HK6894A - Fast control circuit for a power-field-effect transistor - Google Patents

Fast control circuit for a power-field-effect transistor

Info

Publication number
HK6894A
HK6894A HK68/94A HK6894A HK6894A HK 6894 A HK6894 A HK 6894A HK 68/94 A HK68/94 A HK 68/94A HK 6894 A HK6894 A HK 6894A HK 6894 A HK6894 A HK 6894A
Authority
HK
Hong Kong
Prior art keywords
energy
field effect
transformer
during
circuit
Prior art date
Application number
HK68/94A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michel Nollet
Original Assignee
Thomson-Lgt Laboratoire General Des Telecommunications
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson-Lgt Laboratoire General Des Telecommunications filed Critical Thomson-Lgt Laboratoire General Des Telecommunications
Publication of HK6894A publication Critical patent/HK6894A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Claims (4)

1. Schnelle Steuerschaltung mit wenigstens einem Leistungsfeldeffekttransistor (12, 13), mit einem Transformator mit Primärwicklung (111) und Sekundärwicklung (112) für die Übertragung von Steuersignalen, die abwechselnd einen ersten und einen zweiten Spannungspegel mit entgegengesetzten Vorzeichen besitzen, an die Gates der Feldeffekttransistoren und mit:
- Energiespeichermitteln (18, 19), die mit dem Transformator (11) verbunden sind, um beim Auftreten der Steuersignale während eines ersten Zeitintervalls (A bzw. C), während dem das Steuersignal auf dem ersten Spannungspegel liegt, die zum Steuern des Gates des Leistungsfeldeffekttransistors (12, 13) erforderliche Energie zu speichern,
- Übertragungsmitteln (14, 15), die mit der Sekundärwicklung des Transformators verbunden sind und ausschließlich durch die Energiespeichermittel (18, 19) versorgt werden, um die in den Energiespeichermitteln (18, 19) gespeicherte Energie ausschließlich während eines zweiten Zeitintervalls (C bzw. A), während dem das Steuersignal auf seinem zweiten Spannungspegel liegt, an das Steuergate des Leistungsfeldeffekttransistors (12, 13) zu übertragen, und
- Isoliermitteln (20, 21), die zwischen die Sekundärwicklung (112) und die Energiespeichermittel (18, 19) geschaltet sind, um während des zweiten Zeitintervalls, während dem das Steuersignal auf seinem zweiten Spannungspegel liegt, die Übertragung der Energie von der Sekundärwicklung (112) sowohl an die Energiespeichermittel (18, 19) als auch an die Energieübertragungsmittel (14, 15) nicht zuzulassen.
2. Schaltung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiespeichermittel (18, 19) wenigstens einen Kondensator umfassen, der über wenigstens eine Diode (20, 21) parallel zu den Anschlüssen der Sekundärwicklung (112) des Transformators angeordnet ist.
3. Steuerschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsmittel von Feldeffekttransistoren (14, 15) gebildet werden, die als Spannungsfolgerstufe angeordnet sind und durch die Speichermittel (18, 19) versorgt werden.
4. Steuerschaltung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsmittel (14, 15) durch eine Stufe vom "Push-Pull"-Typ gebildet werden, die aus zwei komplementären, in Reihe geschalteten Feldeffekttransistoren (14, 15) ausgebildet wird, deren Source-Elektroden mit wenigstens einem Gate der zu steuernden Leistungsfeldeffekttransistoren (12, 13) verbunden sind.
HK68/94A 1985-12-13 1994-01-21 Fast control circuit for a power-field-effect transistor HK6894A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8518526A FR2591831A1 (fr) 1985-12-13 1985-12-13 Circuit de commande rapide de transistors a effet de champ de puissance

Publications (1)

Publication Number Publication Date
HK6894A true HK6894A (en) 1994-02-04

Family

ID=9325785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HK68/94A HK6894A (en) 1985-12-13 1994-01-21 Fast control circuit for a power-field-effect transistor

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4767952A (de)
EP (1) EP0230810B1 (de)
JP (1) JPH0812990B2 (de)
AR (1) AR241300A1 (de)
AT (1) ATE64251T1 (de)
CA (1) CA1261391A (de)
DE (1) DE3679654D1 (de)
DK (1) DK592486A (de)
ES (1) ES2022140B3 (de)
FR (1) FR2591831A1 (de)
GR (1) GR3002612T3 (de)
HK (1) HK6894A (de)
MX (1) MX168067B (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4937470A (en) * 1988-05-23 1990-06-26 Zeiler Kenneth T Driver circuit for power transistors
US4873460A (en) * 1988-11-16 1989-10-10 California Institute Of Technology Monolithic transistor gate energy recovery system
WO1990013178A1 (en) * 1989-04-19 1990-11-01 Sundstrand Corporation Gate drive circuit for power transistor
US4970420A (en) * 1989-07-13 1990-11-13 Westinghouse Electric Corp. Power field effect transistor drive circuit
US5264736A (en) * 1992-04-28 1993-11-23 Raytheon Company High frequency resonant gate drive for a power MOSFET
US5910746A (en) * 1993-03-26 1999-06-08 Sundstrand Corporation Gate drive for a power switching device
US5635867A (en) * 1994-07-20 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. High performance drive structure for MOSFET power switches
DE19732094A1 (de) * 1997-07-25 1999-01-28 Bosch Gmbh Robert Steuerschaltung für einen Gleichstrommotor
DE19732098A1 (de) * 1997-07-25 1999-01-28 Bosch Gmbh Robert Steuerschaltung für einen Gleichstrommotor
DE102005001322B4 (de) * 2005-01-11 2010-07-08 Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh Verfahren und Schaltung zur galvanisch getrennten Übertragung eines Signals
GB2559423B8 (en) * 2017-02-07 2023-06-28 Heyday Integrated Circuits Sas An isolated high side drive circuit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0053709B1 (de) * 1980-12-04 1985-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zum Ansteuern mindestens eines Leistungs-FET
DE3045771A1 (de) * 1980-12-04 1982-07-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zum ansteuern eines leistungs-fet
AT377138B (de) * 1981-11-26 1985-02-11 Zumtobel Ag Schaltungsanordnung fuer eine potentialgetrennte ansteuerung wenigstens eines feldeffekttransistors
US4438356A (en) * 1982-03-24 1984-03-20 International Rectifier Corporation Solid state relay circuit employing MOSFET power switching devices
FR2558315B1 (fr) * 1984-01-16 1986-06-06 Dassault Electronique Dispositif electronique amplificateur d'impulsions isole, en particulier pour sortie en haute tension
US4672327A (en) * 1986-03-10 1987-06-09 Rca Corporation Self-biasing for enhancement-mode field effect transistors

Also Published As

Publication number Publication date
MX168067B (es) 1993-05-03
EP0230810B1 (de) 1991-06-05
DE3679654D1 (de) 1991-07-11
FR2591831A1 (fr) 1987-06-19
JPH0812990B2 (ja) 1996-02-07
EP0230810A1 (de) 1987-08-05
ATE64251T1 (de) 1991-06-15
CA1261391A (fr) 1989-09-26
AR241300A1 (es) 1992-04-30
GR3002612T3 (en) 1993-01-25
US4767952A (en) 1988-08-30
ES2022140B3 (es) 1991-12-01
DK592486A (da) 1987-06-14
DK592486D0 (da) 1986-12-10
JPH01117414A (ja) 1989-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6222344B1 (en) Magnetically coupled autonomous battery equalization circuit
US4495554A (en) Isolated power supply feedback
US5590032A (en) Self-synchronized drive circuit for a synchronous rectifier in a clamped-mode power converter
US6479970B2 (en) Un-interruptible power supply
US5440179A (en) UPS with bi-directional power flow
US5027263A (en) Switching power source means
US5359279A (en) Pulsed electrical energy power supply
HK6894A (en) Fast control circuit for a power-field-effect transistor
US5530385A (en) Control circuit for a semiconductor switch
AU608854B2 (en) High voltage DC power supply
GB1123183A (en) Electric power control circuits
US4093877A (en) Semi-conductor switching circuit with transistor switching power loss reduction means
EP0302730B1 (de) Isolierte analogische Spannungsfühlerschaltung
US4694207A (en) FET gating circuit for switching electrical loads
US4908752A (en) DC-to-DC voltage-increasing power source
EP0341460A3 (de) Treiber-Schutzschaltung
JPH08251913A (ja) スイッチングレギュレータ
EP0218288B1 (de) Sowohl als N-Kanal-MOS-Transistor als auch als P-Kanal-MOS-Transistor verwendbare MOS-Leistungsvorrichtung
RU2107983C1 (ru) Квазирезонансный преобразователь постоянного напряжения с переключением при нулевом напряжении
RU97117374A (ru) Однофазный компенсатор пассивной мощности
SU1277074A1 (ru) Импульсный стабилизатор посто нного напр жени
SU746814A1 (ru) Устройство дл зар да и разр да аккумул торной батареи
SU1598073A1 (ru) Импульсный регул тор посто нного напр жени
JPS6477220A (en) Driving circuit for mos-fet
TW357362B (en) Circuit arrangement to generate a high output-voltage

Legal Events

Date Code Title Description
PC Patent ceased (i.e. patent has lapsed due to the failure to pay the renewal fee)