FR2602332A1 - Structure protectrice pour pyrometre a immersion dans un metal en fusion - Google Patents

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Abstract

A.STRUCTURE PROTECTRICE POUR PYROMETRE A IMMERSION DANS UN METAL EN FUSION. B.CARACTERISEE EN UNE GAINE 11 DESTINEE A ENFERMER UN ELEMENT SENSIBLE A LA TEMPERATURE, CETTE GAINE ETANT CONSTITUEE PAR UN TUBE 12 DE METAL A EXTREMITE FERMEE; UN ELEMENT DE DETECTION DE TEMPERATURE PLACE A L'INTERIEUR DE LA GAINE AU VOISINAGE DE L'EXTREMITE 13 FERMEE DE CELUI-CI ET UN BOITIER 2 MUNI D'UNE SURFACE EXTERIEURE 6 DESTINEE A VENIR EN CONTACT AVEC L'AGENT FONDU A HAUTE TEMPERATURE, ET UNE CAVITE INTERIEURE 3 DESTINEE A MAINTENIR LA GAINE, LE BOITIER ETANT CONSTITUE D'UN OXYDE METALLIQUE REFRACTAIRE ET DE GRAPHITE, POUR ASSURER UNE BONNE CONDUCTIBILITE THERMIQUE ENTRE LA SURFACE EXTERIEURE DU BOITIER ET LA SURFACE INTERIEURE DE LA CAVITE. C.L'INVENTION CONCERNE LES STRUCTURES PROTECTRICES POUR PYROMETRES A IMMERSION DANS UN METAL EN FUSION.

Description

260233?
ie. "Structure protectrice pour pyromètre à immersion dans un
métal en fusion".
________________L'invention concerne les pyromètres à immer5 sion et plus particulièrement les structures destinées à protéger les éléments de détection de température dans les pyromètres utilisés pour mesurer les températures de métaux
en fusion.
Beaucoup de procédés industriels et scientifi10 ques exigent de mesurer et de contrôler des températures extrêmement élevées. Par exemple, les mesures de température de métaux en fusion sont essentielles pour obtenir un contr8le convenable des procédés mis en oeuvre dans l'industrie de traitement des métaux. Deux des instruments les plus courants utilisés pour déterminer la température des métaux en fusion, sont le pyromètre optique et le thermocouple à sonde jetable. Cependant, chacun de ces dispositifs présente ses propres inconvénients. Le pyromètre optique n'est pas aussi précis que cela serait souhaitable, 20 et ne peut mesurer que la température de surface du métal en fusion. Le thermocouple à sonde jetable n'est pas précis, ne permet pas d'effectuer des mesures continues de la température du métal en fusion, et son utilisation pose un certain nombre de problèmes de sécurité pour les personnes 25 qui l'utilisent, 2. Par suite des inconvénients du pyromètre optique et du thermocouple à sonde jetable, des efforts considérables ont été faits pour développer un pyromètre à immersion permettant d'effectuer une lecture continue à long terme. Dans un type de pyromètre à immersion, une jonction de thermocouple est enfermée dans un tube de métal à température de fusion très élevée, ce métal étant recouvert d'une céramique, telle que du A1203 ou un mélange de A1203 et de Cr203, cette céramique protégeant le tube 10 métallique contre l'environnement du métal en fusion. Cependant, en cours d'utilisation, la couche ou les couches de céramique tendent à éclater en morceaux, ce qui permet au métal en fusion de venir en contact avec le substrat méta llique pour attaquer celui-ci. Le tube métallique inté15 rieur ne peut supporter l'attaque par le laitier et/ou le métal en fusion, de sorte que le tube métallique intérieur et l'élément de détection enfermé à l'intérieur de celuici, sont rapidement détruits. L'élément de détection, généralement constitué par un thermocouple en métal noble, est 20 très cher et il est donc souhaitable qu'on puisse le réutiliser de nombreuses fois. Cependant, les structures qui ont été conçues pour protéger les thermocouples, ont conduit à une réponse thermique très lente, ce qui les rend pratiquement inutilisables pour beaucoup d'applications. 25 La demande de brevet U.S.A. de nO de série 775 183 déposée le 12 Septembre 1985 sous le tire PYROTERE A I13ICRSICN, décrit une gainede protection pour thermocouple, capable de supporter de violents chocs thermiques
et présente une bonne résistance à la corrosion et à l'éro30 sion par les métaux en fusion. Bien que cette gaine présente une durée de vie relativement longue, il reste souhaitable d'augmenter encore cette durée de vie.
L'invention a donc pour but de créer un dispositif de protection dtun thermocouple pour un usage in35 termittent ou continu pendant des périodes de temps prolongées 3.
dans un environnement de métal en fusion.
L'invention a également pour but de créer un appareil de détection de la température de métaux en fusion, dans lequel des bottiers protecteurs séparables in5 térieur et extérieur, sont utilisés pour l'élément de détection de température.
L'invention a encore pour but de créer un appareil de détection de température qui combine un certain nombre de couches protectrices en présentant la caractéris10 tique d'une bonne réponse thermique.
L'invention a encore pour but de créer un appareil de détection de température qui suive rapidement et avec précision, les variations de température de bains
de métaux en fusion.
A cet effet, l'invention concerne un appareil de détection de température, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison: a) une gaine destinée à enfermer un élément sensible à la température, cette gaine étant constituée par un tube de 20 métal à extrémité fermée, b) un élément de détection de température placé à l'intérieur de la gaine au voisinage de l'extrémité fermée de celui-ci, c) un bottier muni d'une surface extérieure destinée à ve25 nir en contact avec l'agent fondu à haute température, et une cavité intérieure destinée à maintenir la gaine, cette cavité intérieure comportant une surface intérieure, une ouverture extérieure et une extrémité intérieure
fermée, le bottier étant constitué d'un oxyde métalli30 que réfractaire et de graphite, et ce graphite étant présent en concentration suffisamment élevée pour assurer une bonne conductibilité thermique entre la surface extérieure du bottier et la surface intérieure de la cavité.
Selon une caractéristique de l'invention, 4. l'extrémité fermée de la gaine est en contact intime avec une partie de la surface intérieure de la cavité, et en ce que le reste du tube métallique réfractaire est espacé de
la surface intérieure de la cavité, l'espace compris entre 5 cette gaine intérieure et la surface intérieure de la cavité étant complètement rempli d'un oxyde métallique réfractaire.
