JPH0648217B2 - 溶融金属の連続測温装置 - Google Patents
溶融金属の連続測温装置Info
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- JPH0648217B2 JPH0648217B2 JP62328948A JP32894887A JPH0648217B2 JP H0648217 B2 JPH0648217 B2 JP H0648217B2 JP 62328948 A JP62328948 A JP 62328948A JP 32894887 A JP32894887 A JP 32894887A JP H0648217 B2 JPH0648217 B2 JP H0648217B2
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- Japan
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- thermocouple
- protective tube
- alumina
- insulator
- graphite
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/08—Protective devices, e.g. casings
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、溶融金属の連続測温装置の改良に係り、とく
に連続鋳造工程におけるタンディッシュ内の溶鋼の連続
温度測定用装置の改良に関するものである。
に連続鋳造工程におけるタンディッシュ内の溶鋼の連続
温度測定用装置の改良に関するものである。
熱電対を使用するダンディッシュ内の溶鋼の連続温度測
定用装置としてアルミナ−黒鉛質保護管を使用したもの
は、例えば特開昭５２−１３１７７６、特開昭６１−６
８５２５、特開昭６２−２８６２６、実開昭６１−２０
３３３３等が知られている。
定用装置としてアルミナ−黒鉛質保護管を使用したもの
は、例えば特開昭５２−１３１７７６、特開昭６１−６
８５２５、特開昭６２−２８６２６、実開昭６１−２０
３３３３等が知られている。
一般的にタンディッシュ内の溶鋼温度は１５００℃以上
の高温であるため測定には通常白金−白金ロジウム合金
系熱電対（例えば、Ｒ熱電対、Ｂ熱電対等）が使用され
る。
の高温であるため測定には通常白金−白金ロジウム合金
系熱電対（例えば、Ｒ熱電対、Ｂ熱電対等）が使用され
る。
ところで、白金−白金ロジウム合金系熱電対は高温下で
の使用時、還元性雰囲気中に晒されたり、雰囲気中に金
属性蒸気、炭素、硫黄、硅素等が存在すると急速に劣化
し、断線に至ることが知られている。
の使用時、還元性雰囲気中に晒されたり、雰囲気中に金
属性蒸気、炭素、硫黄、硅素等が存在すると急速に劣化
し、断線に至ることが知られている。
このため従来アルミナ−黒鉛質保護管内に不活性ガス等
を導入したり、保護管内に発生するガスを換気すること
が行われている。
を導入したり、保護管内に発生するガスを換気すること
が行われている。
またこのほか、従来の連続測温装置においては、タンデ
ィッシュ内溶鋼中に浸漬されるアルミナ−黒鉛質保護管
を外管とし、磁製保護管を内管とする構成、又は磁製保
護管をアルミナ−黒鉛質保護管に内嵌し更に磁製保護管
を内管とする三層構成において、アルミナ−黒鉛質保護
管と磁製保護管の間に絶縁性粉末、例えばアルミナ粉末
等を充填することも行なわれている。
ィッシュ内溶鋼中に浸漬されるアルミナ−黒鉛質保護管
を外管とし、磁製保護管を内管とする構成、又は磁製保
護管をアルミナ−黒鉛質保護管に内嵌し更に磁製保護管
を内管とする三層構成において、アルミナ−黒鉛質保護
管と磁製保護管の間に絶縁性粉末、例えばアルミナ粉末
等を充填することも行なわれている。
上記の従来公知例では使用後碍子に収納された熱電対部
分のみを取り出すことは可能であるが、熱電対の断線等
の事故が発生したときの取り替え又は磁製保護管に収納
された状態で熱電対を再使用をすること等は困難な構造
となっていた。
分のみを取り出すことは可能であるが、熱電対の断線等
の事故が発生したときの取り替え又は磁製保護管に収納
された状態で熱電対を再使用をすること等は困難な構造
となっていた。
とくにダンディッシュ使用前予熱時の初期段階で急激な
熱変化その他の理由に因る熱電対の断線事故が発生しや
すいことが経験的に知られており、万一断線事故が起こ
った場合の迅速な対応が求められていた。
熱変化その他の理由に因る熱電対の断線事故が発生しや
すいことが経験的に知られており、万一断線事故が起こ
った場合の迅速な対応が求められていた。
また現場使用の観点から見ると連続測定時間はチャージ
数の制約、タンディッシュ固有の寿命の問題等から、２
０時間未満、主に６〜１０時間の範囲での使用が多い。
数の制約、タンディッシュ固有の寿命の問題等から、２
０時間未満、主に６〜１０時間の範囲での使用が多い。
アルミナ−黒鉛質保護管は耐食性及び耐スポール性の点
から複数回使用に対して限界があった。この為経済性が
悪かった。
から複数回使用に対して限界があった。この為経済性が
悪かった。
本発明は以上の従来の問題点を解決し簡便に使用しうる
溶融金属の連続測温装置とくに連続鋳造工程におけるタ
ンディッシュ内の溶鋼の連続温度測定装置を提供するこ
とを目的とする。
溶融金属の連続測温装置とくに連続鋳造工程におけるタ
ンディッシュ内の溶鋼の連続温度測定装置を提供するこ
とを目的とする。
本発明が以上の目的を達成するために手段として構成し
たところは、先端に感温部８を有し他端においてターミ
ナル２に接続される熱電対１と、該熱電対１を収納する
一体的に構成した絶縁碍子９と、絶縁碍子９を接触しな
いように空間を介して収納すると共に該絶縁碍子９の先
端部のみを固定せしめる高気密性磁製保護管６と、前記
高気密性磁製保護管６の上部を被覆保持する延長スリー
ブ５と、延長スリーブ５の上端に固着され、前記絶縁碍
子９の上部を吊持せしめると共に前記ターミナル２を収
納するハウジング部２０を備えた端子箱３とから成る熱
電対ユニットＡと；アルミナ−黒鉛質保護管２１と、該
アルミナ−黒鉛質保護管２１の上部に連結されたフラン
ジ付きの保持スリーブ２２と、該保持スリーブ２２の上
方に連通連結された連結スリーブ２６とから成る浸漬保
護管ユニットＢとから構成され：前記熱電対ユニットＡ
の高気密性磁製保護管６を浸漬保護管ユニットＢのアル
ミナ−黒鉛質保護管２１に相互に接触しないように空間
を介して挿脱自在に挿入すると共に、前記熱電対ユニッ
トＡの延長スリーブ５を浸漬保護管ユニットＢの連結ス
リーブ２６に挿脱自在に挿入し、延長スリーブ５と連結
スリーブ２６を着脱自在に固着する止着手段２８を設け
て成る点にある。
たところは、先端に感温部８を有し他端においてターミ
ナル２に接続される熱電対１と、該熱電対１を収納する
一体的に構成した絶縁碍子９と、絶縁碍子９を接触しな
いように空間を介して収納すると共に該絶縁碍子９の先
端部のみを固定せしめる高気密性磁製保護管６と、前記
高気密性磁製保護管６の上部を被覆保持する延長スリー
ブ５と、延長スリーブ５の上端に固着され、前記絶縁碍
子９の上部を吊持せしめると共に前記ターミナル２を収
納するハウジング部２０を備えた端子箱３とから成る熱
電対ユニットＡと；アルミナ−黒鉛質保護管２１と、該
アルミナ−黒鉛質保護管２１の上部に連結されたフラン
ジ付きの保持スリーブ２２と、該保持スリーブ２２の上
方に連通連結された連結スリーブ２６とから成る浸漬保
護管ユニットＢとから構成され：前記熱電対ユニットＡ
の高気密性磁製保護管６を浸漬保護管ユニットＢのアル
ミナ−黒鉛質保護管２１に相互に接触しないように空間
を介して挿脱自在に挿入すると共に、前記熱電対ユニッ
トＡの延長スリーブ５を浸漬保護管ユニットＢの連結ス
リーブ２６に挿脱自在に挿入し、延長スリーブ５と連結
スリーブ２６を着脱自在に固着する止着手段２８を設け
て成る点にある。
また、本発明が更に構成したところは、先端に感温部８
を有し他端においてターミナル２に接続される熱電対１
と、該熱電対１を収納する一体的に構成した絶縁碍子９
と、絶縁碍子９を接触しないように空間を介して収納す
ると共に該絶縁碍子９の先端部のみを固定せしめる高気
密性磁製保護管６と、前記高気密性磁製保護管６の上部
を被覆保持する延長スリーブ５と、延長スリーブ５の上
