IT8348902A1

IT8348902A1 - Procedimento e soluzione per la placcatura chimica di rame

Info

Publication number: IT8348902A1
Application number: ITRM1983A048902A
Authority: IT
Original assignee: Occidental Chem Co
Priority date: 1982-09-02
Filing date: 1983-08-31
Publication date: 1985-03-03
Also published as: GB2126608A; JPS5964764A; FR2532663A1; DE3329958A1; GB8323183D0; AU1809483A; BR8304782A; JPH0317910B2; IT1170454B; IT8348902A0; CA1200952A; NL8303069A; AU565098B2; US4450191A

Description

DESCRIZIONE dell'invenzione industriale dal titolo: "PROCEDIMENTO E SOLUZIONE PER LA PLACCATURA CHIMICA DI RAME"

RIASSUNTO

Procedimento e composizione da impiegarsi nella placcatura chimica di rame in cui il procedimento consiste nel mettere a contatto un sostrato con una soluzione contenente rame, un agente complessante, un agente riducente e un regolatore di pH. Si pu? pure adoperare uno stabilizzante. Il perfezionamento della presente invenzione consiste nel mettere a contatto il sostrato con una soluzione contenente inoltre ioni ammonio presenti in una quantit? efficace per agire da regolatore di velocit? di placcatura. La soluzione,perfezionata ? relativamente stabile, facile da controllare e di impiego versatile.

DESCRIZIONE

ANTECEDENTI DELL'INVENZIONE

Finora sono stati utilizzati o proposti numerosi metodi da impiegarsi per applicare placcature metalliche su tutta la superficie, oppure porzioni di questa, di pezzi in materia plastica polimerica. Questi procedimeniti di norma comprendono numerose operazioni in sequenza di pre-trattamento per rendere il sostrato plastico ricettivo all'applicazione di placcatura chimica, dopo di che il pezzo placcato pu? venire lavorato secondo le usuali operazioni di elettroplaccatura onde applicare una o pi? placcature supplementari metalliche su tutto il sostrato plastico oppure su sue determinate parti. Di norma le operazioni di pre-trattamento utilizzate comprendono una pulitura oppurefuna serie di operazioni di pulitura, se necessarioi per eliminare pellicole superficiali oppure sostanze inquinanti, cui segue una operazione di corrosione acida in acqua che adopera una soluzione di cromo esavalente per rendere la materia plastica idrofila e creare zone di legame onde ottenere una desiderata ruvidit? o struttura superficiale che favorisce un legame meccanico tra il sostrato e la placcatura metallica da applicarvi <sopra.

Lo strato corroso viene poi sottoposto ad uno o pi? trattamenti di lavaggio per estrarre ed eliminare tutti gli ioni cromo esavalente sulla superficie del sostrato, il quale trattamento pu? pure comprendere una operazione di neutralizzazione con agenti riducenti per convertire sostanzialmente gli ioni residui di cromo esavalente allo stato trivalente. Il sostrato corroso e lavato viene dopo di ci? sottoposto di norma ad un trattamento di attivazione in una soluzione acida acquosa contenente un complesso stagno/palladio per formare zone attive sulla superficie del sostrato, cui seguono una o pi? operazioni di lavaggio, dopo di che la superficie attivata viene di norma sottoposta ad un trattamento accelerante in una soluzione acquosa per estrarre tutti i costituenti o composti residui di stagno presenti sulla superficie del sostrato ed esporre in questo modo le zone attive catalitiche. Il pezzo in plastica, dopo trattamento accelerante, viene di nuovo lavato con acqua e poi sottoposto ad una operazione di placcatura chimica secondo uno dei metodi noti della tecnica onde applicare una placcatura metallica, come per esempio rame, nickel oppure cobalto, su tutta la sua superficie oppure parti prescelte di essa, dopo di che il pezzo viene lavato e infine sottoposto ad operazioni usuali di elettroplaccatura.

