FR2578065A1 - Procede d'amelioration d'image dans une matiere de reserve photographique positive par inversion d'image - Google Patents
Procede d'amelioration d'image dans une matiere de reserve photographique positive par inversion d'image Download PDFInfo
- Publication number
- FR2578065A1 FR2578065A1 FR8515400A FR8515400A FR2578065A1 FR 2578065 A1 FR2578065 A1 FR 2578065A1 FR 8515400 A FR8515400 A FR 8515400A FR 8515400 A FR8515400 A FR 8515400A FR 2578065 A1 FR2578065 A1 FR 2578065A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- exposure
- image
- substrate
- layer
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 208000037516 chromosome inversion disease Diseases 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 4
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 6
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- -1 ketene compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000023514 Barrett esophagus Diseases 0.000 description 1
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ethenone Chemical compound C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003389 potentiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE LES TECHNIQUES DE PHOTOLITHOGRAPHIE. UN PROCEDE D'INVERSION D'IMAGE DESTINE A FORMER UNE IMAGE NEGATIVE SUR UNE SURFACE EN UTILISANT UNE MATIERE DE RESERVE PHOTOGRAPHIQUE POSITIVE COMPREND NOTAMMENT LES OPERATIONS SUIVANTES: ON EXPOSE LA MATIERE DE RESERVE A UN RAYONNEMENT ACTINIQUE 3, A TRAVERS UN MASQUE, POUR FORMER UN ACIDE DANS LES PARTIES EXPOSEES; ON SOUMET ENSUITE LA MATIERE DE RESERVE A UN TRAITEMENT PAR UNE VAPEUR D'AMINE CHAUFFEE 4, QUI REND L'ACIDE INSOLUBLE DANS DES SOLUTIONS ALCALINES ET RELATIVEMENT INSENSIBLE A UNE EXPOSITION ULTERIEURE A LA LUMIERE; ON SOUMET TOUTE LA SURFACE A UNE EXPOSITION GENERALE 5; ET ON DEVELOPPE ENSUITE LA MATIERE DE RESERVE 6 POUR ENLEVER LES PARTIES EXPOSEES AU COURS DE L'EXPOSITION GENERALE. APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.
Description
Dans l'industrie des semiconducteurs, la fabrica-
tion de circuits intégrés utilise largement des processus faisant intervenir des matières de réserve photographique pour définir des images de circuit présélectionnées, de dimensions prédéterminées, sur une surface d'un substrat. On accomplit ceci par une technique de photolithographie,
dans laquelle on forme sur la surface d'une couche photo-
sensible un motif correspondant à la structure du cir-
cuit, au moyen d'un masque bonçu de façon appropriée. Une opération ultérieure de développement définit ensuite les
ouvertures désirées dans la matière de réserve photosen-
sible, de façon que les régions découvertes de la surface du substrat puissent subir un traitement, tandis que les
régions restantes sont protégées contre le traitement.
i5 Initialement, on utilisait de préférence des masques
d'images négatives et des matières de réserve photographi-
que négatives dans la fabrication de puces. Cependant, les
limitations inhérentes aux matières de réserve photogra-
phique négatives se sont avérées insurmontables. Ces défauts comprennent une résolution limitée, l'utilisation
fréquente d'une image négative, des masques à champ lumi-
neux et des solvants qui occasionnent des difficultés
liées à l'environnement et à la réglementation.
Les processus employant des matières de réserve photographique positives ont donc remplacé les processus négatifs, et ils utilisent des masques d'images positives ayant de façon générale des champs plus sombres, et des
matières de réserve photographique positives 'qui devien-
nent solubles dans des solutions de bases aqueuses lorsqu'elles sont exposées à la lumière. Les matières de
réserve photographique positives sont généralement consti-
tuées à partir de résinesde type "Novolaque" solubles dans
les alcalis, ou de substances semblables, qui ont été com-
binées avec des sensibilisateurs tels que le diazide
d'o-quinone et mises en suspension dans des solvants dispo-
nibles dans le commerce, tels que l'acétate d'éthyl-"Cello-
solve". L'absorption d'énergie lumineuse entre 300 nm et
450 nm entraîne une perte d'azote, ce qui forme un intermé-
diaire fortement réactif qui se réarrange en un composé consistant en cétène. Au bout d'une courte durée (dans la plage de quelques picosecondes), la cétène réagit avec
toute eau disponible pour former un acide indène-carboxyli-
que. Ce produit final désiré est soluble dans une base aqueuse, tandis que le diazide de quinone non exposé et n'ayant pas réagi est relativement insoluble. L'immersion dans un développateur alcalin fait disparaître les régions
exposées et crée l'image positive du masque.
Dans de nombreuses des matières de réserve photo-
graphique positives disponibles dans le commerce, la seule différence importante réside dans la nature des structures monomères ou polymères avec lesquelles le diazide d'o-quinone est combiné. Il est cependant important de noter que chacun des produits du commerce a fait l'objet de recherches appronfondies et a donné lieu à une documentation fournie, ce qui fait qu'on connaît bien des propriétés importantes telles que la durée de vie en stockage, la variation de la
vitesse de réaction en fonction de l'exposition à la lumiè-
re, la densité, la viscosité, etc. La définition de ces propriétés permet de répéter de façon précise et fidèle les
processus faisant appel à la matière de réserve photogra-
phique, ce qui est une exigence essentielle dans la fabri-
cation des circuits intégrés.