端に固着され、前記絶縁碍子９の上部を吊持せしめると
共に前記ターミナル２を収納するハウジング部２０を備
えた端子箱３とから成る熱電対ユニットＡと；アルミナ
−黒鉛質保護管２１と、該アルミナ−黒鉛質保護管２１
の上部に連結されたフランジ付きの保持スリーブ２２
と、該保持スリーブ２２の上方に連通連結された連結ス
リーブ２６とから成る浸漬保護管ユニットＢとから構成
され：前記熱電対ユニットＡの高気密性磁製保護管６を
浸漬保護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２１に
相互に接触しないように空間を介して挿脱自在に挿入す
ると共に、前記熱電対ユニットＡの延長スリーブ５を浸
漬保護管ユニットＢの連結スリーブ２６に挿脱自在に挿
入し、延長スリーブ５と連結スリーブ２６を着脱自在に
固着する止着手段２８を設けて成り：前記アルミナ−黒
鉛質保護管２１が、黒鉛粉末と、ＳｉＣ及びＳｉ及びＺ
ｒＯ２−ＳｉＯ２もしくはＡｌ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｓｉ
Ｏ２系の単独粉末もしくは２種以上の混合粉末と、実質
的にアルミナ粒及び／又はアルミナ粉末とから成る配合
物に、高炭化収率を有する樹脂バインダーを添加して混
練し成形すると共に焼成されて成り、該アルミナ−黒鉛
質保護管２１に含有される黒鉛成分の量を１０〜４０重
量％、ＳｉＯ２成分の量を８重量％以下とした点にあ
る。
を有し他端においてターミナル２に接続される熱電対１
と、該熱電対１を収納する一体的に構成した絶縁碍子９
と、絶縁碍子９を接触しないように空間を介して収納す
ると共に該絶縁碍子９の先端部のみを固定せしめる高気
密性磁製保護管６と、前記高気密性磁製保護管６の上部
を被覆保持する延長スリーブ５と、延長スリーブ５の上
端に固着され、前記絶縁碍子９の上部を吊持せしめると
共に前記ターミナル２を収納するハウジング部２０を備
えた端子箱３とから成る熱電対ユニットＡと；アルミナ
−黒鉛質保護管２１と、該アルミナ−黒鉛質保護管２１
の上部に連結されたフランジ付きの保持スリーブ２２
と、該保持スリーブ２２の上方に連通連結された連結ス
リーブ２６とから成る浸漬保護管ユニットＢとから構成
され：前記熱電対ユニットＡの高気密性磁製保護管６を
浸漬保護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２１に
相互に接触しないように空間を介して挿脱自在に挿入す
ると共に、前記熱電対ユニットＡの延長スリーブ５を浸
漬保護管ユニットＢの連結スリーブ２６に挿脱自在に挿
入し、延長スリーブ５と連結スリーブ２６を着脱自在に
固着する止着手段２８を設けて成り：前記アルミナ−黒
鉛質保護管２１が、黒鉛粉末と、ＳｉＣ及びＳｉ及びＺ
ｒＯ２−ＳｉＯ２もしくはＡｌ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｓｉ
Ｏ２系の単独粉末もしくは２種以上の混合粉末と、実質
的にアルミナ粒及び／又はアルミナ粉末とから成る配合
物に、高炭化収率を有する樹脂バインダーを添加して混
練し成形すると共に焼成されて成り、該アルミナ−黒鉛
質保護管２１に含有される黒鉛成分の量を１０〜４０重
量％、ＳｉＯ２成分の量を８重量％以下とした点にあ
る。
高気密性磁製保護管を使用した熱電対ユニットを浸漬保
護管ユニット内に着脱自在に収納する構造であることに
より、必要に応じ熱電対ユニットのみの交換が出来る。
護管ユニット内に着脱自在に収納する構造であることに
より、必要に応じ熱電対ユニットのみの交換が出来る。
また高気密性磁製保護管を使用することにより熱電対は
浸漬保護管内雰囲気の変化による影響を受け難く化学変
化による熱電対素線劣化が防止される。
浸漬保護管内雰囲気の変化による影響を受け難く化学変
化による熱電対素線劣化が防止される。
しかも、熱電対を収納した絶縁碍子を高気密性磁製保護
管に挿入するに際し、両者が接触しないように空間を介
して絶縁碍子を宙吊り状に収納せしめ、更に、熱電対ユ
ニットＡの高気密性磁製保護管を浸漬保護管ユニットＢ
のアルミナ−黒鉛質保護管に挿入するに際し、両者が接
触しないように空間を介して高気密性磁製保護管を宙吊
り状に収納せしめる構成とすることにより、高温下にお
いてアルミナ−黒鉛質保護管が生じる有害ガス等から熱
電対を良好に保護し、しかも、アルミナ−黒鉛質保護管
から析出する低融点物から高気密性磁製保護管を良好に
保護する。
管に挿入するに際し、両者が接触しないように空間を介
して絶縁碍子を宙吊り状に収納せしめ、更に、熱電対ユ
ニットＡの高気密性磁製保護管を浸漬保護管ユニットＢ
のアルミナ−黒鉛質保護管に挿入するに際し、両者が接
触しないように空間を介して高気密性磁製保護管を宙吊
り状に収納せしめる構成とすることにより、高温下にお
いてアルミナ−黒鉛質保護管が生じる有害ガス等から熱
電対を良好に保護し、しかも、アルミナ−黒鉛質保護管
から析出する低融点物から高気密性磁製保護管を良好に
保護する。
熱電対を収納した絶縁碍子を端子箱のハウジング部２０
に宙吊り状に吊持せしめる一方、該絶縁碍子の先端部の
みを高気密性磁製保護管に固定する構成として、熱電対
素線に絶縁碍子及び熱電対素線の自重等の負荷の掛から
ない熱電対構造を採用することにより熱電対の断線が防
止される。
に宙吊り状に吊持せしめる一方、該絶縁碍子の先端部の
みを高気密性磁製保護管に固定する構成として、熱電対
素線に絶縁碍子及び熱電対素線の自重等の負荷の掛から
ない熱電対構造を採用することにより熱電対の断線が防
止される。
更に、アルミナ−黒鉛質管の成分を新規な構成とするこ
とにより、化学変化による熱電対素線劣化原因の一部を
解消するとともに、応答速度の短縮が実現出来る。
とにより、化学変化による熱電対素線劣化原因の一部を
解消するとともに、応答速度の短縮が実現出来る。
以下本発明の溶融金属の連続測温装置（以下、本発明の
測温装置という）を図面に示す実施例に従い説明する。
測温装置という）を図面に示す実施例に従い説明する。
第１図は本発明の測温装置の実施例の全体概要図、第２
図は同装置の分解図であり、熱電対ユニットＡ、浸漬保
護管ユニットＢを示す。尚、熱電対ユニットＡについて
は内部の構造が以下に述べる通り各種の態様のものが考
えられるが、浸漬保護管ユニットＢの構成は全て共通で
ある。
図は同装置の分解図であり、熱電対ユニットＡ、浸漬保
護管ユニットＢを示す。尚、熱電対ユニットＡについて
は内部の構造が以下に述べる通り各種の態様のものが考
えられるが、浸漬保護管ユニットＢの構成は全て共通で
ある。
先ず、熱電対ユニットの構成を説明する。
第１図及び第２図において、熱電対ユニットＡは外部測
定系（図示せず）に熱電対１を接続するターミナル２を
含む端子箱３を備えている。
定系（図示せず）に熱電対１を接続するターミナル２を
含む端子箱３を備えている。
この端子箱３は前記ターミナル２を内装したハウジング
部２０より下側に延びる円筒部１３を備え、該円筒部１
３に金属製のスリーブ５をネジ部４を介して螺着してい
る。
部２０より下側に延びる円筒部１３を備え、該円筒部１
３に金属製のスリーブ５をネジ部４を介して螺着してい
る。
前記延長スリーブ５は下部に高気密性磁製保護管６の上
部を挿入するとともに、耐火セメント等の耐火性接着剤
７で接着固定し、熱電対ユニットＡの外郭を形成する。
部を挿入するとともに、耐火セメント等の耐火性接着剤
７で接着固定し、熱電対ユニットＡの外郭を形成する。
この実施例においては、高気密性磁製保護管６として、
通常市販のＪＩＳ規格第１種磁製保護管より更に高純度
の磁製保護管を採用したが、この外、高温使用時に熱電
対に有害な成分を出すことのない材料で表面を被覆・コ
ーティングすることにより高い気密性を達成することも
含めて、ここでは、高気密性磁製保護管と総称する。
通常市販のＪＩＳ規格第１種磁製保護管より更に高純度
の磁製保護管を採用したが、この外、高温使用時に熱電
対に有害な成分を出すことのない材料で表面を被覆・コ
ーティングすることにより高い気密性を達成することも
含めて、ここでは、高気密性磁製保護管と総称する。
この実施例では熱電対１として、線径０．３mmのＲ熱電
対を使用した。これは、前述の通り、現在の操業条件か
ら見て１０時間前後の連続測温のケースが最も多いこと
から、その測温に必要十分な寿命を熱電対が有しておれ
