FR3046877A1 - Procede de lissage de la surface d'une structure - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne un procédé de lissage d'une structure de silicium sur isolant comprenant l'exposition d'une surface de la structure à un flux de gaz neutre ou réducteur et à une température élevée au cours d'un traitement thermique, le procédé comportant : • une première étape de traitement thermique à une première température et sous un premier flux de gaz défini par un premier débit ; Le procédé étant remarquable en ce qu'il comporte : • une deuxième étape de traitement thermique à une deuxième température inférieure à la première température et sous un deuxième flux de gaz défini par un deuxième débit inférieur au premier débit.

Description

PROCEDE DE LISSAGE DE LA SURFACE D'UNE STRUCTURE DOMAINE DE L'INVENTION
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure comprenant successivement une couche utile semi-conductrice, une couche diélectrique et un substrat support. Elle concerne en particulier un procédé de lissage de la surface de la couche utile. Ces structures trouvent notamment leur application dans les domaines de la microélectronique, de la micromécanique, de la photonique, etc.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION
On connaît de l'état de la technique différents procédés permettant de former une structure intermédiaire comprenant en succession une couche superficielle semi-conductrice, une couche diélectrique, et un substrat support. Il peut s'agir par exemple de procédés de fabrication par transfert de couche (tels que les procédés connus sous les dénominations Smart Cut™ ou Eltran™) ou encore du procédé de fabrication par implantation d'oxygène (et connu sous l'acronyme SIMOX : Séparation par implantation d'oxygène).
Cette structure intermédiaire, au cours d'une étape suivante de finition, subit différents traitements afin de transformer la couche superficielle en une couche utile présentant toutes les caractéristiques attendues notamment en terme d'épaisseur moyenne, d'uniformité d'épaisseur, de rugosité, de qualité cristalline, etc.
Ces procédés connus sont notamment employés pour la fabrication de structures de silicium sur isolant (SOI pour « Silicon on Insulator » selon la terminologie anglo-saxonne) . Dans ce cas, la couche superficielle qui deviendra la couche utile et le support sont typiquement constitués de silicium et la couche diélectrique de dioxyde de silicium.
Ces structures SOI doivent respecter des spécifications très précises. C'est notamment le cas pour la rugosité finale de la couche utile et les uniformités d'épaisseur de la couche utile et de la couche diélectrique sous-jacente. Le respect de ces spécifications est requis pour le bon fonctionnement des dispositifs semi-conducteurs qui seront formés dans et sur la couche utile.
Parmi les traitements usuels de finition appliqués à une structure intermédiaire, on connaît les traitements de recuit lissant consistant à exposer la couche superficielle à une atmosphère neutre ou réductrice portée à une température élevée, typiquement supérieure à 1100°C. Ce traitement permet entre autres, par reconstruction de surface, de réduire la rugosité de la couche exposée à l'atmosphère haute température.
Ces recuits peuvent être effectués dans des fours aptes à traiter une pluralité de structures SOI simultanément, sous un flux de gaz neutre ou réducteur contrôlé pour favoriser l'homogénéité thermique du four. Ce gaz est filtré afin d'être extrêmement pur (moins de 1 ppm d'impuretés) car tout contaminant (O2, H20, CO2...) susceptible de réagir avec le silicium perturbe le lissage de surface. Un lissage imparfait est caractérisé par un niveau de rugosité résiduel ou non uniforme à la surface de la couche utile.
Rappelons que les mesures de rugosité sont généralement effectuées grâce à un microscope à force atomique (ARM selon l'acronyme correspondant à l'appellation anglo-saxonne de « Atomic Force Microscope »). Avec ce type d'appareil, la rugosité est mesurée sur des surfaces balayées par la pointe du microscope AFM, allant de lxl pm2 à 10x10 pm2 et plus rarement 50x50 pm2, voire 100x100 pm2. Il est également possible de mesurer la rugosité de surface par d'autres méthodes, en particulier par le biais d'une mesure de « haze » selon la terminologie anglo-saxonne répandue. Cette méthode présente notamment l'avantage de caractériser rapidement l'uniformité de la rugosité sur toute la surface de la couche utile. Ce « haze », mesuré en ppm, est issu d'une méthode utilisant les propriétés de réflectivité optique de la surface à caractériser, et correspond à un signal optique diffusé par la surface, en raison de sa microrugosité. On précise que les valeurs de « haze » qui seront exposées dans ce texte sont exprimées en unités arbitraires et ont été effectuées selon un même protocole et par un même dispositif, en l'occurrence par un instrument de type KLA Tencor Surfscan SP (marque déposée).