Rappresentativi di questi processi di placcatura di materie plastiche sono quelli descritti nei brevetti U.S.A.3.011.920; 3.257.215; 3-259.559; 3-310.430;

3.329.51 2; 3-377.174; 3.532.518; 3-615.736; 3.622-370; 3.961.109; 3-962.497; 4.153-746; e 4.204.013; nonch? Quelli descritti negli articoli intitolati "Stabilizing Electroless Copper Solutions", di E.B. Saubestre, Plating, giugno 1972; e "Improvements in Electroless Copper for Automotive Plastic Trim",di D.A.Arcilesi. Plating and Surface Finishing, giugno 1981; nonch? quelli descritti nel brevetto (domanda n.49324/A82) della stessa Richiedente cui si fa riferimento per ulteriori particolari dei procedimenti e la cui descrizione viene qui inserita per riferimento. Si ritiene che la presente invenzione sia applicabile ai procedimenti del tipo sopra indicato ed essa riguarda in particolare un regolatore perfezionato di velocit? per placcatura chimica di rame il quale presenta benefici e vantaggi che finora non erano ottenibili secondo i procedimenti della tecnica precedente.

In un usuale bagno di placcatura chimica di rame, i diversi componenti del bagno di placcatura sono concentrati acquosi e comprendono componenti di base come concentrato di rame, un solubilizzante o complessante di metalli, un agente riducente e un regolatore di pH. Si possono inoltre aggiungere uno stabilizzatore e un regolatore di velocit? di placcatura. La maggior parte dei primi procedimenti di placcatura chimica di ra- . me adoperava solfato di rame come sorgente di ioni metallici. I procedimenti pi? recenti invece adoperano cloruro rameico che ? molto pi? solubile del solfato di rame. Data la elevata alcalinit? dei bagni autocatalici di rame dello stato attuale della tecnica,

? necessario un complessante per impedire la precipitazione di rame come suo idrossido. Si ? trovato che agenti di chelazione di animine alifatiche sostituite, per esempio sale tetrasodico di acido etilendiammino-te tracetico (Na^EDTA) sono solubilizzanti efficaci del rame entro relativamente ampi intervalli di pH e di temperatura e sono stati perci? largamente impiegati. La formaldeide (per esempio una soluzione al 37% stabilizzato con 10% di metanolo) ? ritenuta il pi? importanteagente riducente adoperato in impianti per produzione su larga scala. Viene adoperato idrossido di sodio (per esempio soda caustica a 50%) per mantenere il pH da circa 11 fino a 13, a seconda del particolare sistema di additivi che viene adoperato. E' importante regolare attentamente il pH perch? la capacit? della formaldeide di ridurre il rame aumenta enormemente come l'aumentare del pH.

Poich? il rame ? autocatalitico, particelle sparse di rame che si formano in soluzione verrebbero placcate indefinitamente se non venissero stabilizzate. Uno stabilizzante per rame per placcatura chimica fa s? che la velocit? di placcatuia in corrispondenza di una data superficie del rame diminuisca con l'aumentare del tempo di placcatura. Tra i motivi per l'impiego di uno stabilizzante vi sono quelli di limitare la deposizione di metallo sul pezzo da placcare e quello di impedire lap/feomposizione della soluzione. Se non fosse presente lino stabilizzante! le particelle di rame oppure le impurezze solide che cadono al fondo del recipiente di placcatura, verrebbero placcate. Inoltre esse continuerebbero a placcare in maniera incontrollata finch?:la soluzione si decompone per la placcatura massiccia del recipiente. Alcuni stabilizzanti possono pure migliorare la lucentezza e, oppure la duttilit? dei depositi di rame.