ば足りると考え経済性の観点から採用したものである
が、これよりも細い線径の熱電対を採用することも可能
であり、またその他、浸漬保護管ユニットＢのみ取替え
熱電対ユニットＡを繰返し使用する目的のある場合には
これよりも太いもの、例えば線径０．５mm又はそれ以上
の線径のものを採用してもよい。
対を使用した。これは、前述の通り、現在の操業条件か
ら見て１０時間前後の連続測温のケースが最も多いこと
から、その測温に必要十分な寿命を熱電対が有しておれ
ば足りると考え経済性の観点から採用したものである
が、これよりも細い線径の熱電対を採用することも可能
であり、またその他、浸漬保護管ユニットＢのみ取替え
熱電対ユニットＡを繰返し使用する目的のある場合には
これよりも太いもの、例えば線径０．５mm又はそれ以上
の線径のものを採用してもよい。
またＲ熱電対に限らずＢ熱電対その他測温目的に適した
熱電対を使用することが出来る。
熱電対を使用することが出来る。
熱電対１先端の感温部８近傍は、とくに、熱電対が温度
変化に伴い伸縮する際の張力が加わり易いため、熱電対
素線に負荷の掛からないように絶縁碍子を保持する構造
を採用することが好ましい。すなわち、絶縁碍子９の自
重が熱電対１に負荷として掛かることを回避するため１
本物の絶縁碍子を採用し、またそれが適わぬときは出来
るだけ単位長さの長い絶縁碍子を緊密に接続し実質的に
１本物の絶縁碍子と同様になるように一体的に構成し、
絶縁碍子９の上部を端子箱３のハウジング部２０に直接
に固定保持又は延長スリーブ５を介して間接的に固定保
持し、しかも、高気密性磁製保護管６の先端内部に接す
るように落し込み状にするが、絶縁碍子９は、先端部を
除いて高気密性磁製保護管６に接触しないよう空間を介
して収納されている。例えば第１図及び第２図に示す実
施例においては絶縁碍子９の上部を碍子固定金具１０に
より保持し、該固定金具１０を端子箱３の円筒部１３に
固定する方法を採用している。一方、第７図に示す実施
例では、絶縁碍子９を宙吊り固定する様に、絶縁碍子９
の上部を保持する碍子固定金具１０をハウジング部２０
内のターミナル２下側に固定している。
変化に伴い伸縮する際の張力が加わり易いため、熱電対
素線に負荷の掛からないように絶縁碍子を保持する構造
を採用することが好ましい。すなわち、絶縁碍子９の自
重が熱電対１に負荷として掛かることを回避するため１
本物の絶縁碍子を採用し、またそれが適わぬときは出来
るだけ単位長さの長い絶縁碍子を緊密に接続し実質的に
１本物の絶縁碍子と同様になるように一体的に構成し、
絶縁碍子９の上部を端子箱３のハウジング部２０に直接
に固定保持又は延長スリーブ５を介して間接的に固定保
持し、しかも、高気密性磁製保護管６の先端内部に接す
るように落し込み状にするが、絶縁碍子９は、先端部を
除いて高気密性磁製保護管６に接触しないよう空間を介
して収納されている。例えば第１図及び第２図に示す実
施例においては絶縁碍子９の上部を碍子固定金具１０に
より保持し、該固定金具１０を端子箱３の円筒部１３に
固定する方法を採用している。一方、第７図に示す実施
例では、絶縁碍子９を宙吊り固定する様に、絶縁碍子９
の上部を保持する碍子固定金具１０をハウジング部２０
内のターミナル２下側に固定している。
また熱電対先端の感温部８を自由移動可能な状態にして
おくと絶縁碍子９の端面と接触することにより、熱電対
表面が損傷されやすいため、熱電対先端の感温部８が高
気密性磁製保護管６の先端内部で移動せぬか又は、移動
し難いような構造を採用することが好ましい。例えば第
１図及び第２図に示す実施例では、熱電対感温部８が高
気密性磁製保護管６の先端内部で移動せぬよう、高純度
アルミナ粉末等の絶縁性粉末１４を充填固定している。
熱電対感温部８の固定方法はこの方法に限らず、粒状、
塊状絶縁物を充填してもよいし、また、第３図及び第４
図に示す通り、筒状体その他適当な成型体を介在させる
ことによる固定であってもよい。すなわち、第３図の実
施例において、絶縁物成型体１５は、高気密性磁製保護
管６の底部に嵌挿されるキャップ状に形成され、該成型
体１５の底部内面にほぼ半球状の感温部収納室１６を設
け、該成型体１５に挿入された絶縁碍子９の先端が該成
型体１５の底部内面に接することなく固定され、熱電対
１の先端感温部８が前記収納部１６内に収納されるもの
としている。また、第４図の実施例では、絶縁物成型体
１５は、高気密性磁製保護管６の底部に嵌挿される塊状
に形成され、該成型体１５の頂部に環状溝１７を形成
し、該環状溝１７に絶縁碍子９の先端部を嵌入した状態
で、該環状溝１７に囲まれた成型体１５の頂面が熱電対
１の先端感温部８を収納する収納室１６を形成してい
る。
おくと絶縁碍子９の端面と接触することにより、熱電対
表面が損傷されやすいため、熱電対先端の感温部８が高
気密性磁製保護管６の先端内部で移動せぬか又は、移動
し難いような構造を採用することが好ましい。例えば第
１図及び第２図に示す実施例では、熱電対感温部８が高
気密性磁製保護管６の先端内部で移動せぬよう、高純度
アルミナ粉末等の絶縁性粉末１４を充填固定している。
熱電対感温部８の固定方法はこの方法に限らず、粒状、
塊状絶縁物を充填してもよいし、また、第３図及び第４
図に示す通り、筒状体その他適当な成型体を介在させる
ことによる固定であってもよい。すなわち、第３図の実
施例において、絶縁物成型体１５は、高気密性磁製保護
管６の底部に嵌挿されるキャップ状に形成され、該成型
体１５の底部内面にほぼ半球状の感温部収納室１６を設
け、該成型体１５に挿入された絶縁碍子９の先端が該成
型体１５の底部内面に接することなく固定され、熱電対
１の先端感温部８が前記収納部１６内に収納されるもの
としている。また、第４図の実施例では、絶縁物成型体
１５は、高気密性磁製保護管６の底部に嵌挿される塊状
に形成され、該成型体１５の頂部に環状溝１７を形成
し、該環状溝１７に絶縁碍子９の先端部を嵌入した状態
で、該環状溝１７に囲まれた成型体１５の頂面が熱電対
１の先端感温部８を収納する収納室１６を形成してい
る。
熱電対１を収納する絶縁碍子９は高温使用時に熱電対に
有害な成分を出すことのない材料でなければならず、高
気密性磁製保護管６と同等のものであることが望まし
い。
有害な成分を出すことのない材料でなければならず、高
気密性磁製保護管６と同等のものであることが望まし
い。
絶縁碍子９の先端は第５図に示すように、Ｖ字状に切込
み１１ａを入れ熱電対感温部８が露出せぬようにするこ
とが出来る。
み１１ａを入れ熱電対感温部８が露出せぬようにするこ
とが出来る。
また絶縁碍子９の先端部軸方向に第６図に示すようなス
リット状の切込み１１ｂを入れ、熱電対感温部８の露出
を防ぐとともに、感温部８を押圧しないに該切込み１１
ｂに嵌入される脚部１８を備えた嵌込み部材１２を装着
することにより、感温部８が高気密性磁製保護管６の先
端内部で移動せぬように固定することも出来る。この
際、嵌込み部材１２の頭部１９を高気密性磁製保護管６
の先端内部に定置せしめることが好ましい。
リット状の切込み１１ｂを入れ、熱電対感温部８の露出
を防ぐとともに、感温部８を押圧しないに該切込み１１
ｂに嵌入される脚部１８を備えた嵌込み部材１２を装着
することにより、感温部８が高気密性磁製保護管６の先
端内部で移動せぬように固定することも出来る。この
際、嵌込み部材１２の頭部１９を高気密性磁製保護管６
の先端内部に定置せしめることが好ましい。
また、特に絶縁碍子９を固定する場合には、溶鋼の熱を
受けたときの熱膨張率が高気密性磁製保護管６の熱膨張
率と異なれば破損事故を起こす可能性が残るため、同等
の材質でそれぞれを構成することが望ましい。更に、第
８図に示すように、上述した絶縁性粉末１４や絶縁物成
型体１５を用いることなく、絶縁碍子９それ自体を高気
密性磁製保護管６の先端内面に接触させ、熱電対先端の
感温部８を絶縁碍子９の先端よりもやや後退した位置に
設けることにより、絶縁碍子９と高気密性磁製保護管６
との熱膨張率の差があったときの絶縁碍子９の伸縮を自
由にする構造を採用してもよい。
受けたときの熱膨張率が高気密性磁製保護管６の熱膨張
率と異なれば破損事故を起こす可能性が残るため、同等
の材質でそれぞれを構成することが望ましい。更に、第
８図に示すように、上述した絶縁性粉末１４や絶縁物成
型体１５を用いることなく、絶縁碍子９それ自体を高気
密性磁製保護管６の先端内面に接触させ、熱電対先端の
感温部８を絶縁碍子９の先端よりもやや後退した位置に