Dans les gammes de températures élevées et de temps de recuit utilisés pour lisser les surfaces des structures SOI dont la couche superficielle est fine, un phénomène de dissolution de la couche d'oxyde sous-jacente est susceptible de se produire. Le phénomène de dissolution est notamment reporté dans le document « Novel trends in SOI Technology for CMOS applications » de 0. Kononchuck et Al. paru dans la revue Solid State Phenomena, volume 156 - 158 (2010) p 69 à 76. Ce document explique en effet que, dans l'atmosphère de traitement neutre ou réductrice à haute température, les atomes d'oxygène de la couche diélectrique sont susceptibles de diffuser à travers la couche superficielle et de réagir avec la surface de celle-ci pour produire des espèces volatiles (monoxyde de silicium gazeux SiO) qui sont évacuées dans l'atmosphère du four par le flux de gaz neutre. Ce document explique également que pour des structures SOI présentant une couche superficielle fine, la diffusion de l'oxygène à travers la couche superficielle est limitée par la capacité d'évacuation des espèces volatiles de la surface de la structure, et donc que l'ampleur du phénomène de dissolution est localement liée à la vitesse de gaz de l'atmosphère du four à proximité de la surface.
Si le monoxyde de silicium gazeux (SiO) s'accumule à la surface de la couche superficielle pendant le traitement thermique, il freine donc localement la dissolution, entraînant des différences d'épaisseur de la couche superficielle et de la couche diélectrique sur le produit final, ce qui est particulièrement dommageable. Afin de limiter l'accumulation locale de SiO, il est nécessaire de maintenir un flux important de gaz dans le four, car le SiO est justement évacué via le flux de gaz neutre ou réducteur circulant dans le four.
La demanderesse a remarqué que malgré l'uniformité et la pureté contrôlées du flux de gaz dans le four lors d'un traitement thermique de lissage à température élevée et sous un fort flux de gaz neutre ou réducteur, certaines structures SOI présentent des niveaux de « haze » supérieurs au niveau attendu. C'est en particulier vrai sur les bords de ces structures, comme illustré en figure 1. Des zones périphériques 100 de rugosité résiduelle élevée sont présentes sur la couche utile : elles se traduisent sur la cartographie de « haze » de la figure 1 par des zones plus sombres, représentatives d'une plus forte rugosité (notons que la partie centrale de la cartographie présente des régions plus sombres en forme d'ailes de papillon, également nommé « haze cross », qui ne correspondent pas à une plus forte rugosité mais à un artefact du mode de mesure utilisé) . Les zones périphériques 100 sont un problème pour le produit final pour lequel la rugosité de surface et son uniformité à la surface de la structure SOI sont des paramètres clé.
Ainsi, un recuit de lissage selon l'état de l'art permet de lisser globalement la surface des structures SOI, en garantissant une bonne uniformité d'épaisseur des structures SOI finales (grâce à une évacuation suffisante des espèces volatiles liées à la dissolution) mais génère sur certaines structures traitées des zones périphériques 100 de rugosité résiduelle, incompatibles avec les spécifications de rugosité du produit final.
OBJET DE L'INVENTION
Un objet de l'invention est donc de proposer un procédé obviant les inconvénients de l'art antérieur. Un objet de l'invention est notamment un procédé de lissage de la surface d'une structure de silicium sur isolant permettant de limiter l'apparition de zones périphériques de rugosité résiduelle, sans dégrader l'uniformité d'épaisseur de la couche superficielle et du diélectrique enterré.
BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION
La présente invention concerne un procédé de lissage d'une structure de silicium sur isolant comprenant l'exposition d'une surface de la structure à un flux de gaz neutre ou réducteur et à une température élevée au cours d'un traitement thermique, le procédé comportant une première étape de traitement thermique à une première température et sous un premier flux de gaz défini par un premier débit. Le procédé est remarquable en ce qu'il comporte en outre, une deuxième étape de traitement thermique à une deuxième température inférieure à la première température et sous un deuxième flux de gaz défini par un deuxième débit inférieur au premier débit.
