FR3012671A1 - Dispositif mecanique integre a mouvement vertical - Google Patents

Abstract

Le dispositif comprend un ensemble thermiquement déformable (ENS) logé dans une cavité (CVT) de la partie d'interconnexion (RITX) d'un circuit intégré. L'ensemble peut fléchir lors d'une variation de température de façon à ce que sa zone d'extrémité libre (Z2) se déplace verticalement (DV).

Description

Dispositif mécanique intégré à mouvement vertical L'invention concerne les circuits intégrés, et plus particulièrement les dispositifs de commutation électriques comme des interrupteurs ou des commutateurs, en particulier les dispositifs mécaniques activables thermiquement ou électriquement, à mouvement vertical, mais aussi les dispositifs capacitifs intégrés ayant une valeur capacitive thermiquement variable. Actuellement, les dispositifs de commutation réalisés au sein de circuits intégrés sont généralement des commutateurs du type microsystème électromécanique (Micro Electro Mechanical System : MEMS) utilisant des éléments en polysilicium. Cependant, la technologie utilisée pour réaliser de tels commutateurs est une technologie dédiée, difficile à intégrer dans un flot technologique standard CMOS. Dans la demande de brevet français n°2 984 009, il a été proposé un dispositif mécanique de commutation électrique intégrable dans les flots de technologie CMOS, n'utilisant pas la technologie classique du type MEMS, et basé sur une structure bidimensionnelle asymétrique, réalisée dans un même niveau de métallisation et autorisant le déplacement d'un poutre dans le plan de ce niveau de métallisation en présence d'une variation de température.

La demande de brevet français n°2 984 010 propose d'utiliser le déplacement plan d'une telle structure pour la réalisation d'un dispositif capacitif présentant une valeur capacitive variable en fonction de la température. Ces dispositifs bidimensionnels s'étendant parallèlement à la surface du substrat du circuit intégré, bien que donnant toute satisfaction, peuvent dans certains cas offrir une surface utile faible entre la partie fixe et la partie mobile conduisant dans certaines applications à une surface de contact faible.

Selon un mode de réalisation, il est proposé un dispositif mécanique intégré comportant un élément mobile dans une direction perpendiculaire à la surface du substrat, c'est-à-dire une direction sensiblement verticale, ce que ne permettaient pas les structures bidimensionnelles de l'art antérieur, et permettant d'offrir des surfaces en vis-à-vis plus importantes entre la partie fixe et la partie mobile. Selon un autre mode de réalisation, il est proposé un tel dispositif mécanique intégré activable électriquement de façon à augmenter la température d'une certaine partie du dispositif pour le déformer, le dispositif étant par ailleurs insensible aux variations de température ambiante. Selon un mode de réalisation, il est ainsi proposé d'utiliser un ensemble thermiquement déformable basé sur le couplage de matériaux ayant des coefficients de dilatation thermique différents, ce qui permet l'obtention de mouvements reproductibles le long d'une direction sensiblement perpendiculaire à la surface du substrat du circuit intégré, c'est-à-dire une direction sensiblement verticale, et ce dans les deux sens. Par ailleurs, l'extrémité libre mobile du dispositif peut alors présenter une surface en vis-à-vis d'un corps fixe plus importante que dans le cas des structures bidimensionnelles à déplacement plan de l'art antérieur. Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant au dessus d'un substrat une région d'interconnexion comportant au sein d'une région isolante plusieurs niveaux de métallisation et au moins un niveau de vias. Une telle partie est communément désignée par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon de « BEOL » (« Back End Of the Line »). Selon une caractéristique générale de cet aspect, le circuit intégré comprend en outre, au sein de ladite région d'interconnexion, un dispositif comportant un ensemble thermiquement déformable, électriquement conducteur, s'étendant au moins en partie dans une cavité de ladite région d'interconnexion, et ayant une zone d'extrémité libre mobile dans la cavité dans une direction sensiblement perpendiculaire au plan moyen des niveaux de métallisation, c'est-à-dire à la surface du substrat. Ledit ensemble inclut un premier élément situé au sein d'un premier niveau de métallisation et un deuxième élément, solidaire du premier élément, situé au sein d'un premier niveau de vias adjacent au premier niveau de métallisation. Il convient de noter ici que le terme « premier » associé à un niveau de métallisation ou à un niveau de vias, désigne un niveau particulier de métallisation ou de vias sans que ce niveau soit effectivement le premier niveau de la région d'interconnexion. Le premier élément et le deuxième élément comportent respectivement des matériaux ayant des coefficients de dilatation thermique différents. Le dispositif comporte également un corps électriquement conducteur disposé au moins en partie dans ladite cavité. Ledit ensemble a différentes configurations correspondant respectivement à des distances différentes selon ladite direction entre ladite zone d'extrémité libre et ledit corps électriquement conducteur, ledit ensemble étant activable pour passer d'une configuration à une autre. Dans certains cas, l'ensemble thermiquement déformable peut être thermiquement activable en raison d'une variation de température ambiante ou bien électriquement activable par le passage d'un courant dans ledit ensemble de façon à élever sa température. Dans d'autres configurations, ledit ensemble thermiquement déformable peut être insensible aux variations de température ambiante et être uniquement électriquement activable. Quoi qu'il en soit, lorsque ladite zone d'extrémité libre ne vient pas toucher le corps électriquement conducteur, mais reste à distance de celui-ci, il est alors possible de faire varier cette distance en déformant thermiquement ledit ensemble et réaliser ainsi un dispositif capacitif ayant une capacité variable. En variante, le dispositif peut être utilisé en tant que dispositif de commutation électrique, par exemple lorsque l'une des configurations correspond à une distance nulle, ladite zone d'extrémité libre étant alors en contact avec ledit corps de façon à établir une liaison électrique passant par ce corps et ledit ensemble. Et, lorsque dans une autre configuration, la zone d'extrémité libre n'est pas en contact avec le corps, le dispositif de commutation électrique interrompt ladite liaison électrique. Selon un mode de réalisation, le premier élément peut comprendre un premier métal identique au métal dudit premier niveau de métallisation et le deuxième élément peut comprendre au moins une portion métallique comportant un deuxième métal identique au métal du premier niveau métallique de vias mais différent du premier métal. Ceci est le cas lorsque les niveaux de métallisation sont formés d'un premier métal, par exemple de l'aluminium, tandis que les niveaux de vias sont formés d'un deuxième métal, par exemple du tungstène.

