FR2984009A1 - Dispositif mecanique de commutation electrique integre - Google Patents

Abstract

Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, qui comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) un premier ensemble thermiquement déformable et activable (ENS1) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même niveau de métallisation, et au moins un corps électriquement conducteur (BTA, BTB), ledit premier ensemble (ENS1) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit au moins un corps (BTA, BTB) dans l'une des deux configurations et en contact avec ledit au moins un corps (BTA, BTB) dans l'autre configuration de façon à établir ou interrompre une liaison électrique passant par ledit au moins un corps et par ladite poutre.

Description

B11-3652FR 1 Dispositif mécanique de commutation électrique intégré L'invention concerne les circuits intégrés, et plus particulièrement, les dispositifs de commutation électrique comme des interrupteurs ou des commutateurs, en particulier les dispositifs mécaniques activables thermiquement ou électriquement. L'invention s' applique avantageusement mais non limitativement, à la détection de seuils de température au sein d'un produit incorporant un tel circuit intégré. Actuellement, les dispositifs de commutation réalisés au sein de circuits intégrés sont généralement des commutateurs du type microsystème électromécanique (Micro Electro Mechanical System : MEMS) utilisant des éléments en polysilicium. Cependant, la technologie utilisée pour réaliser de tels commutateurs est une technologie dédiée, difficile à intégrer dans un flot technologique standard CMOS. On peut également utiliser des mesures de résistance dans le but d'évaluer une température. Cependant, de tels détecteurs de température nécessitent d'être électriquement alimentés. Ils ne fonctionnent pas en mode éteint (mode « off ») et leur propre fonctionnement a un impact sur la mesure de température. D'autres détecteurs de température ne peuvent détecter qu'une élévation de température. C'est le cas par exemple de celui décrit dans EP 2 202 767. Selon un mode de réalisation, il est proposé un nouveau dispositif mécanique de commutation électrique qui puisse être intégré dans tous les flots technologiques CMOS par l'adjonction éventuelle de seulement quelques opérations supplémentaires (l'adjonction d'un niveau de masque, par exemple), et ce sans utiliser la technologie classique du type MEMS.

Selon un mode de réalisation, il est également proposé un dispositif de commutation qui ait un impact limité en terme surfacique dans le circuit intégré. Selon un mode de réalisation, il est également proposé un dispositif de commutation qui puisse être utilisé comme détecteur de température à la fois pour détecter une élévation de température ou bien une baisse de température, et ce en étant éventuellement non alimenté. Selon un mode de réalisation, il est ainsi proposé d'utiliser au moins un ensemble thermiquement déformable, réalisé au sein d'un niveau de métallisation du circuit intégré, et d'utiliser le comportement physique du métal formant cet ensemble thermiquement déformable soumis à une variation de température de façon à établir ou interrompre au moins une liaison électrique passant par une partie au moins de cet ensemble thermiquement déformable, et par une butée contre laquelle peut venir une poutre ou pointeur de cet ensemble thermiquement déformable. Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant au dessus d'un substrat une partie comprenant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Une telle partie est communément désignée par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon de « BEOL » (« Back End Of Line »). Selon une caractéristique générale de cet aspect, le circuit intégré comprend en outre au sein de ladite partie un dispositif mécanique de commutation électrique comportant dans un logement un premier ensemble thermiquement déformable incluant une poutre maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras solidaires de bords du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même niveau de métallisation ; le dispositif de commutation électrique comprend également au moins un corps électriquement conducteur, par exemple une butée métallique ; ce premier ensemble a au moins une première configuration lorsqu'il a une première température, par exemple la température ambiante du circuit intégré, et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, par exemple une température supérieure ; la poutre est à distance dudit au moins un corps dans l'une des deux configurations, et en contact avec ledit au moins un corps dans l'autre configuration, de façon à établir ou interdire une liaison électrique passant par ledit au moins un corps et par ladite poutre, et ledit premier ensemble étant activable pour passer d'une des configurations à une autre configuration.