La première étape du procédé permet le lissage efficace de surface en parallèle avec un phénomène de dissolution uniforme. Lors de la deuxième étape du procédé, un lissage de la surface peut également s'opérer et rectifier les zones périphériques de rugosité résiduelle générée lors de la première étape. Les conditions de température du deuxième traitement thermique sont telles que le phénomène de dissolution est très lent voire inexistant, ce qui permet de diminuer le flux de gaz et ainsi de limiter les contaminants injectés dans le four et susceptibles de gêner le lissage (notamment en créant lesdites zones périphériques de rugosité résiduelle) : la deuxième étape du procédé permet donc d'améliorer le lissage de la surface, notamment au niveau des zones périphériques, sans dégrader l'uniformité d'épaisseur de la couche superficielle et du diélectrique enterré.
Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, prises seules ou en combinaison : • Le procédé comporte une étape préliminaire de fourniture de la structure SOI comprenant une couche superficielle mince disposée sur une couche diélectrique, elle-même disposée sur un substrat support, la couche superficielle ayant une épaisseur inférieure à 500nm ; • la première température est supérieure à une température seuil et la deuxième température est inférieure à ladite température seuil qui est comprise entre 1150°C et 1170°C ; • la première température est comprise entre 1160°C et 1200°C, préférentiellement entre 1170°C et 1200°C ; • la deuxième température est comprise entre 1130°C et 1170°C, préférentiellement entre 1130°C et 1160°C ; • la deuxième étape de traitement thermique comporte un palier à la deuxième température d'une durée déterminée ; • la durée du palier est comprise entre 1 min et 2h ; • la deuxième étape de traitement thermique comporte une rampe de descente en température comprise entre 0.1°/min et 20°/min, à partir de la deuxième température ; • le premier débit est supérieur à 20 sim ; • le deuxième débit est inférieur à 15 sim ; • le gaz neutre est choisi parmi l'argon ou un mélange d'argon et d'hydrogène ; • la première étape et la deuxième étape de traitement thermique s'enchaînent au cours d'un même traitement thermique.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de l'invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : la figure 1 présente une cartographie de « haze » mesuré sur la surface d'une structure SOI comportant des zones périphériques de rugosité résiduelle ; la figure 2 présente des étapes de fabrication d'une structure SOI selon le procédé Smart Cut® ; la figure 3 présente un graphe avec le niveau de rugosité maximum mesuré sur chaque structure SOI après un procédé de lissage de l'état de l'art ; la figure 4 présente un graphe avec le niveau de rugosité maximum mesuré sur chaque structure SOI après un procédé de lissage selon l'invention ; la figure 5 présente un graphe avec le niveau de rugosité maximum mesuré sur chaque structure SOI après un procédé de lissage selon l'invention ;
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION
La figure 2 présente des étapes de fabrication d'une structure de silicium sur isolant (SOI) 11' selon un mode de réalisation du procédé Smart Cut®. Un substrat donneur 1 de silicium subit une étape d'oxydation thermique (figure 2a) pour faire croître la future couche diélectrique 2 enterrée de la structure SOI. L'épaisseur de l'oxyde pourra par exemple varier entre quelques nanomètres et quelques centaines de nanomètres. Le substrat donneur 1 est ensuite implanté avec des ions léqers 3 (figure 2b) . A titre d'exemple, une co-implantation d'hélium (le16/cm2) et d'hydrogène (le16/cm2) pourra être effectuée, à une énergie adaptée à l'épaisseur souhaitée de la future couche superficielle de silicium. Cette étape d'implantation forme un plan fragile enterré 4 dans le substrat donneur 1. Le substrat donneur 1 implanté est ensuite assemblé avec un substrat support 5, par exemple par collage par adhésion moléculaire (figure 2c). Un recuit de détachement, par exemple dans la gamme de température 350-600°C, permet alors de faire croître des cavités dans le plan fragile enterré 4 pour provoquer la séparation du substrat donneur 1 au niveau de ce plan 4. Une structure SOI intermédiaire 11 est alors formée (figure 2d) : elle comporte une couche superficielle 10 issue du substrat donneur 1, disposée sur la couche diélectrique 2, elle-même assemblée au substrat support 5. A ce stade, la surface de la couche superficielle 10 est rugueuse (par exemple, de l'ordre de 3 à lOnm RMS - mesure AFM) . Pour que cette couche superficielle 10 soit compatible avec les applications microélectroniques, il est nécessaire de réduire sa rugosité, uniformément sur toute la surface de la structure SOI, jusqu'à une valeur de l'ordre de 0,05 à 0,5nm RMS (mesure AFM).