Selon une autre caractéristique de l'invention, l'oxyde métallique réfractaire est de l'alumine. 10 Selon encore une autre caractéristique de l'invention, la cavité et la gaine présentent des sections transversales circulaires, la cavité présentant une surface de section plus petite à son extrémité intérieure fermée qu'à son ouverture extérieure, et la surface de section 15 de l'extrémité intérieure fermée étant approximativement égale à la surface de section au voisinage de l'extrémité
fermée de la gaine.
Enfin, selon une autre caractéristique de l'invention, le tube de métal est constitué par un métal 20 choisi dans le groupe comprenant les aciers au carbone et
les alliages de nickel-chrome.
L'appareil de détection de température décrit ici combine une durée de vie mécanique convenable à une bonne résistance à la corrosion et à l'érosion en présence 25 de laitier et/ou de métaux liquides, ainsi qu'une réponse thermique rapide. Par exemple, une durée de vie de plus de 100 heures dans le métal en fusion peut être obtenue avec une constante temps de huit minutes pour passer de la température ambiante à une température de 1565 C. De plus, 30 ces propriétés sont obtenues à un coût relativement bas, car, bien que l'élément de détection lui-même puisse être cher en particulier si l'on utilise un élément de thermocouple en métal noble, le bottier extérieur protège le tube de métal de la corrosion dans un environnement à tempéra35 ture élevée. Comme avantage supplémentaire, au cas o le 5. bo tier extérieur n'est pas suffisant, la gaine intérieure assure la protection, sur une longue période de temps, de l'élément de détection de température placé à l'intérieur
de celle-ci.
Le bottier extérieur peut être monté dans un creuset ou tout autre récipient destiné à recevoir du métal en fusion, et la gaine intérieure contenant l'élément de détection de température peut s'introduire et se retirer du bottier extérieur selon les besoins de l'opérateur. 10 S'il devient nécessaire de remplacer le thermocouple pendant que le métal en fusion se trouve dans le récipient, le thermocouple et la gaine intérieure peuvent se retirer en toute sécurité, car ces éléments ne sont pas en contact avec le métal fondu. A la fin d'une camagne d'utilisation 15 d'un creuset par exemple, la gaine intérieure peut être
retirée et montée dans un autre creuset.
L'invention sera décrite en détails en se référant aux dessins ci-joints dans lesquels: - la figure 1 est une ve en coupe représen20 tant la gaine intérieure et le bottier extérieur, avec une couche intermédiaire de matériaux en céramique, - la figure 2 est une vue en coupe représer.ntant les détails d'une gaine intérieure avec un thermocouple placé à l'intérieur de celle-ci, - la figure 3 est une vue en coupe représentant les détails des couches protectrices de cermet et de céramique de la gaine intérieure dans une forme préférée
de réalisation de l'invention.
La figure 1 est une vue en coupe d'un appa30 reil de détection de température 1 comportant une gaine intérieure 11 contenant un élément de détection de température (non représenté) centré dans le bottier extérieur 2 par une couche intermédiaire de céramique 6 moulée entre la gaine intérieure 11 et le bottier extérieur 2. L'appa35 reil de détection de température 1 est construit de manière 6. a s'introduire dans un orifice des parois ou du sommet d'un récipient contenant des métaux en fusion, et peut se monter en place parle rebord 4 sur un récipient destiné
à contenir du métal liquide.
La gaine intérieure 11 doit avoir une solidité élevée aux températures élevées, et l'invention concerne l'utilisation, soit d'un tube métallique, soit d'un tube de métal recouvert de céramique ou de cermet. Les tubes métalliques, qui peuvent être utilisés, comprennent le 10 molybdène et les aciers au nickel-chrome, tels que les
aciers inoxydables. Le molybdène est le métal préféré pour les tubes non revêtus, car il fait apparaître une réactivité très réduite avec le matériau du bottier extérieur.
Bien qu'on puisse utiliser des tubes métal1 5 liques non revêtus, par exemple en molybdène ou en acier inoxydable, la structure préférée pourréaliser la gaine intérieure 11 est constituée par un tube recouvert de cermet et.la structure la plus préférable est décrite dans la demande de brevet en cours de n de série 775 183, déposée 20 le 12 Septembre 1985 pour un PYROIETRE a II:2RSICK. Comme décrit dans ce document, et comme représenté sur les figures 2 et 3, un tube métallique 12, de préférence en molybdène, est recouvert d'un certain nombre de couches poreuses graduelles 15 de cermet, et d'une couche extérieure de cera25 mique. Comme cela sera décrit plus en détail ci-après, les couches de cermet graduelles sont des couches minces contenant du L1203-Cr203 et du molybdène en concentration décroissante de molybdène lorsqu'on se rapproche de la
couche de céramique extérieure.
Le tube à extrémité fermée 12 définit une cavité 13 contenant la jonction de thermocouple 54. Les fils et 52 du thermocouple branchent la tête terminale 62 à la jonction de thermocouple 54, et sont maintenus en place dans la gaine 11 par une isolation à double alésage, non représentée. La tête terminale 62 peut être munie de joints 7.
d'étanchéité, non représentés.
Le tube de métal 12 est formé par des procédés bien connus de l'art antérieur, à partir d'un métal ou d'un alliage métallique présentant les propriétés requi5 ses de point de fusion élevé et de grande résistance aux températures élevées. Le molybdène est le métal à choisir pour une utilisation aux températures extrêmement élevées, compte tenu de ses excellentes propriétés mécaniques à ces mêmes températures. La conductibilité thermique et la cha10 leur spécifique du métal du tube commandent la montée en température à l'intérieur de ce tube, de manière à obtenir un environnement très protégé pour l'ensemble de thermocouple. Du molybdène contenant des quantités minimes de titane et de zirconium peut être utilisé, et l'alliage ainsi 15 obtenu présente l'avantage de donner, à l'usage, un tube plus solide qu'un tube en molybdène pur, du fait que l'alliage tend à empêcher la recristallisation aux températures considérées, Des tubes en acier inoxydable sont tout à 20 fait satisfaisants pour être utilisés en gaine intérieure ou en élément de gaine intérieure, lorsqu'on mesure les températures de matériaux à bas points de fusion, tels que par exemple, l'aluminium ou le laiton. L'acier inoxydable présente un avantage de coût comparativement au molybdène 25 et peut, pour cette raison, être dans certains cas, le métal à choisir pour le tube. Bien que, comme indiqué cidessus, des métaux, autre que le molybdène ou des alliages de molybdène puissent être utilisés pour le tube, dans
la description qui suit, le tube sera identifié comme un
tube de molybdène. Cela ne doit, en aucune façon, être considéré comme une limitation de l'invention et les spécialistes de la question pourront facilement remplacer le
molybdène par d'autres matériaux convenables.