Gli stabilizzanti per rame da placcatura chimica sono composti che provocano la formazione di sottili pellicole non catalitiche sulla superficie di depositi di rame che rimangono nella soluzione per lunghi periodi di tempo. Si ritiene che composti organici eterociclici dello zolfo siano gli stabilizzanti pi? largamente adoperati con rame per placcatura chimica. Essi hanno sostituito numerosi altri composti organici ed inorganici dello zolfo compreso lo zolfo colloidale. Polimeri organici ad altissimo peso molecolare come ad esempio gelatina, amidi idrossialchilici , eteri cellulosici, p?liammidi, alcool polivinilico e ossidi polialchilenici sono stati pure adoperati per incapsulare particelle di rame.

Regolatori di velocit? come cianuro, ioduro o altri composti organici affini e composti eterociclici azotati non contenenti zolfo, come ad esempio bi^eridili e fenantroline, riducono la attivit? di procedimenti di placcatura chimica di rame? Regolatori di velocit? vengono adoperati per ridurre la velocit? della reazione di riduzione del rame regolando in questo modo lo spessore di placcatura del rame nell'unit? di tempo. I regolatori di velocit? favoriscono pure gli stabilizzanti e li aiutano a funzionare meglio concedendo pi? tempo per formare rivestimenti non catalitici sopra le zone attive di placcatura in considerazione della diminuita velocit? di placcatura. E' noto che la riduzione di ioni rameici fino a rame metallico ? un procedimento in due stadi in cui il rame bivalente viene dapprima ridotto a rame mQnovalente (l'operazione di determinare la velocit? in assenza di regolatori di velocit? e di stabilizzanti) e poi fino a rame metallico. Tenendo presente questa riduzione in due stadi e considerando che i regolatori di velocit? sono in genere sostanze inorganiche oppure organiche che formano complessi pi? stabili con rame monovalente che con rame bivalente, ne consegue che i regolatori di velocit? diminuiscono la velocit? di placcatura ritardando la conversione di rame monovalente a rame metallico. Per guanto riguarda usuali regolatori di velocit? come ad esempio cianuro? minime quantit? di ione cianuro possono ridurre in modo cospicuo la velocit? di placcatura mentre un considerevole aumento nella quantit? di ioni cianuro al di sopra di dette piccole quantit? non comporter? in genere alcuna significativa addizionale variazione di velocit?. Di conseguenza anche se i cianuri sono in genere efficaci in un ampio campo di concentrazione e sono relativamente facili da controllare, essi forniscono un controllo non-lineare che ? spesso indesiderato perch? non si possono efficacemente,ottenere velocit? intermedie di placcatura tra i valori elevati e quelli bassi variando la concentrazione dei cianuri.

Se non viene adoperato alcun regolatore di velocit?, sarebbe virtualmente impossibile, almeno nella maggior parte delle applicazioni commerciali, ottenere una adeguata filtrazione delle soluzioni di placcatura per eliminare particelle che si formerebbero ad una elevata velocit? e di conseguenza provocherebbero la decomposizione della soluzione di placcatura in seguito a massiccia nucleazione del rame in tutta la soluzione.Oltre a fornire una velocit? controllata di reazione nella placcatura chimica di rame, i regolatori di velocit? possono pure migliorare la lucentezza e la duttilit?

dei depositi di rame agendo come raffinatori di grana cos? da produrre depositi pi? lisci, pi? brillanti,meno porosi e pi? densi.

Si ritiene 8tibialmente'la maggior parte dei rego latori di velocit? pi? adoperati sono cianuro oppure derivati organici di cianuri che sono tutti quanti tossicie In questo modo un problema assillante, associato con l'impiego di questi regolatori di velocit? del tipo cianuro, ? stata la regolazione e, oppure l'attenzione necessaria nel maneggio e nell'impiego di questi materiali e delle risultanti soluzioni per placcatura chimica di rame. Analogamente questi regolatori di velocit? del tipo cianuro e le risultanti soluzioni di placcatura chimica di rame richiedono una particolare attenzione per quanto riguarda i fattori ecologici in particolare il trattamento e lo scarico dei rifiuti. Di conseguenza era chiara la necessit? di un regolatore di velocit? non-tossico, ecologicamente accettabile da impiegare in soluzioni e procedimenti per la placcatura chimica di rame e cio? un regolatore di velocit? che fosse stabile, facile da controllare e in grado di essere impiegato con ordinari sistemi di placcatura chimica di rame.