Pour cela, différents traitements peuvent être réalisés, notamment des étapes d'oxydation sacrificielle et de polissage mécano-chimique. Il apparaît néanmoins que, pour des couches superficielles 10 minces (par exemple d'épaisseur inférieure à 500nm voire inférieure à 300nm) dont l'uniformité en épaisseur sur le substrat est critique (typiquement PV (peak-to-valley) <3nm), le polissage, bien qu'efficace pour réduire la rugosité, souffre d'une trop forte non uniformité d'enlèvement pour être compatible avec les spécifications des structures SOI finales 11' .
Il est donc particulièrement intéressant d'appliquer des traitements thermiques de lissage, permettant d'obtenir une plus grande uniformité d'épaisseur finale de la couche utile 10' (figure 2e).
Durant ces traitements thermiques de lissage, la surface d'une structure SOI intermédiaire 11 est exposée à un flux de gaz neutre ou réducteur, à une température typiquement supérieure à 1100°C : dans ces conditions, la mobilité de surface des atomes de silicium est importante et conduit à un lissage de la surface de la couche superficielle 10 exposée. Plus la température est importante, plus le lissage de la surface sera efficace et rapide. L'atmosphère neutre ou réductrice à laquelle la structure est exposée sera préférentiellement composée d'argon ou d'un mélange d'argon et d'hydrogène (par exemple <1% d'hydrogène).
Ces traitements thermiques sont avantageusement réalisés dans des fours de grande dimension pouvant contenir une pluralité de structures SOI intermédiaires 11.
La demanderesse a remarqué que certaines structures SOI positionnées à proximité de l'injection de gaz dans le four présentent des niveaux de « haze » supérieur au niveau obtenu dans le reste du four. C'est en particulier vrai sur les bords des structures (illustré en figure 1). Ces zones périphériques 100 de rugosité résiduelle élevée sur la couche utile 10' sont un problème pour le produit final pour lequel la rugosité de surface et son uniformité à la surface de la structure SOI 11' sont des paramètres clé.
Cette rugosité résiduelle peut être identifiée sur les cartographies de « haze » (figure 1) et à partir des valeurs maximales de « haze » mesurées sur chaque structure SOI 11' après le traitement de lissage. La figure 3 présente en ordonnées les valeurs maximales de « haze » mesurées sur les structures positionnées à différents emplacements (abscisses) dans le four. Il apparaît clairement que les structures dans les positions 74 à 86 présentent un niveau de « haze » plus élevé comparativement aux autres positions : en particulier, un niveau de « haze » supérieur à 0,17 (unités arbitraires) n'est pas compatible avec les applications visées.
La demanderesse a déduit de différents essais que ces zones 100 de rugosité résiduelle, préférentiellement sur les bords des structures SOI, étaient dues à l'exposition de ceux-ci au gaz frais comportant, même en très faible quantité, des contaminants (par exemple O2, H20, CO2...) . En effet, la présence de ce type de contaminants perturbe le phénomène de lissage en bloquant localement la mobilité des atomes de silicium à la surface. Il reste alors des zones périphériques 100 sur la couche utile 10' traitée, sur lesquelles la rugosité est supérieure au niveau attendu, ce qui rend les structures SOI finales 11' incompatibles avec les applications visées.