設けることにより、絶縁碍子９と高気密性磁製保護管６
との熱膨張率の差があったときの絶縁碍子９の伸縮を自
由にする構造を採用してもよい。
その他、熱電対それ自体に負荷が掛からないように配慮
しうるものであり、また熱電対の感温部が使用時にみだ
りに移動せぬものであれば、適宜の方法を採用すること
が可能である。
しうるものであり、また熱電対の感温部が使用時にみだ
りに移動せぬものであれば、適宜の方法を採用すること
が可能である。
次に第１図及び第２図に基づいて、浸漬保護管ユニット
Ｂの構成を説明する。
Ｂの構成を説明する。
浸漬保護ユニットＢを構成するもののうちアルミナ−黒
鉛質保護管２１は、黒鉛粉末の１０〜４０wt％（重量％
以下同じ）と、ＳｉＣ及びＳｉ及びＺｒＯ２−ＳｉＯ２
もしくはＡｌ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２系の単独粉末
もしくは２種以上の混合粉末の１〜１０wt％と、実質的
にアルミナ粒及び／又はアルミナ粉末の残部とから成る
配合に、高炭化収率を有する樹脂バインダーを添加して
混練し成形した後、焼成したものであり、該アルミナ−
黒鉛質保護管２１に含有される黒鉛成分の量を１０〜４
０wt％、ＳｉＯ２成分の量を８wt％以下としたことを特
徴としている。
鉛質保護管２１は、黒鉛粉末の１０〜４０wt％（重量％
以下同じ）と、ＳｉＣ及びＳｉ及びＺｒＯ２−ＳｉＯ２
もしくはＡｌ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２系の単独粉末
もしくは２種以上の混合粉末の１〜１０wt％と、実質的
にアルミナ粒及び／又はアルミナ粉末の残部とから成る
配合に、高炭化収率を有する樹脂バインダーを添加して
混練し成形した後、焼成したものであり、該アルミナ−
黒鉛質保護管２１に含有される黒鉛成分の量を１０〜４
０wt％、ＳｉＯ２成分の量を８wt％以下としたことを特
徴としている。
最も好ましい実施例において、アルミナ−黒鉛質保護管
２１は、化学組成として、Ｃが１５〜３０wt％、ＺｒＯ
２が５wt％以下、ＳｉとＳｉＣとＳｉＯ２の合量が１０
wt％以下、残部が実質的にＡｌ２Ｏ３である。
２１は、化学組成として、Ｃが１５〜３０wt％、ＺｒＯ
２が５wt％以下、ＳｉとＳｉＣとＳｉＯ２の合量が１０
wt％以下、残部が実質的にＡｌ２Ｏ３である。
その理由は、特に白金を含有する熱電対を使用する場
合、高温下ではＳｉは蒸気となり、ＳｉＣは酸化されて
ＳｉＯ２となり、ＳｉＯ２とカーボンの反応： ＳｉＯ２＋Ｃ→ＳｉＯ↑＋ＣＯ↑ により、ＳｉＯガスとＣＯガスが生じる。ＳｉＯ２も同
様である。これらのガスは、何れもＰｔと結合し、粒界
にＰｔ５Ｓｉ２を形成し、白金を低融点化したり、又は
白金中に浸透して熱電対の劣化、断線を引き起こす。
合、高温下ではＳｉは蒸気となり、ＳｉＣは酸化されて
ＳｉＯ２となり、ＳｉＯ２とカーボンの反応： ＳｉＯ２＋Ｃ→ＳｉＯ↑＋ＣＯ↑ により、ＳｉＯガスとＣＯガスが生じる。ＳｉＯ２も同
様である。これらのガスは、何れもＰｔと結合し、粒界
にＰｔ５Ｓｉ２を形成し、白金を低融点化したり、又は
白金中に浸透して熱電対の劣化、断線を引き起こす。
従って、ＳｉとＳｉＣとＳｉＯ２の合量を１０wt％以下
に制限することが好ましく、少なくともＳｉＯ２の量を
８wt％以下に制限することにより、熱電対の劣化を防止
することが可能となった。
に制限することが好ましく、少なくともＳｉＯ２の量を
８wt％以下に制限することにより、熱電対の劣化を防止
することが可能となった。
更に、このようにアルミナ−黒鉛質保護管２１の構成成
分の内で低熱伝導性のあるＳｉＯ２の量を制限すること
で、熱伝導性が改善され、応答速度が短縮される。Ｓｉ
Ｏ２は溶鋼に対する耐蝕性もＡｌ２Ｏ３やＺｒＯ２に劣
り、この点ではアルミナ−黒鉛質保護管２１の寿命延長
に効果がある。ＳｉとＳｉＣ及びＳｉＯ２は無添加の場
合、該保護管２１の耐スポーリング性や耐酸化性が低下
するが、使用条件によっては使用可能である。
分の内で低熱伝導性のあるＳｉＯ２の量を制限すること
で、熱伝導性が改善され、応答速度が短縮される。Ｓｉ
Ｏ２は溶鋼に対する耐蝕性もＡｌ２Ｏ３やＺｒＯ２に劣
り、この点ではアルミナ−黒鉛質保護管２１の寿命延長
に効果がある。ＳｉとＳｉＣ及びＳｉＯ２は無添加の場
合、該保護管２１の耐スポーリング性や耐酸化性が低下
するが、使用条件によっては使用可能である。
Ｃの含有量を１５〜３０wt％としたのは、１０wt％より
少ないと、耐スポーリング性及び熱伝導性が不足し、４
０wt％より多いと、耐蝕性及び強度が不足するからであ
る。
少ないと、耐スポーリング性及び熱伝導性が不足し、４
０wt％より多いと、耐蝕性及び強度が不足するからであ
る。
ＺｒＯ２の単独物又はその化合物は、黒鉛の酸化防止、
溶解防止機能を有しているが、ＺｒＯ２の量が５wt％よ
り多いと、耐スポーリング性が不足する。従って、Ｚｒ
Ｏ２の量は５wt％以下とすることが好ましい。
溶解防止機能を有しているが、ＺｒＯ２の量が５wt％よ
り多いと、耐スポーリング性が不足する。従って、Ｚｒ
Ｏ２の量は５wt％以下とすることが好ましい。
この際、ＺｒＯ２は単独物として使用しても良いが、Ｚ
ｒＯ２−ＳｉＯ２（ジルコン）や、ＺｒＯ２−Ａｌ２Ｏ
３−ＳｉＯ２（ジルコニアムライト）のような化合物と
して単独又は混合使用しても良い。無添加の場合、保護
管２１の耐酸化性や溶解防止機能等の耐蝕性が低下する
が、使用条件によっては使用可能である。
ｒＯ２−ＳｉＯ２（ジルコン）や、ＺｒＯ２−Ａｌ２Ｏ
３−ＳｉＯ２（ジルコニアムライト）のような化合物と
して単独又は混合使用しても良い。無添加の場合、保護
管２１の耐酸化性や溶解防止機能等の耐蝕性が低下する
が、使用条件によっては使用可能である。
前記アルミナ粒及び／又は粉末としては、電融品、焼結
品、仮焼品を特に限定するものではない。本発明は、ア
ルミナ粒及び／又は粉末としてα−Al2O3，β−Al2O3い
ずれを限定する物ではないが、β−Al2O3はNa2Oもしく
はK2Oを含む為多量の使用は望ましくない。しかし、焼
成した後のSiO2成分の量が８wt％以下の制限内であれば
シリカ粉末、ムライト、アンダリューサイト、シリマナ
イト等を耐スポーリング性向上の為少量添加することも
可能である。
品、仮焼品を特に限定するものではない。本発明は、ア
ルミナ粒及び／又は粉末としてα−Al2O3，β−Al2O3い
ずれを限定する物ではないが、β−Al2O3はNa2Oもしく
はK2Oを含む為多量の使用は望ましくない。しかし、焼
成した後のSiO2成分の量が８wt％以下の制限内であれば
シリカ粉末、ムライト、アンダリューサイト、シリマナ
イト等を耐スポーリング性向上の為少量添加することも
可能である。
バインダーとして使用される樹脂は焼成体の気孔率上昇
及び強度低下を防止する為、高炭化収率の物が望まし
い。例えば、フェノール・レジン、フランレジン、エポ
キシレジン、ピッチ、各種ピッチ変成レジン等が使用可
能であるが、一般的にはコスト、作業性の点によりフェ
ノール・レジン、ピッチ変成フェノール・レジンが使用
される。しかし樹脂については高炭化収率を有する物が
望ましく、特に限定するものではない。
及び強度低下を防止する為、高炭化収率の物が望まし
い。例えば、フェノール・レジン、フランレジン、エポ
キシレジン、ピッチ、各種ピッチ変成レジン等が使用可
能であるが、一般的にはコスト、作業性の点によりフェ
ノール・レジン、ピッチ変成フェノール・レジンが使用
される。しかし樹脂については高炭化収率を有する物が
望ましく、特に限定するものではない。
成形についてはC.I.P.及び押し出し成形等でなされ一般
的にはC.I.P.でなされるが、これらの方法に限定するも
のではない。
的にはC.I.P.でなされるが、これらの方法に限定するも
のではない。
本発明の特に具体化した実施例においては、黒鉛の２７
wt％と、SiCの３wt％及びSiの１wt％の混合粉末と、残
部をアルミナ粒及びアルミナ粉末とした配合物に、バイ
ンダーとしてフェノール・レジンを添加して混練し、C.
I.P.で成形し、１０００℃で焼成しかつSiO2成分量が
６．２％のアルミナ−黒鉛質管を得た。このアルミナ−
黒鉛質保護管については以下のデータを得た。
wt％と、SiCの３wt％及びSiの１wt％の混合粉末と、残
部をアルミナ粒及びアルミナ粉末とした配合物に、バイ
ンダーとしてフェノール・レジンを添加して混練し、C.