SOMMARIO DELL1INVENZIONE

Secondo la presente invenzione, si ? trovato in maniera sorprendente che ioni ammonio, in quantit? efficaci, possono funzionare come regolatori di velocit?, come in precedenza definito, in usuali soluzioni e procedimenti di placcatura chimica di rame.

La presente invenzione ? utile in procedimenti per applicare una placcatura chimica di rame ad un sostrato, in cui .il procedimento consiste nel fare venire a contatto il sostrato con una ordinaria soluzione che contiene rame, un agente complessante, un agente riducente e un regolatore di pH. Questa ordinaria soluzione pu? inoltre contenere uno stabilizzante. Nella realizzazione della presente invenzione queste soluzioni conterrebbero inoltre ioni ammonio. Gli ioni ammonio adoperati nella presente invenzione devono venire aggiunti in modo da essere presenti in una quantit? efficace per agire,come regolatore di velocit? di placcatura, vale a dire in una quantit? sufficiente a diminuire e regolare la velocit? di placcatura cio? la velocit? di deposizione del rame di procedimenti di placcatura chimica di rame. Concentrazioni di ione ammonio nell?intervallo di circa 50 fino a circa 600 mg/litro sono adeguati in soluzioni della presente invenzione, di preferenza circa 250 fino a circa 350 mg/litro essendo rappresentativi circa 275 mg/litro per fornire una velocit? di placcatura di circa 0,89 pm per

10 minuti. Le soluzioni possono venire fatte lavorare in un campo di temperatura da circa 21?C fino a circa 7l?C e per valori pH da circa 11 fino a circa 13? Concentrazioni trascurabili di ioni ammonio,per esempio quelle in cui sono presenti insufficienti ioni ammonio per consentire a questo di agire da efficace regolatore di velocit? di placcatura, non rientrano nell'ambito della presente invenzione. Gli ioni ammonio possono venire aggiunti alla soluzione di placcatura chimica di rame sotto forma di un concentrato acquoso di un composto di ammonio come ad esempio idrossido ammonico, solfato ammonico, cloruro ammonico e simili. Si pu? anche fare gorgogliare ammoniaca gassosa nella soluzione. Si ? trovato che la velocit? di placcatura del procedimento di placcatura chimica di rame pu? venire regolato (in modo relativamente lineare) dalla quantit? di ioni ammonio aggiunti al trattamento. Si ? trovato inoltre che ioni ammonio migliorano l'aspetto dei risultanti depositi di rame e agiscono come raffinatiti di grana per produrre depositi pi? lisci, pi? brillanti meno porosi e pi? densi. In questo modo osservando semplicemente l'aspetto della risultante placcatura di rame, un operatore pu? facilmente regolare la velocit? di placcatura del procedimento di placcatura chimica di rame regolando la concentrazione

di ioni ammonio, il che di per s? ? un compito relativamente semplice.

Come qui adottato, il termine "rame" intende comprendere ioni di rame, sali di rame e altre forme

che il rame pu? assumere nelle soluzioni di placcatura chimica di rame secondo la presente invenzione.

Altri benefici e vantaggi della presente invenzione risulteranno evidenti dalla lettura della descrizione dettagliata di realizzazioni preferite unitamente con i disegni annessi.

DESCRIZIONE DELIE REALIZZAZIONI PREFER?TE

Il procedimento della presente invenzione ? adatto per venire impiegato per qualsiasi delle diverse materie plastiche o polimeriche placcabili compreso: acrilonitrile/butadiene/stirene (ABS), eteri poliarilici, ossido polifenilenico, nylon e simili. Questi sostrati vengono di regola puliti e poi lavati in maniera nota nella tecnica (per esempio impiegando una soluzione acquosa alcalina di immersione seguita da contatto in un solvente organico che pu? essere costituito sia da un sistema monofasico che da una emulsione acquosa di solvente organico,cui segue un accurato lavaggio con acqua) secondo quanto indicato nel brevetto U.S.A.4.204.013 la cui descrizione viene qui inclusa per riferimento.