En variante, lorsque le premier niveau de métallisation et le premier niveau de vias comportent des métaux identiques, par exemple du cuivre, le deuxième élément peut comprendre alors au moins une portion isolante, par exemple du dioxyde de silicium, entre au moins deux portions métalliques, par exemple en cuivre.

Selon un mode de réalisation, ledit ensemble comporte une zone d'extrémité fixe opposée à ladite zone d'extrémité libre. Ledit ensemble est alors monté en porte-à-faux et est mobile par fléchissement dans la cavité. Bien que cela ne soit pas indispensable, il est avantageux que ladite zone d'extrémité fixe dudit ensemble soit située dans ladite région d'interconnexion (BEOL) à l'extérieur de ladite cavité, une partie dudit ensemble traversant alors une ouverture ménagée dans une paroi de la cavité en étant à distance des bords de ladite ouverture. Ceci permet notamment de pouvoir appliquer une tension sur ledit ensemble de façon à le faire traverser par un courant pour élever sa température sans avoir à polariser les parois de la cavité. Les différents éléments de l'ensemble peuvent présenter des géométries variées.

Ainsi, selon un mode de réalisation, le premier élément de l'ensemble peut être en forme de U comportant deux branches parallèles raccordées par une branche de raccord, ladite zone d'extrémité libre dudit ensemble comportant ladite branche de raccord, et le deuxième élément dudit ensemble comporte au moins une portion rectiligne s'étendant sous chacune des deux branches parallèles jusqu'à ladite zone d'extrémité libre. Lorsque ledit ensemble est électriquement activable, le premier élément est avantageusement configuré pour lui permettre d'être au moins en partie parcouru par un courant électrique de façon à augmenter la température. A cet égard, le circuit intégré peut comporter des moyens aptes à appliquer une tension électrique entre deux points du premier élément de façon à générer ledit courant.