I.P.で成形し、１０００℃で焼成しかつSiO2成分量が
６．２％のアルミナ−黒鉛質管を得た。このアルミナ−
黒鉛質保護管については以下のデータを得た。
すなわち： 〔熱伝導度〕 at ２００℃ → １９．５ at ４００℃ → １７．６ at ６００℃ → １７．０ at ８００℃ → １６．９ （単位Kcal/m h deg.） 〔比熱〕 ０．２１Kcal/kg・deg at ８００℃ 〔密度〕 ２６００kg/m3 となっており、従来市販のアルミナ−黒鉛質保護管の特
性に較べ応答速度の短縮、温度追随性の向上等直接寄与
する改善がなされた。
性に較べ応答速度の短縮、温度追随性の向上等直接寄与
する改善がなされた。
この具体的実施例に係るアルミナ−黒鉛質保護管を使用
して行った現場試験の結果は、第９図に示す通りであ
り、従来品による場合応答まで約５分を要するのに対
し、本発明の装置では約半分の時間で済むことが判っ
た。
して行った現場試験の結果は、第９図に示す通りであ
り、従来品による場合応答まで約５分を要するのに対
し、本発明の装置では約半分の時間で済むことが判っ
た。
アルミナ−黒鉛質保護管２１は一端閉止型の円筒であ
り、実施例においては先端部をテーパー状に縮径したも
のを使用したが、これは構成上必須ではない。
り、実施例においては先端部をテーパー状に縮径したも
のを使用したが、これは構成上必須ではない。
アルミナ−黒鉛質保護管２１の上部は金属製の保持スリ
ーブ２２内に挿入され耐火性接着材２３、例えば耐火セ
メント等で固定されるとともに複数の止めネジ２４で固
定されている。この保持スリーブ２２は溶接等で固着さ
れたフランジ部２５を備え、測温装置の現場設置に際し
てはこのフランジ部２５で浸漬保護管ユニットＢの全体
を固定する。このフランジ部２５の上部には、金属製の
連結スリーブ２６が溶接等で固着立設されており、この
連結スリーブ２６、フランジ部２５、アルミナ−黒鉛質
保護管２１は、相互に同心状に整列され連通せしめられ
ている。
ーブ２２内に挿入され耐火性接着材２３、例えば耐火セ
メント等で固定されるとともに複数の止めネジ２４で固
定されている。この保持スリーブ２２は溶接等で固着さ
れたフランジ部２５を備え、測温装置の現場設置に際し
てはこのフランジ部２５で浸漬保護管ユニットＢの全体
を固定する。このフランジ部２５の上部には、金属製の
連結スリーブ２６が溶接等で固着立設されており、この
連結スリーブ２６、フランジ部２５、アルミナ−黒鉛質
保護管２１は、相互に同心状に整列され連通せしめられ
ている。
而して、上記熱電対ユニットＡは、浸漬保護管ユニット
Ｂに着脱自在に組付けられる。すなわち、熱電対ユニッ
トＡにおける熱電対１の絶縁碍子９を収納した高気密性
磁製保護管６を、浸漬保護管ユニットＢに対して、連結
スリーブ２６の上部開口を通じてアルミナ−黒鉛質保護
管２１内に挿入収納する。そして、熱電対ユニットＡの
端子箱３から垂下する延長スリーブ５を、浸漬保護管ユ
ニットＢの連結スリーブ２６に挿入し、該連結スリーブ
２６の端子箱３の円筒部１３の下端に当接する。そうす
ると、前記熱電対ユニットＡの高気密性磁製保護管６
は、浸漬保護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２
１内に挿入されるが、両管６、２１は、相互に接触しな
いように空間を介しており、高気密性磁製保護管６を宙
吊り状に収納する。これにより、高温下、アルミナ−黒
鉛質保護管２１からカーボンが析出する場合であって
も、該カーボンが高気密性磁製保護管６に付着して電気
的絶縁性を劣化するようなことが防止される。また、こ
の空間により、前述したような有害ガスから熱電対１を
良好に隔離せしめることが可能になる。この状態で、連
結スリーブの側面に開設されたネジ小孔２７より蝶ネジ
等の止着具２８を螺入し、これにより熱電対ユニットＡ
を浸漬保護管ユニットＢに対して固定保持するものであ
る。尚、延長スリーブ５と連結スリーブ２６との着脱固
着手段は、前記止着具２８に限定することなく、種々の
着脱手段を採用することができる。
Ｂに着脱自在に組付けられる。すなわち、熱電対ユニッ
トＡにおける熱電対１の絶縁碍子９を収納した高気密性
磁製保護管６を、浸漬保護管ユニットＢに対して、連結
スリーブ２６の上部開口を通じてアルミナ−黒鉛質保護
管２１内に挿入収納する。そして、熱電対ユニットＡの
端子箱３から垂下する延長スリーブ５を、浸漬保護管ユ
ニットＢの連結スリーブ２６に挿入し、該連結スリーブ
２６の端子箱３の円筒部１３の下端に当接する。そうす
ると、前記熱電対ユニットＡの高気密性磁製保護管６
は、浸漬保護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２
１内に挿入されるが、両管６、２１は、相互に接触しな
いように空間を介しており、高気密性磁製保護管６を宙
吊り状に収納する。これにより、高温下、アルミナ−黒
鉛質保護管２１からカーボンが析出する場合であって
も、該カーボンが高気密性磁製保護管６に付着して電気
的絶縁性を劣化するようなことが防止される。また、こ
の空間により、前述したような有害ガスから熱電対１を
良好に隔離せしめることが可能になる。この状態で、連
結スリーブの側面に開設されたネジ小孔２７より蝶ネジ
等の止着具２８を螺入し、これにより熱電対ユニットＡ
を浸漬保護管ユニットＢに対して固定保持するものであ
る。尚、延長スリーブ５と連結スリーブ２６との着脱固
着手段は、前記止着具２８に限定することなく、種々の
着脱手段を採用することができる。
この組付け状態において、高気密性磁製保護管６と浸漬
保護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２１とは、
溶鋼の熱を受けたときの熱膨張率が異なるため、第１図
に示すように、高気密性磁製保護管６の先端とアルミナ
−黒鉛質保護管２１の先端内部との間に所定の隙間Ｌを
予め開けておくことが望ましい。
保護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２１とは、
溶鋼の熱を受けたときの熱膨張率が異なるため、第１図
に示すように、高気密性磁製保護管６の先端とアルミナ
−黒鉛質保護管２１の先端内部との間に所定の隙間Ｌを
予め開けておくことが望ましい。
熱電対ユニットＡを浸漬ユニットＢから取外す時は、前
記止着具２８を緩め、止着を解除すればよい。
記止着具２８を緩め、止着を解除すればよい。
以上の構成からなる本発明の測温装置は、第９図に図示
するようにタンディッシュ（Ｔ）の上蓋３１に開けられ
た測温装置挿入孔３２に溶鋼注入前に設置され、タンデ
ィッシュの余熱に併せて過熱昇温され、急激な熱変化に
よるアルミナ−黒鉛質保護管及び高気密製保護管の破損
を回避するようにされる。
するようにタンディッシュ（Ｔ）の上蓋３１に開けられ
た測温装置挿入孔３２に溶鋼注入前に設置され、タンデ
ィッシュの余熱に併せて過熱昇温され、急激な熱変化に
よるアルミナ−黒鉛質保護管及び高気密製保護管の破損
を回避するようにされる。
尚、溶鋼温度計測時に熱電対ユニットＡの端子箱３内の
ターミナル２部分の昇温を避けるため加圧空気、又は加
圧不活性ガス等を公知の方法により導入し、端子箱３内
を冷却することが出来る。
ターミナル２部分の昇温を避けるため加圧空気、又は加
圧不活性ガス等を公知の方法により導入し、端子箱３内
を冷却することが出来る。
特許請求の範囲第１項に記載の本発明によれば、熱電対
ユニットＡと浸漬保護管ユニットＢとを組合わせ使用す
る構造であるため作業性が良い。特に、熱電対ユニット
Ａと浸漬保護管ユニットＢとの結合を解除するだけで分
離できるので、熱電対１の断線等の事故が生じたときは
熱電対ユニットＡを取替えれば良く、一方、熱電対ユニ
ットＡを再使用する場合は消耗品である浸漬保護管ユニ
ットＢを取替えれば良く、このような取替え作業を簡単
に行うことができる。
ユニットＡと浸漬保護管ユニットＢとを組合わせ使用す
る構造であるため作業性が良い。特に、熱電対ユニット
Ａと浸漬保護管ユニットＢとの結合を解除するだけで分
離できるので、熱電対１の断線等の事故が生じたときは
熱電対ユニットＡを取替えれば良く、一方、熱電対ユニ
ットＡを再使用する場合は消耗品である浸漬保護管ユニ
ットＢを取替えれば良く、このような取替え作業を簡単
に行うことができる。
また、本発明によれば、熱電対１を収納した絶縁碍子９
を端子箱３に吊持せしめることにより、該絶縁碍子９を
高気密性磁製保護管６に対して接触しないように空間を
介して挿入し収納すると共に、該絶縁碍子９の先端部を
高気密性磁製保護管６に固定せしめた構成であるから、
熱電対１の素線に負荷が掛からない構造の下で熱電対の
断線を好適に防止できる。即ち、熱電対１の感温部８の
近傍は、特に熱電対１が温度変化に伴い伸縮する際の張
力が加わり易いが、本発明のように熱電対素線に負荷の
掛からないように絶縁碍子を保持する構造とすることに
より、熱電対素線の断線を防止できたものである。
を端子箱３に吊持せしめることにより、該絶縁碍子９を
高気密性磁製保護管６に対して接触しないように空間を
介して挿入し収納すると共に、該絶縁碍子９の先端部を
高気密性磁製保護管６に固定せしめた構成であるから、
熱電対１の素線に負荷が掛からない構造の下で熱電対の
断線を好適に防止できる。即ち、熱電対１の感温部８の
近傍は、特に熱電対１が温度変化に伴い伸縮する際の張
力が加わり易いが、本発明のように熱電対素線に負荷の
掛からないように絶縁碍子を保持する構造とすることに
より、熱電対素線の断線を防止できたものである。
更に、本発明によれば、熱電対１は、アルミナ−黒鉛質
保護管２１との間において、高気密性磁製保護管６によ
り保護されているので、熱電対素線の劣化を防止され
る。
保護管２１との間において、高気密性磁製保護管６によ
り保護されているので、熱電対素線の劣化を防止され
る。
しかも、絶縁碍子９に収納された熱電対１は、アルミナ
−黒鉛質保護管２１に対して、該アルミナ−黒鉛質保護
管２１と高気密性磁製保護管６との間の空間部、並びに
高気密性磁製保護管６と絶縁碍子９との間の空間部を介
して二重に隔離されているので、高温下でアルミナ−黒
鉛質保護管２１により生じる有害ガスから熱電対１の劣
化を確実に防止することができたものである。加えて、
アルミナ−黒鉛質保護管２１から析出するカーボンが高
気密性磁製保護管６に付着して絶縁性を劣化せしめるこ
とも良好に防止できる。
−黒鉛質保護管２１に対して、該アルミナ−黒鉛質保護
管２１と高気密性磁製保護管６との間の空間部、並びに
高気密性磁製保護管６と絶縁碍子９との間の空間部を介
して二重に隔離されているので、高温下でアルミナ−黒
鉛質保護管２１により生じる有害ガスから熱電対１の劣
化を確実に防止することができたものである。加えて、
アルミナ−黒鉛質保護管２１から析出するカーボンが高
気密性磁製保護管６に付着して絶縁性を劣化せしめるこ
とも良好に防止できる。
特許請求の範囲第２項に記載の本発明によれば、アルミ
ナ−黒鉛質保護管２１が、黒鉛粉末と、ＳｉＣ及びＳｉ
及びＺｒＯ２−ＳｉＯ２もしくはＡｌ２Ｏ３−ＺｒＯ２
−ＳｉＯ２系の単独粉末もしくは２種以上の混合粉末
と、実質的にアルミナ粒及び／又はアルミナ粉末とから
成る配合物に、高炭化収率を有する樹脂バインダーを添
加して混練し成形すると共に焼成されて成り、該アルミ
ナ−黒鉛質保護管２１に含有される黒鉛成分の量を１０
〜４０重量％、ＳｉＯ２成分の量を８重量％以下とした
ものであるから、熱電対素線の劣化原因となるＳｉＯガ
ス及びＣＯガスの発生を極力抑制し、熱電対１の劣化、
断線を防止できたものである。
ナ−黒鉛質保護管２１が、黒鉛粉末と、ＳｉＣ及びＳｉ
及びＺｒＯ２−ＳｉＯ２もしくはＡｌ２Ｏ３−ＺｒＯ２
−ＳｉＯ２系の単独粉末もしくは２種以上の混合粉末
と、実質的にアルミナ粒及び／又はアルミナ粉末とから
成る配合物に、高炭化収率を有する樹脂バインダーを添
加して混練し成形すると共に焼成されて成り、該アルミ
ナ−黒鉛質保護管２１に含有される黒鉛成分の量を１０
〜４０重量％、ＳｉＯ２成分の量を８重量％以下とした
ものであるから、熱電対素線の劣化原因となるＳｉＯガ
ス及びＣＯガスの発生を極力抑制し、熱電対１の劣化、
断線を防止できたものである。
しかも、同時に低熱伝導性であるＳｉＯ２の量を制限す
るため、熱伝導性を改良し応答速度の短縮化を可能にす
ると共に、保護管２１の長寿命化にも寄与することがで
きる。
るため、熱伝導性を改良し応答速度の短縮化を可能にす
ると共に、保護管２１の長寿命化にも寄与することがで
きる。
更に、アルミナ−黒鉛質保護管２１に含有される黒鉛成
分の量を１０〜４０重量％としたので、耐スポーリング
性、熱伝導性、耐蝕性、強度を悉く満足できたものであ
る。
分の量を１０〜４０重量％としたので、耐スポーリング
性、熱伝導性、耐蝕性、強度を悉く満足できたものであ
る。
第１図は本発明の測温装置の実施例の全体を示す正面断
面図、第２図は同装置の熱電対ユニットと浸漬保護管ユ
ニットを分解した状態を示す正面断面図、第３図及び第
４図はそれぞれ熱電対感温部の固定構造の実施例を示す
部分断面図、第５図及び第６図はそれぞれ絶縁碍子の先
端構造の実施例を示す部分断面図、第７図及び第８図は
それぞれ絶縁碍子のその他の設置例を示す部分断面図、
第９図は本発明の測温装置の使用状態を示す概観図、第
１０図は本発明の最適実施例に基づく試験結果を示す表
である。 １：熱電対、２：ターミナル、３：端子箱、４：ネジ
部、５：延長スリーブ、６：高気密性磁製保護管、７：
耐火性接着剤、８：熱電対感温部、９：絶縁碍子、10：
碍子固定金具、11a・11b：切込み、12：嵌込み部材、1
3：円筒部、14：絶縁性粉末、15：絶縁物成型体、16：
感温部収納室、17：環状溝、18：脚部、19：頭部、20：
ハウジング部、21：アルミナ−黒鉛質保護管、22：保持
スリーブ、23：耐火性接着剤、24：止めネジ、25：フラ
ンジ部、26：連結スリーブ、27：ネジ小孔、28：止着具
（止着手段）、31：タンディッシュ上蓋、32：測温装置
挿入孔、Ａ：熱電対ユニット、Ｂ：浸漬保護管ユニッ
ト、Ｔ：タンディッシュ。
面図、第２図は同装置の熱電対ユニットと浸漬保護管ユ
ニットを分解した状態を示す正面断面図、第３図及び第
４図はそれぞれ熱電対感温部の固定構造の実施例を示す
部分断面図、第５図及び第６図はそれぞれ絶縁碍子の先
端構造の実施例を示す部分断面図、第７図及び第８図は
それぞれ絶縁碍子のその他の設置例を示す部分断面図、
第９図は本発明の測温装置の使用状態を示す概観図、第
１０図は本発明の最適実施例に基づく試験結果を示す表
である。 １：熱電対、２：ターミナル、３：端子箱、４：ネジ
部、５：延長スリーブ、６：高気密性磁製保護管、７：
耐火性接着剤、８：熱電対感温部、９：絶縁碍子、10：
碍子固定金具、11a・11b：切込み、12：嵌込み部材、1
3：円筒部、14：絶縁性粉末、15：絶縁物成型体、16：
感温部収納室、17：環状溝、18：脚部、19：頭部、20：
ハウジング部、21：アルミナ−黒鉛質保護管、22：保持
スリーブ、23：耐火性接着剤、24：止めネジ、25：フラ
ンジ部、26：連結スリーブ、27：ネジ小孔、28：止着具
（止着手段）、31：タンディッシュ上蓋、32：測温装置