Un tel dispositif de commutation mécanique permettant d'établir ou d'interrompre une liaison électrique, est ainsi réalisé dans la partie dite BEOL des circuits intégrés au sein d'un même niveau de métallisation, et présente donc une structure essentiellement bidimensionnelle et métallique. Il s'intègre donc aisément dans un flot technologique CMOS en utilisant largement les étapes classiques de réalisation de la partie BEOL du circuit intégré. Le premier ensemble, thermiquement déformable, peut être thermiquement activable ou bien électriquement activable, l'élévation de température étant, dans ce dernier cas, obtenue par effet Joule par la circulation d'un courant dans le premier ensemble. Différents modes de réalisation de l'ensemble sont possibles, comportant une poutre maintenue en différents endroits par au moins deux bras voire deux paires de bras, certains au moins des bras pouvant comporter plusieurs branches parallèles.

De même, le corps contre lequel vient en contact la poutre du premier ensemble dans l'une des configurations, peut comporter une voire plusieurs butées, ou éventuellement un autre ensemble thermiquement déformable. D' autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : les figures 1 à 16, pour certaines d'entre elles schématiques, sont relatives à différents modes de réalisation d'un dispositif selon l'invention.

Si l'on se réfère à la figure 1, on voit que le dispositif mécanique de commutation ou commutateur CMT est réalisé au sein d'un même niveau de métallisation Mi de la partie d'interconnexion PITX du circuit intégré CI, cette partie d'interconnexion étant également communément désignée par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon BEOL. Cette partie PITX se situe au dessus du substrat SB. Dans les exemples décrits ici, le commutateur CMT est métallique, et plus particulièrement en cuivre. Cela étant, le métal pourrait être de l'aluminium ou du tungstène sans que ces deux exemples ne soient limitatifs. Le commutateur CMT comporte ici un ensemble ENSI en forme de croix asymétrique. Cet ensemble ENSI comporte un premier bras BR1A et un deuxième bras BR1B solidaire d'une poutre PTR, également dénommée « pointeur central », en deux emplacements EMPA et EMPB respectivement situés sur deux faces opposées de la poutre PTR. Ces deux emplacements EMPA et EMPB sont espacés d'une distance d. Comme on le verra plus en détail ci après, l'ensemble ENSI est réalisé en utilisant des techniques classiques de réalisation des pistes métalliques de la partie d'interconnexion PITX, utilisées en technologie CMOS notamment. La partie gauche de la figure 1 montre le commutateur CMT, et plus particulièrement l'ensemble ENSI encapsulé dans une région isolante RIS tandis que la partie droite de la figure 1 montre le même ensemble après gravure de la région isolante de façon à libérer les bras BR1A et BR1B ainsi que la poutre PTR. L'ensemble ENSI, ainsi libéré, s'étend donc à l'intérieur d'un logement LG résultant du retrait de la région isolante RIS, les deux bras BR1A et BR1B étant solidaires des bords BDA et BDB du logement. Il a été montré dans l'article de R. Vayrette et autres intitulé : « Residual stress estimation in damascene copper interconnects using embedded sensors », Microelectronics Engineering 87 (2010) 412-415, qu'après désencapsulation d'un ensemble de ce type, il y a une relaxation des contraintes, ce qui provoque une déformation longitudinale résiduelle des bras provoquant une déviation a du pointeur, ici dans le sens des aiguilles d'une montre.

