HK96193A - Method of producing a layer of superconductive material - Google Patents

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Michael Edith Gross
Catherine Ellen Rice
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American Telephone And Telegraph Company
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Claims (14)

1. Procédé pour produire une couche d'oxyde supraconducteur contenant des métaux sur une surface d'un substrat, ce procédé comprenant :
a) l'application sur la surface du substrat d'une solution de précurseur contenant des métaux, de façon à former une couche contenant des métaux et pratiquement homogène, et
b) le chauffage d'au moins une partie de la couche en présence d'oxygène, de façon qu'au moins une partie notable du matériau de cette partie de la couche soit transformée en un matériau supraconducteur consistant en oxyde métallique; dans lequel l'étape b) comprend le chauffage de la couche jusqu'à une première température dans la plage de 250-450 ° C, de façon que les constituants indésirables soient pratiquement éliminés de la couche, elle comprend en outre le chauffage de la couche à une seconde température dans la plage de 600-1000"C pendant une durée suffisante pour provoquer la transformation d'au moins une partie notable du matériau de la couche, pour donner une phase qui est associée à la supraconductivité; et elle comprend en outre le refroidissement de la couche jusqu'à une troisième température dans la plage de 300-500 C, et la mise en contact de la couche avec une atmosphère contenant de l'oxygène, de façon qu'il se produise une oxygénation effective du matériau de la couche.
2. Procédé selon la revendication 1, comprenant la sélection de la solution de précurseur et des conditions de l'étape b) de façon que le matériau supraconducteur consistant en oxyde métallique ait la composition nominale Ba2-xM1-yXx+yCu309-δ, dans laquelle M est sélectionné dans le groupe qui comprend Y, Eu et La, et X est un composant que l'on peut choisir, qui est différent de Ba, Y, Eu et La, et qui est sélectionné dans le groupe comprenant les éléments ayant des numéros atomiques 57-71, Sc, Ca et Sr, avec 0 < x + y 1, 1,5 < 6 < 2,5, et Ba et M étant non substitués dans un pourcentage atomique d'au moins 50%.
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant la sélection d'une solution de précurseur qui comprend Cu, Ba et Y, la concentration molaire de Cu dans la solution de précurseur étant d'au moins environ 0,01.
4. Procédé selon la revendication 1, comprenant la formation de la solution de précurseur par dissolution d'un composé contenant du cuivre dans un milieu aqueux acide, et dans lequel la température de la solution de précurseur qui est appliquée au substrat est supérieure à la température du substrat.
5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant le maintien de la couche en contact avec une atmosphère contenant de l'oxygène pendant pratiquement la totalité de l'étape b).
6. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant l'opération qui consiste à fournir un substrat, et une partie au moins de la surface du substrat consiste en un matériau qui est pratiquement inerte pendant l'étape b), vis-à-vis de l'oxygène et vis-à-vis du matériau de la couche.
7. Procédé selon la revendication 6, comprenant la sélection du substrat dans le groupe qui comprend MgO, Zr02, et SrTi03.
8. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant l'opération qui consiste à fournir un substrat qui est constitué par un premier matériau de substrat et par une couche de barrière sur au moins une partie du premier matériau de substrat.
9. Procédé selon la revendication 8, comprenant la sélection d'une couche de barrière qui consiste pratiquement en un matériau sélectionné dans le groupe comprenant Au, Ag, MgO, Zr02, et SrTi03.
10. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant la sélection d'un substrat qui consiste en un corps sous forme de filaments.
11. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape a) comprend la pulvérisation de la solution de précurseur sur la surface principale, dans une condition dans laquelle la température du substrat est notablement supérieure à la température de la solution de précurseur.
12. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel on forme la solution de précurseur en dissolvant un ou plusieurs composés organométalliques dans un solvant organique.
13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel on forme la solution de précurseur en dissolvant au moins un composé organométallique sélectionné dans le groupe qui comprend les éthylhexanoates et les butyrates, et dans lequel le solvant consiste en chloroforme ou en toluène.
14. Procédé selon la revendication 13, comprenant la dissolution d'au moins un composé organométallique sélectionné dans le groupe qui comprend l'éthylhexanoate de cuivre, l'isobutyrate de cuivre, l'éthylhexanoate de baryum et l'isobutyrate de baryum, et dans lequel l'étape b) comprend le chauffage de la couche jusqu'à une température dans la plage de 820-1000°C.
HK961/93A 1987-04-10 1993-09-16 Method of producing a layer of superconductive material HK96193A (en)

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