Cela étant, comme indiqué ci-avant, en variante, ledit ensemble peut être insensible aux variations de température ambiante. C'est le cas notamment lorsque ledit ensemble comprend en outre un troisième élément identique au premier élément, situé en vis-à-vis du premier élément au sein d'un deuxième niveau de métallisation séparé du premier niveau de métallisation par le premier niveau de vias, et un élément de raccordement, situé au sein du premier niveau de vias, solidaire du premier élément et du troisième élément et formant un deuxième élément commun au premier élément et au troisième élément (c'est le cas notamment lorsque cet élément de raccordement comporte une ou plusieurs lignes de vias métalliques en tungstène par exemple) ou contenant deux deuxièmes éléments respectivement solidaires du premier élément et du troisièmes élément (c'est le cas notamment lorsque ces deuxièmes éléments sont formés de portions résiduelles de dioxyde de silicium qui sont alors respectivement en contact avec le premier élément et le troisième élément). Lorsqu'un tel ensemble est électriquement activable, ledit premier élément et ledit troisième élément sont avantageusement chacun configurés pour lui permettre d'être au moins en partie parcouru par un courant électrique de façon à augmenter sa température et le circuit intégré comprend en outre des moyens configurés pour générer sélectivement ledit courant dans le premier élément ou dans le deuxième élément, ce qui va permettre de faire fléchir la zone d'extrémité libre dans un sens ou dans l'autre selon ladite direction sensiblement verticale. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : -les figures 1 à 14, essentiellement schématiques, sont relatives à différents modes de réalisation d'un dispositif selon l'invention. Sur la figure 1, le dispositif DIS est réalisé au sein de la partie d'interconnexion RITX communément désignée par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon BEOL. Cette partie RITX se situe au dessus d'un substrat SB du circuit intégré et comporte, de façon classique, des niveaux de métallisation et des niveaux de vias. Dans le mode de réalisation décrit ici, le dispositif DIS comporte un ensemble ENS s'étendant partiellement dans une cavité CVT délimitée par des parois PR au sein de la partie d'interconnexion RITX. On verra plus en détail ci-après que ces parois sont formées de murs disposés à différents niveaux de métallisation et de vias. L'ensemble ENS possède une première zone d'extrémité Z1 qui est située à l'extérieur de la cavité CVT et qui est fixe dans la partie d'interconnexion RITX. Cette première zone d'extrémité peut être par exemple liée à des métallisations externes. L'ensemble ENS comporte par ailleurs une deuxième zone d'extrémité Z2 opposée à la première zone d'extrémité Z 1. Cette deuxième zone d'extrémité Z2 est une zone d'extrémité libre et elle est mobile dans la direction DV qui est une direction sensiblement parallèle à l'axe Z c'est-à-dire sensiblement perpendiculaire à la surface du substrat SB qui s'étend dans le plan XY.

Comme on le verra plus en détail ci après, l'ensemble ENS comporte un premier élément EL1 réalisé à un premier niveau de métallisation et un deuxième élément EL2 réalisé à un premier niveau de vias qui est adjacent au premier niveau de métallisation. Dans l'exemple de la figure 1, l'élément EL2 est en dessous de l'élément EL1. En variante, il pourrait être situé au dessus. Le dispositif DIS comporte par ailleurs dans la cavité CVT un corps fixe CP qui est ici réalisé au niveau de métallisation situé sous le niveau de vias au sein duquel est réalisé le deuxième élément EL2.

Comme on le verra plus en détail ci après, l'ensemble ENS et le corps fixe CP sont réalisés en utilisant des techniques classiques de réalisation de pistes métalliques et de vias de la partie d'interconnexion RITX, utilisées en technologie CMOS notamment. La figure 2 montre l'ensemble ENS et le corps CP encapsulés dans une région isolante RIS de la partie d'interconnexion RITX. Cette région RIS comporte notamment, de façon classique, des matériaux isolants, par exemple du dioxyde de silicium. La figure 3 montre l'ensemble ENS et le corps CP après désencapsulation c'est-à-dire retrait de la région isolante RIS, ce qui a permis de définir la cavité CVT délimitée par les parois PR. Selon la nature des matériaux composant le premier élément EL1 et le deuxième élément EL2 de l'ensemble ENS, ainsi que de la position relative des éléments EL1 et EL2, l'ensemble ENS peut, lors de sa libération, présenter un léger fléchissement comme illustré schématiquement sur la figure 3. Ainsi, lorsque le premier élément EL1 comporte de l'aluminium et que le deuxième élément EL2 comporte des lignes de tungstène, l'aluminium et le tungstène sont en tension lors de leur réalisation et, lorsqu'on va libérer cette structure par retrait de la région isolante RIS de la cavité CVT, la structure va avoir tendance à monter comme illustré schématiquement sur la figure 3. Dans l'exemple de réalisation illustré sur les figures 2 et 3, le corps fixe CP comporte une plateforme réalisée au niveau de métallisation Mn prolongée par une liaison traversant la paroi de plancher de la cavité pour être solidaire par exemple d'une métallisation externe. Le premier élément EL1 est réalisé au niveau de métallisation M.+1 et le deuxième élément EL2 est réalisé au niveau de vias Vn.