Bien qu'il présente une température de fusion 35 extrêmement élevée, le molybdène s'oxyde facilement aux 8. températures élevées. De plus, le molybdène est attaqué par les gaz chimiquement agressifs qui sont présents au voisinage d'un métal en fusion. Pour ces raisons, un revgtement protecteur doit être utilisé pour protéger le tube de molybdène de l'environnement, lorsque celui-ci se
trouve, soit à l'intérieur, soit à l'extérieur du boftier extérieur 2.
Selon la forme préférée de réalisation de l'invention, et comme décrit dans la demande de brevet en 10 cours de no de série 775 183 mentionnée ci-dessus, le tube de molybdène est protégé de l'environnement par un revêtement constitué d'un certain nombre de couches poreuses d'un
cermet à l'alumine-chrome-molybdène, ces couches étant appliquées sur la surface extérieure du tube, par exemple 15 par un processus de projection par arc à plasma.
Il est de pratique courant, lorsqu'on applique des revêtements de céramique sur des substrats, tels que des substrats de céramique ou de métal, d'adapter les coefficients de dilatation thermique du substrat et du ma20 tériau de revêtement pour réduire au minimum les contraintes
thermiques provoquées par les variations de température et qui affaiblissent et détruisent finalement les revêtements.
Cependant, le fait de devoir adapter les coefficients de dilatation thermique des revêtements au matériau des subs25 trats, limite sévèrement le choix des matériaux pouvant
être effectivement utilisés pour réaliser les revêtements.
Dans la forme préférée de réalisation de l'invention, on profite des désadaptations de dilatation thermique entre la céramique et le molybdène pour produire une contrainte mécanique contrôlée thermiquement qui induit, dans le revétement, une fine microfissure bien contrôlée. Cette microfissure représentée sur la figure 3 par la référence 15, associée à la valeur de porosité convenable des couches de revêtement, conduit à un écran protecteur présentant une 35 meilleure résistance aux chocs thermiques ainsi qu'une 9. excellente durée de vie chimique dans les environnements hostiles. Les couches poreuses d'un cermet constitué par de l'alumine-chrome-molybdène, peuvent être appliquées directement sur la surface extérieure du tube métallique 12 ayant de préférence, été préalablement dépoli, par exemple par sablage, pour améliorer l'adhérence du revêtement protecteur. Cependant, dans le procédé préféré de mise en oeuvre de l'invention, la surface extérieure du tube métal10 lique 12 est tout d'abord recouverte d'une couche poreuse de molybdène 16 formée à partir de poudre de molybdène, par exemple par projection à l'arc à plasma de cette poudre
sur la surface du tube 12.
La figure 3 représente le revêtement protec15 teur graduel 14 constitué d'un revêtement de liaison en molybdène poreux 16, suivi de couches de cermet poreuses 18; 20, 22 contenant un mélange d'alumine-chromemolybdène, le molybdène étant présent en concentration décroissante lorsqu'on va de l'intérieur vers la surface extérieure. De 20 revêtement extérieur 24 est essentiellement constitué par
C 5% d'alunine-chrome.
L'alumine-chrome peut convenablement contenir du chrome en concentration d'environ 10 à 30 moles 5, et la poudre d'alumine-chrome préférée contient du chrome en proportion d'environ 20 moles %b. L'A1203-Cr203 contenant environ 20 moles % de chrome présente un coefficient de dilatation thermique d'environ 8 parties par million par
degré centigrade.
Le molybdène présente un coefficient de dila30 tation thermique d'environ 5,4 parties par million par degré centigrade, ce qui conduit à une différence de 45 %o entre les coefficients de dilatation thermique de la céramique et du molybdène.
Bien que l'alumine et le chrome puissent être 35 préparés par mélange mécanique de poudre d'alumine et de 10. poudre de chrome, le matériau préféré est une poudre qu'on
a fait complètement réagir par chauffage secondaire.
Dans la forme préférée de réalisation de la gaine, la première couche poreuse adjacente au substrat de molybdène est formée par de la poudre de molybdène. Les couches suivantes présentent une concentration décroissante en molybdène et une concentration croissante en céramique, la couche extérieure contenant-100 % de céramique. Bien que l'amplitude des variations de composition réalisées lorsqu'on passe d'une couche à la suivante ne soit pas critique, dans le procédé préféré de mise en oeuvre de l'invention, la variation de concentration du molybdène est une fonction linéaire en pourcentage de volune lorsqu'on
passe de la couche intérieure aux couches extérieures.
Bien que le nombre de couches-de cermet puisse se situer entre 2 et 10 ou plus, et de préférence entre 3 et 9, on ne gagne que peu de choses en dépassant environ 5 couches et le coût de réalisation de la gaine intérieure augmente avec le nombre de couches utilisées. Dans le procédé préféré de réalisation de la gaine, le revêtement
protecteur graduel 14 est constitué de 5 couches partant de 100 % de molybdène pour la première couche, 50 % de molybdène et 50 % de céramique pour la troisième couche, 25 % de molybdène et 75 % de céramique pour la quatrième cou25 che, et 100 % de céramique pour la cinquième couche.
L'épaisseur totale des différentes couches peut convenablement se situer entre environ 0,5 mm et 1 mmn.