Un intérêt renouvelé s'est manifesté au cours des dernières années en faveur des processus utilisant des images négatives, pour surmonter les limitations des techniques de formation d'image et de traitement utilisant des matières de réserve photographique positives, et pour
améliorer l'adhérence, réduire les effets d'ondes station-
naires, améliorer le contraste de la matière de réserve et
la résolution résultante, augmenter les propriétés de pro-
tection contre l'implantation, etc. A titre d'exemple, le brevet des E.U. A. n 4 104 070 décrit un processus pour réaliser une image négative de matière de réserve positive,
basé sur une matière de réserve photographique positive.
Dans ce processus, la matière de réserve photographique positive décrite ci-dessus est modifiée par l'addition d'un
composé d'imidazole, tel que 1-hydroxyéthyl-2-alkylimidazo-
line. Le composé d'imidazole décarboxyle le produit de réaction et l'indène restant constitue un inhibiteur de dissolution qui est plus hydrophobe que la matière de
réserve d'origine. La région exposée devient donc insolu-
ble, et des opérations ultérieures d'exposition générale et
de développement enlèvent les régions non exposées à l'ori-
gine. Ce processus présente un inconvénient important qui consiste en ce que le composé d'imidazole est fortement instable. L'imidazole forme une suspension, plutôt qu'une
solution, avec la matière de réserve photographique posi-
tive, ce qui conduit à des difficultés pour maintenir une dispersion uniforme de l'imidazole dans toute la matière de réserve. De plus, l'imidazoline réagit chimiquement avec le
diazide de quinone, ce qui affecte les propriétés de photo-
sensibilité. La matière de réserve photographique positive devient ainsi difficile à manipuler et sa réactivité est moins prévisible. Ces limitations font que le processus
ne convient absolument pas pour un processus de fabrication.
L'invention consiste de façon générale en un pro-
cessus original pour former une image négative en utilisant
un masque correspondant à une image négative, et une matiè-
re de réserve photographique positive. Une caractéristique essentielle du processus consiste en ce qu'il utilise une opération originale d'inversion d'image après exposition
pour obtenir l'image négative, sans recourir à une modifi-
cation quelconque de la matière de réserve photographique positive. Le processus procure également une amélioration de l'image par la maîtrise de la configuration géométrique des parties de la matière de réserve photographique qui
définissent l'image.
Le procédé d'inversion d'image pour former une image négative sur une surface en utilisant une matière de
réserve photographique positive comprend une première opé-
ration consistant à former sur la surface un revêtement d'une matière de réserve photographique positive contenant un sensibilisateur, tel que le diazide d'o-quinone, qui
forme un acide sous l'effet de l'exposition à un rayonne-
ment actinique. On traite la matière de réserve pour former une couche uniforme par séchage, étuvage modéré ou d'autres techniques connues. On expose ensuite la couche
de matière de réserve photographique au moyen d'un rayonne-
ment actinique, à travers un masque ou une structure analo-
gue, pour former une image, et les parties exposées réagis-
sent en formant unacide, tel qu'un acide indène-carboxyli-
que, qui est soluble dans des solutions de bases aqueuses.
Une opération importante du processus consiste dans 201'exposition de la matière de réserve photographique à un traitement par une vapeur d'amine chauffée, qui neutralise l'acide dans le produit de réaction, comme par exemple par décarboxylation de l'acide indène-carboxylique. L'indène ou la substance analogue qui reste constitue un puissant inhibiteur de dissolution. Le traitement par une vapeur d'amine rend également les régions exposées à la lumière relativement insensibles à une exposition ultérieure à la lumière. Le traitement par une vapeur est suivi par une
exposition générale de toute la surface, pour rendre solu-
bleÉles parties de la matière de réserve photographique qui n'ont pas été exposées à l'origine, du fait qu'elles étaient protégées par le masque. On développe ensuite la matière de réserve photographique dans un développateur consistant en un alcali, pour enlever les parties soumises à l'exposition générale. Les régions restantes de matière de réserve photographique sont constituées par les parties exposées à travers le masque, en relief par rapport à la
surface, et elles définissent l'image négative de l'exposi-
tion d'origine à travers le masque. Ainsi, l'invention tire parti des avantages de la formation d'image par un masque à champ sombre, tout en utilisant également les propriétés de
façon générale supérieures des matières de réserve photo-
graphique positives.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de
la description qui va suivre d'un mode de réalisation et en
se référant aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est un schéma synoptique fonctionnel du processus de formation d'images photolithographiques négatives par l'utilisation de composés consistant en matières de réserve photographique positives; les figures 2-6 sont une série séquentielle de représentations en élévation d'un substrat, montrant divers stades dans le processus indiqué sur la figure i; la figure 7 est une représentation simplifiée d'une exposition de formation d'image à intensité élevée à travers une ouverture de masque étroite; la figure 8 est une représentation simplifiée d'une exposition de formation d'image à faible intensité à travers une ouverture de masque étroite;et la figure 9 est une représentation sous forme de
schéma synoptique de l'aptitude du processus de l'inven-
tion à définir le contraste et la configuration géométrique des pentes dans la région correspondant à l'image et dans les régions autres que celle de l'image, par des variations
des paramètres de traitement.