Le procédé de lissage d'une structure SOI 11 selon l'invention comprend l'exposition de la surface de la structure 11 à un flux de gaz neutre ou réducteur et à une température élevée, au cours d'un traitement thermique. Il comporte une première étape de traitement thermique à une première température et sous un premier flux de gaz défini par un premier débit. Au cours de cette première étape, un premier lissage de la surface de la couche superficielle 10 s'opère ainsi qu'une première dissolution de la couche d'oxyde 2 sous-jacente. La première température est choisie dans une gamme de températures élevées, en particulier entre 1160°C et 1200°C, et préférentiellement entre 1170°C et 1200°C. On est ainsi dans un domaine de budget thermique où le lissage de surface est efficace sur une couche superficielle de silicium : le premier lissage permet de diminuer la rugosité, à la surface de la couche superficielle 10, sur toute la gamme de fréquences spatiales recherchées, de 0,lnm à quelques microns, et ce dans un temps raisonnablement court, pouvant aller de 5min à 1200°C jusqu'à environ 2h à 1170°C.
Comme évoqué précédemment, dans cette gamme de températures élevées, un phénomène de dissolution de la couche d'oxyde enterrée 2 peut se produire. Pour éviter de dégrader les uniformités d'épaisseur des couches superficielle 10 et diélectrique 2, il est donc important de maintenir pendant le recuit de lissage un flux de gaz suffisant pour évacuer les espèces volatiles SiO formées par le phénomène de dissolution.
Pendant cette première étape, le flux de gaz dans le four est maintenu à un premier débit important, pour éviter toute accumulation d'espèces volatiles liées au phénomène de dissolution de la couche d'oxyde 2. Préférentiellement, le premier débit de gaz est supérieur à 20 sim (« standard litre per minute »). Le phénomène de dissolution est ainsi suffisamment homogène pour ne pas détériorer les uniformités d'épaisseur des couches superficielle 10 et d'oxyde 2 enterré, au point de les rendre incompatibles avec l'application visée.
Cette première étape de traitement thermique du procédé de lissage selon l'invention permet d'éliminer une grande partie de la rugosité de la couche superficielle 10 et d'atteindre un bon niveau moyen de rugosité sur l'ensemble des structures traitées dans le four. Néanmoins, il subsiste des zones périphériques 100 de rugosité résiduelle, notamment sur les structures SOI localisées à proximité de l'injection des gaz dans le four : cette rugosité résiduelle locale rend lesdites structures SOI incompatibles avec les spécifications attendues (les valeurs maximales de « haze » sur ces structures dépassant 0,17 (u.a.)).
Le procédé de lissage selon l'invention comporte donc une deuxième étape de traitement thermique à une deuxième température inférieure à la première température et sous un deuxième flux de gaz défini par un deuxième débit inférieur au premier débit. Au cours de cette deuxième étape, un deuxième lissage de la surface de la couche superficielle 10 s'opère. La deuxième température est inférieure à la première température ; en particulier, elle est choisie dans une gamme de températures entre 1130°C et 1170°C, et préférentiellement entre 1130°C et 1160°C. On est dans un domaine de budget thermique où le lissage de surface est toujours actif mais où la cinétique du phénomène de dissolution est très lente. Les phénomènes de lissage de surface de la couche superficielle 10 et de dissolution de la couche d'oxyde 2 enterré sont tous les deux activés thermiquement, c'est-à-dire qu'ils sont d'autant plus rapides que la température est élevée. Le phénomène de lissage a une cinétique thermique définie par l'énergie d'activation de la diffusion de surface des atomes de silicium qui vaut 2eV. Le phénomène de dissolution a une cinétique thermique définie par l'énergie d'activation de la diffusion des atomes d'oxygène dans le silicium qui vaut 4eV. La dissolution est donc beaucoup plus sensible à la température que le lissage. Ainsi, pendant cette deuxième étape du procédé, à une température inférieure à 1170°C et préférentiellement inférieure à 1160°C, la dissolution est quasiment nulle (vitesse du phénomène très faible) alors que le lissage reste significatif, même si d'une efficacité moindre qu'à des températures plus élevées.
Pendant cette deuxième étape, le flux de gaz dans le four est avantageusement défini par un deuxième débit faible, pour limiter la quantité de contaminants en contact avec les surfaces des structures SOI. Préférentiellement, le deuxième débit de gaz est inférieur à 15 sim (« standard litre per minute ») ; avantageusement, le deuxième débit est de l'ordre de 5 sim. La vitesse de dissolution étant très faible, l'accumulation de SiO à la surface des structures SOI 11 pendant cette étape est négligeable et il n'y a donc pas de dégradation des uniformités d'épaisseur des couches, malgré les conditions de faible flux de gaz.