Dans le procédé préféré de mise en oeuvre de l'invention, la couche de molybdène poreux adjacente au tube de molyb30 dène, et chacune des couches de cermet poreux successives, présentent une épaisseur comprise entre environ 0,05 mm et 0,1 mm, la couche de céramique extérieure présentant une épaisseur comprise entre environ 0,38 mm et 0,63 mm. Un contr8le très précis des épaisseurs des différentes cou35 ches n'est pas essentiel pour obtenir une gaine intérieure 1 1i. résistant convenablement aux chocs thermiques. Cependant, dans le procédé préféré de mise en oeuvre de l'invention, chacune des couches de molybdène et de cermet présente approximativement la même épaisseur se situant par exemple à environ 0,76 mm. Il est essentiel que les couches de cermet présentent une porosité d'environ 4 % à 33 %I. La zone préférée de porosité se situe entre environ 15 % et 30 5%, l'optimum étant compris entre environ 20 % et 25 %. Bien que le 10 rôle des pores ne soit pas parfaitement compris, il est vraisemblable que les pores s'adaptent à la dilatation du matériau dans les couches, lorsque celles-ci sont soumises à un environnement de température élevée. Les valeurs de porosité données ici sont déterminées par microscopie op15 tique en utilisant des tenhniques stéréologiques standard, Le procédé qu'on préfère utiliser pour obtenir la porosité voulue consiste à appliquer les couches de molybdène, de cermet et de céramique par un processus d'arc à plasma. Ce processus s'est avéré particulièrement 20 utile.car il permet de contrôler les paramètres critiques
de la structure de surface et de la porosité des couches.
Le degré de porosité d'une couche de métal, de cermet ou de céramique déposée par un processus de revêtement par projection d'un plasma, est déterminé essentiellement par 25 la grandeur des paramètres du processus, à savoir (1) la puissance d'entrée de l'arc, (2) le rythme d'alimentation de la poudre, (3) la distance et l'angle de la buse de projection par rapport à la surface du substrat, et (4)
la vitesse de passage de la buse de projection au-dessus 30 de la surface du substrat.
la puissance peut convenablement se situer entre environ 15 et 45 KW, et le niveau préféré de puissance d'entrée est, de préférence, compris entre 30 et 40 KW.
Une diminution de la puissance d'entrée conduit à une aug35 mentation de la porosité de la couche de revêtement.
12. Le rythme d'alimentation de la poudre peut se situer entre environ 2, 72 kg et 4,53 kg par heure. Une diminution du rythme d'alimentation de poudre diminue la
porosité de la couche de revêtement.
La buse de projection est, de préférence, maintenue à une distance de la surface du substrat comprise entre environ 51 mm et 152 mm. La porosité de la couche
de revêtement augmente lorsqu'on augmente la distance entre la buse de projection et le substrat.
L'angle que les particules projetées font avec une perpendiculaire à l'axe du corps sur lequel s'effectue la projection, peut atteindre 30%, cependant, l'angle préféré est d'environ 0 à 10 . Lorsqu'on augmente l'angle d'impact, la porosité augmente. La vitesse de pas15 sage de la buse de projection le long de la surface du
substrat peut convenablement se situer entre environ 101mm et 305 mm par seconde. La porosité augmente lorsque la vitesse de passage augmente.
Dans le procédé préféré de mise en oeuvre 20 de l'invention, on fait tourner le substrat pendant qu'il subit la projection. Une vitesse typique de rotation est d'environ 600 tours/minute pour un substrat tubulaire de
12,7 mn.
Lorsqu'on met en oeuvre le processus de 25 revêtement, le substrat doit être chauffé, de préférence à
une température se situant entre environ 9300 et 260 0.
Bien qu'une variation de la température du substrat puisse modifier dans une certaine mesure la porosité, cet effet
apparait comme mineur.
Le type et la force des gaz de plasma n'ont également que peu d'effet sur la commande du degré de porosité. Les gaz utilisables sont des mélanges d'azote et d'hydrogène dans un rapport de volume azote-hydrogène compris entre environ 4:1 et 8:1. Les rythmes de débit typi35 quement utilisables sont compris entre 0,7 m3 et 1,4 m3 par 13. minute pour l'azote, et 0, 0085 m3 et 0,0017 m3 par minute
pour l'hydrogène.
Comme indiqué sur la figure 1, le bottier extérieur 2 est utilisé pour protéger l'ensemble intérieur du métal en fusion et de la couche de laitier. Le boltier extérieur 2 est réalisé dans un mélange de graphite et d'un oxyde métallique, des mélanges typiquement utilisables étant l'alumine-graphite-silicium, le zirconium-graphite, le magnésium-graphite ou différentes combinaisons de ces élé10 ments. La concentration de graphite est choisie pour donner une bonne conductibilité thermique au bottier, et peut se situer entre environ 10 % et 35 % en poids. La concentration de graphite est, de préférence, de l'ordre de 25 %
à 35 5C
Le boltier extérieur 2 est fermé à une extrémité pour former une cavité 3 destinée à recevoir la gaine intérieure 11. La cavité 3 présentant une extrémité inférieure 7 et une extrémité supérieure 9, est dimensionnée de manière à s'adapter en frottement doux autour du bout de la 20 gaine intérieure 11, et forme un cherin thermique à faible résistance vers la gaine intérieure 11 et la jonction de
thermocouple 54.
Les dimensions des parois qui forment la cavité 3 sont choisies de manière à obtenir une bonne répon25 se thermique associée à une longue durée de vie. Si les parois sont trop minces, la durée de vie est courte et si les parois sont trop épaisses, la réponse thermique est mauvaise. Une épaisseur de paroi d'extrémité inférieure à 6,35 mm est trop fragile et une épaisseur de paroi d'extré30 mité de 25,4 mm ou plus conduit à une mauvaise réponse thermique. L'épaisseur préférée de la paroi d'extrémité est comprise entre 6,35 et 12,7 mm, l'épaisseur optimale étant d'environ 12,7 mm. L'épaisseur de la paroi latérale ne doit pas être inférieure à 12,7 mm et cette épaisseur
est, de préférence, comprise entre environ 12,7 mm et 25,4mm.
14. La cavité 3 doit s'étendre suffisamment loin de l'extrémité du bottier 12 pour enfermer le thermocouple 54, et plus la profondeur de la cavité est grance, meilleure est la réponse thermique. Une profondeur d'environ 305mm entre l'extrémité inférieure 7 et l'extrémité supérieure 9 peut constituer la limite supérieure pratique, compte tenu des coûts de fabrication de cavités minces et longues, une zone pratique se situant entre environ 12,7 à environ 305 mm de profondeur. La profondeur préférée est 10 d'environ 1-47 mm à environ 51 min. Bien que la cavité intérieure 3 soit dimensionnée de manière à s'adapter commodément autour du bout de la gaine 11, dans une forme préférée de réalisation de l'invention, la partie extérieure 5 de la cavité du boî15 tier 2 présente un diamètre supérieur à celui de la gaine, et mieux encore, un diamètre supérieur d'environ 6,35 à
,4 mm, au diamètre de la gaine.