L'invention consiste de façon générale en un pro-
cessus d'inversion d'image destiné à créer des images néga-
tives sur la surface d'un substrat en utilisant des matiè-
res de réserve photographique à action positive, dans un processus de photolithographie. En se référant au schéma synoptique de la figure 1 et aux coupes séquentielles des figures 2-6, on note que l'opération préparatoire consiste à sélectionner un substrat 11 approprié, par exemple en dioxyde de silicium, en aluminium, ou autre, et à préparer sur celui-ci une surface 12 propre et de forme générale plane. Opération 1 L'opération 1 indiquée sur la figure 1 consiste
à appliquer sur la surface 12, par n'importe quel traite-
ment de revêtement connu dans l'art antérieur, une matière de réserve photographique positive du commerce, contenant un sensibilisateur qui forme un acide sous l'effet de l'exposition à un rayonnement actinique, comme le diazide d'o-quinone ou un équivalent. On peut citer pour de telles
matières, de façon non limitative, les marques commercia-
les telles que les matières de réserve photographique Shipley série 1300 ou 1400; Kodak, série 800; Hunt, série ; etc. Opération 2 L'opération 2 indiquée sur la figure 1 consiste
à former une couche 13 avec la matière de réserve photo-
graphique, par extraction du solvant de la matière de réserve photographique. On peut effectuer ceci par séchage à l'air à la température ambiante, ou par étuvage dans un
four à température modérée, à 90 C, pendant environ 30 minu-
tes, ou d'une manière analogue. L'épaisseur de la couche 13 peut être approximativement de 500 nm à 5 000'nm, ou plus
(figure 2).
Opération 3 L'opération 3 indiquée sur la figure 1 consiste à exposer la couche de matière de réserve photographique 13
à travers un masque 14, d'une manière classique, en utili-
sant un rayonnement actinique, comme par exemple, de façon non limitative, de la lumière ultraviolette dans la gamme de
à 500 nm (figure 3).
Opération 4 L'opération 4 de la figure 1 consiste à exposer la matière de réserve photographique 13 à une vapeur qui est une base chimique. La vapeur peut consister en une
amine et peut être obtenue à partir d'hydroxyde de tétra-
méthylammonium, de triéthanolamine, d'hydroxyde d'ammonium anhydre, ou d'une-substance analogue. On accomplit le
traitement pendant une durée suffisante et à une tempéra-
ture suffisante pour que la vapeur de base réagisse avec le produit de réaction acide dans les régions exposées 16 de la matière de réserve photographique et rende ces
régions insolubles et relativement insensibles à une expo-
sition ultérieure à la lumière. Ce traitement demande environ 0,6 à 200 minutes à une température de 10O C-200 C
(figure 4). La réaction d'exposition à la vapeur est favo-
risée par l'accroissement de la température et l'accrois-
sement de la pression. La pression peut aller d'une valeur voisine du vide jusqu'à une valeur supérieure à la
pression atmosphérique.
Opération 5
L'opération 5 représentée sur la figure 1 con-
siste à soumettre ensuite la totalité de la surface de la
couche de matière de réserve photographique 13 à une expo-
sition générale, en utilisant un rayonnement actinique
uniforme dans une plage étendue d'intensité d'exposition.
Toutes les régions 17 masquées précédemment sont exposées et elles réagissent à l'exposition en devenant solubles dans des solvants développateurs appropriés pour un
développement classique de la matière de réserve photogra-
phique (figure 5).
Opération 6
L'opération 6 représentée sur la figure i con-
siste à développer la couche de matière de réserve photo-
graphique de la manière classique pour une matière de réserve photographique positive, en utilisant des solutions
de développement classiques, après quoi on effectue un rin-
çage et un séchage. La structure résultante comprend les
parties 16 de la couche de matière de réserve photographi-
que 13 qui adhèrent à la surface 12 dans les régions dans
lesquelles on a effectué initialement l'exposition à tra-
vers le masque, tandis que les parties restantes 17 sont complètement dissoutes, et la surface 12 est à nu dans ces régions. Les parties 16 constituent ainsi le négatif de l'image définie par le masque 14, formé en relief sur la
surface du substrat.
Il faut noter qu'on peut accomplir l'opération d'exposition à une vapeur d'amine chauffée dans un four chauffé dans lequel on a fait le vide, tel que le modèle Star 2001/IR fabriqué par Imtec Products, Inc., Sunnyvale, Californie. On peut cependant utiliser également d'autres techniques de traitement, en travaillant à la pression normale ou à une pression plus élevée, en combinaison avec des températures appropriées, comme il est connu de
l'homme de l'art.