La demanderesse a constaté de manière surprenante que cette deuxième étape de traitement thermique du procédé de lissage selon l'invention permet d'abaisser significativement le niveau de rugosité dans les zones périphériques 100 de rugosité résiduelle, jusqu'à le rendre compatible avec les spécifications attendues du produit final. La diminution de la quantité de contaminants liée au faible débit de gaz (deuxième flux) permet ainsi au phénomène de lissage de s'opérer avec un bon niveau d'efficacité sur les zones périphériques 100, malgré une deuxième température inférieure à la première température.
La première étape et la deuxième étape sont réalisées respectivement à une première température supérieure à une température seuil et à une deuxième température inférieure à une température seuil. Ladite température seuil est comprise entre 1150°C et 1170°C, dans le cas d'une structure silicium sur isolant dont l'épaisseur de couche superficielle 10 est préférentiellement comprise entre 200nm et 500nm. Pour des épaisseurs en dehors de cette fourchette, la température seuil pourra être sensiblement différente, notamment du fait de la dépendance du phénomène de dissolution avec l'épaisseur de couche superficielle 10.
Dans le cas d'autres structures, comportant notamment une couche superficielle 10 de nature différente (par exemple, SiGe, Si dopé carbone, etc), la température seuil pourra être comprise dans une fourchette de températures différente, puisque dépendante des phénomènes de lissage (diffusion de surface des atomes) et de dissolution (diffusion de l'oxyde à travers la couche superficielle 10).
Selon un premier mode de mise en œuvre du procédé de lissage selon l'invention, la première étape et la deuxième étape de traitement thermique consistent en deux recuits différents, entre lesquels les structures SOI 11 traitées reviennent à température ambiante.
Selon un deuxième mode de mise en œuvre du procédé de lissage selon l'invention, la première étape et la deuxième étape de traitement thermique s'enchaînent au cours d'un même recuit. Selon une première variante, à la fin de la première étape, la température suit une rampe de descente passant de la première température à la deuxième température, par exemple, en maintenant le premier flux de gaz. De manière alternative, le flux de gaz pourra être graduellement diminué au cours de la descente en température, jusqu'à atteindre la deuxième température.
La deuxième étape démarre alors, sous le deuxième flux de gaz, avec un palier à la deuxième température, pendant une durée définie. Ladite durée pourra varier par exemple de quelques minutes à quelques heures, en particulier de 5min à 2h.
Selon une variante, la deuxième étape démarre lorsque la température passe de la première température à la deuxième température. Le flux de gaz passe alors du premier flux au deuxième flux. La deuxième étape ne comporte pas de palier mais s'opère pendant la rampe de descente en température comprise par exemple entre 0.1°/min et 20°/min, à partir de la deuxième température.
Rappelons que l'accumulation d'espèces volatiles (SiO) liée au phénomène de dissolution est d'autant plus rapide que l'épaisseur de la couche superficielle 10 est mince. Le procédé de lissage selon l'invention présente donc un intérêt d'autant plus important que la couche superficielle 10 de la structure SOI 11 est mince et que les spécifications de rugosité et d'uniformité d'épaisseur des couches utile 10' et diélectrique 2 de la structure finale 11' sont exigeantes. Préférentiellement, le procédé de lissage selon l'invention présente un intérêt pour des couches superficielles inférieures à 500nm.
Deux exemples de mise en œuvre vont maintenant être décrits, en référence aux figures 4 et 5.
Exemple 1 :
Le procédé de lissage selon l'invention est appliqué à des structures SOI intermédiaires 11 comportant une couche superficielle 10 de 300nm, une couche d'oxyde 2 enterré de 30nm et un substrat support 5.
La première étape et la deuxième étape de traitement thermique sont enchaînées dans un même recuit.
La première étape de traitement thermique consiste en un recuit pendant 135 min à 1175°C (première température) sous un premier flux d'Argon dont le débit volumétrique est 50 sim. Les structures SOI 11 situées en position haute dans le four, c'est-à-dire à proximité de l'injection de gaz, présentent un niveau de « haze » important, lié à la présence de zones périphériques 100 de rugosité résiduelle.
