HK61896A - Integrated memory comprising a sense amplifier - Google Patents

Integrated memory comprising a sense amplifier Download PDF

Info

Publication number
HK61896A
HK61896A HK61896A HK61896A HK61896A HK 61896 A HK61896 A HK 61896A HK 61896 A HK61896 A HK 61896A HK 61896 A HK61896 A HK 61896A HK 61896 A HK61896 A HK 61896A
Authority
HK
Hong Kong
Prior art keywords
current branch
sense amplifier
transistor
control transistor
transistors
Prior art date
Application number
HK61896A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Seevinck Evert
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics N.V. filed Critical Koninklijke Philips Electronics N.V.
Publication of HK61896A publication Critical patent/HK61896A/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/419—Read-write [R-W] circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Claims (3)

  1. Circuit intégré de mémoire à transistors à effet de champ comprenant des cellules de mémoire (i...n) qui sont agencées en rangées et colonnes, chaque colonne de cellules de mémoire (i...n) étant connectée à une ligne de bit et à une ligne de non-bit à l'aide de moyens de sélection, et comprenant également au moins un amplificateur de lecture qui comprend une première et une deuxième entrées (C, D) à coupler à une ligne de bit et à une ligne de non-bit associée d'une colonne, chacune d'elles étant couplée à une borne d'alimentation (VDD) via une charge (1, 1N), ledit amplificateur de lecture effectuant une mesure de courant sur la première et la deuxième entrées (C, D) au cours de la lecture des informations sur la première et la deuxième entrées (C, D), ledit amplificateur de lecture comprenant, en outre, un montage en parallèle d'une première et d'une deuxième branches de courant (T1, T3; T2, T4), chaque branche de courant (T1, T3; T2, T4) comprenant un transistor de commande (T1, T2) comportant une grille, une source et un drain, la source du transistor de commande (T1, T2) de la première et de la deuxième branches de courant étant connectée à la première et à la deuxième entrées (C, D), respectivement, caractérisé en ce que la grille du transistor de commande (T1, T2) dans chaque branche de courant est connectée au drain du transistor de commande (T1, T2) dans l'autre branche de courant, le canal d'un transistor de charge (T3, T4) comprenant une grille, une source et un drain étant connecté entre le drain du transistor de commande en question (T1, T2) et une borne d'alimentation (VSS) de chaque branche de courant, le transistor de charge (T3, T4) et le transistor de commande (T1, T2) de chaque branche de courant ayant un rapport largeur/longueur (1/L) sensiblement égal, ledit transistor de charge (T3, T4) étant du même type de conductivité que le transistor de commande (T1, T2) dans la branche de circuit concernée, les grilles couplées desdits transistors de charge (T3, T4) recevant un signal de sélection pour l'activation sélective de l'amplificateur de lecture.
  2. Circuit intégré de mémoire à transistors à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transistor de charge (T3, T4) et le transistor de commande (T1, T2) de chaque branche de courant sont des transistors de type P.
  3. Circuit intégré de mémoire à transistors à effet de champ selon la revendication 1 ou 2, comprenant plusieurs amplificateurs de lecture (4j, 4j+1) qui sont connectés au même bus de données (DL, DLN) du côté de sortie, caractérisé en ce qu'entre les bus de données (DL, DLN) et une borne d'alimentation (VSS) est inclus un transistor à effet de champ (T15) qui est connecté en diode.
HK61896A 1989-05-31 1996-04-11 Integrated memory comprising a sense amplifier HK61896A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8901376A NL8901376A (nl) 1989-05-31 1989-05-31 Geintegreerde geheugenschakeling met een leesversterker.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
HK61896A true HK61896A (en) 1996-04-19

Family

ID=19854753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HK61896A HK61896A (en) 1989-05-31 1996-04-11 Integrated memory comprising a sense amplifier

Country Status (11)