Il pezzo viene poi sottoposto ad un trattamento di corrosione in una soluzione acida acquosa contenente ioni di cromo esavalente ed un acido, per esempio acido solforico, per ottenere una corrosione della sua superficie. La concentrazione specifica della soluzione di corrosione, la temperatura e la durata del trattamento dipenderanno dallo specifico tipo di sostrato di plastica ed i parametri dell'operazione di corrosione sono di conseguenza determinati mediante procedimenti del tutto noti e praticati nella tecnica.

Dopo l'operazione di corrosione, il sostrato polimerico corroso viene sottoposto ad uno o pi? lavaggi con acqua fredda e si pu? inoltre avere una operazione di neutralizzazione in cui si impiega una soluzione acquosa contenente un agente riducente per effettuare la riduzione di tutti gli ioni residui inquinanti di cromo esavalente fino allo stato trivalente. Un rappresentativo trattamento di neutralizzazione ? descritto nel trevetto U.S.A.3.962.496 la cui descrizione ? qui inclusa per riferimento. Dopo la neutralizzazione, se viene adoperata, il sostrato viene di nuovo lavato con acqua e dopo di ci? sottoposto ad un trattamento attivante in cui si impiega una soluzione acida a? quosa contenente un complesso stagno/palladio dei diversi tipi noti nella tecnica. Un rappresentativo trattamento di attivazione in uno stadio viene descritto nel brevetto U.S.A.3.011.920 e nel brevetto U.S.A.3.532.518 la sostanza dei quali brevetti ? qui inclusa per riferimento.

Dopo il trattamento di attivazione, il sostrato polimerico attivato viene sottoposto ad uno o ad

una serie di separati trattamenti di lav?ggio con acqua fredda-e in seguito viene sottoposto ad accelerazione in una soluzione acquosa secondo i metodi generalmente noti nella tecnica. Un trattamento rappresentativo di accelerazione in cui si adopera una soluzione acquosa accelerante contenente una alchilammina sostituita solubile in acqua e compatibile, ? descritto nel brevetto U.S.A.4.204.013 la cui descrizione ? qui inserita per riferimento. Dopo l'accelerazione, il pezzo viene lavato con acqua fredda e sottoposto poi a placcatura chimica secondo il metodo e la composizione della presente invenzione per applicare una placcatura metallica conduttiva, continua e aderente, come ad esempio rame, su tutta la sua superficie oppure parti prescelte. Dopo l'operazione di placcatura chimica,il pezzo viene sottoposto ad uno o pi? trattamenti di la vaggio con acqua e si trova dopo di ci? nella condizione dei convenzionali procedimenti che effettuano elettroplaccatura convenzionale per applicare uno o

pi? rivestimenti metallici sul sostrato polimerico.

Per descrivere ed illustrare meglio il procedimento e la composizione della presente invenzione, vengono dati gli esempi in appresso. E' inteso che questi esempi sono dati a scopo illustrativo e non per essere limitativi dell'ambito dell'invenzione come qui descritta.

ESEMPI

La seguente formulazione per rame di placcatura chimica (in appresso indicato con "Formulazione A") ? rappresentativa di un normale bagno per placcatura chimica di rame di un tipo al quale la presente invenzione pu? venire applicata (naturalmente altre simili usuali soluzioni sono pure qui adatte).