Le graphe de la figure 4 présente en ordonnées la valeur maximale de « haze » mesuré sur chaque structure, les structures SOI 11 étant situées dans différentes positions (en abscisses) dans le four. La courbe en pointillé correspond aux valeurs maximales de « haze » après un recuit équivalent à la première étape de traitement thermique du procédé. On peut remarquer que plusieurs structures, notamment celles dans les positions 85 à 110, présentent des valeurs maximales de « haze » supérieures à 0,15-0,17 (u.a.), ce qui les rend incompatibles avec l'application visée dont la spécification requiert un « haze » maximal inférieur à 0,17.
Lorsque le palier à 1175°C de la première étape est terminé, la température suit une rampe descendante, sous le premier flux d'argon : la deuxième étape de traitement thermique du procédé de lissage démarre dès que la température atteint 1160°C (deuxième température) ; le flux d'argon est alors défini par un deuxième débit volumétrique de 5 sim. La deuxième étape comprend dans ce cas une rampe de descente en température à partir de 1160°C, sous le deuxième flux de gaz. A la sortie du four, les structures SOI 11' traitées présentent un niveau de « haze » fortement amélioré par rapport à leur état après la première étape de traitement thermique ; cette amélioration correspond à la forte réduction de la rugosité résiduelle dans les zones périphériques 100, en particulier pour les structures SOI situées dans les positions 70 à 110 dans le four. La courbe en trait plein correspond au niveau maximum de « haze » des structures SOI traitées avec le procédé de lissage selon l'invention.
On constate avantageusement que le procédé de lissage selon l'invention diminue le niveau de rugosité sur l'ensemble des structures SOI traitées, ramenant le niveau de « haze » maximum à des valeurs inférieures à 0,15 (u.a.).
Exemple 2 :
Le procédé de lissage selon l'invention est appliqué à des structures SOI intermédiaires 11 comportant une couche superficielle 10 de 300nm, une couche d'oxyde 2 enterré de 30nm et un substrat support 5.
La première étape de traitement thermique consiste en un recuit pendant 5 min à 1200°C (première température) sous un premier flux d'Argon dont le débit volumétrique est 25 sim. Les structures SOI situées en positions hautes dans le four, c'est-à-dire à proximité de l'injection de gaz, présentent un niveau de « haze » important, lié à la présence de zones périphériques 100 de rugosité résiduelle.
La figure 5 présente sous forme de diagramme en boites, les valeurs maximales de « haze » mesurées sur chaque structure, les structures SOI étant situées dans différentes positions dans le four. La boite à gauche correspond aux valeurs maximales de « haze » mesurées après un recuit correspondant à la première étape de traitement thermique du procédé. On peut remarquer une forte dispersion de ces valeurs de « haze » dans la gamme 0, 18-0,24 (u.a.), ce qui rend les structures SOI correspondantes incompatibles avec l'application visée dont la spécification requiert un « haze » maximum inférieur à 0,17 (u.a.).
La deuxième étape de traitement thermique du procédé de lissage selon l'invention consiste en un recuit pendant 2h à 1160°C (deuxième température) sous un deuxième flux d'Argon dont le débit volumétrique est 5 sim. A la sortie du four, les structures SOI 11' traitées présentent un niveau de « haze » fortement amélioré (correspondant à la forte réduction de la rugosité résiduelle dans les zones périphériques 100) . La boite à droite sur la figure 5 inclut les valeurs de « haze » maximum mesuré sur chaque structure SOI traitée avec le procédé de lissage selon l'invention. On remarque que toutes les valeurs ont été abaissées en dessous de 0,17 (u. a.), qui est la valeur maximale de « haze » attendue pour les produits visés. On remarque également une très nette diminution de la dispersion des valeurs de « haze » maximum : le procédé de lissage selon l'invention diminue donc bien le niveau de rugosité sur l'ensemble des structures SOI traitées.
La première étape et la deuxième étape de traitement thermique peuvent être enchaînées dans un même recuit ou consister en deux recuits distincts.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation et exemples décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications.

