ou de redistribu-

tion peut limiter une attaque chimique latérale Il en résulte qu'il est aisé de former un renfoncement (ou un

diaphragme) possédant une forme prédéterminée, indépen-

dante de toute variation de la durée d'attaque chimique.

(E 3) Conformément à la présente invention,

il est possible de réaliser un dispositif à circuits in-

técrés à semiconducteurs, dans lequel un capteur de pression et uncircuit périphérique (c'est-à-dire un circuit de compensation de température ou un circuit amplificateur) requis par le capteur de pression sont

incorporés dans un seul substrat semiconducteur Le cir-

cuit périphérique est constitué par au moins un transis-

tor (par exemple un transistor bipolaire ou un transis-

tor à effet de champ à grille isolée) Par exemple, on peut former un transistor du type bipolaire dans une région isolée de type N qui est enserrée par la région

isolante (la région de type p+ 18) de la figure 7.

(E 4) On a introduit des impuretés de type

N lors de la phase opératoire ( 2) de la préférence for-

me de réalisation de manière à former la région enseve- lie de type N 13 a (représentée sur la figure 5) Cette phase opératoire, c'est-à-disela formation de la région ensevelie de type n+ 13 a est importante pour le contrôle

ultérieur de l'épaisseur du diaphragme Cependant, cet-

te phase opératoire n'est pas essentielle lorsque ledia-

phraame est formé au moyen d'une attaque chimique aniso-

trope. Le capteur de pression réalisé au moyen du

procédé conforme à la présente invention peut être uti-

lisé pour un dispositif de mesure de pression pour un moteur d'automobile, un dispositif de mesure de la

pression d'huile, ou un sphygmomànomètre médical.

Le procédé conforme à la présente invention peut être appliqué non seulement à la formation d'un diaphragme d'un capteur de pression, mais également à tous les dispositifs à semiconducteurs dans lesquels un renfoncement local doit être formé-de façon précise

dans un substrat semiconducteur.

Claims (6)

REVENDICATIONS

1 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il inclut les

phases opératoires consistant à former une région for-

tement dopée ( 12 a) dans une partie d'un plan principal d'un substrat semiconducteur ( 11),et à soumettre à une attaque chimique sélective la partie dudit substrat, dans laquelle ladite réaion fortement dopée ( 12 a) n'est pas formée, de manière à réaliser une partie possédant

une épaisseur différente dans ledit substrat semicon-

ducteur. 2 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur ( 11) est un

substrat en silicium monocristallin dont le plan prin-

cipal est disposé dans ou au voisinage du plan ( 100)

du substrat.

3 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 2, caractérisé

en ce que la phase opératoire d'attaque chimique est ef-

fectuée au moyen d'une attaque chimique anisotrope uti-

lisant des aqents corrosifs alcalins.

4 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite réqion fortement dopée ( 12 a) possède une concentration en impuretés éaale à au moins 1019

atomes/cm 3.

Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans la surface de la partie dudit substrat semiconducteur ( 1) possédant une épaisseur différente,

se trouvent formées des résistances diffusées ( 16) des-

tinées à constituer des éléments piézo-résistifs.

6 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, utilisé pour constituer un capteur de

pression, caractérisé en ce qu'il inclut les phases opé-

ratoires consistant à préparer un substrat semiconduc-

teur monocristallin ( 11) comportant des premier et se-

cond plansprincipaux situés en vis-à-vis l'un de l'au-

tre, à former une région fortement dopée ( 12) en recou- vrant au moins une partie dudit premier plan principal par un masque ( 6) et introduire de façon sélective des impuretés dans la partie de cette région qui n'est pas

recouverte par ledit masque, à former une région semi-

conductrice épitaxiale ( 15) dans ledit second plan principal, à former des régions semiconductrice ( 16) destinées à former des résistances de contrôle, au moyen d'une introduction sélective d'impuretés dans le plan principal de la région semiconductrice épitaxiale ( 15)

dans ladite partiedans laquelle ladite région forte-

ment dopée ( 12 a) n'est pas formée, et à former un dia-

phragme par attaque chimique (en 22) de ladite partie dans laquelle ladite réaion fortement dopée ( 12 a) n'est

pas formée.

7 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur cristallin ( 11) est un substrat en silicium monocristallin dont le plan principal est disposé dans ou au voisinage du plan ( 100)

dudit substrat.

8 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 7, caractérisé en ce que la phase opératoire d'attaque chimique est

mise en oeuvre à l'aide d'une attaque chimique aniso-

trope utilisant des agents corrosifs alcalins.