Sale tetrasodico di acido etilendiammino- 40 g/litro tetracetico (Na^EDTA)

cloruro rameico (CuCl^) 4,? g/ litro formaldeide (HCHO) 3 g/ litro idrossido di sodio (NaOH) fino a pH 12,3 temperatura 60?C velocit? di placcatura 1,14 pm per 10 minuti aspetto del deposito rosa-rosso con macchie granulose

Na^EDTA ? presente come agente complessante ed ? tipico di produzione normale. Naturalmente si possono pure adoperare altri noti complessanti come glieina, alanina, acido aspartico, acido glutammico, cisteina, acido nitrilodiacetico, trietanolammina, acido nitrilotriacetico , acido N-idrossietildiamminotetracetico, ?,?,?',?'-tetracis-(2-idrossipropil)-etilendiammina, acido dietilentriammino-pentacetico , gluconato sodico, glucoeptonato sodico, sorbitolo, mannitolo, glicerolo, fruttosio,glucosio, sali di Rochelle e loro miscele. Il cloruro rameico ? la sorgente di rame ma sono pure adatti per l'impiego altri sali di rame solubile in acqua come solfato rameico, nitrato rameico, acetato rameico e simili. La formaldeide ? un agente riducente anche se sono pure adatti per l'impiego altri agenti riducenti come ad esempio precursori o derivati della formaldeide compresi paraformaldeide, triossano e gliossale nonch? boroidruro di sodio, idrazina, dimetilamminoborano e simili. Viene aggiunto idrossido di sodio come regolatore di pH anche se altri idrossidi sono del pari adatti per avere una analoga regolazione di pH.

ESEMPIO 1

5 mg/litro di ioni ammonio, aggiunti come cloruro di ammonio, sono stati aggiunti alla sopra citata formulazione per placcatura chimica di rame (formulazione A) nell'intento di abbassare la velocit? di placcatura.? Con questa quantit? di ioni ammonio non si ? influito sulla velocit? di placcatura. Rimaneva lo stesso della formulazione A (che non conteneva regolatore della velocit? di placcatura) e cio? 1,14 ??? per 10 minuti.

ESEMPIO 2

Si ? ripetuto il procedimento dell'esempio 1 ma la concentrazione di ioni ammonio aggiunti alla formulazione A ? stata aumentata a 50 mg/litro.

A questa conoentrazione gli ioni ammonio funzionavano come regolatore della velocit? di placcatura in quanto la velocit? di deposizione del rame veniva abbassata a 1,02 ??? per 10 minuti.

ESEMPIO 5

E* stato ripetuto il procedimento dell'esempio 1 ma la concentrazione di ioni ammonio aggiunti alla formulazione A ? stata aumentata a 275 mg/litro.

A questa concentrazione gli ioni ammonio funzionavano come regolatore della velocit? di placcatura in quanto la velocit? di deposizione del rame veniva abbassata a 0,89 ??? per 10 minuti.

ESEMPIO 4

Sono state preparate altre soluzioni per la placcatura chimica di rame contenenti rame, un agente complessante, un agente riducente ed un regolatore di pH, in cui erano presenti ioni ammonio in una quantit? maggiore controllo sul risultante deposito.

!Era i vantaggi specifici della presente invenzione, in aggiunta e in accordo con quelli qui sopra descritti, vi ? quello di un controllo relativamente facile del sistema di placcatura chimica di rame che utilizza un regolatore di velocit? relativamente non tossico ed ecologicamente accettabile. Inoltre, poich? la velocit? di placcatura quando si impiegano ioni di ammonio come regolatore di velocit?, ? una finizione relativamente lineare della quantit? di ioni di ammonio, viene dato un migliore controllo delle operazioni di placcatura. Questo ? ben diverso dai bagni di placcatura chimica di rame che adoperano regolatori di velocit? del tipo cianuro in cui, come si ? osservato in precedenza, la velocit? di placcatura non ? una funzione lineare del regolatore di velocit? al cianuro. Anche se risulter? evidente che l'invenzione qui descritta ? fatta in modo di ottenere i benefici e i vantaggi che sono stati sopra esposti, si riterr? che la invenzione ? suscettibile di verifiche, varianti e cambiamenti senza con ci? allontanarsi dal suo concetto.