挿入孔、Ａ：熱電対ユニット、Ｂ：浸漬保護管ユニッ
ト、Ｔ：タンディッシュ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 敬一 大阪府大阪市西区西本町１丁目７番10号 川惣電機工業株式会社内 (72)発明者 平岩 義隆 福岡県北九州市八幡西区東浜町１番１号 黒崎窯業株式会社内 (72)発明者 飯塚 祥治 福岡県北九州市八幡西区東浜町１番１号 黒崎窯業株式会社内 (72)発明者 嶋 省三 千葉県君津市君津１番地 新日本製鐵株式 會社君津製鐵所内 (72)発明者 中村 勇気男 千葉県君津市君津１番地 新日本製鐵株式 會社君津製鐵所内 (56)参考文献 特開 昭62−28626（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−68525（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−246636（ＪＰ，Ａ) 実開 昭52−107682（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−27428（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】先端に感温部８を有し他端においてターミ
ナル２に接続される熱電対１と、該熱電対１を収納する
一体的に構成した絶縁碍子９と、絶縁碍子９を接触しな
いように空間を介して収納すると共に該絶縁碍子９の先
端部のみを固定せしめる高気密性磁製保護管６と、前記
高気密性磁製保護管６の上部を被覆保持する延長スリー
ブ５と、延長スリーブ５の上端に固着され、前記絶縁碍
子９の上部を吊持せしめると共に前記ターミナル２を収
納するハウジング部２０を備えた端子箱３とから成る熱
電対ユニットＡと； アルミナ−黒鉛質保護管２１と、該アルミナ−黒鉛質保
護管２１の上部に連結されたフランジ付きの保持スリー
ブ２２と、該保持スリーブ２２の上方に連通連結された
連結スリーブ２６とから成る浸漬保護管ユニットＢとか
ら構成され： 前記熱電対ユニットＡの高気密性磁製保護管６を浸漬保
護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２１に相互に
接触しないように空間を介して挿脱自在に挿入すると共
に、前記熱電対ユニットＡの延長スリーブ５を浸漬保護
管ユニットＢの連結スリーブ２６に挿脱自在に挿入し、
延長スリーブ５と連結スリーブ２６を着脱自在に固着す
る止着手段２８を設けて成ることを特徴とする溶融金属
の連続測温装置。 - 【請求項２】先端に感温部８を有し他端においてターミ
ナル２に接続される熱電対１と、該熱電対１を収納する
一体的に構成した絶縁碍子９と、絶縁碍子９を接触しな
いように空間を介して収納すると共に該絶縁碍子９の先
端部のみを固定せしめる高気密性磁製保護管６と、前記
高気密性磁製保護管６の上部を被覆保持する延長スリー
ブ５と、延長スリーブ５の上端に固着され、前記絶縁碍
子９の上部を吊持せしめると共に前記ターミナル２を収
納するハウジング部２０を備えた端子箱３とから成る熱
電対ユニットＡと； アルミナ−黒鉛質保護管２１と、該アルミナ−黒鉛質保
護管２１の上部に連結されたフランジ付きの保持スリー
ブ２２と、該保持スリーブ２２の上方に連通連結された
連結スリーブ２６とから成る浸漬保護管ユニットＢとか
ら構成され： 前記熱電対ユニットＡの高気密性磁製保護管６を浸漬保
護管ユニットＢのアルミナ−黒鉛質保護管２１に相互に
接触しないように空間を介して挿脱自在に挿入すると共
に、前記熱電対ユニットＡの延長スリーブ５を浸漬保護
管ユニットＢの連結スリーブ２６に挿脱自在に挿入し、
延長スリーブ５と連結スリーブ２６を着脱自在に固着す
る止着手段２８を設けて成り： 前記アルミナ−黒鉛質保護管２１が、黒鉛粉末と、Ｓｉ
Ｃ及びＳｉ及びＺｒＯ２−ＳｉＯ２もしくはＡｌ２Ｏ３
−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２系の単独粉末もしくは２種以上の
混合粉末と、実質的にアルミナ粒及び／又はアルミナ粉
末とから成る配合物に、高炭化収率を有する樹脂バイン
ダーを添加して混練し成形すると共に焼成されて成り、
該アルミナ−黒鉛質保護管２１に含有される黒鉛成分の
量を１０〜４０重量％、ＳｉＯ２成分の量を８重量％以
下としたことを特徴とする溶融金属の連続測温装置。
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|---|---|---|---|
| JP62328948A JPH0648217B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 溶融金属の連続測温装置 |
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| FR8904962A FR2645959B1 (fr) | 1987-12-24 | 1989-04-14 | Appareil pour mesurer en continu la temperature de metal fondu et son procede de fabrication |
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| JP62328948A JPH0648217B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 溶融金属の連続測温装置 |
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|---|---|
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| JPH0648217B2 true JPH0648217B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=18215889
Family Applications (1)
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Country Status (3)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001215156A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 接触式温度測定装置 |
| JP2001304978A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-10-31 | Tokyo Yogyo Co Ltd | 測温プローブ装置 |
Families Citing this family (481)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069553A (en) * | 1989-12-04 | 1991-12-03 | Vesuvius Crucible Company | Protective sheath for a continuous measurement thermocouple |
| JPH0393748U (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-25 | ||
| DE4014361A1 (de) * | 1990-05-04 | 1991-11-14 | Werner & Pfleiderer | Temperatursensor fuer misch- und knetmaschinen |
| FR2676812B1 (fr) * | 1991-05-24 | 1994-09-02 | Thermo Controle | Dispositif pour mesurer la temperature dans une ambiance explosible. |
| DE9109308U1 (de) * | 1991-07-27 | 1992-11-26 | Hoechst Ag, 65929 Frankfurt | Temperaturmeßvorrichtung |
| DE4207317C3 (de) * | 1992-03-06 | 2000-03-16 | Heraeus Electro Nite Int | Vorrichtung zur Messung der Temperatur von Metallschmelzen |
| US5348395A (en) * | 1992-12-11 | 1994-09-20 | General Electric Company | Aspirating pyrometer with platinum thermocouple and radiation shields |
| DE4302146A1 (de) * | 1993-01-27 | 1994-07-28 | Schramm Gmbh | Widerstandsthermometer |
| US5399018A (en) * | 1993-03-31 | 1995-03-21 | Omega Engineering, Inc. | Adjustable positioning housing assembly for an infrared thermocouple |
| US5275670A (en) * | 1993-07-06 | 1994-01-04 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High temperature, oxidation resistant noble metal-Al alloy thermocouple |
| US5968223A (en) * | 1993-07-13 | 1999-10-19 | Eckert; C. Edward | Method for heating molten metal using heated baffle |
| US5456761A (en) * | 1993-07-15 | 1995-10-10 | Alcan International Limited | High temperature and abrasion resistant temperature measuring device |
| US5603571A (en) * | 1993-08-18 | 1997-02-18 | Eckert; C. Edward | Thermocouple assembly including an outer sleeve made in part of a titanium alloy |
| US5520461A (en) * | 1994-03-02 | 1996-05-28 | Alliedsignal Inc. | Airtight thermocouple probe |
| JP2929261B2 (ja) * | 1994-06-07 | 1999-08-03 | 中部助川興業株式会社 | 測温センサ |
| WO1996017230A1 (en) * | 1994-11-30 | 1996-06-06 | Kabushiki Kaisha Kouransha | Thermo-couple thermometer and method of manufacturing sintered body for the thermometer |
| JP3014444U (ja) * | 1995-02-07 | 1995-08-08 | 株式会社香蘭社 | セラミックシース熱電対を用いた測温センサー |
| US5772324A (en) * | 1995-10-02 | 1998-06-30 | Midwest Instrument Co., Inc. | Protective tube for molten metal immersible thermocouple |
| CA2199765A1 (en) * | 1996-03-14 | 1997-09-14 | Sylvain P. Tremblay | Method and apparatus for measurement of temperatures of molten aluminum and aluminum alloys |
| US6217631B1 (en) | 1996-07-17 | 2001-04-17 | C. Edward Eckert | Method and apparatus for treating molten aluminum |
| US6146443A (en) * | 1997-06-26 | 2000-11-14 | Eckert; C. Edward | Pre-treated carbon based composite material for molten metal |
| US6143055A (en) * | 1997-06-26 | 2000-11-07 | Eckert; C. Edward | Carbon based composite material for molten metal |
| US6508977B2 (en) | 1997-06-26 | 2003-01-21 | C. Edward Eckert | Reinforced refractory shaft design for fluxing molten metal |
| US5975755A (en) * | 1997-10-15 | 1999-11-02 | Midwest Instrument Co., Inc. | Shield for molten metal immersible thermocouple support pole |
| KR20010031714A (ko) * | 1997-11-03 | 2001-04-16 | 러셀 엔. 페어뱅크스, 쥬니어 | 수명이 긴 고온 공정 챔버 |
| US6679627B1 (en) | 1997-11-04 | 2004-01-20 | Rdc Controle Ltee | Self-floating device for measuring the temperature of liquids |
| US5948999A (en) * | 1998-02-11 | 1999-09-07 | Midwest Instrument Co., Inc. | Molten metal dip sampler |
| US6059453A (en) * | 1998-04-20 | 2000-05-09 | Rosemount Inc. | Temperature probe with sapphire thermowell |
| JP2000035364A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Fuji Electric Co Ltd | 溶融金属連続測温装置 |