Country Link
EP (1) EP0400728B1 (fr)
JP (1) JP2760634B2 (fr)
KR (1) KR0155374B1 (fr)
CN (1) CN1019614B (fr)
CA (1) CA2017607C (fr)
DE (1) DE69021273T2 (fr)
ES (1) ES2077630T3 (fr)
FI (1) FI902648A7 (fr)
HK (1) HK61896A (fr)
IE (1) IE71667B1 (fr)
NL (1) NL8901376A (fr)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2531226Y2 (ja) * 1992-11-26 1997-04-02 喜和 石渡 紙幣の収納機構
DE69526336D1 (de) * 1995-04-28 2002-05-16 St Microelectronics Srl Leseschaltung für Speicherzellen mit niedriger Versorgungsspannung
JPH10133908A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Mitsubishi Electric Corp マイクロプロセッサ
US6754119B2 (en) * 2001-07-26 2004-06-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Sense amplifier for memory device
KR100408420B1 (ko) * 2002-01-09 2003-12-03 삼성전자주식회사 감지증폭기의 센싱속도를 향상시킬 수 있는 반도체메모리장치의 감지증폭기 구동회로
CN1326148C (zh) * 2002-08-14 2007-07-11 力旺电子股份有限公司 利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器
JP4351178B2 (ja) * 2005-02-25 2009-10-28 寛治 大塚 半導体記憶装置
JP2007133987A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Toshiba Corp 半導体記憶装置および半導体記憶装置の駆動方法
KR100897252B1 (ko) 2006-06-30 2009-05-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
CN101399018B (zh) * 2007-09-26 2011-09-14 中华映管股份有限公司 信号控制电路及方法、液晶显示器及其时序控制器
GB2510828B (en) * 2013-02-13 2015-06-03 Surecore Ltd Single wordline low-power SRAM cells

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4039861A (en) * 1976-02-09 1977-08-02 International Business Machines Corporation Cross-coupled charge transfer sense amplifier circuits

Also Published As

Publication number Publication date
CA2017607C (fr) 2001-07-24
ES2077630T3 (es) 1995-12-01
IE71667B1 (en) 1997-02-26
JPH0319198A (ja) 1991-01-28
EP0400728B1 (fr) 1995-08-02
KR900019043A (ko) 1990-12-22
CN1048282A (zh) 1991-01-02
JP2760634B2 (ja) 1998-06-04
CN1019614B (zh) 1992-12-23
NL8901376A (nl) 1990-12-17
FI902648A7 (fi) 1990-12-01
EP0400728A1 (fr) 1990-12-05
KR0155374B1 (ko) 1998-12-01
FI902648A0 (fi) 1990-05-28
CA2017607A1 (fr) 1990-11-30
DE69021273D1 (de) 1995-09-07
IE901910L (en) 1990-11-30
DE69021273T2 (de) 1996-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5689461A (en) Semiconductor memory device having voltage booster circuit coupled to a bit line charging/equalizing circuit or switch
US5243573A (en) Sense amplifier for nonvolatile semiconductor storage devices
US5040146A (en) Static memory cell
US4654831A (en) High speed CMOS current sense amplifier
EP0015070A1 (fr) Circuit amplificateur de lecture
US6304505B1 (en) Differential correlated double sampling DRAM sense amplifier
EP0400728B1 (fr) Circuit intégré de mémorisation muni d'un amplificateur de lecture
US4270190A (en) Small signal memory system with reference signal
US5253137A (en) Integrated circuit having a sense amplifier
US4733112A (en) Sense amplifier for a semiconductor memory device
US3946369A (en) High speed MOS RAM employing depletion loads
US6600672B2 (en) Semiconductor memory device
US4860257A (en) Level shifter for an input/output bus in a CMOS dynamic ram
US4451907A (en) Pull-up circuit for a memory
JPS6035755B2 (ja) センス増幅器
EP0374995B1 (fr) Circuit intégré de mémorisation
EP0621602A2 (fr) Mémoire à accès aléatoire
CA1226908A (fr) Amplificateurs de detection haute performance tres sensibles
KR20010088298A (ko) 반도체 집적 회로
US6205070B1 (en) Current sense amplifier
US6407580B1 (en) Latch sense amplifier circuit with an improved next stage buffer
US4661926A (en) Bit line gain circuit for read only memory
US4628250A (en) Power conserving CMOS reference voltage source
US6185140B1 (en) Sensing architecture with decreased precharge voltage levels
EP0400724A1 (fr) Circuit intégré de mémorisation muni d'un amplificateur de lecture

Legal Events

Date Code Title Description
PC Patent ceased (i.e. patent has lapsed due to the failure to pay the renewal fee)