La gaine intérieure 11 est maintenue à l'intérieur et à une certaine distance du boitier extérieur par de l'alumine moulable 6. Une cavité de dimension convenable pour la gaine intérieure, peut être obtenue en introduisant dans la cavité du bottier extérieur, un mandrin de moulage de même taille et de même forme que la gaine intérieure, Un corps réfractaire moulable, tel que de l'alumine est ensuite tassé dans la cavité annulaire, jusqu'à ce que le vide soit complètement rempli. Le mandrin est ensuite retiré et l'ensemble de thermocouple est monté
dans la cavité laissée libre par le retrait du mandrin.
Il est crucial, pour obtenir une réponse thermique conve30 nable, que le bout de la gaine intérieure soit en contact thermique direct avec le bottier extérieur; par suite, le corps réfractaire moulable 6 doit être maintenu écarté de
la cavité 3 dans le fond du boltier extérieur.
Le graphite sert à augmenter la conductibilité 35 thermique du bottier et sa présence dans le mélange permet 15. d'obtenir une bonne réponse thermique. La concentration du graphite peut, dans une certaine mesure, dépendre de l'environnement auquel le boltier est exposé. Par exemple, le zirconium donne un excellent oxyde métallique à utili5 ser en contact avec le laitier, et pour profiter pleinement des propriétés du zirconium, la concentration du graphite doit être maintenue relativement faible, c'est-à-dire d'environ 10% à 20 o. Typiquement, la concentration du graphite dans le mélange oxyde-métallique-graphite doit se situer 10 dans la plage comprise entre environ 20 % et 35 5,, et de
préférence, dans la plage d'environ 25 % à 30 %.
Les oxydes métalliques d'aluminium, de zirconium ou de magnésium, ou des mélanges de ces éléments peuvent constituer pratiquement tout le reste du mélange, 15 ou d'autres matériaux résistants à haute température comme par exemple SiC et SiO2 peuvent être présents en quantités
pouvant atteindre 15 à 20 o%.
Les structures réfractaires présentant les compositions indiquées cidessus sont disponibles dans le 20 commerce et certaines de ces structures peuvent être modifiées pour être utilisées dans l'invention. Le tableau ciaprès indique la composition chimique de certaines de ces structures réfractaires: Composition 5c Composants I II III IV V VI VII
_______________________________________________________A1203 42-46 43-4738-42 49-53 52
ZrO2 - 3-5 6-8 4-6 - 65-69 75-79
C libre 27-29 28-30 24-26 27-29 31 16-18 11-13 30 SiO2 19-23 13-17 17-19 3-5 13 -
SiC 4-6 4-6 8-10 8-10 - 9-11 5-7
Autres - - - - 5 -
Comme indiqué ci-dessus, un tube de molybdè& ne non revêtu peut être utilisé comme gaine intérieure. Un 35 tube de molybdène non revêtu présente l'avantage d'un 16. coût plus faible que les tubes revêtus,. et son attaque est limitée dans l'environnement du bottier extérieur contenant du graphite, comme par exemple au voisinage de l'extrémité introduite dans la cavité 3. Le contact d'un tube de molybdène avec la composition réfractaire d'oxydegraphite du bottier extérieur conduit à une carburation bien contrôlée de la surface du tube de molybdène. La formation d'une surface de carbure-oxyde sur le tube de molybdène ralentit la dégradation ultérieure du tube en 10 donnant une couche de surface "auto-traitée" permettant d'obtenir une durée de vie de surface relativement longue, de par exemple plus de 100 heures. Le procédé qu'on préfère utiliser consiste évidemment à utiliser un revêtement de céramique protecteur, car même si le bottier extérieur 15 présente un défaut, l'élément de détection lui-même est
protégé du métal fondu par le revêtement de céramique.
Après avoir décrit l'invention, l'exemple ciaprès est donné pour l'illustrer plus en détail: Un tube de molybdène de 2,8 mm d'épaisseur 20 de paroi, 12,7 mm de diamètre et 305 mm de longueur est nettoyé et dégraissé, puis sa surface extérieure est sablée par de la poudre d'alumine. Le tube ainsi obtenu, prêt à recevoir son revêtement, est préchauffé à une température d'environ 149 C, et reçoit une projection de poudre de molybdène par arc à plasma, tout en tournant à 600 tours/minute pour former une couche poreuse de 0,076 mm d'épaisseur. La projection est effectuée en amenant la poudre de molybdène au rythme de 3629 gr par heure dans un arc formé par un mélange de 85 % d'azote et 15 5% d'hy30 drogène, avec une puissance d'alimentation de 35 X. La buse de projection est maintenue à 102 mm de la surface extérieure du tube tournant, et se déplace parallèlement à l'axe du tube à une vitesse de 203 mm par seconde. La buse est maintenue sous un angle tel que les particules de molybdène fondu viennent frapper la surface extérieure 17. du tube sous un angle de 100 à partir d'une perpendiculaire
à son axe.
Le tube revêtu de molybdène poreux ainsi obtenu, est préchauffé à une température de 149 C e sou5 mis à une projection pour former uhe couche de cermet poreux sur le dessus de la couche de molybdène poreux, en utilisant une poudre d'alimentation constituée de %l en volume de molybdène et 35 %G en volume d'A1203
Crà03. De rapport molaire du A1203 au Cr203 est de 10 4: 1.
Une couche de 0,076 mm d'épaisseur constituée de 50 % en volume de molybdène, 50 % en poids d'A1203 Cr203, suivie d'une couche de 0,076 mm d'épaisseur de 25 %a de molybdène et 75 % d'A1203-Cr203, puis d'une couche de 0,5 mm d'épaisseur d'A1203 - Cr203 sensiblement pure, sont soumis à une projection par arc à plasma sur le tube tournant, dans des conditions sensiblement identiques à celles utilisées pour former les couches poreuses précédentes. Chaque couche poreuse pré20 sente une porosité de l'ordre de 20 à 25 %. Le tube est
réchauffé à 149 C entre chaque étape de revêtement.