Plus précisément, si l'on suppose un bras de largeur Wa constante, la déviation a s'exprime par la formule suivante : a= d.L.L0(L - L0) (2L - L0) + -4.W02.1,0 3 où Lo est la longueur du bras après relaxation L Lo est égal à où a désigne la contrainte longitudinale moyenne résiduelle et E le module de Young du matériau (environ égal à 130 GPa pour le cuivre isotrope). a est déterminé expérimentalement à partir de mesures effectuées sur des structures de test présentant diverses valeurs de d et diverses valeurs de Wa. Ainsi, pour 1/d égal à 2 pm-1 et Wa égal à 0,5 [lm, a vaut environ 800 MPa. A titre indicatif, pour des bras de longueur 10 microns et de largeur 0,2 microns, on a une déviation du pointeur de l'ordre de 0,2 microns pour un espacement d de 2 microns. Pour un espacement de 1 micron, on a une déviation a de l'ordre de 0,3 microns. Ceci s'entend pour des commutateurs recuits à 400° avec une région isolante RIS de 0,56 microns. Pour une largeur de ligne (largeur de bras) de l'ordre de 0,2 microns, on obtient une déformation résiduelle longitudinale moyenne comprise entre 0,25% et 0,30% pour une largeur de ligne (largeur des bras) de 0,5 microns, 0,20% pour une largeur de ligne de 1 micron, et un peu moins de 0,20% pour une largeur de ligne de 2 microns. Selon les applications qui seront envisagées, et notamment selon la précision souhaitée, par exemple dans le cas d'une détection 1+a E de température, on pourra tenir compte ou ne pas tenir compte de cette déviation résiduelle a du pointeur PTR. Dans l'exemple illustré sur la figure 2, le commutateur CMT comprend, outre l'ensemble ENS 1, deux butées électriquement conductrices BTA et BTB, par exemple deux butées métalliques, réalisées également au sein du même niveau de métallisation que celui dans lequel a été réalisé l'ensemble ENSI. Sur la partie gauche de la figure 2, on a représenté l'ensemble ENSI avant désencapsulation de la région isolante RIS et sur la partie centrale de la figure 2, on a représenté le même ensemble ENSI une fois désencapsulé c'est-à-dire libéré de la région isolante RIS. Dans l'exemple montré ici, on tient compte de la déviation résiduelle de la poutre PTR (pointeur) liée à la relaxation des contraintes lors de la libération de l'ensemble ENSI de la région isolante RIS qui l'entourait. Sur la partie centrale de la figure 2, le premier ensemble ENSI présente alors une première configuration lorsqu'il a une première température, par exemple la température ambiante. Dans cette première configuration, la poutre est à distance des deux butées et aucune liaison électrique ne peut passer par ces butées et la poutre. Sur la partie droite de la figure 2, l'ensemble ENSI a été thermiquement activé pour prendre une deuxième configuration dans laquelle la poutre PTR vient au contact des deux butées BTA et BTB. Cette activation thermique a été provoquée par une élévation de température des bras d'expansion BR1A et BR1B. En effet, de par l'élévation de température, ces bras se dilatent et, comme les deux points de fixation des deux bras BR1A et BR1B sur la poutre PTR sont espacés dans la direction longitudinale de la poutre, cette dilatation provoque un moment de force non nul résultant en une rotation RTX2 de la poutre PTR dans le sens inverse des aiguilles d'une montre, rotation RTX 2 inverse de la rotation RTX1 (partie centrale de la figure 2) résultant de la relaxation des contraintes sur l'ensemble ENSI.

Connaissant le coefficient de dilatation thermique du matériau formant les bras d'expansion, la géométrie des bras, notamment leur longueur et leur largeur ainsi que leur épaisseur, et l'espacement d entre les deux points de fixation, on peut aisément simuler la déviation du pointeur PTR résultant de la rotation RTX2. Par voie de conséquence, on peut positionner les butées BTA et BTB dans le logement de façon qu'au-delà d'une température de seuil, la poutre PTR vienne contacter ces deux butées BTA et BTB. Il devient alors possible d'établir une liaison électrique passant par les butées BTA, BTB et par la poutre PTR. A titre indicatif, pour une largeur de bras de 0,2 micron une longueur de bras de 10 microns et un espacement de 0,4 micron, la courbe CV1 (figure 3) illustre la déviation du pointeur PTR en fonction de la température.