Un avantage important du processus décrit ci-dessus consiste en ce qu'on forme une image négative en utilisant une matière de réserve photographique positive non modifiée. Ainsi, dans les situations fréquentes dans lesquelles un masque définissant une image négative donne un champ plus sombre qu'un masque définissant une image positive, on peut utiliser le premier de ces masques pour contribuer à minimiser les réflexions et les diffractions
qui dégradent la-configuration géométrique et les dimen-
sions de l'image finale.
En outre, le processus de l'invention procure
une maîtrise irréalisable jusqu'à présent en ce qui concer-
ne le contraste, la configuration géométrique et la préci-
sion dimensionnelle et la résolution des éléments de l'ima-
ge. Ce progrès dans la technique de micro-photolithographie est dû au fait que l'intensité et l'énergie totale du rayonnement actinique projeté dans l'opération initiale d'exposition d'image sont directement liées à la définition de la partie supérieure des éléments de l'image, tandis que l'intensité et l'énergie totale du rayonnement actinique
utilisé dans l'opération d'exposition générale sont direc-
tement liées à la pente des parois latérales et à la lar-
geur de la base des éléments de l'image. On considérera à titre d'exemple la figure 7'sur laquelle une exposition d'image représentative est effectuée à travers une fente d'un micron dans un masque opaque 14, pour exposer la
matière de réserve photographique 17. Du fait de la proxi-
mité entre la longueur d'onde de la lumière d'exposition et la largeur de la fente, il apparait des effets de diffraction et des figures d'ondes stationnaires notables dans la partie de la matière de réserve photographique
qui se trouve au-dessous de l'ouverture 21. Pendant l'expo-
sition à la lumière de projection d'image, à des longueurs d'onde correspondant à la sensibilité des matières de réserve classiques, l'effet de diffraction principal étale la lumière entrante et irradie un sillon qui s'élargit à des profondeurs croissantes. En fait, les lobes latéraux 22
qui divergent latéralement à partir de la projection ver-
ticale de l'ouverture 21 sont exposés de façon notable, bien qu'ils ne soient pas exposés de façon aussi complète que la matière de réserve photographique contenue dans la
projection verticale de l'ouverture. La partie correspon-
dant à la projection verticale de l'ouverture'est de façon générale complètement exposée sur toute l'épaisseur de la
matière de réserve.
Le fait d'augmenter ou de diminuer l'exposition de projection d'image, par rapport à l'exposition nominale,
qui reproduit fidèlement la forme du masque, crée respecti-
vement des augmentations ou des diminutions de dimensions dans la partie supérieure de l'image 23. Si on diminue l'exposition par rapport-à la normale, la totalité de la largeur de la projection verticale de l'ouverture n'est pas irradiée complètement. Des énergies d'exposition de projection d'image peuvent irradier complètement une image jusqu'à la profondeur totale de la couche de matière de réserve, tandis que les parties de lobes latéraux 24 ne sont que partiellement exposées, comme représenté sur la
figure 8. De plus, des effets d'atténuation et de profon-
deur de focalisation produisent un gradient d'exposition négatif lorsque la profondeur augmente jusqu'à l'interface
entre la matière de réserve et la surface. Ainsi, l'inten-
sité et l'énergie totale de l'exposition initiale peuvent définir des volumes 22 ou 24 dans lesquels une exposition partielle a lieu. On peut en fait définir et maîtriser un
continuum de variation d'exposition au-dessous de l'ouver-
ture du masque.
Il est important de noter que dans les parties
partiellement exposées de la matière de réserve photogra-
phique, une partie du diazide de quinone ou d'un inhibiteur
similaire a réagi de façon à former un acide indène-
carboxylique ou un autre acide, tandis qu'une partie nota-
ble de l'inhibiteur n'a pas réagi. Le traitement d'inver-
sion par la vapeur fixera le produit de réaction, mais l'exposition générale ultérieure rendra alors soluble au moins une partie de l'inhibiteur restant. Il en résulte
que les parties 22 et 24 exposées de façon marginale peu-
vent soit être pratiquement dissoutes pendant le dévelop-
pement, soit demeurer pratiquement intactes, selon le niveau de l'énergie d'exposition générale qui est appliqué
à la matière de réserve photographique et selon la quanti-
té d'inhibiteur qui reste ensuite. L'efficacité du proces-
sus d'exposition générale, qu'on peut maîtriser aisément, en interaction avec le continuum de variation d'exposition dans la matière de réserve, permet d'enlever ou de retenir de façon sélective et précise pratiquement n'importe quelle
partie des régions exposées. L'opération d'exposition géné-
rale détermine donc l'angle, le profil et la pente des parois de l'image ainsi que les dimensions de base de l'image. En fait, en définissant avec soin les paramètres du processus, comprenant la température du traitement d'inversion par la vapeur, la concentration, la pression
et la durée d'application de la vapeur, ainsi que l'éner-
gie d'exposition générale, on peut déterminer si les par-
ties 22 ou 24 restent dans l'image développée, en étant conservées entièrement ou partiellement. Ces parties définissent de façon générale non seulement les parois
latérales en pente et les parties extérieures inférieures -
(la base) des éléments de l'image, mais également les parties de bords de la surface supérieure des éléments de l'image. Ces caractéristiques physiques sont directement liées au contraste de l'image et on les commande par les
conditions d'étuvage et d'exposition initiale, les condi-
tions d'exposition à la vapeur, l'exposition générale et
le développement. Du fait qu'on peut définir de façon pré-
cise et reproductible ces paramètres du processus, le pro-
cessus de l'invention procure des images améliorées dans lesquelles on peut adapter précisément la configuration
géométrique des éléments d'image à l'utilisation spécifi-
que dans la fabrication de circuits intégrés. A titre
d'exemple, une ouverture d'image d'un micron dans un mas-
que peut être reproduite avec une configuration géométrique légèrement rétrécie, donnant une largeur de ligne d'image
de 0,5 micron ou moins. Cet effet constitue une améliora-
tion d'image notable.