Puisque les deux matériaux composant respectivement les éléments EL1 et EL2 de l'ensemble ENS ont des coefficients de dilatation thermique différents, l'ensemble ENS peut, comme illustré sur la figure 4, se déformer thermiquement et passer d'une configuration à une autre lors d'une modification de la température ambiante par exemple. Ainsi, dans le cas où le premier élément EL1 comporte de l'aluminium et le deuxième élément EL2 du tungstène, une élévation de la température T va provoquer une descente de la zone d'extrémité libre Z2 vers le bas, c'est-à-dire selon la flèche FL de la figure 4. Bien entendu, si l'on remplaçait le tungstène par un matériau ayant un coefficient de dilatation supérieur à celui de l'aluminium, on obtiendrait alors un mouvement inverse. Dans l'exemple illustré sur la figure 4, l'élévation de température T amène l'ensemble ENS dans une configuration dans laquelle la zone d'extrémité libre Z2 vient en contact avec le corps fixe CP. Et, comme illustré très schématiquement sur cette figure, le dispositif DIS peut alors être utilisé en tant que commutateur électrique permettant ou non d'établir une liaison électrique passant par l'ensemble ENS et le corps fixe CP. En effet, si l'on applique une tension Vdd sur la première zone fixe Z1 et qu'on relie le corps fixe CP par l'intermédiaire d'une ligne à un système SYS lui-même relié à la masse, on a alors réalisé dans cet exemple un interrupteur qui est normalement ouvert (normally OFF) et qui est fermé (ON) lors d'une élévation de température T. Lorsque l'ensemble ENS est par exemple en forme de U, comme illustré sur la figure 1, il est également possible d'appliquer au niveau de la première zone fixe Z1 une tension V entre les deux branches parallèles du U à l'aide d'un générateur GEN de façon à ce que l'ensemble ENS soit parcouru par un courant qui va permettre d'échauffer sa température par effet Joule de façon à le déformer thermiquement et le faire passer d'une configuration à une autre. Les figures 5 et 6 illustrent schématiquement un exemple plus précis de réalisation d'un ensemble ENS. Plus précisément, le premier élément EL1 de l'ensemble ENS est en forme de U et est formé d'aluminium qui est le métal composant les lignes métalliques des différents niveaux de métallisation de la partie d'interconnexion RITX.

Le premier élément EL1 comporte ainsi deux branches parallèles EL 10 et EL11 raccordées par une branche de raccord EL12. Et, comme illustré sur la figure 5 mais également sur la figure 6 qui est une coupe selon la ligne VI-VI de la figure 5, on voit que le deuxième élément EL2 comporte ici trois portions rectilignes EL20, EL21, EL22 s'étendant sous la branche ELIO et trois autres portions métalliques EL23, EL24, EL25 s'étendant sous l'autre branche EL11 du premier élément EL1. Ces portions métalliques sont ici formées de tungstène (W) qui est le métal formant les niveaux de vias de la partie d'interconnexion RITX. Dans une variante de réalisation, on pourrait ne réaliser qu'une seule portion rectiligne en tungstène sous chaque branche EL 10, EL11. Comme illustré sur la figure 6, les portions métalliques EL20- EL25 du deuxième élément EL2 sont situées sous le premier élément EL1 conduisant donc à un fléchissement vers le bas, c'est-à-dire vers le substrat, de la zone d'extrémité libre Z2 lors de l'élévation de la température de l'ensemble ENS. En effet, le coefficient de dilatation thermique de l'aluminium est supérieur à celui du tungstène. La longueur Ll de l'élément EL1 est par exemple égale à 31 iam, la largeur L2 de la branche de raccordement EL12 est par exemple égale à 3 iam et la longueur L3 de chacune des branches parallèles ELIO et EL11 est par exemple égale à 30 iam. Par ailleurs, la largeur L4 de chaque branche parallèle est par exemple égale à 1,52 iam tandis que la hauteur hl du premier élément EL1 est par exemple égale à 0,24 La hauteur h2 des portions métalliques EL20-EL25 du deuxième élément est par exemple égale à 0,5 iam et l'épaisseur e2 de ces portions métalliques est par exemple à 0,24 p.m. Avec de telles dimensions, on obtient typiquement un fléchissement de la zone d'extrémité libre Z2 d'une amplitude de 1,4 iam lors d'une élévation de température au point de plus chaud (à l'extrémité de la zone Z2) d'une amplitude de 400°C, obtenue par effet Joule lors du passage d'un courant de 75 mA dans l'ensemble ENS. Une autre variante de réalisation des éléments EL1 et EL2 est illustrée schématiquement sur les figures 7 et 8, cette dernière figure étant une coupe selon la ligne VIII-VIII de la figure 7. Dans cette variante, le métal formant les niveaux de métallisation et les niveaux de vias de la partie d'interconnexion RITX est identique. Il s'agit par exemple de cuivre Cu.