Des exemples d'applications sont illustrés schématiquement sur les figures 4 et 5. Sur la figure 4, le commutateur CMT permet d'enclencher automatiquement, lorsque la température du circuit intégré dépasse un seuil, un refroidissement de ce dernier par l'utilisation par exemple d'un refroidisseur TCL à base de couples PN, utilisant l'effet Peltier. Plus précisément, la butée BTB est reliée à la tension d'alimentation Vdd, tandis que la butée BTA est reliée à l'une des bornes du refroidisseur TCL tandis que l'autre borne du refroidisseur TCL est reliée à la masse.

Lorsque la température du circuit intégré dépasse un certain seuil, la poutre PTR de l'ensemble ENSI vient contacter les butées BTA et BTB, créant donc une liaison électrique passant par ces butées et la poutre PTR et reliant donc la première entrée du refroidisseur TCL à la tension Vdd.

Le passage du courant dans le refroidisseur TCL crée, par effet Peltier, une zone chaude et une zone froide, la zone froide permettant de refroidir la partie désirée du circuit intégré. Sur la figure 5, le commutateur CMT fonctionne comme un détecteur de température sans que celui-ci nécessite d'être alimenté.

Plus précisément, la butée BTR1 est reliée à un condensateur chargé CD, lui-même relié à la butée BTB. Lorsque, comme illustré sur la figure 5, la température du circuit intégré dépasse un seuil prédéfini, la poutre PTR vient en contact avec les butées BTA et BTB, créant donc une liaison électrique entre les deux bornes du condensateur et permettant à ce dernier de se décharger. Des moyens de mesure MMS, classiques et connus en soi, permettent de détecter ce courant et donc de fournir une information indiquant que la température du circuit intégré a dépassé un certain seuil. Lorsqu'un tel circuit intégré est inséré dans un produit, par exemple un emballage alimentaire, on peut ainsi détecter une rupture de chaîne du froid. On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 6 à 8, pour illustrer un mode de fabrication d'un exemple de réalisation d'un commutateur CMT selon l'invention. On suppose sur ces figures que l'ensemble ENSI, ainsi que les butées, sont réalisés au niveau de métallisation M3 (Métal 3). On voit alors (figure 6) que l'on utilise le niveau V2 de vias 2 entre le niveau de métal 2 et le niveau de métal 3 et le niveau V3 de vias 3 entre le métal 3 et le métal 4 pour former un mur « de protection » pour la gravure oxyde qui va suivre et permettre la désencapsulation de l'ensemble ENSI et des différentes butées. Par ailleurs, comme illustré sur la figure 7, tant la partie mobile du commutateur CMT, en l'espèce la poutre PTR, que la partie fixe, en l'espèce la butée BTA, sont réalisées au niveau du métal 3. Par ailleurs, la butée BTA est reliée au niveau de métal 2 par un via V20. Le commutateur CMT, et notamment l'ensemble ENSI sont réalisés en utilisant des étapes classiques de fabrication de niveau de métallisation et de vias. Plus précisément, comme illustré sur la figure 8, après réalisation du niveau de métal M2 et de niveau de via V2, l'ensemble ENSI, représenté ici en pointillés à des fins de simplification, est réalisé de façon classique par gravure de l'oxyde sous jacent et dépôt de métal en l'espèce du cuivre dans les tranchées. Puis, l'ensemble est recouvert d'oxyde et le niveau de métallisation M4 est ensuite réalisé. Après formation sur le niveau de métal 4 d'une couche classique de nitrure Cl, on procède à la réalisation d'un peigne dans ce niveau de métal 4 de façon à former des orifices OR. Puis, on procède à une gravure sèche isotrope suivie d'une gravure humide par exemple avec de l'acide fluorhydrique, de façon à éliminer la région isolante (oxyde) encapsulant l'ensemble ENSI ainsi que les différentes butées et réaliser par là même le logement LG. Puis, on procède à un dépôt non conforme d'oxyde de façon à former une couche C2 bouchant les orifices OR. Bien entendu, ce qui vient d'être décrit pour les niveaux de métal M2, M3, M4 peut se généraliser aux niveaux de métal Mi-1, Mi, M1+1. Le process classique de réalisation des différents niveaux de métallisation supérieurs se poursuit ensuite. Sur la figure 9, on a représenté très schématiquement un commutateur CMT permettant de détecter aussi bien une baisse de température qu'une élévation de température. Plus précisément, sur la partie gauche de la figure 9, le commutateur CMT est représenté dans sa première configuration, à température ambiante, après désencapsulation et relaxation des contraintes. Dans cette première configuration, la poutre PTR est à distance des quatre butées BTA1, BTA2, BTB1 et BTB2. Lorsque la température descend en dessous d'un premier seuil, il y a alors rétractation thermique des bras de l'ensemble ENSI et la poutre subit une rotation dans le sens des aiguilles d'une montre de façon à venir contacter les butées BTA1 et BTB2 et permettre l'établissement d'une liaison électrique entre ces deux butées (fig. 9 partie centrale). Par contre, lors d'une élévation de température, la poutre PTR vient en contact des butées BTB1 et BTA2 lorsque la température s'élève au dessus d'un deuxième seuil prédéterminé. Cette fois-ci, il y a établissement d'une liaison électrique passant par la poutre PTR et les butées BTA2 et BTB1 (fig.9 partie droite). D'autres variantes de réalisation du commutateur CMT sont possibles.

