ITRM990225A1 - Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo di fabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto. - Google Patents

Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo di fabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto. Download PDF

Info

Publication number
ITRM990225A1
ITRM990225A1 IT1999RM000225A ITRM990225A ITRM990225A1 IT RM990225 A1 ITRM990225 A1 IT RM990225A1 IT 1999RM000225 A IT1999RM000225 A IT 1999RM000225A IT RM990225 A ITRM990225 A IT RM990225A IT RM990225 A1 ITRM990225 A1 IT RM990225A1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
roll
electrode
treatment
substrate
plant
Prior art date
Application number
IT1999RM000225A
Other languages
English (en)
Inventor
Giovanni Pietro Chiavarotti
Tarcisio Cagnin
Original Assignee
Becromal Spa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Becromal Spa filed Critical Becromal Spa
Priority to IT1999RM000225 priority Critical patent/IT1307557B1/it
Priority to EP00107518A priority patent/EP1045409A3/en
Priority to US09/549,039 priority patent/US6456483B1/en
Publication of ITRM990225A1 publication Critical patent/ITRM990225A1/it
Priority to US09/964,659 priority patent/US6667247B2/en
Application granted granted Critical
Publication of IT1307557B1 publication Critical patent/IT1307557B1/it

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/045Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Descrizione:
a corredo di una domanda di brevetto per l’invenzione industriale dal titolo: Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo di fabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto,
Presentazione
L’invenzione presentata riguarda elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo di fabbricazione, utilizzando una tecnica di deposizione sotto vuoto. L'aspetto più originale dell’ invenzione risiede nel poter generare delle superila spugnose, con elevata area specifica, stabilizzate con un processo di ossidazione in plasma, mediante tecnica di apporto di materiale.
Campo tecnico
L’invenzione si colloca nel campo tecnico dei materiali per dispositivi elettronici e in quello applicativo della fabbricazione dei condensatori elettrolitici che, come è noto, sono largamente usati in tutte le circuitene elettriche.
Scopo dell’ invenzione
Lo scopo dell’invenzione è, a mezzo del processo rivendicato, ottepsse un prodoto:
• Tecnologicamente avanzato in quanto è possibile, essendo una tecnica ad apporto di materiale, usare substrati di spessore compreso fra i 15 -20μ a confronto dello spessore dei 100 μ in uso nelle attuali tecnologie elettrochimiche. Con spessori così bassi è possibile ottenere una capacità vol umica maggiore.
- Ecologicamente avanzato: in quanto il processo sotto vuoto non crea nessun tipo di refluo chimico, dunque nessun problema di smaltimento.
- Economicamente conveniente: poiché, a parità di capacità volumica, l<'>energia necessaria per la produzione è inferiore a quella usata nella tecnica elettrochimica.
Per quanto a conoscenza degli inventori, fino ad oggi, le tecniche universalmente applicate nell’industria sono quelle di natura elettrochimica, l’ aumento di area è ottenuto per asportazione di massa, mentre nella soluzione qui presentata avviene per apporto di massa.
L’invenzione viene ora descritta, a scopo illustrativo e non limitativo, facendo riferimento alla tavola di disegno allegata.
Fig. 1 Impianto “roll-to-roll”.
In essa sono visibili: A struttura del substrato più deposito; B impianto per trattamento in plasma in ambiente reattivo.
L’elettrodo per condensatori elettrolitici, che si ottiene a mezzo del processo che verrà descritto nel seguito, è costituito da un substrato conduttore, per es. alluminio, di purezza compresa tra 99,5% e 99,99% sul quale viene depositato, su entrambe le facce uno strato poroso di ossido di alluminio non stechiometrico. Per questa nuova tecnica si deve disporre di un impianto di deposizione sotto vuoto del tipo “rol-to-roll”
I passi significativi del processo si possono così riassumere:
- si pone il substrato nell’impianto “rol-to-roll”sotto forma di bobina ( 1 ); - il substrato, durante il suo svolgimento, viene prima pretrattato mediante un plasma (2) generato da una RF tra 50 e 500 KHz, ih presenta dello stesso ossigeno che servirà più tardi per la reazione. Questo trattamento sì rende necessario per incrementare l ‘adesione delle strutture porose dendritiche che si formeranno nella fase successiva e per uniformarne la distribuzione sulla superfìcie del substrato Questo trattamento elimina tutti i possibili inquinanti. Senza questo pretrattamento, la successiva crescita dentritica avviene in maniera disuniforme, pertanto esso è essenziale ai fini dell’ottenimento del prodotto finale.
