IT1258816B - Disposizione di una schiera di celle ridondanti per un dispositivo di memoria a semiconduttore - Google Patents

Disposizione di una schiera di celle ridondanti per un dispositivo di memoria a semiconduttore

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Abstract

In un dispositivo di memoria a semiconduttore avente una schiera di celle di memoria normali N la quale comprende disposizioni ripetute di una predeterminata disposizione di dati e i cui dati sono ingressi e uscite in risposta a un segnale di linea di selezione di colonna CLS0-CLS3, è descritta una disposizione di una schiera di celle ridondanti R. La disposizione ha la stessa disposizione di dati della unità ripetuta in modo minimo di. detta schiera di celle di memoria normali N, dove i dati sono in ingresso e uscita della schiera di celle ridondanti R in risposta a un segnale di linea di selezione di colonna ridondante RCSL0-RCSL3. Secondo la disposizione della schiera di celle ridondanti. R, l'affidabilità e la resa del dispositivo di memoria a semiconduttore sono aumentate.
ITMI920120A 1991-08-21 1992-01-23 Disposizione di una schiera di celle ridondanti per un dispositivo di memoria a semiconduttore IT1258816B (it)

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