HK68794A - Method and arrangements for testing megabit memory modules with arbitrary test patterns in a multiple bit test mode - Google Patents
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Claims (7)
- Procédé pour tester des modules de mémoire à mégabits dans un mode de test multibits à configurations de test arbitraires du type dans lequel, lors de la mémorisation d'une donnée à un bit, la donnée à un bit est reproduite simultanément sur m cellules d'un groupe de la plage de cellules de mémoire suivant la relation de dimension m :
et, lors de la lecture des contenus des cellules d'un tel groupe de cellules, le groupe de cellules est reproduit avec inversion pour créer la donnée initiale à un bit selon la fonction inverse de dimension m : caractérisé en ce que m informations de données individuelles (DE) mémorisées dans le module de mémoire à mégabits (MBS) sont réunies dans un registre de mot de test en un mot de test (TW0) de dimension m et, qu'ensuite, l'attribution pour une coordination individuelle et fixe de la position binaire du mot de test (TW0) avec les cellules d'un groupe de cellules de dimension m, et appartenant à un environnement topologique d'un bit précis, le mot de test (TW0, pour DE=0) ou le mot de test inverse (TW0 , pour DE=1) est reproduit sur un groupe désigné de cellules ou successivement sur plusieurs groupes désignés de cellules du champ de cellules (ZF). - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que, sont générés au moins deux mots de test (TW0 et TW1) optionnels, indépendants l'un de l'autre, pouvant être sélectionnés par l'information de données (DE) mémorisée et pouvant être reproduits sur le groupe des cellules du champ de cellules (ZF).
- Procédé suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les mots de test (TW0 et/ou TW1) sont envoyés à un élément logique de comparaison (VGL), qui compare le contenu réel des cellules d'un groupe de cellules aux mots de test (TW0 ou TW1) originaux mémorisés et qui, en fonction de la comparaison, génère un bon ou un mauvais signal.
- Agencement pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 ou 3, caractérisé en ce que le module de mémoire à mégabits (MBS) comporte un registre de mots de test, en amont du champ de cellules (ZF), pour la réception d'un mot de test (TW0) de dimension m et un élément logique de comparaison (VGL) qui est relié au registre de mot de test, en aval du champ de cellules (ZF), ainsi que plusieurs commutateurs (S2 et S3) pour commander la mémorisation d'un mot de test dans le registre de mot de test et pour écrire, dans le champ de cellules (ZF), le mot de test ou le mot de test inverse (TW0 ou
TW0 ). - Agencement pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le module de mémoire à mégabits (MBS) comporte deux registres de mots de test, monté en amont du champ de cellules (ZF), pour la réception des deux mots de test (TW0 et TW1) de dimension m et un élément logique de comparaison (VGL), monté en aval du champ de cellules (ZF), et relié au registre de mots de test, ainsi que plusieurs commutateurs (S2 et S3) pour commander la mémorisation du mot de test dans le registre de mots de test et pour écrire le mot de test (TW0 ou TW1) dans le champ de cellules (ZF).
- Agencement suivant la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce qu'il est prévu un compteur (Z) à cycle de comptage m ou 2xm, qui détermine la fin de la mémorisation du mot de test (TW0) ou des mots de test (TW0 et TW1) et qui excite l'écriture d'un mot de test (TW0 ou
TW0 respectivement TW0 ou TW1) dans le champ de cellules (ZF). - Dispositif selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce qu'il est prévu une entrée de commande, par laquelle une ligne d'adresse Aj, rendue disponible par l'intermédiaire du mode de test multibits nécessitant un plus faible espace d'adresses, détermine la fin de la mémorisation du mot de test (TW0) ou des mots de test (TW0 et TW1) et excite l'écriture d'un mot de test (TW0 ou
TW0 respectivement TW0 ou TW1) dans le champ de cellules (ZF).
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