Claims (12)

  1. REVENDICATIONS
    1. Procédé de lissage d'une structure de silicium sur isolant (11) comprenant l'exposition d'une surface de la structure (11) à un flux de gaz neutre ou réducteur et à une température élevée au cours d'un traitement thermique, le procédé comportant : • une première étape de traitement thermique à une première température et sous un premier flux de gaz défini par un premier débit ; le procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte : • une deuxième étape de traitement thermique à une deuxième température inférieure à la première température et sous un deuxième flux de gaz défini par un deuxième débit inférieur au premier débit.
  2. 2. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon la revendication précédente, comportant une étape préliminaire de fourniture de la structure SOI (11) comprenant une couche superficielle mince (10) disposée sur une couche diélectrique (2), elle-même disposée sur un substrat support (5), la couche superficielle (10) ayant une épaisseur inférieure à 500nm.
  3. 3. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la première température est supérieure à une température seuil et la deuxième température est inférieure à ladite température seuil qui est comprise entre 1150°C et 1170°C.
  4. 4. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la première température est comprise entre 1160°C et 1200°C, préférentiellement entre 1170°C et 1200°C.
  5. 5. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la deuxième température est comprise entre 1130°C et 1170°C, préférentiellement entre 1130°C et 1160°C.
  6. 6. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la deuxième étape de traitement thermique comporte un palier à la deuxième température d'une durée déterminée.
  7. 7. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon la revendication précédente, dans lequel la durée du palier est comprise entre 5 min et 2h.
  8. 8. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la deuxième étape de traitement thermique comporte une rampe de descente en température comprise entre 0.1°/min et 20°/min, à partir de la deuxième température.
  9. 9. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier débit est supérieur à 20 sim.
  10. 10. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le deuxième débit est inférieur à 15 sim.
  11. 11. Procédé de lissage d'une structure SOI (11) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le gaz neutre est choisi parmi l'argon ou un mélange d'argon et d'hydrogène.
  12. 12. Procédé de lissage d'une structure SOI selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la première étape et la deuxième étape de traitement thermique s'enchaînent au cours d'un même traitement thermique.
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KR1020170004254A KR102583420B1 (ko) 2016-01-14 2017-01-11 구조의 표면을 평활화하는 프로세스
CN201710023799.XA CN107039269B (zh) 2016-01-14 2017-01-13 用于平滑结构体表面的方法
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3159469A1 (fr) * 2024-02-15 2025-08-22 Soitec Procédé de lissage des surfaces libres et rugueuses d’une pluralité de substrats de silicium sur isolant

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140030877A1 (en) * 2009-01-22 2014-01-30 Soitec Process to dissolve the oxide layer in the peripheral ring of a structure of semiconductor-on-insulator type
WO2014202866A1 (fr) * 2013-06-18 2014-12-24 Soitec Procédé de fabrication d'une pluralité de structures

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001028000A1 (fr) * 1999-10-14 2001-04-19 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de fabrication d'une tranche de soi, et tranche de soi
US6417078B1 (en) * 2000-05-03 2002-07-09 Ibis Technology Corporation Implantation process using sub-stoichiometric, oxygen doses at different energies
JP2002110949A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Canon Inc Ｓｏｉの熱処理方法及び製造方法
FR2827078B1 (fr) * 2001-07-04 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Procede de diminution de rugosite de surface
JP2006270000A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Sumco Corp 歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板の製造方法および該方法により製造された歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板
JP5466410B2 (ja) * 2008-02-14 2014-04-09 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉ基板の表面処理方法
WO2011096417A1 (fr) * 2010-02-04 2011-08-11 国立大学法人東北大学 Tranche de silicium et dispositif à semi-conducteurs
EP2835820A1 (fr) * 2012-04-05 2015-02-11 National University Corporation, Tohoku University Procédé de traitement d'une tranche de silicium à surface plane d'ordre atomique, et dispositif de traitement thermique
US9202711B2 (en) * 2013-03-14 2015-12-01 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Semiconductor-on-insulator wafer manufacturing method for reducing light point defects and surface roughness
JP6086031B2 (ja) * 2013-05-29 2017-03-01 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140030877A1 (en) * 2009-01-22 2014-01-30 Soitec Process to dissolve the oxide layer in the peripheral ring of a structure of semiconductor-on-insulator type
WO2014202866A1 (fr) * 2013-06-18 2014-12-24 Soitec Procédé de fabrication d'une pluralité de structures

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