Ainsi, comme illustré sur la figure 10, les deux bras de l'ensemble ENSI sont reliés au voisinage d'une première extrémité de la poutre PTR. Bien entendu, les deux points de fixation des deux bras sur la poutre sont là encore espacés dans le sens longitudinal de la poutre PTR.

L'autre extrémité de la poutre PTR peut alors venir ou non au contact avec une butée électriquement conductrice BT, par exemple une butée métallique, en fonction de la température appliquée sur l'ensemble ENSI. Dans l'exemple décrit ici, un condensateur chargé CD est relié entre la butée BT et le bord BDB du logement. Et, lorsque la température dépasse un seuil prédéterminé, la poutre PTR vient alors en contact avec la butée BT, permettant la décharge du condensateur. La détection de cette décharge est représentative du franchissement d'un seuil par la température du circuit intégré.

Dans l'exemple de réalisation illustré sur la figure 11, le commutateur CMT comporte deux ensembles, ici identiques, ENSI et ENS2. L'ensemble ENS2 va agir pour l'ensemble ENSI comme une butée.

Plus précisément, lors d'une élévation de température, la poutre PTR de l'ensemble ENSI va venir en contact avec la butée BT1 et également en contact avec la poutre PTR de l'ensemble ENS2 ayant également subi une rotation du fait de l'élévation de température de l'ensemble ENS2. En d'autres termes, les extrémités voisines des deux poutres PTR se sont alors mutuellement rapprochées. Par ailleurs, l'autre extrémité de la poutre PTR de l'ensemble ENS2 vient en contact avec la butée BT2.