- il substrato, cosi pretrattato, viene fatto scorrere in modo che su entrambe le facce, sia depositato, in ambiente reattivo, dell’ossido di alluminio non stechiometrico, ottenuto dalla reazione tra lalluminio proveniente dalla sorgente 3 e l’ossigeno che viene insufflato nella camera di reazione tramite i due distributori 4. L’insufflazione dell’ossigeno avviene in maniera collimata rispetto al materiale del fascio di alluminio vaporizzato. La distanza tra il substrato e l’ingresso del gas reattivo può essere variata ottenendo, come conseguenza, una diversa morfologia dendritica, il rapporto tra alluminio e ossigeno viene tenuto costante controllando le pressioni parziali dell’ossigeno e della nube di vapori di alluminio. La pressione parziale dell’ossigeno è tenuta costante controllando il flusso di entrata dell’ossigeno; mentre la pressione parziale del vapore di alluminio è tenuta costante controllando il "rate” di evaporazione. Il sistema di evaporazione può essere di tipo termico, effetto Joule, oppure mediante cannone elettronico. Le due facce del substrato vengono fatte scorrere con una determinata angolazione tra il substrato stesso e la nube di vapore di alluminio. Variando il “rate “di evaporazione dell’alluminio, la pressione parziale dell’ ossigeno e l’angolo di incidenza tra il substrato e la nube di vapore, si ottengono diverse stechiometrie di ossido di alluminio depositato e diverse morfologie dendritiche. Esempio: con una pressione in camera, dovuta all 'immissione di ossigeno, compresa tra 1 e 3 x 10 PA un “rate” di evaporazione compreso tra 3 e 5 g/m di alluminio ed un angolo tra substrato e nube di vapore di alluminio tra 45° e 70°, l’area effettiva, rispetto all’area apparente geometrica, aumenta di un fattore compreso tra 200 e 500 volte.
Il substrato è posizionato su un sistema di rulli, in modo che passi prima sulla sorgente 3 di alluminio con una faccia e, successivamente, con l’altra faccia dopo aver fatto un giro sopra il rullo di avvolgimento 5. In questo modo è possibile la deposizione contemporanea di entrambe le facce.
Fino ad ora è stato descrìtto il primo trattamento del processo. La bobina, a questo punto viene rimossa dall’impianto roll-to-roll, e subisce un altro trattamento che viene di seguito descritto. Il substrato viene sottoposto ad un ulteriore processo di ossidazione superficiale mediante un trattamento in plasma reattivo. Il substrato viene srotolato e riarrotolato, facendolo passare attraverso una camera B al cui interno viene creato un plasma in ambiente di ossigeno a bassa pressione, utilizzando una RF che va da 50 a 500 Khz ed una potenza che va da 2 a 3 KVA. Scopo di quest’ultimo processo è quello di incrementare il rapporto dell’ossigeno rispetto all’alluminio in superficie. Si è constatato sperimentalmente che questo arricchimento dell’ossigeno superficiale, provoca una stabilità nel tempo della struttura dendritica, ovvero una stabilità della capacità elettrica, dopo i trattamenti che saranno successivamente descriti.
Il substrato sul quale è stata evaporata questa struttura dendritica A, mediante i processi sopra descritti, può essere ora destinata come: elettrodo anodico oppure eletrodo catodico per il condensatore elettrolitico.
- Elettrodo anodico: Nel caso in cui la sopra descritta struttura debba essere usata come elettrodo anodico, questa viene sottoposta ad un processo di ossidazione anodica in una soluzione di adipato di ammonio al 10% in peso di concentrazione. L’ossidazione anodica, ad una determinata tensione, compresa tra 8 e 140 V, permete di creare l’ossido di alluminio barriera che costituisce il dielettrico del condensatore elettrolitico. Il valore di capacità elettrica specifica, per unità di superficie, che si ottiene dopo l’ ossidazione anodica, dipende dalla morfologia dello strato dendritico che si è precedentemente ottenuto con i processi descritti. Senza il processo di ossidazione in plasma, si è notato sperimentalmente che il valore di capacità degrada nel tempo, perdendo circa il 30% del suo valore iniziale dopo un mese dalla fabbricazione.
Elettrodo catodico.
Nel caso in cui la sovradescritta struttura debba essere usata come elettrodo catodico, non necessita di alcun processo di stabilizzazione né di ossidazione anodica.

Claims (5)