| US6302578B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-16 | Texaco Inc. | Behind the brick thermocouple |
| US6367974B1 (en) * | 1999-04-19 | 2002-04-09 | Peter Lin | Thermocouple apparatus and well for containers having a flanged access opening |
| US6341892B1 (en) * | 2000-02-03 | 2002-01-29 | George Schmermund | Resistance thermometer probe |
| US7166165B2 (en) | 2000-04-06 | 2007-01-23 | Asm America, Inc. | Barrier coating for vitreous materials |
| CN1116593C (zh) * | 2000-07-12 | 2003-07-30 | 东北大学 | 钢水温度连续测量方法和测温管 |
| US7004623B2 (en) * | 2002-03-21 | 2006-02-28 | Jon Nakagawa | Disposable sheath for data logger probe and method for measuring and recording temperature in a closed container |
| US6825051B2 (en) * | 2002-05-17 | 2004-11-30 | Asm America, Inc. | Plasma etch resistant coating and process |
| US6827486B2 (en) * | 2002-11-22 | 2004-12-07 | Welker Engineering Company | Temperature probe and insertion device |
| US6857776B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-02-22 | Ametek, Inc. | Connectorized high-temperature thermocouple |
| WO2004090491A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-21 | Saudi Arabian Oil Company | Measurement of molten sulfur level in receptacles |
| US7011446B2 (en) * | 2003-07-29 | 2006-03-14 | Ametek, Inc. | Thermocouple junction box with isolated studs |
| US6974781B2 (en) * | 2003-10-20 | 2005-12-13 | Asm International N.V. | Reactor precoating for reduced stress and uniform CVD |
| DE102004032561B3 (de) * | 2004-07-05 | 2006-02-09 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Behälter für Metallschmelze sowie Verwendung des Behälters |
| JP4678820B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2011-04-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
| FR2880685B1 (fr) * | 2005-01-12 | 2007-10-19 | Sc2N Sa | Capteur de temperature, notamment pour vehicule automobile |
| DE102005040311B3 (de) * | 2005-08-24 | 2006-10-26 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Vorrichtung zur Temperaturmessung in Metallschmelzen |
| JP4536642B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2010-09-01 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ素子 |
| FR2894024B1 (fr) * | 2005-11-30 | 2008-01-18 | Cogema | Canne de mesure de temperature |
| US7874726B2 (en) * | 2007-05-24 | 2011-01-25 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US8034410B2 (en) | 2007-07-17 | 2011-10-11 | Asm International N.V. | Protective inserts to line holes in parts for semiconductor process equipment |
| US20090052498A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US7807222B2 (en) * | 2007-09-17 | 2010-10-05 | Asm International N.V. | Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same |
| US7993057B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-08-09 | Asm America, Inc. | Redundant temperature sensor for semiconductor processing chambers |
| US7891870B2 (en) * | 2008-04-29 | 2011-02-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Temperature sensor element and method of manufacturing the same |
| JP5198934B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2013-05-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
| DE102008002191A1 (de) * | 2008-06-03 | 2009-12-10 | Robert Bosch Gmbh | Temperatursensor |
| US7946762B2 (en) * | 2008-06-17 | 2011-05-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US8262287B2 (en) * | 2008-12-08 | 2012-09-11 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8382370B2 (en) | 2009-05-06 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction |
| US8100583B2 (en) * | 2009-05-06 | 2012-01-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US9297705B2 (en) * | 2009-05-06 | 2016-03-29 | Asm America, Inc. | Smart temperature measuring device |
| US8297129B2 (en) * | 2009-06-18 | 2012-10-30 | Muskopf Brian A | Instrument mounting system and method |
| JP5766117B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2015-08-19 | 本田技研工業株式会社 | 温度測定機能を持つリチウムイオン電池の釘刺し試験具 |
| US8545096B2 (en) * | 2009-08-06 | 2013-10-01 | Ge Infrastructure Sensing, Inc. | Thermal sensor device and method of assembly |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| EP2386843B1 (de) * | 2010-05-11 | 2016-08-03 | Innovatherm Prof. Dr. Leisenberg GmbH & Co. KG | Thermoelement |
| EP2490000B1 (de) * | 2011-02-16 | 2013-09-18 | Siemens VAI Metals Technologies GmbH | Automatisiertes Einstecken eines Kontaktstabes in eine hüttentechnische Sonde |
| JP5523383B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2014-06-18 | 日新製鋼株式会社 | 羽口ユニットおよび熱電対交換方法 |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| DE102011112876B3 (de) * | 2011-07-11 | 2012-12-06 | Tesona Gmbh & Co. Kg | Hochtemperaturmesssensoranordnung |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US20130319494A1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Watlow Electric Manufacturing Company | Speciality junction thermocouple for use in high temperature and corrosive environment |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| DE102012017500B3 (de) * | 2012-09-05 | 2014-01-16 | S + S Regeltechnik Gmbh | Tauchfühler |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| JP6080451B2 (ja) | 2012-09-25 | 2017-02-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び熱電対支持体 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| CN102928108A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-02-13 | 阿尔赛(苏州)无机材料有限公司 | 新型高温热电偶 |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| USD702188S1 (en) | 2013-03-08 | 2014-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Thermocouple |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| JP6452606B2 (ja) | 2013-08-08 | 2019-01-16 | 株式会社フルヤ金属 | 温度計 |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US9791328B2 (en) | 2013-12-18 | 2017-10-17 | Ewig Industries Macao Commercial Offshore Ltd | Waterproof food thermometer probe and associated methods |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| JP2016186432A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 東京窯業株式会社 | 測温プローブ |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| CN106289551A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-04 | 张子青 | 一种便于固定的热电偶结构 |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| JP6359076B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-07-18 | 東京窯業株式会社 | 測温プローブ |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| TWI794238B (zh) | 2017-07-13 | 2023-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 於單一加工腔室中自半導體膜移除氧化物及碳之裝置及方法 |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| CN108489626B (zh) * | 2017-11-14 | 2024-05-31 | 久茂自动化(大连)有限公司 | 一种用于测量浮法玻璃熔窑中锡槽温度的热电偶装置 |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US10753807B2 (en) * | 2018-01-19 | 2020-08-25 | Te Wire & Cable Llc | Thermocouple termination/closure and method |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