Une liaison électrique peut alors s'établir entre les butées BT1 et BT2 par l'intermédiaire des deux poutres PTR en contact des deux ensembles ENSI et ENS2. Un tel mode de réalisation, de par le rapprochement mutuel des poutres PTR des deux ensembles, permet d'obtenir une meilleure certitude quant à l'établissement d'une liaison électrique en fonction de la température. Ainsi, sur la figure 12, la courbe CV2 représente à titre indicatif la déviation des deux pointeurs PTR des deux ensembles en fonction de la température pour des largeurs de ligne de 0,2 micron. On voit, dans ce cas, que le contact intervient pour une température de l'ordre de 130°. Dans les modes de réalisation qui viennent d'être décrits, on a indiqué que le ou les ensembles ENSI étaient thermiquement activables. En variante, comme illustré sur la figure 13, l'ensemble ENSI, thermiquement déformable, peut être activable électriquement. En effet, il est alors prévu des moyens GEN, classiques et connus en soi, aptes à faire circuler un courant électrique dans au moins un des bras de l'ensemble ENSI, en l'espèce ici dans les deux bras ENSI, entre les deux bords BDA et BDB du logement. De ce fait, l'effet Joule produit une élévation de température des deux bras, ce qui provoque la déviation de la poutre PTR. Dans l'exemple illustré sur la figure 13, le commutateur est dans un état dit « normalement fermé » (« normally ON » en langue anglaise), c'est-à-dire que la poutre PTR est, à température ambiante, en contact avec les butées BTA et BTB qui sont ce qui permet d'établir une liaison électrique entre les points A et B. Par contre, lorsque l'on applique une différence de potentiel entre les points S1 et S2, c'est-à-dire entre les bords BDA et BDB du logement LG, la poutre PTR subit une rotation qui la place à distance des butées BTA et BTB, interrompant la liaison électrique entre les points A et B. Il convient de noter ici qu'on choisira de préférence une impédance suffisamment élevée pour le circuit A-B de façon à forcer le courant à passer dans l'ensemble ENSI et obtenir aussi une dilatation thermique des deux bras de l'ensemble. La figure 14 illustre à titre d'exemple, une courbe CV3 montrant l'évolution de la déviation du pointeur PTR en fonction de la différence de potentiel appliquée entre les points S1 et S2, toujours pour une largeur de ligne de 0,2 micron. Bien entendu, tous les modes de réalisation qui ont été décrits préalablement à la figure 13, peuvent être également utilisés lorsque le commutateur est électriquement activable.

Les figures 15 et 16 illustrent deux autres modes de réalisation du commutateur CMT. Sur la figure 15, l'ensemble ENSI comporte une première paire de premiers bras BRAI, BRA2, respectivement fixés sur une première face de la poutre PTR aux emplacements EMP1 et EMP4 situés au voisinage des deux extrémités de la poutre PTR. L'ensemble ENSI comporte également une deuxième paire de deuxièmes bras BRB1, BRB2 respectivement fixés sur une deuxième face de la poutre PTR, opposée à la première face, à deux emplacements EMP2, EMP3 respectivement situés au voisinage des deux extrémités de la partie PCPTR de la poutre située entre les bras de la première paire BRAI, BRA2. Cette partie PCPTR de la poutre, qui inclut la partie centrale de la poutre, est située, comme illustré sur la partie gauche de la figure 15, lorsque l'ensemble ENSI est dans sa première configuration, à distance de la butée BT. Bien entendu, là encore, les emplacements EMP1 et EMP2 sont espacés dans la direction longitudinale de la poutre de même que les emplacements EMP3 et EMP4. Comme illustré sur la partie droite de la figure 15, en présence d'une élévation de température des bras BRAI et BRA2, que cette élévation soit provoquée thermiquement ou électriquement par effet Joule, il y a dilatation des bras BRAI et BRA2 et de la courbure de la partie centrale PCPTR de la poutre qui vient alors dans une deuxième configuration en contact avec la butée BT.

Une liaison électrique peut alors s'établir entre les bras BRAI et BRA2, la partie centrale de la poutre PCPTR et la butée BT. Le commutateur CMT illustré sur la figure 15 est alors un commutateur dit « normalement ouvert » (« normally OFF » en langue anglaise) en l'absence d'activation thermique. Il serait également possible de réaliser un commutateur « normally ON » (normalement fermé en l'absence d'activation thermique) en plaçant la butée BT de l'autre côté de la poutre en contact avec celle-ci. Et, lors d'une élévation de température des bras BRAI et BRA2, la partie centrale PCPTR, en se bombant, vient alors à distance de la butée BT, interrompant la liaison électrique passant par cette butée BT. Sur la figure 16, chaque bras BRAI, BRA2 comporte plusieurs branches parallèles, ici trois branches parallèles BRA10-BRA12 et BRA20-BRA22 respectivement raccordées à la poutre PTR par deux parties d'extrémité BRA13 et BRA23 solidaires de la poutre PTR. Un tel mode de réalisation permet d'avoir des déformations thermiques plus importantes.