Un bottier extérieur destiné à recevoir la gaine intérieure obtenue, est formé à partir d'un mélange de poudre constitué d'alumine-graphitesilicium dans les 25 proportions de 52 % d'alumine, 31 % de graphite et 13 % de silicium. Le mélange contenant un agent de collage, est pressé de manière isostatique autour d'un mandrin pour former un dispositif présentant la forme de l'élément 2, comme indiqué sur la figure 1. Après la compression, le nouveau produit monolithique obtenu est chauffé pour faire fondre les matériaux ensemble, et après chauffage initial le bottier est recouvert sur l'extérieur d'un mélange frittée et de silicium, puis chauffé de nouveau pour former un revêtement vitrifié. Un mandrin de moulage, légère35 ment plus grand que la gaine intérieure est introduit dans 18._ la cavité et de l'alumine moulable est ensuite tassée dans la cavité annulaire résultante jusqu'à ce que les vides scient complètement remplis. On prend soin qu'aucune quantité d'alumine moulable ne pénètre dans la cavité dans le fond du bottier extérieur. Le mandrin ayant été
recouvert d'un agent de démoulage, est ensuite retiré.
On laisse le bottier durcir à l'air pendant 24 heures puis ce bottier est ensuite cuit à 357 C pendant 24 heures supplémentaires. L'ensemble de thermocouple est ensuite
monté dans la cavité laissée libre par le retrait du mandrin.
1.9.
RE V E N D I CA T I 0 NS
1 ) Appareil de détection de température caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison:
15 20
a) une gaine (11) destinée à enfermer un élément sensible à la température, cette gaine étant constituée par un tube (12) de métal à extrémité fermée, b) un élément de détection de température placé à l'intérieur de la gaine au voisinage de l'extrémité (13) fermée de celuici et c) un bottier (2) muni d'une surface extérieure (6) destinée à venir en contact avec l'agent fondu à haute température, et une cavité intérieure (3) destinée à maintenir la gaine, cette cavité intérieure comportant une surface intérieure, une ouverture extérieure, et une extrémité intérieure fermée, le boltier étant constitué d'un oxyde métallique réfractaire et de graphite, et ce graphite étant présent en concentration suffisamment élevée pour assurer une bonne conductibilité thermique entre la surface extérieure du bottier et la surface intérieure de la cavité. 2 ) Appareil de détection de température selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'extrémité fermée de la gaine est en contact intime avec une partie de la surface intérieure de la cavité, et en ce que le reste du tube métallique réfractaire est espacé de la surface intérieure de la cavité, l'espace compris entre cette gaine intérieure et la sur30 face intérieure de la cavité étant complètement rempli
d'un oxyde métallique réfractaire.
3 ) Appareil de détection de température selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'oxyde métallique réfractaire est de l'alumine.
4 ) Appareil de détection de tem-
20. pérature selon la revendication 2, caractérisé en ce que la cavité et la gaine présentent des sections transversales circulaires, la cavité présentant une surface de section plus petite à son extrémité intérieure fermée qu'à son ouverture extérieure, et la surface de section de l'extrémité intérieure fermée étant approximativement
égale à la surface de section au voisinage de l'extrémité fermée de la gaine.
) Appareil de détection de tem10 pérature selon la revendication 4, caractérisé en ce que la longueur axiale de la partie de la cavité présentant la plus petite surface de section transversale, est
d'environ 12,7 mm à environ 305 mm.
6 ) Appareil de détection de tem15 pérature selon la revendication 4, caractérisé en ce que
la longueur ou profondeur axiale préférée de la partie de la cavité présentant la plus petite surface de section transversale, est d'environ 12,7 mm à environ 51 mm.
7 ) Appareil de détection de tem20 pérature selon la revendication 3, caractérisé en ce que le diamètre de la cavité à l'endroit de son ouverture extérieure, est supérieur d'environ 6,35-à 25,4 mm, au
diamètre de la gaine.
8 ) Appareil de détection de tem25 pérature selon la revendication 1, caractérisé en ce que
le boîtier extérieur contient du graphite en concentration comprise entre environ 10 % et environ 35 %.
9 ) Appareil de détection de température selon la revendication 1, caractérisé en ce que 30 le boîtier extérieur contient du graphite en proportion
d'environ 25 % à environ 30 %.
) Appareil de détection de température selon l'une quelconque des revendications 1 à
9, caractérisé en ce que la gaine est constituée par un 35 tube de métal réfractaire à extrémité fermée recouvert 2.1. par un certain nombre de couches de cermet poreux, ces couches de cermet constituées essentiellement d'oxyde d'alumine-oxyde de chrome-molybdène, présentant une porosité comprise entre environ 4 % et environ 33 %, et un revêtement d'oxyde d'alumine-oxyde de chrome pratiquement pur recouvrant la couche de cermet extérieure,
cette couche de céramique présentant une porosité comprise entre environ 4 % et environ 33 %.
11 ) Appareil de détection de tem10 pérature selon la revendication 1, caractérisé en ce que
le tube de métal est constitué par du molybdène.
) Appareil de détection de température selon la revendication 1, caractérisé en ce que
le tube de métal est constitué par un métal choisi dans 15 le groupe comprenant les aciers au carbone et les alliages de nickel-chrome.
13 ) Boîtier de protection extérieur pour ensemble de thermocouple, boîtier caractérisé en ce qu'il comprend une ou plusieurs parois latéra20 les et une paroi d'extrémité, ces parois comportant des surfaces extérieures destinées à venir en contact avec l'agent en fusion à haute température, et des surfaces intérieures définissant une cavité destinée à maintenir l'ensemble de thermocouple, cette cavité présentant une 25 extrémité ouverte pour introduire et extraire l'ensemble de thermocouple, le bottier étant constitué d'un oxyde métallique réfractaire et de graphite, ce graphite étant présent en concentration suffisamment élevée pour
assurer une bonne conductibilité thermique entre les 30 surfaces extérieures et intérieures des parois.
14 ) Boîtier de protection extérieur selon la revendication 13, caractérisé en ce que
l'oxyde métallique réfractaire est de l'alumine.
) Bottier de protection exté35 rieur selon la revendication 13, caractérisé en ce que 2,2. le graphite est présent en concentration comprise entre
environ 10 % et environ 35 %.