La figure 9 représente sous une forme très sim-
plifiée la détermination de ces propriétés géométriques par des variations dans le processus de l'invention. Lorsque l'exposition d'image plus intense (figure 7), indiquée en A sur la figure 9, est suivie par une exposition générale relativement intense, indiquée en D, les parties latérales 22 sont pratiquement éliminées, et la projection verticale entièrement exposée donne un profil d'élément d'image 27 ayant une surface supérieure plane avec des bords bien définis et des parois latérales qui sont de façon générale verticales. En fait, les parois latérales peuvent converger vers l'intérieur lorsque l'exposition- générale augmente. Si l'exposition d'image intense, indiquée en A, est suivie par une exposition générale relativement faible, indiquée en F,
le profil d'élément d'image 29 résultant conserve la surfa-
ce supérieure plane et une bonne définition des bords, avec
des parois latérales inclinées vers l'extérieur, en direc-
tion d'une base notablement élargie.
Lorsqu'une exposition d'image faible (figure 8),
indiquée en C sur la figure 9, est suivie par une exposi-
tion générale intense, indiquée en D, le profil d'élément
d'image 26 résultant est défini par un enlèvement considé-
rable des parties 24. La structure 26 comprend ainsi une
partie supérieure étroite et plane et une partie de base.
Une exposition d'image faible, indiquée en C, suivie par une exposition générale faible, indiquée en F, donne un profil 28 de la structure finale dans lequel les parties
24 sont pratiquement intactes. L'élément d'image 28 co.m-
prend une étendue supérieure étroite et une partie de base
avec des flancs inclinés.
Il faut noter que les représentations simplifiées de la figure 9 constituent des cas extrêmes, et qu'on dispose d'un continuum de variation dans les traitements d'exposition. En outre, on dispose de cette maîtrise fine de l'image finale sans déformation systématique sur toute la plage de dimensions courante dans la fabrication des circuits intégrés, depuis moins d'un micron jusqu'à plus de 10 microns. Il faut comparer les cas extrêmes à une
exposition d'image nominale, indiquée en B, et à une expo-
sition générale nominale, indiquée en E, qui donnent un profil d'élément d'image 30 ayant des parois latérales
verticales, une surface supérieure qui est de façon géné-
rale horizontale, et une bonne définition des bords supé-
rieurs. Les dimensions de cet élément d'image reproduisent la dimension de l'élément correspondant du masque.
Exemple
On a formé une couche d'oxyde thermique de 500 nm d'épaisseur sur un substrat de silicium, par des techniques connues dans l'art antérieur. On a revêtu la surface d'oxyde avec une matière de réserve photographique
positive (Shipley 1470), en utilisant un appareil de revê-
tement par centrifugation de marque MTI, pour former une couche de 1000 nm d'épaisseur. On a ensuite soumis le substrat à un étuvage modéré dans un four à convection, à
90OC pendant 30 minutes.
On a ensuite soumis le substrat à une exposition de formation d'image dans un dispositif d'exposition du type TRE-800, en utilisant un masque portant un motif de test ayant des éléments d'image de 0,75-100 microns. On a ensuite soumis le substrat revêtu de matière de réserve exposée à un traitement par une vapeur d'amine chauffée,
produite par l'une des substances indiquées dans l'Opéra-
tion 4 ci-dessus, dans un four à vide chauffé (Star 2001/IR). On a effectué l'exposition à la vapeur à 90 C pendant 105 minutes. On a ensuite exposé le substrat à
une exposition générale de lumière ultraviolette d'envi-
ron 500 mJ/cm2, en utilisant une source de rayonnement ultraviolet à large bande. On a ensuite développé le substrat dans une solution aqueuse d'un alcali (Shipley MF-314) et on l'a rincé dans un dispositif à pulvérisation/ circulation de marque MTI. On a ensuite achevé le processus
par un étuvage classique à température élevée.
On peut noter qu'après la mise en place du
substrat dans le four Star 2001/IR, et avant le commence-
ment de l'exposition à la vapeur, on peut programmer le four pour effectuer un étuvage sous vide de la couche de matière de réserve, et obtenir les avantages connus de
l'étuvage après exposition.