Le premier élément Ll est également en forme de U. Il comporte par ailleurs des portions métalliques VM1, VM2, VM3 situées sous les branches parallèles du U au niveau de vias adjacent au niveau de métallisation au sein duquel est réalisé l'élément EL1. Ces portions métalliques sont donc également en cuivre. Par contre, l'élément EL2 comporte des portions rectilignes de région isolante EL200, EL201 comportant du dioxyde de silicium. Ces portions rectilignes de dioxyde de silicium sont en fait des résidus de dioxyde de silicium ayant subsisté après l'étape de désencapsulation de l'ensemble ENS.

Et, puisque le cuivre présente un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du dioxyde de silicium, on se retrouve dans cette variante dans la même situation que celle de la variante illustrée sur les figures 5 et 6, c'est-à-dire que là encore on aura un fléchissement de la structure vers le bas lors d'une élévation de température. Il convient de noter que dans la variante des figures 5 et 6, même si des résidus de dioxyde de silicium avaient subsisté entre les lignes de tungstène, cela n'aurait eu aucun effet car le coefficient de dilatation thermique de l'aluminium est également supérieur à celui du dioxyde de silicium. Dans le mode de réalisation illustré sur la figure 9, l'ensemble ENS comporte outre le premier élément EL1, un troisième élément EL3 identique au premier élément EL1 et situé en vis-à-vis de ce premier élément EL 1. Comme illustré sur la figure 10 qui est une vue selon la flèche FF de la figure 9, le premier élément EL1 est ici situé au niveau de métallisation Mn+1 et le troisième élément EL3 est situé au niveau de métallisation Mn, ces deux niveaux de métallisation étant séparés par le niveau de vias Vn. Dans le mode de réalisation des figures 9 et 10, l'ensemble ENS a donc la forme d'un double U. L'ensemble ENS comporte par ailleurs un élément de raccordement situé au niveau de vias Vn et solidaire du premier élément EL1 et du troisième élément EL3. Dans cet exemple, l'élément de raccordement comporte des portions métalliques EL20, EL21, EL22 et EL23. Ces portions métalliques sont en tungstène alors que les éléments EL1 et EL3 sont en aluminium. Cet élément de raccordement, comportant les portions métalliques EL20-EL23, forment donc ici un deuxième élément EL2 commun au premier élément et au troisième élément. On voit également sur la figure 10 que le corps fixe CP est cette fois-ci réalisé au niveau de métal Mn-1. Lors de la désencapsulation d'un tel ensemble ENS, celui-ci ne fléchit pas comme illustré sur la figure 3, en raison du caractère symétrique de l'ensemble ENS et d'un équilibre des contraintes en tension.

De même, un tel ensemble est insensible aux variations de température ambiante car une déformation éventuelle de l'élément EL1 est contrecarrée par la déformation en sens inverse de l'élément EL3. Par contre, comme illustré sur la figure 11, selon qu'on applique une tension V entre les points A et B de la zone d'extrémité Z1 ou entre les points P et C de cette zone d'extrémité, alors la zone d'extrémité libre Z2 de l'ensemble ENS va fléchir dans un sens ou dans l'autre selon la direction verticale DV. En effet, si l'on applique une tension V entre les points A et B, ce qui va alors avoir pour effet de faire circuler un courant principalement dans l'élément EL1 (en effet, les électrons vont choisir le chemin le plus court pour circuler), la température de l'élément EL1 va augmenter plus fortement que celle de l'élément EL3, ce qui va conduire à un fléchissement vers le bas de la zone Z2.