16 ) Bottier de protection extérieur selon la revendication 13, caractérisé en ce que le graphite est présent en concentration comprise entre environ 25 % et environ 30 %. 17 ) Boîtier de protection extérieur selon la revendication 13, caractérisé en ce que
l'extrémité fermée est constituée par une paroi d'épais10 seur supérieure à 6,35 mm et inférieure à 25,4 mm.
18 ) Boîtier de protection extérieur selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'extrémité fermée est constituée par une paroi d'épaisseur comprise entre environ 6,35 mm et environ 12,7 mm. 15 19 ) Boîtier de protection extérieur selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'une partie au moins des parois latérales se trouvant au voisinage de la paroi d'extrémité, présente une
épaisseur comprise entre environ 12,7 mm et environ 20 25,4 mm.
) Bottier de protection extérieur selon la revendication 13, caractérisé en ce que la cavité présente une section transversale de surface plus petite dans une zone voisine de la paroi d'extré25 mité que dans une zone située à l'extrémité ouverte.
21 ) Bottier de protection extérieur selon la revendication 20, caractérisé en ce que la zone présentant la plus petite surface de section transversale s'étend sur une distance à la paroi d'ex30 trémité comprise entre environ 12,7 mm et environ
304,8 mm.
22 ) Bottier de protection extérieur selon la revendication 20, caractérisé en ce que la zone présentant la plus petite surface de section
transversale s'étend sur une distance à la paroi d'extrémité d'environ 50, 8 mm.
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Families Citing this family (412)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977001A (en) * 1986-08-01 1990-12-11 Vesuvius Crucible Company Protective cladding for a molybdenum substrate
JPH0648217B2 (ja) * 1987-12-24 1994-06-22 川惣電機工業株式会社 溶融金属の連続測温装置
JPH06229838A (ja) * 1993-01-29 1994-08-19 Tokyo Yogyo Co Ltd 溶融金属温度測定用イマージョン熱電対
US5360269A (en) * 1989-05-10 1994-11-01 Tokyo Kogyo Kabushiki Kaisha Immersion-type temperature measuring apparatus using thermocouple
US5069553A (en) * 1989-12-04 1991-12-03 Vesuvius Crucible Company Protective sheath for a continuous measurement thermocouple
DE4016404A1 (de) * 1990-05-22 1991-11-28 Koertvelyessy Laszlo Fluessigstahl-thermoelement mit linearer drift
AU8620891A (en) * 1990-08-02 1992-03-02 Alfred R. Brenholts Thermocouple equipped with ceramic insulator and sheath and method of making same
US5071258A (en) * 1991-02-01 1991-12-10 Vesuvius Crucible Company Thermocouple assembly
US5232286A (en) * 1991-04-10 1993-08-03 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Energy, Mines And Resources Long lasting thermocouple for high temperature measurements of liquid metals, mattes and slags
DE9109308U1 (de) * 1991-07-27 1992-11-26 Hoechst Ag, 65929 Frankfurt Temperaturmeßvorrichtung
US5197805A (en) * 1991-09-30 1993-03-30 Pyromation, Inc. Temperature sensor protection tube
DE4207317C3 (de) * 1992-03-06 2000-03-16 Heraeus Electro Nite Int Vorrichtung zur Messung der Temperatur von Metallschmelzen
CA2103782A1 (fr) * 1992-08-31 1994-03-01 Robert Frank Tammera Sonde aerodynamique
US5302027A (en) * 1992-10-22 1994-04-12 Vesuvius Crucible Company Refractory sight tube for optical temperature measuring device
US5382093A (en) * 1993-02-22 1995-01-17 Gay Engineering & Sales Co., Inc. Removable temperature measuring device
US5456761A (en) * 1993-07-15 1995-10-10 Alcan International Limited High temperature and abrasion resistant temperature measuring device
US5520461A (en) * 1994-03-02 1996-05-28 Alliedsignal Inc. Airtight thermocouple probe
US5474618A (en) * 1994-04-19 1995-12-12 Rdc Controle Ltee Protective ceramic device for immersion pyrometer
US5596134A (en) * 1995-04-10 1997-01-21 Defense Research Technologies, Inc. Continuous oxygen content monitor
GB2303247A (en) * 1995-07-12 1997-02-12 Cookson Group Plc Improvements in thermocouples
JP2904066B2 (ja) 1995-08-31 1999-06-14 松下電器産業株式会社 温度センサ及びその製造方法
US5827474A (en) * 1997-01-02 1998-10-27 Vesuvius Crucible Company Apparatus and method for measuring the depth of molten steel and slag
US6679627B1 (en) 1997-11-04 2004-01-20 Rdc Controle Ltee Self-floating device for measuring the temperature of liquids
KR19990066851A (ko) 1998-01-12 1999-08-16 카와무라 히데오 금속용탕 온도측정용 열전대
US6059453A (en) * 1998-04-20 2000-05-09 Rosemount Inc. Temperature probe with sapphire thermowell
US6830374B1 (en) * 1999-08-16 2004-12-14 Temperature Management Systems (Proprietary) Limited Metallurgical thermocouple
US6354734B1 (en) * 1999-11-04 2002-03-12 Kvaerner Oilfield Products, Inc. Apparatus for accurate temperature and pressure measurement
EP1298423A1 (fr) * 2001-10-01 2003-04-02 Vesuvius Crucible Company Pyromètre
DE102004032561B3 (de) * 2004-07-05 2006-02-09 Heraeus Electro-Nite International N.V. Behälter für Metallschmelze sowie Verwendung des Behälters
EP1677087A1 (fr) * 2004-12-21 2006-07-05 Vesuvius Crucible Company Ensemble de thermocouples et un procédé d'utilisation
GB2428517A (en) * 2005-07-21 2007-01-31 Weston Aerospace Ltd Ceramic thermocouple
DE102005040311B3 (de) * 2005-08-24 2006-10-26 Heraeus Electro-Nite International N.V. Vorrichtung zur Temperaturmessung in Metallschmelzen
JP2008145244A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Sukegawa Electric Co Ltd 熱電対
US7874726B2 (en) * 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
DE102007032694A1 (de) 2007-07-13 2009-01-22 Kutzner, Dieter, Dipl.-Ing. Schutzhülle für ein Temperaturmesselement
DE102007036693A1 (de) * 2007-08-03 2009-02-05 Abb Ag Thermometer mit auswechselbarem Messeinsatz und Verfahren zum Austausch desselben
US20090047439A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Withers James C Method and apparatus for manufacturing porous articles