  1. Rivendicazioni 1. Elettrodo, per condensatori elettrolitici, costituito da un substrato conduttore, sul quale è depositato, su entrambe le facce, uno strato poroso di ossido di alluminio non stechiometrico, ottenuto mediante un processo in tre fasi, due delle quali si svolgono in un impianto “roll-to-roll”, mentre la terza si svolge in un impianto continuo dove si effettua un processo di ossidazione superficiale mediante un trattamento in plasma reattivo; nell’ impianto roll-toroll avviene un pretrattamento mediante plasma, seguito da una deposizione in ambiente reattivo di ossido di alluminio non stechiometrico.
  2. 2. Processo, secondo la.Riv. 1, in cui le due prime fasi che si effettuano nell’impianto roll-to-roll, sono costituite da un pretrattamento in plasma, in ambiente ossidante, seguito da una deposizione di ossido di alluminio non si echiometrico ottenuto dalla reazione tra alluminio evaporato, di cui si controlla il “rate”, ed ossigeno di cui si controlla il flusso; le due facce del substrato vengono fatte scorrere con una determinata angolazione tra substrato stesso e la nube di vapore di alluminio.
  3. 3. Elettrodo, secondo le precedenti Rivv., caratterizzato dal fatto che, sottoposto ad un processo di ossidazione anodica, con tensione compresa tra 8 e 140 V diventa un elettrodo anodico.
  4. 4. Elettrodo, secondo le Riw. 1 e 2, senza alcun ulteriore trattamento ha le caratteristiche di un elettrodo catodico.
  5. 5. Condensatore elettrolitico, realizzato con almeno un elettrodo, secondo le Riw. 3 e/o 4.
IT1999RM000225 1999-04-14 1999-04-14 Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo difabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto. IT1307557B1 (it)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT1999RM000225 IT1307557B1 (it) 1999-04-14 1999-04-14 Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo difabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto.
EP00107518A EP1045409A3 (en) 1999-04-14 2000-04-07 Electrodes for electrolytic capacitors and production process thereof
US09/549,039 US6456483B1 (en) 1999-04-14 2000-04-13 Electrodes for electrolytic capacitors and production process thereof
US09/964,659 US6667247B2 (en) 1999-04-14 2001-09-28 Electrodes for electrolytic capacitors and production process thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT1999RM000225 IT1307557B1 (it) 1999-04-14 1999-04-14 Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo difabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
ITRM990225A1 true ITRM990225A1 (it) 2000-10-14
IT1307557B1 IT1307557B1 (it) 2001-11-14

Family

ID=11406667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT1999RM000225 IT1307557B1 (it) 1999-04-14 1999-04-14 Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo difabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto.

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP1045409A3 (it)
IT (1) IT1307557B1 (it)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL141592A (en) * 2001-02-22 2007-02-11 Zvi Finkelstein Electrolytic capacitors and method for making them
IL153289A (en) 2002-12-05 2010-06-16 Acktar Ltd Electrodes for electrolytic capacitors and method for producing them

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474406A (ja) * 1990-07-16 1992-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法
JPH0521289A (ja) * 1991-07-09 1993-01-29 Toray Ind Inc 電解コンデンサ用電極箔の製造方法
DE4127743C2 (de) * 1991-08-22 1994-05-11 Fraunhofer Ges Forschung Oberflächenvergrößerte Aluminiumfolie für Elektrolytkondensatoren und Vakuum-Beschichtungsverfahren zu deren Herstellung
JPH05129163A (ja) * 1991-11-05 1993-05-25 Toyo Metaraijingu Kk 高容量電解コンデンサ用電極材料
FR2688092B1 (fr) * 1992-02-14 1994-04-15 Traitement Metaux Alliages Sa Feuille pour electrode de condensateur electrolytique et procede de fabrication.
AU6321796A (en) * 1996-04-03 1997-10-22 Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo "Skb "Istra" Method and device for applying porous coatings and cathode film of an electrol ytic condenser

Also Published As

Publication number Publication date
IT1307557B1 (it) 2001-11-14
EP1045409A2 (en) 2000-10-18
EP1045409A3 (en) 2005-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cvelbar et al. Behaviour of oxygen atoms near the surface of nanostructured Nb2O5
Mariotti et al. Monoclinic β-MoO3 nanosheets produced by atmospheric microplasma: application to lithium-ion batteries
KR970004301B1 (ko) 전해 컨덴서의 전극용 플레이트 및 그 제조방법
EP1711643B1 (de) Verfahren zur herstellung eines ultrabarriere-schichtsystems
WO2012172304A1 (en) Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate
DE2215151B2 (de) Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal
CN217265985U (zh) 一种磁控溅射装置
EP0775758B1 (de) Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material
EP0555518B1 (de) Verfahren für die Behandlung einer Oxidschicht
WO1995016798A1 (de) Verfahren und einrichtung zum plasmaaktivierten bedampfen
ITRM990225A1 (it) Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo di fabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto.
DE2220086C3 (de) Vorrichtung zur Aufbringung eines Materials
KR20070106462A (ko) 플라즈마 지원에 의해 피착된 얇은 시드층에 의한 금속화
US6456483B1 (en) Electrodes for electrolytic capacitors and production process thereof
JPH02280310A (ja) 電解コンデンサ用電極材料の製造方法
JPH01183110A (ja) コンデンサ用陰極形成方法
KR102025484B1 (ko) 플라즈마 표면처리에 의한 대면적 나노구조체 제조방법 및 장치
JP2007201313A (ja) 金属蒸着フィルム
EP1122751A1 (de) Elektrode sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4308632A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Nachbehandeln von Aluminium-beschichteten Kunststoff-Folien
CN216550674U (zh) 一种新型靶材
JP3548582B2 (ja) 電極箔
JP3548583B2 (ja) 電極箔
JPH03196510A (ja) 電解コンデンサ用電極箔
JPH05129163A (ja) 高容量電解コンデンサ用電極材料