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| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
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| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11366023B2 (en) * | 2019-07-02 | 2022-06-21 | Gas Turbine Specialty Parts LLC | Multi-piece thermowell |
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| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
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| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR102971074B1 (ko) | 2019-07-30 | 2026-05-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US12622218B2 (en) | 2019-07-31 | 2026-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette lid opening device |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR102983146B1 (ko) | 2019-08-22 | 2026-06-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| CN112442674A (zh) | 2019-09-03 | 2021-03-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于沉积硫族化物膜的方法和设备以及包括膜的结构 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR102948143B1 (ko) | 2019-10-08 | 2026-04-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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| KR102879443B1 (ko) | 2019-10-10 | 2025-11-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US20210108967A1 (en) | 2019-10-14 | 2021-04-15 | Justin Thrash | TempTech |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
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| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
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| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
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| US11187586B2 (en) | 2020-08-17 | 2021-11-30 | SoCal Dab Tools, LLC | Temperature sensing system |
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| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
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| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TWI918732B (zh) | 2020-10-14 | 2026-03-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
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| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TWI916460B (zh) | 2020-12-14 | 2026-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| CN114649247A (zh) | 2020-12-18 | 2022-06-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有可旋转工作台的晶片处理设备 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TWI922548B (zh) | 2020-12-22 | 2026-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TWI922546B (zh) | 2020-12-22 | 2026-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| KR20220097266A (ko) | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 재료 증착을 위한 조성물, 합성 방법 및 용도 |
| US11650106B2 (en) * | 2020-12-30 | 2023-05-16 | Rosemount Inc. | Temperature probe with improved response time |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| CN114812862A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-07-29 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 | 测温装置及化学气相沉积设备 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB190807910A (en) * | 1908-04-09 | 1908-06-04 | Siemens Brothers & Co Ltd | Improvements in Pyrometers or Thermometers of the Thermo-electric or Electrical Resistance Type. |
| US2303704A (en) * | 1939-10-10 | 1942-12-01 | Carl L Oseland | Temperature responsive device |
| US3106493A (en) * | 1961-05-05 | 1963-10-08 | Gen Electric | Thermocouple |
| US3610045A (en) * | 1965-04-01 | 1971-10-05 | Ajax Magnethermic Corp | Thermocouples |
| US3647558A (en) * | 1967-06-26 | 1972-03-07 | Carborundum Co | Protected thermocouple and protection tube |
| DE1995599U (de) * | 1967-09-19 | 1968-10-31 | Voest Ag | Einrichtung zur kontinuierlichen messung der temperatur von metallbaedern in schmelz- oder frischoefen, insbesondere tiegeln oder konvertern |
| US3580744A (en) * | 1969-02-04 | 1971-05-25 | Us Air Force | Immersion thermocouple for atmospheric and vacuum environments |
| US3580078A (en) * | 1969-04-16 | 1971-05-25 | American Standard Inc | Thermocouple failure indicating device |
| BE757488R (fr) * | 1969-10-16 | 1971-03-16 | Voest Ag | Procede de mesure continue de la temperature de bains metalliques et sonde pour sa mise en |
| US3680382A (en) * | 1970-06-08 | 1972-08-01 | Barber Colman Co | Thermocouple protection tube for use in molten metal |
| US3923552A (en) * | 1972-12-21 | 1975-12-02 | Ppg Industries Inc | Hermetically sealed thermocouple assembly |
| DE2411995A1 (de) * | 1973-04-20 | 1974-10-31 | Plansee Metallwerk | Vorrichtung zur temperaturmessung mittels thermoelementen |
| JPS52107682U (ja) * | 1976-02-12 | 1977-08-16 | ||
| GB2045433B (en) * | 1979-03-30 | 1983-08-17 | Mckee F B | Wall mounting arrangement suitable for a thermometer |
| US4430518A (en) * | 1981-11-30 | 1984-02-07 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Protecting tube for thermocouple |
| JPS5927428U (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-20 | 山里産業株式会社 | 熱電対の保護管体構造 |
| DE3462858D1 (en) * | 1983-06-20 | 1987-05-07 | Sumitomo Metal Ind | Apparatus for detecting slag outflow |
| JPS6168525A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 溶融金属連続測温計 |
| JPS61246636A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-01 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 溶鋼連続測温用保護管 |
| JPS6228626A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 溶融金属連続測温計 |
| US4721534A (en) * | 1985-09-12 | 1988-01-26 | System Planning Corporation | Immersion pyrometer |
| US4721533A (en) * | 1986-08-01 | 1988-01-26 | System Planning Corporation | Protective structure for an immersion pyrometer |
| JPS63247629A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Asahi Glass Co Ltd | 熱電対保護管 |
| US4776705A (en) * | 1987-06-11 | 1988-10-11 | Texaco Inc. | Thermocouple for use in a hostile environment |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP62328948A patent/JPH0648217B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-11 US US07/336,333 patent/US4984904A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-14 FR FR8904962A patent/FR2645959B1/fr not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001215156A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 接触式温度測定装置 |
| JP2001304978A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-10-31 | Tokyo Yogyo Co Ltd | 測温プローブ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2645959A1 (fr) | 1990-10-19 |
| FR2645959B1 (fr) | 1995-06-09 |
| US4984904A (en) | 1991-01-15 |
| JPH01169329A (ja) | 1989-07-04 |
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