Après ce traitement, toutes les ligies et tous les espaces de 2 microns présentaient une résolution parfaite. De plus, toutes les lignes d'image jusqu'à 0,8 micron et les espaces jusqu'à 0,7 micron présentaient une résolution nette. On peut ainsi voir que le processus de l'invention procure les avantages suivants: 1) De meilleures possibilités de résolution du matériel existant, qui avant l'invention étaient limitées
à 1,25 micron dans les meilleures conditions de focalisa-
tion dans l'exemple considéré; 2) L'aptitude à produire une image exempte de déformation systématique sur toute l'étendue de la plage de microphotolithographie, depuis 10 microns jusqu'à des éléments d'image inférieurs au micron;
3) Une réduction de l'effet d'ondes stationnai-
res sur les images; 4) L'aptitude à bénéficier des avantages de masques de polarité inverse, ces avantages comprenant, de
façon non limitative, une meilleure maîtrise des dimen-
sions critiques du fait de la réduction des réflexions non contrôlées à partir de surfaces sous-jacentes, la
possibilité d'utilisation pour un traitement de décolle-
ment d'une couche formée par dépôt chimique en phase vapeur, par dépôt physique en phase vapeur, par placage, ou d'une manière similaire, une plus grande aptitude à détecter des marques d'alignement sous-jacentes, etc; 5) L'aptitude à maîtriser la définition d'élé-
ments d'image par la maîtrise de la taille, de la forme et de la pente des éléments d'image; 6) L'aptitude à produire une image améliorée par
une amélioration du contraste.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention,
Claims (15)
1. Procédé de formation d'une image de matière de réserve photographique négative sur un substrat (11),
caractérisé en ce qu'il comprend essentiellement les opéra-
tions suivantes:
on applique (1, 2) sur le substrat (11) une cou-
che de matière de réserve photographique positive (13),
contenant un sensibilisateur qui forme un produit de réac-
tion acide sous l'effet de l'exposition à un rayonnement actinique; on soumet la couche de matière de réserve photographique (13) à une exposition de formation d'image (3), avec un rayonnement actinique; on expose (4) le
substrat (11) à une matière contenant une base, qui neu-
tralise l'acide du produit de réaction et rend les régions
exposées de la matière de réserve photographique relative-
ment insolubles dans des solutions alcalines aqueuses et relativement insensibles à une exposition ultérieure à un rayonnement actinique; on soumet la couche de matière de réserve photographique à une exposition générale (5) avec un rayonnement actinique, pour exposer toutes les régions qui n'ont pas été initialement exposées ou entièrement
exposées au cours de l'exposition d'image; et on dévelop-
pe (6) l'image avec un développateur consistant en un alcali, pour de façon générale conserver les régions exposées à l'image et enlever les régions de la matière de
réserve photographique soumises à l'exposition générale.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'opération d'exposition du substrat à une matière contenant une base (4) comprend l'exposition du
substrat à une vapeur contenant une base.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la vapeur contenant une base consiste en une
vapeur d'amine.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on effectue l'exposition à la vapeur d'amine (4)
dans une plage de température d'environ 10 C à 200 C.
5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on effectue l'exposition à une vapeur d'amine (4) pendant une durée d'environ 0,6 minute à 200 minutes et à une pression égale, supérieure ou inférieure à la pression atmosphérique.
6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'intensité de l'exposition générale (5) est
d'environ 10-20 000 mJ/cm2 à la longueur d'onde de sensi-
bilité maximale.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'une intensité accrue de l'exposition générale
(5) procure de façon générale un accroissement de la mai-
trise de la pente, de la maîtrise du profil et de la sélec-
tivité de l'angle de paroi pour l'image.
8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'une intensité accrue de l'exposition générale
(5) procure de façon générale un accroissement de la défi-
nition géométrique des parties inférieures de l'image,
adjacentes au substrat (11).
9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé
en ce que la plage d'intensité de l'exposition de forma-
tion d'image (3) est d'environ 10 à 3 000 mJ/cm2 à la lon-
gueur d'onde de sensibilité maximale de la matière de réserve.
10. Procédé selon la revendication 9, caractéri-
sé en ce qu'une intensité accrue de l'exposition de forma-
tion d'image (3) procure de façon générale un accroisse-
ment des dimensions géométriques et de la définition de la partie supérieure de l'image dans la matière de réserve photographique.
11. Procédé selon la revendication 1, caractéri-
sé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à effectuer un étuvage après exposition de la matière de réserve photographique, après l'exposition de formation d'image (3) et avant l'opération d'exposition à une matière
contenant une base (4).
12. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'une intensité réduite de l'exposition générale (5) procure de façon générale une partie de base plus large et
des parois latérales en pente pour les éléments d'image.
13. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'une intensité réduite de l'exposition de formation
d'image (3) procure de façon générale de plus petites par-
ties supérieures des éléments de l'image.