Claims (9)

1. REVENDICATIONS1. Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, caractérisé en ce qu'il comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) un premier ensemble thermiquement déformable (ENSI) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même niveau de métallisation, et au moins un corps électriquement conducteur (BTA, BTB), ledit premier ensemble (ENSI) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit au moins un corps (BTA, BTB) dans l'une des deux configurations et en contact avec ledit au moins un corps (BTA, BTB) dans l'autre configuration de façon à établir ou interdire une liaison électrique passant par ledit au moins un corps et par ladite poutre, ledit premier ensemble étant activable pour passer d'une des configurations à une autre configuration.
2. 2. Circuit selon la revendication 1, dans lequel ledit premier ensemble (ENSI) comprend ladite poutre (PTR) et deux bras (BR1A, BR1B) respectivement solidaires de la poutre sur deux faces opposées de ladite poutre, au voisinage de la partie centrale de ladite poutre, les deux points de fixation des deux bras sur la poutre étant espacés (d) dans la direction longitudinale de la poutre.
3. 3. Circuit selon la revendication 2, dans lequel ledit corps comprend deux butées (BTA, BTB) destinées à être respectivement en contact avec les deux extrémités de la poutre dans l'une des deux configurations, et à distance de ces butées dans l'autre configuration.
4. 4. Circuit selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit corps comprend un deuxième ensemble thermiquement déformable (ENS2), analogue au premier ensemble (ENSI), disposé dans le logement, les deux ensembles étant mutuellement agencés de façon à ce que les deux poutres respectives soient en contact l'une avec l'autre dans ladite deuxième configuration, et à distance l'une de l'autre dans ladite première configuration.
5. 5. Circuit selon la revendication 1, dans lequel le premier ensemble (ENSI) comprend une première paire de premiers bras (BRAI, BRA2) respectivement fixés sur une première face de la poutre au voisinage des deux extrémités de ladite poutre (PTR), une deuxième paire de deuxièmes bras (BRB1, BRB2) respectivement fixés sur une deuxième face de ladite poutre, opposée à la première face, au voisinage des deux extrémités de la partie (PCPTR) de la poutre située entre les bras (BRAI, BRA2) de la première paire, les deux points de fixation respectifs sur la poutre d'un premier bras et d'un deuxième bras voisin étant espacés dans la direction longitudinale de la poutre, et ledit corps comprend une butée destinée à être à distance de la partie centrale (PC PTR) de la poutre dans l'une desdites configurations et en contact avec ladite butée dans l'autre configuration.
6. 6. Circuit selon la revendication 5, dans lequel chaque premier bras (BRAI) comprend plusieurs branches (BRA10, BRA11, BRA12) raccordées à une partie d'extrémité (BRA13) solidaire de ladite poutre.
7. 7. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque ensemble (ENSI) est thermiquement activable.
8. 8. Circuit intégré selon la revendication 7, dans lequel le dispositif de commutation (CHT) comprend un corps supplémentaire électriquement conducteur (BTA1, BTB2), ledit premier ensemble (ENSI) ayant en outre une troisième configuration lorsqu'au moins un des bras a une troisième température différente de la première température et de la deuxième température, la poutre étant à distance des deux corps (BTA1, BTB2, BTA2, BTB1) dans la première configuration, en contact avec ledit corps (BTB1, BTA2) dans ladeuxième configuration de façon à établir une première liaison électrique passant par ledit corps et par ladite poutre, et en contact avec ledit corps supplémentaire (BTA1, BTB2) dans la troisième configuration de façon à établir une deuxième liaison électrique passant par ledit corps supplémentaire et par ladite poutre.
9. 9. Circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant en outre des moyens (GEN) aptes à faire circuler un courant électrique dans ledit au moins un des bras dudit premier ensemble de façon à l'amener à ladite deuxième température.