Par contre, si l'on applique cette tension entre les points P et C de la zone d'extrémité Z1, le courant va traverser principalement le troisième élément EL3 et cette fois-ci, la zone d'extrémité libre Z2 va fléchir vers le haut. Bien entendu, il aurait été possible de réaliser un double U en cuivre avec des portions métalliques EL20-EL23 en cuivre pour autant que des portions rectilignes de dioxyde de silicium restent au contact d'une part, de l'élément EL1 et d'autre part, au contact de l'élément EL3, ces portions rectilignes de dioxyde de silicium étant similaires à celles référencées EL200 et EL201 sur la figure 8.

On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 12 à 14 pour illustrer un mode de fabrication d'un exemple de réalisation d'un dispositif selon l'invention. On suppose, sur ces figures, que l'élément EL1 est réalisé au niveau de métallisation Mi, que l'élément EL2 est réalisé au niveau de vias Vi_1, et que le corps fixe est réalisé au niveau de métallisation Par ailleurs, comme illustré sur la figure 14, la paroi de plancher PLCH de la cavité CVT est réalisée au niveau de métallisation Mi_2 tandis que la paroi de plafond PLFD de la cavité CVT est réalisée au niveau de métallisation M1+1. On suppose également que la cavité est fermée à droite par une paroi latérale PLTD et à gauche par une paroi latérale PLTG comportant l'ouverture OUV.

On voit alors sur la figure 12, que l'on utilise les différents niveaux de vias et de métallisation pour former notamment la paroi latérale PLTD mais aussi la paroi PLTG et former un « mur de protection » pour la gravure de l'oxyde qui va suivre et permettre la désencapsulation de l'ensemble ENS et du corps fixe CP. Le dispositif DIS est réalisé en utilisant les étapes classiques de fabrication de niveaux de métallisation et de vias. Plus précisément, les différents éléments et corps sont réalisés de façon classique par gravure d'un oxyde sous-jacent et dépôt de métal dans les tranchées ainsi réalisées. Puis, on procède à un recouvrement d'oxyde pour continuer à réaliser les niveaux de métallisation et de vias supérieurs. Après formation sur le niveau de métallisation Mi+1 d'une couche classique de nitrure Cl, on procède à la réalisation d'un peigne dans ce niveau de métal de façon à former des orifices ORG (figure 13). Puis, on procède à une gravure avec de la vapeur de sulfure hydrique, de façon à éliminer la région isolante (oxyde) encapsulant l'ensemble ENS ainsi que le corps fixe CP. Puis, on procède à un dépôt non conforme d'oxyde, de façon à former une couche C2 bouchant les orifices ORG. Le procédé classique de réalisation des différents niveaux de métallisation supérieurs se poursuit ensuite. Par ailleurs, lors de la réalisation de la paroi PLTG, on a ménagé l'ouverture OUV de sorte que l'élément EL1 soit à distance de ces bords, c'est-à-dire de la paroi PLFD d'une part, de la paroi PLTG d'autre part. Et, de façon à faciliter le non-contact entre l'ensemble ENS et les parois de l'ouverture OUV, il est préférable quoique non indispensable, que l'élément EL2 reste dans la cavité et que seul l'élément EL1 passe à travers l'ouverture OUV. Bien que cela ne soit pas indispensable, il peut être intéressant de placer au niveau de l'ouverture OUV un moyen externe contrariant la diffusion du fluide de désencapsulation hors de la cavité CVT par l'ouverture OUV de façon à limiter une détérioration éventuelle d'autres éléments du circuit intégré disposés à l'extérieur de la cavité CVT. Un tel moyen externe est par exemple décrit dans la demande de brevet français n° 13 50 161.