14. Procédé de formation d'une image négative de matière de réserve photographique sur un substrat (11), en utilisant une matière de réserve photographique positive
non modifiée, caractérisé en ce qu'il comprend essentiel-
lement les opérations suivantes: on applique (1, 2) sur
le substrat (11) une couche de matière de réserve photo-
graphique positive (13), qui comprend un sensibilisateur consistant en diazide d'o-quinone, ou un sensibilisateur de matière de réserve équivalent; on soumet la couche de matière de réserve photographique (13) à une exposition de formation d'image (3), avec un rayonnement actinique,
pour décomposer le diazide d'o-quinone exposé et pour for-
mer un acide indène-carboxylique ou un équivalent; on
expose (4) le substrat à une vapeur d'amine pour décarbo-
xyler l'acide indène-carboxylique et pour rendre les régions de matière de réserve exposées partiellement
insolubles dans des solutions alcalines aqueuses, et par-
tiellement insensibles à une exposition ultérieure à un.
rayonnement actinique; on soumet la couche de matière de réserve photographique à une exposition générale (5) avec un rayonnement actinique, pour exposer toutes les régions qui, initialement, n'ont pas été exposées ou entièrement
exposées au cours de l'exposition d'image; et on déve-
loppe (6) l'image avec un développateur consistant en un alcali, pour conserver les régions exposées totalement ou partiellement dans l'exposition d'image, et pour enlever
les régions de la matière de réserve photographique soumi-
ses à l'exposition générale.
15. Procédé d'amélioration d'une image formée
dans une couche de matière de réserve photographique posi-
tive (13) contenant un sensibilisateur qui forme un pre-
mier produit de réaction sous l'effet de l'exposition à un rayonnement actinique, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: on soumet la couche de matière
de réserve photographique (13) à une exposition de forma-
tion d'image (3), avec un rayonnement actinique, pour former dans cette couche un gradient de concentration du premier produit de réaction qui correspond au gradient d'exposition continu de l'exposition de formation d'image
(3); on soumet la couche de matière de réserve photogra-
phique (13) à un traitement d'inversion (4) en exposant cette couche de matière de réserve photographique à une substance qui réagit avec le premier produit de réaction
pour former un second produit de réaction ayant une solu-
bilité notablement différente, ce second produit de réac-
tion présentant un gradient de concentration dans toute la
couche; on soumet la couche de matière de réserve photo-
graphique à une exposition générale (5) avec un rayonne-
ment actinique, pour exposer pratiquement la totalité du sensibilisateur restant n'ayant pas réagi ou ayant réagi partiellement; on développe (6) l'image en dissolvant et en enlevant le premier produit de réaction et en conservant
le second produit de réaction, l'image finale étant cons-
tituée par des régions dans la couche de matière de réser-
ve photographique dans lesquelles le gradient de concen-
tration du second produit de réaction est relativement
élevé; et on améliore l'image en agissant sur les condi-
tions des opérations d'exposition de formation d'image
(3), de traitement d'inversion (4) et d'exposition généra-
le (5), pour déterminer le gradient de concentration du second produit de réaction dans toute la couche de matière
de réserve photographique.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US70646485A | 1985-02-27 | 1985-02-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2578065A1 true FR2578065A1 (fr) | 1986-08-29 |
Family
ID=24837690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8515400A Withdrawn FR2578065A1 (fr) | 1985-02-27 | 1985-10-17 | Procede d'amelioration d'image dans une matiere de reserve photographique positive par inversion d'image |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61200537A (fr) |
| DE (1) | DE3541451A1 (fr) |
| FR (1) | FR2578065A1 (fr) |
| GB (1) | GB2171530B (fr) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA872295B (fr) * | 1986-03-13 | 1987-09-22 | ||
| JPS63165845A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JP2603935B2 (ja) * | 1987-03-04 | 1997-04-23 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
| JP2598059B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1997-04-09 | ホーセル グラフィック インダストリーズ リミッティッド | 露光式石版の製造方法 |
| AU610064B2 (en) * | 1987-03-27 | 1991-05-16 | Horsell Graphic Industries Limited | Processing of exposed lithographic printing plates |
| DE68927989T2 (de) * | 1988-08-09 | 1997-09-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Bilderzeugungsverfahren |
| US5407786A (en) * | 1988-08-09 | 1995-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a mask on a semiconductor substrate via photosensitive resin deposition, ammonia treatment and selective silylation |
| JPH0299960A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| CA2001852A1 (fr) * | 1988-11-01 | 1990-05-01 | Iwao Numakura | Methode et appareil de fabrication de masques de resine photosensible negative |
| US4985374A (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Making a semiconductor device with ammonia treatment of photoresist |
| IT1231108B (it) * | 1989-08-10 | 1991-11-18 | Sgs Thomson Microelectronics | Procedimento litografico ad alta risoluzione per la produzione di circuiti integrati monolitici. |
| DE3940911A1 (de) * | 1989-12-12 | 1991-06-13 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung negativer kopien |