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US7946762B2 (en) * 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
KR200452731Y1 (ko) * 2008-11-25 2011-03-22 주식회사 우진 원자력 발전소형 측온 장치
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
DE102009008554B3 (de) * 2009-02-12 2010-08-26 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Temperaturmesseinrichtung
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8100583B2 (en) * 2009-05-06 2012-01-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8540424B2 (en) 2009-12-18 2013-09-24 Covidien Lp Cover for shaft of electronic thermometer probe
CN102095517B (zh) * 2010-11-26 2012-07-25 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 基于表面改性钨铼热电偶的高温温度传感器
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
JP5584658B2 (ja) * 2011-07-11 2014-09-03 トヨタ自動車株式会社 金属溶湯検知センサのメンテナンス方法
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
DE102012004987B4 (de) 2012-03-14 2014-03-06 Heraeus Electro-Nite International N.V. Vorrichtung zur Temperaturmessung in Metallschmelzen
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9671291B2 (en) 2013-11-08 2017-06-06 Ccpi Inc. Non-contact temperature measurement in molten metal applications
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
GB2543319A (en) * 2015-10-14 2017-04-19 Heraeus Electro Nite Int Cored wire, method and device for the production
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102180976B1 (ko) 2018-09-14 2020-11-19 이진균 치과 임플란트 매식체 제거용 겸자
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
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CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
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JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
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TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
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TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
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TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2655550A (en) * 1951-05-29 1953-10-13 Olin Ind Inc Melting furnace with thermocouple reception means
US3106493A (en) * 1961-05-05 1963-10-08 Gen Electric Thermocouple
US3250125A (en) * 1961-04-06 1966-05-10 Bonn Leonard Hot metal temperature measuring device and temperature measuring method
FR1569518A (fr) * 1967-06-26 1969-05-30
DE2844417A1 (de) * 1978-09-08 1980-03-20 Alusuisse Vorrichtung zum kontinuierlichen messen von elektrolyttemperaturen

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE7419633U (de) * 1974-10-31 Schuiling Metall Chemie Bv Vorrichtung zur thermoelektrischen Temperaturmessung
US3610045A (en) * 1965-04-01 1971-10-05 Ajax Magnethermic Corp Thermocouples
GB1164431A (en) * 1966-01-18 1969-09-17 Pilkington Brothers Ltd Improvements relating to the Protection of Instruments Intended for Use at High Temperatures
CH452224A (de) * 1967-03-14 1968-05-31 Balzers Patent Beteilig Ag Temperatur- und Messeinrichtung für Vakuumöfen
US3580744A (en) * 1969-02-04 1971-05-25 Us Air Force Immersion thermocouple for atmospheric and vacuum environments
BE757488R (fr) * 1969-10-16 1971-03-16 Voest Ag Procede de mesure continue de la temperature de bains metalliques et sonde pour sa mise en
US3898555A (en) 1973-12-19 1975-08-05 Tempo Instr Inc Linear distance measuring device using a moveable magnet interacting with a sonic waveguide
US3990860A (en) * 1975-11-20 1976-11-09 Nasa High temperature oxidation resistant cermet compositions
US4530884A (en) * 1976-04-05 1985-07-23 Brunswick Corporation Ceramic-metal laminate
JPS5376975U (fr) * 1976-11-30 1978-06-27
US4102708A (en) * 1977-01-18 1978-07-25 Sidbec-Dosco Ltee Self-healing thermocouple
JPS5845653B2 (ja) * 1977-03-01 1983-10-12 東芝セラミツクス株式会社 溶融金属連続測温用保護管およびその製造方法
US4206632A (en) * 1979-01-23 1980-06-10 Hirosuke Suzuki Liquid detecting device
JPS57101730A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Sumitomo Alum Smelt Co Ltd Protecting tube for measuring temperature of fused salt bath
US4390290A (en) * 1981-03-31 1983-06-28 The Perkin-Elmer Corporation Temperature sensor for a resistance furnace
JPS5819462U (ja) * 1981-07-29 1983-02-05 日本電池株式会社 ペ−スト式鉛蓄電池群
US4430518A (en) * 1981-11-30 1984-02-07 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Protecting tube for thermocouple
JPS5884539U (ja) * 1981-12-03 1983-06-08 三菱重工業株式会社 温度検出器
JPS58101148U (ja) * 1981-12-28 1983-07-09 川崎製鉄株式会社 熱電対保護管の接続構造
US4467134A (en) * 1983-06-30 1984-08-21 General Electric Company Thermocouple with out-of-line aspiration holes
JPS6168525A (ja) * 1984-09-12 1986-04-08 Toshiba Ceramics Co Ltd 溶融金属連続測温計
US4721534A (en) * 1985-09-12 1988-01-26 System Planning Corporation Immersion pyrometer

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2655550A (en) * 1951-05-29 1953-10-13 Olin Ind Inc Melting furnace with thermocouple reception means
US3250125A (en) * 1961-04-06 1966-05-10 Bonn Leonard Hot metal temperature measuring device and temperature measuring method
US3106493A (en) * 1961-05-05 1963-10-08 Gen Electric Thermocouple
FR1569518A (fr) * 1967-06-26 1969-05-30
DE2844417A1 (de) * 1978-09-08 1980-03-20 Alusuisse Vorrichtung zum kontinuierlichen messen von elektrolyttemperaturen

Also Published As

Publication number Publication date
KR880003174A (ko) 1988-05-14
KR950013334B1 (ko) 1995-11-02
DE3725615C3 (de) 2000-11-30
GB2193375A (en) 1988-02-03
FR2602332B1 (fr) 1992-02-14
JPS6338123A (ja) 1988-02-18
IT1214415B (it) 1990-01-18
CA1293137C (fr) 1991-12-17
DE3725615A1 (de) 1988-02-11
US4721533A (en) 1988-01-26
GB2193375B (en) 1990-01-17
DE3725615C2 (de) 1995-08-10
IT8747693A0 (it) 1987-03-05
GB8702736D0 (en) 1987-03-11
JP2524733B2 (ja) 1996-08-14
BE1001249A5 (fr) 1989-09-05

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