Claims (14)

1. REVENDICATIONS1. Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat (SB) une région d'interconnexion (RITX) comportant au sein d'une région isolante plusieurs niveaux de métallisation et au moins un niveau de vias, caractérisé en ce qu'il comprend en outre au sein de ladite région d'interconnexion, un dispositif (DIS) comportant un ensemble thermiquement déformable (ENS) électriquement conducteur s'étendant au moins en partie dans une cavité (CVT) de ladite région d'interconnexion (RITX) et ayant une zone d'extrémité libre (Z2) mobile dans la cavité (CVT) dans une direction (DV) sensiblement perpendiculaire aux plans moyens des niveaux de métallisation, ledit ensemble (ENS) incluant un premier élément (EL1) situé au sein d'un premier niveau de métallisation (1\4.+1) et un deuxième élément (EL2) solidaire du premier élément et situé au sein d'un premier niveau de via (Va) adjacent au premier niveau de métallisation (M.+1), le premier élément (EL1) et le deuxième élément (EL2) comportant respectivement des matériaux ayant des coefficients de dilatation thermique différents, et un corps électriquement conducteur (CP) disposé au moins en partie dans ladite cavité (CVT), ledit ensemble ayant différentes configurations correspondant respectivement à des distances différentes selon ladite direction (DV) entre ladite zone d'extrémité libre (Z2) et ledit corps électriquement conducteur (CP), ledit ensemble (ENS) étant activable pour passer d'une configuration à une autre.
2. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel l'une des configurations correspond à une distance nulle, ladite zone d'extrémité libre (Z2) étant en contact avec ledit corps (CP) de façon à établir une liaison électrique passant par ledit au moins un corps et ledit ensemble.
3. 3. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier élément (EL1) comprend un premier métal identique au métal dudit premier niveau de métallisation et le deuxième élément (EL2) comprend au moins une portion métallique(EL20-EL25) comportant un deuxième métal identique au métal dudit premier niveau métallique de vias mais différent du premier métal.
4. 4. Circuit intégré selon la revendication 3, dans lequel le premier métal comprend de l'aluminium et le deuxième métal comprend du tungstène.
5. 5. Circuit intégré selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier niveau de métallisation et le premier niveau de via comportent des métaux identiques, et le deuxième élément (EL2) comprend au moins une portion isolante (EL200-EL201) entre au moins deux portions métalliques (VM1, VM2, VM3).
6. 6. Circuit selon la revendication 5, dans lequel le métal comprend du cuivre et ladite au moins une portion isolante contient du dioxyde de silicium.
7. 7. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit ensemble (ENS) comporte une zone d'extrémité fixe (Z1), opposée à ladite zone d'extrémité libre (Z2).
8. 8. Circuit intégré selon la revendication 7, dans lequel ladite zone d'extrémité fixe (Z1) dudit ensemble est située dans ladite région d'interconnexion à l'extérieur de ladite cavité (CVT), une partie dudit ensemble (ENS) traversant une ouverture (OUV) ménagée dans une paroi de la cavité en étant à distance des bords de ladite ouverture.
9. 9. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier élément (EL1) dudit ensemble est en forme de U comportant deux branches parallèles (ELIO, EL11) raccordées par une branche de raccord (EL12), ladite zone d'extrémité libre (Z2) dudit ensemble comportant ladite branche de raccord, et le deuxième élément (EL2) dudit ensemble comporte au moins une portion rectiligne (EL20-EL25) s'étendant sous chacune des deux branches parallèles jusqu'à ladite zone d'extrémité libre.
10. 10. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit ensemble (ENS) est thermiquement activable.
11. 11. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit ensemble (ENS) est électriquement activable, ledit premier élément étant configuré pour lui permettre d'être au moins enpartie parcouru par un courant électrique de façon à augmenter sa température.
12. 12. Circuit intégré selon la revendication 11, comprenant en outre des moyens (GEN) aptes à appliquer une tension électrique entre deux points dudit premier élément de façon à générer ledit courant.
13. 13. Circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel ledit ensemble (ENS) comprend en outre un troisième élément (EL3) identique au premier élément (EL1), situé en vis-à-vis du premier élément au sein d'un deuxième niveau de métallisation séparé du premier niveau de métallisation par le premier niveau de vias, et un élément de raccordement (EL2), situé au sein du premier niveau de vias, solidaire du premier élément et du troisième élément, et formant un deuxième élément (EL2) commun au premier élément (EL1) et au troisième élément (EL3) ou contenant deux deuxièmes éléments (EL200, EL201) respectivement solidaires du premier élément et du troisième élément.
14. 14. Circuit intégré selon la revendication 13, dans lequel ledit ensemble (ENS) est électriquement activable, ledit premier élément et le troisième élément étant chacun configuré pour lui permettre d'être au moins en partie parcouru par un courant électrique de façon à augmenter sa température, et le circuit intégré comprend en outre des moyens (GEN) configurés pour générer sélectivement ledit courant dans le premier élément ou dans le deuxième élément.