Claims

RIVENDICAZIONI

1. Procedimento per applicare placcatura chimica di rame ad un sostrato che comprende l'operazione di fare venire a contatto il sostrato con una soluzione contenente rame, un agente complessante, un agente riducente ed un regolatore di pH, il quale procedimento comprende l'operazione di fare venire a contatto il sostrato con detta soluzione la quale comprende inoltre ioni ammonio presenti in una quantit? efficace per funzionare da regolatore della velocit? di placcatura.

2. Procedimento secondo la rivendicazione 1, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 50 fino a circa 600 mg/litro.

3- Procedimento secondo la rivendicazione 1, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 250 fino a circa 350 mg/litro.

4-, Procedimento secondo la rivendicazione 1, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? di circa 275 mg/litro.

5. Procedimento per applicare placcatura chimica di rame ad un sostrato comprendente l'operazione di fare a venire a contatto il sostrato con una soluzione contenente rame, un agente complessante, un agente riducente, un regolatore di pH e uno stabilizzatore, il quale procedimento comprende l'operazione di fare tale da essere efficace quale regolatore della velocit? di placcatura. Si sono adoperati ioni ammonio presenti in una quantit? da circa 50 fino a circa 600 mg/litro. Quando si adoperano queste quantit?, la velocit? di placcatura cio? la velocit? di deposizione del rame verr? controllata.

Quando gli esempi di cui sopra vengono ripetuti adoperando altre usuali soluzioni per placcatura chimica di rame!, si otterranno risultati analoghi. Queste e altre soluzioni per placcatura chimica di rame contengono ?,?,?? ,N'-tetracis-(2-idrossipropi])-etilendiammina quale agente complessante ammirino invece di Na^EDTA.) e, oppure contengono inoltre stabilizzanti, inclusi composti organici e inorganici dello zolfo: zolfo colloidale, polimeri organici ad altissimo peso molecolare come gelatina, amidi idrossialchilici, eteri di cellulosa, poliammidi, alcool polivinilico, ossidi polialchilenici e simili.

Come dimostrato dagli esempi sopra riferiti, risulter? evidente che l'impiego del procedimento della composizione della presente invenzione fornisce sia stabilit? che materia plastica placcata di alta qualit?.

La velocit? di placcatura viene diminuita ed efficacemente controllata dando in questo modo al tecnico un venire a contatto il sostrato con detta soluzione la quale comprende inoltre ioni ammonio presenti in una quantit? efficace per funzionare da regolatore della velocit? di placcatura.

6. Procedimento secondo la rivendicazione 5? in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 50 fino a circa 600 mg/litro.

7 Procedimento secondo la rivendicazione 5? in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 250 fino a circa 550 mg/litro.

8. Procedimento secondo la rivendicazione 5? in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? di circa 275 mg/litro.

9. Soluzione per placcatura chimica di rame contenente rame, un agente complessante, un agente riducente e un regolatore di pH , detta soluzione contenendo inoltre ioni ammonio in una quantit? efficace per funzionare da regolatore della velocit? di placcatura.

10. Soluzione secondo la rivendicazione 9, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 50 fino a circa 600 mg/litro.

11. Soluzione secondo la rivendicazione 9, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 150 fino a circa 350 mg/litro.

12. Soluzione secondo la rivendicazione 9,

in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? di circa 275 mg/litro.

13.Soluzione per placcatura chimica di rame contenente rame, un agente complessante, un agente riducente un regolatore di pH ed uno stabilizzatore, la quale soluzione comprende inoltre ioni ammonio presenti in una quantit? efficace per funzionare da regolatore della velocit? di placcatura.

14.Soluzione secondo la rivendicazione 13, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 50 fino a circa 600 mg/litro.

15?Soluzione secondo la rivendicazione 13, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? da circa 250 fino a circa 350 mg/litro.

16. Soluzione secondo la rivendicazione 13, in cui detti ioni ammonio sono presenti in una quantit? di circa 275 mg/litro,