| DE4004719A1 (de) * | 1990-02-15 | 1991-08-22 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen |
| EP0487794A1 (fr) * | 1990-11-27 | 1992-06-03 | Sony Corporation | Procédé pour la préparation de patrons de photoréserve |
| GB2305517B (en) * | 1995-08-23 | 1999-07-28 | Kodak Ltd | Improvements in imaging systems |
| KR100569542B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2006-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 기체 상태의 아민 처리공정을 이용한 포토레지스트 패턴형성방법 |
| US8582079B2 (en) | 2007-08-14 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Using phase difference of interference lithography for resolution enhancement |
| US20090117491A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-05-07 | Applied Materials, Inc. | Resolution enhancement techniques combining interference-assisted lithography with other photolithography techniques |
| JP5107329B2 (ja) * | 2009-10-14 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法 |
| CN106707691B (zh) * | 2015-07-15 | 2018-10-16 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 曝光装置及方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1003857A (en) * | 1961-07-28 | 1965-09-08 | Kalle Ag | Production of reversed images from light sensitive material containing diazo compounds |
| GB1492620A (en) * | 1974-02-01 | 1977-11-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ortho-quinonediazide light-sensitive copying material |
| EP0038967A1 (fr) * | 1980-04-30 | 1981-11-04 | International Business Machines Corporation | Procédé pour la production d'une image résistive texturée |
| EP0100938A2 (fr) * | 1982-07-21 | 1984-02-22 | Toray Industries, Inc. | Traitement d'une plaque laminée formatrice d'image |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1224147B (de) * | 1963-08-23 | 1966-09-01 | Kalle Ag | Verfahren zur Umkehrentwicklung von Diazo-verbindungen enthaltenden Kopierschichten |
| FR2274072A1 (fr) * | 1974-06-06 | 1976-01-02 | Ibm | Procede de formation d'images en materiau photoresistant, applicable notamment dans l'industrie des semi-conducteurs |
| DE2529054C2 (de) * | 1975-06-30 | 1982-04-29 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes |
| JPS5636648A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive material and pattern forming method using it |
| JPS5723937A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photographic etching method |
| DE3151078A1 (de) * | 1981-12-23 | 1983-07-28 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von reliefbildern |
| IT1169682B (it) * | 1983-11-08 | 1987-06-03 | I M G Ind Materiali Grafici Sp | Composizione per fotoriproduzioni |
-
1985
- 1985-07-23 GB GB8518585A patent/GB2171530B/en not_active Expired
- 1985-09-17 JP JP60205182A patent/JPS61200537A/ja active Pending
- 1985-10-17 FR FR8515400A patent/FR2578065A1/fr not_active Withdrawn
- 1985-11-23 DE DE19853541451 patent/DE3541451A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1003857A (en) * | 1961-07-28 | 1965-09-08 | Kalle Ag | Production of reversed images from light sensitive material containing diazo compounds |
| GB1492620A (en) * | 1974-02-01 | 1977-11-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ortho-quinonediazide light-sensitive copying material |
| EP0038967A1 (fr) * | 1980-04-30 | 1981-11-04 | International Business Machines Corporation | Procédé pour la production d'une image résistive texturée |
| EP0100938A2 (fr) * | 1982-07-21 | 1984-02-22 | Toray Industries, Inc. | Traitement d'une plaque laminée formatrice d'image |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61200537A (ja) | 1986-09-05 |
| GB8518585D0 (en) | 1985-08-29 |
| GB2171530B (en) | 1989-06-28 |
| GB2171530A (en) | 1986-08-28 |
| DE3541451A1 (de) | 1986-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8895234B2 (en) | Immersion lithography watermark reduction | |
| US20240295817A1 (en) | Photolithography method based on bilayer photoresist | |
| US10606176B2 (en) | Method for patterning a substrate using extreme ultraviolet lithography | |
| CN102486618A (zh) | 无抗水表面涂层的浸没式光刻胶的显影方法 | |
| GB2171530A (en) | Method for image enhancement in positive photoresist by vapor diffusion image reversal | |
| KR20020019978A (ko) | 개선된 레지스트 제거를 위한 재작업 동안의 노광 | |
| EP0248779A1 (fr) | Procédé de formation de motifs positifs dans une couche de photorésist | |
| KR20070007113A (ko) | 이미지의 직접 기록 중 포토레지스트의 안정성을 연장하기위한 방법 | |
| US6872513B2 (en) | Photoresist edge correction | |
| US9086631B2 (en) | EUV resist sensitivity reduction | |
| US20010041456A1 (en) | Semiconductor device production method | |
| US6806005B2 (en) | Method and apparatus for forming resist pattern | |
| JPH07335519A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPH09246166A (ja) | フォトレジストの現像方法 | |
| US6896997B2 (en) | Method for forming resist pattern | |
| US20070059927A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process | |
| JP2617923B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| CN100461004C (zh) | 浸润式光刻的方法及其处理方法 | |
| JPS58132926A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2004294304A (ja) | レジストパターン評価対象取得方法及び反射防止膜評価対象取得方法及びレジストパターン評価対象取得システム | |
| Shimoaoki et al. | Mechanisms of defect generation in chemically amplified resist processes | |
| JPH08305036A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH06112119A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH07120922A (ja) | フォトレジスト膜及びレジストパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |