HK87096A - Improvement in a process for producing thallium type superconducting thin film - Google Patents

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HK87096A
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HK
Hong Kong
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HK87096A
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Harada Keizo
Itozaki Hideo
Yazu Shuji
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Sumitomo Electric Industries, Ltd.
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Claims (11)

  1. Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Dünnfilms aus einer thalliumartigen Oxidverbindung, wobei ein Dünnfilm aus einer Thallium enthaltenden Oxidverbindung mittels des physikalischen Dampfabscheideverfahrens oder des chemischen Dampfabscheideverfahrens auf einem Substrat abgeschieden wird, wonach der so erhaltene Dünnfilm einer Wärmebehandlung unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 880°C und 920°C für eine vorgegebene Zeit durchgeführt wird, wobei der Partialdruck des Thalliumoxids höher als der Sättigungsdampfdruck des Thalliumoxids bei dieser Temperatur ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der erhaltene wärmebehandelte Dünnfilm einer zweiten Wärmebehandlung unterworfen wird, die bei einer Temperatur zwischen 600°C und 900°C während einer vorgegebenen Zeit durchgeführt wird, wobei der Partialdruck des Thalliumoxids geringer ist als der Sättigungsdampfdruck des Thalliumoxids bei dieser Temperatur.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die erste und die zweite Wärmebehandlung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre durchgeführt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die erste und/oder die zweite Wärmebehandlung in einem teilweise geschlossenen in einem Ofen enthaltenen Raum durchgeführt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der teilweise geschlossene Raum durch ein Rohr aus Edelmetall gebildet wird, das eine Öffnung aufweist, die mit dem Innenraum des Ofens in Verbindung steht.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Bedingung, daß der Partialdruck des Thalliumoxids höher ist als der Sättigungsdampfdruck des Thalliumoxids bei dieser Temperatur, bewirkt wird durch Erwärmen einer Thallium enthaltenden Verbindung auf eine Temperatur, die höher ist als die Temperatur, bei der der Dünnfilm wärmebehandelt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Thallium enthaltende Oxidverbindung Thalliumoxid ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Thallium enthaltende Oxidverbindung eine Verbindung ist, welche dieselbe Zusammensetzung aufweist, wie der mit Wärme zu behandelnde Dünnfilm.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die erste und zweite Wärmebehandlung für mehr als eine Minute durchgeführt wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem der supraleitende Dünnfilm der thalliumartigen Oxidverbindung eine Zusammensetzung aufweist gemäß der allgemeinen Formel         Tl₄(Ca1-x,Bax)mCunOp+y wobei m, n, x und y Zahlen sind, die die folgenden Bedingungen erfüllen 6 ≦m ≦ 16, 4 ≦ n ≦ 12, 0,2 < x < 0,8 und -2 ≦ y ≦ +2 bzw. p = (6+m+n) .
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem das Substrat ein Einkristall aus MgO, SrTiO₃, LaAlO₃ oder LaGaO₃) ist.
HK87096A 1988-08-10 1996-05-16 Improvement in a process for producing thallium type superconducting thin film HK87096A (en)

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AU614656B2 (en) 1991-09-05
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EP0358545B1 (de) 1994-04-27
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US5196398A (en) 1993-03-23
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Date Code Title Description
PF Patent in force
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