ITTO930935A1 - Additivi fluidi funzionali per bagni di ramatura acidi. - Google Patents
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Description
DESCRIZIONE DELL'Invenzione Industriale avente per titolo: ADDITIVI FLUIDI FUNZIONALI PER BAGNI DI RAMATURA ACIDI
DESCRIZIONE
La presente domanda di brevetto si riferisce a bagni di ramatura ad alto contenuto di acido/basso contenuto di metallo. Pi? in particolare, la presente invenzione si riferisce ad additivi fluidi funzionali per dette soluzioni.
In anni recenti, numerosi progressi nell'area della placcatura elettrolitica di depositi di rame hanno determinato propriet? via via superiori in materia di duttilit?, livellamento e altre caratteristiche dei depositi di rame ottenuti da bagni elettrolitici ad alto tenore di metallo e basso tenore di acido. Sostanzialmente, questi progressi si sono verificati nell'impiego di vari additivi a detti bagni di ramatura. Pi? in particolare, l'aggiunta di composti dello zolfo bivalente e di derivati di alchilazione di polietilenimmine ? risultata in un migliore livellamento nella ramatura decorativa. Esempi di questi tipi di aggiunte sono illustrati nel brevetto USA 4.336.114 di Mayer et al.; nel brevetto USA 3.267.010 di Creutz et al.; nel brevetto USA 3.328.273 di Creutz; nel bre vetto USA 3.770.598 di Creutz et al. e nel brevetto USA 4.109.176 di Creutz et al. Laddove queste aggiunte hanno tro-vato buona accoglienza commerciale nella placcatura di bagni di rame ad alto contenuto di metallo e basso contenuto di acido, esse non hanno risolto alcuni problemi intrinseci alla placcatura elettrolitica di pezzi da bagni di rame ad alto tenore di acido/basso tenore di metallo. Il brevetto USA 4.374.709 di Combs ? un procedimento per depositare rame su substrati sostanzialmente non conduttori utilizzando bagni di rame ad alto contenuto di acido/basso contenuto di metallo. Mentre questo procedimento ha ?rappresentato un notevole pro-gresso nella tecnica della placcatura di substrati non conduttori, rimane la necessit? di una placcatura migliorata e sem-plificata di substrati metallici e non conduttori, anche in riferimento a funzioni di placcatura fastidiose quali ad esempio: la placcatura di pezzi complessi con aree a bassa densit? di corrente; la placcatura di piastrine per circuiti stampati e altre placcature di substrati con imperfezioni superficiali; e le applicazioni di barilatura in bagno galvanico.
Ad esempio, la barilatura in bagno galvanico ha sofferto della mancanza di un'appropriata adesione tra gli strati incorporati di rame sui pezzi. Di conseguenza, la barilatura in bagno galvanico dei pezzi non si ? rivelata idonea dal punto di vista della produzione o delle vendite. La ramatura appli-cata su pezzi di forma complessa ha rivelato molti problemi di adesione durante i cicli di espansione termica; carenze di spessore nelle aree a bassa densit? di corrente; bassa dutti-lit? del deposito ottenuto. Per giunta, in riferimento alla placcatura non conduttrice di materiale per piastrine per circuiti stampati perforati, o altri substrati con sostanziali imperfezioni superficiali, le propriet? livellanti dei vecchi metodi di placcatura non sono state sufficienti a superare dette imperfezioni superficiali in questi substrati.
E stato quindi un obiettivo della tecnica la produzione di un bagno elettrolitico e di un procedimento che garantisca depositi di rame di maggiore duttilit?; abbia superiori caratteristiche di livellamento e adesione; e presenti un miglio-rato potere ricoprente, vantaggioso nelle zone di bassa densit? di corrente.
Secondo i suddetti scopi e obiettivi, nella presente invenzione vengono forniti un bagno migliorato ad alto tenore di acido/basso tenore di rame e un procedimento migliorato per la ramatura. Il procedimento comprende l'impiego di quantit? efficaci di un fluido funzionale avente una tripla funzionalit? di etere, nel bagno elettrolitico, per ottenere depositi di rame migliori.
Le composizioni secondo,la presente invenzione forniscono una ramatura migliorata nelle aree di bassa densit? di corrente ed hanno maggiori capacit? di riempimento dei vuoti e delle imperfezioni superficiali, per una placcatura attraverso i vuoti o altre imperfezioni nei substrati, assicurando al contempo una buona adesione e ottime caratteristiche di dutti-lit?. Inoltre, utilizzando le composizioni della presente in-venzione viene fornito un bagno acido di rame migliorato in modo che con i bagni di rame acidi si possa ottenere una barilatura in bagno galvanico dei pezzi.
Secondo gli aspetti della composizione e del metodo della presente invenzione, l'invenzione ? applicabile in bagni acquosi di ramatura acidi in cui si utilizzino elevate concentrazioni di acido con basse concentrazioni di ione rame per la placcatura elettrolitica.
I bagni acquosi acidi di ramatura della presente invenzione sono tipicamente del tipo con solfato di rame acido o del tipo con fluoborato di rame acido. Secondo la prassi convenzionale, tipicamente i bagni di solfato acido acquoso di rame contengono da circa 13 a circa 45 g/1 di ioni rame, essendo preferite concentrazioni variabili tra circa 25 e circa 35/1. Le concentrazioni dell'acido in questi bagni tipicamente sono comprese tra circa 45 e circa 262 g/1 dell'acido, essendo preferibili quantit? comprese tra circa 150 e circa 220 g/1 di acido. Le soluzioni di fluoborato dovrebbero usare lo stesso rapporto acido/metallo nel bagno. Gli additivi della presente invenzione sono particolarmente vantaggiosi in tali soluzioni ad alto contenuto di acido/basso contenuto di ioni rame.
Secondo gli aspetti del metodo della presente invenzione, i bagni di ramatura acidi della presente invenzione agiscono tipicamente a densit? di corrente comprese tra circa 5 e circa 60 ampere per piede quadrato (ASF) (55-660 amp/m^), malgrado in opportune condizioni si possano adottare densit? di corrente basse sino a 0,5 ASF (5,5 amp/m^) e alte sino a circa 100 ASF (1100 amp/m^). Di preferenza, si utilizzano densit? di corrente comprese tra circa 5 e circa 50 ASF (55-550 amp/m^). In condizioni di placcatura caratterizzate da una forte agita-zione ? possibile adottare, se necessario, densit? di corrente sino a circa 100 ASF (1100 amp/m^) e a questo scopo si pu? utilizzare una combinazione di^agitazione con aria, movimento del catodo e/o pompaggio della soluzione. La temperatura operativa dei bagni elettrolitici pu? variare tra circa 15C e circa 50?C, essendo tipiche temperature comprese tra circa 21?C e circa 36?C.
Il bagno di solfato acquoso acido contiene inoltre opportunamente ioni cloruro, tipicamente presenti in quantit? inferiori a circa 0,1 g/1. Il metodo e le composizioni della presente invenzione sono compatibili con i brillantanti di comune impiego, ad esempio i derivati quaternari di polietilenimmina illustrati nel brevetto USA 4.110.776 e gli additivi a base di disolfuro quali sono illustrati nel brevetto USA 3.267.010, essendo con ci? detti brevetti qui incorporati per riferimento. Inoltre ? possibile anche utilizzare, come riferito in quel brevetto, i derivati di alchilazione di polietilenimmine quali sono illustrati nel brevetto USA 3.770.598, qui incorporato per riferimento. Altre aggiunte possono includere fosfonati di propildisolfuro e derivati di R-mercaptoalchilsolfonato con funzionalit? S-2 Per di pi?, quando la presente in-venzione viene utilizzata in una composizione per la placcatura di piastrine per circuiti elettronici o simili, gli addi-tivi indicati nel brevetto USA n. 4.336.114, con ci? qui incorporato per riferimento, possono essere usati secondo quanto ivi delineato e noto nella tecnica. Bagni elettrolitici ad alto contenuto di acido/basso contenuto di metallo e additivi idonei sono indicati nel brevetto USA 4.374.409, anch'esso qui incorporato per riferimento.
Secondo la composizione e il procedimento della presente invenzione, si utilizzano quantit? efficaci di fluido funzionale avente una tripla funzionalit? di etere per garantire duttilit? superiore, livellamento sui substrati e caratteristiche di riempimento dei vuoti sinora non realizzate in dette soluzioni di placcatura. I fluidi funzionali utili nella presente invenzione includono un polimero avente un gruppo terminaie di alchiletere con funzionalit? propossiliche ed etossiliche nella catena principale. I fluidi funzionali adatti per l'impiego nella presente invenzione sono solubili nel bagno. Tipicamente, i fluidi funzionali utili nella presente invenzione sono caratterizzati dalla formula seguente:
R2 e R3 sono intercambiabili nel loro ordine entro la formula suddetta e di preferenza sono blocchi di R20 R3, anche se sono possibili miscele casuali di R2 o R3;
R-| ? scelto dal gruppo formato da: un gruppo etere derivato da una struttura alcolica avente da circa 4 a circa 10 atomi di carbonio; un gruppo etere derivato da una struttura di bisfenolo A; un epossido derivato da una struttura eterea con 4-6 atomi di carbonio o loro miscele, e m ? scelto in modo da essere compreso tra circa 1 e circa 10 ma preferibilmente tra 1 e 3.
R4 ? scelto dal gruppo formato da H, CH3, un gruppo alchilico, un gruppo idrossialchilico, gruppi alchiletere aventi 1-3 atomi di carbonio, un gruppo alchilico polare, un costi-tuente ionico o un gruppo alchilico avente un costituente io-nico quale un acido carbossilico, un solfato, un solfonato, un fosfonato o uno ione di metallo alcalino e loro miscele, essendo n eo scelti in modo che il rapporto tra neo sia compreso tra circa 1/2:1 e 1:30. Di preferenza il rapporto tra n eoe compreso tra circa 1:1 e circa 1:20. La struttura R^ pu? includere uno ione sodio o altro ione alcalino per formare un sale, come pure ioni ammonio.
Il fluido funzionale della presente invenzione in generale ha un peso molecolare compreso tra circa 500 e 10.000. I pesi molecolari preferiti dei fluidi funzionali variano tra circa 1000 e circa 2500 nelle realizzazioni indicate nel prosieguo.
La struttura R-1 preferita ? un gruppo di etere butilico derivato dall?alcool butilico. Tuttavia, come indicato in precedenza, si possono usare gruppi di etere alchilico a catena pi? lunga. L'uso di fluidi funzionali in cui R-] ? derivato da uno degli alcoli a catena pi? lunga, ad esempio con 9 o 10 atomi di carbonio, pu? tradursi in uno schiumeggiamento del bagno. Tuttavia, se ci? si verifica, si pu? ridurre la quantit? del fluido per alleviare le condizioni di schiumeggiamento.
Come esempi, tipici fluidi funzionali utili nella presente invenzione sono reperibili commercialmente dalla Union Carbide come fluidi della serie e H. In particolare, i fluidi funzionali preferiti includono i fluidi delle serie
I metodi e le composizioni della presente invenzione tro-vano vantaggioso impiego in quattro settori correlati ma distinti della ramatura. Questi quattro settori includono depositi attivanti di rame acido; ramatura acida di piastrine per circuiti stampati; barilatura in bagno galvanico; applicazioni di placcatura decorativa con alto potere coprente.
Quando sia usato in un bagno per depositi attivanti di rame lucido, in generale il fluido funzionale viene usato in quantit? comprese tra circa 1 mg/1 e circa 1000 mg/1 nei bagni per depositi attivanti di rame^Jucido. Tipicamente detti bagni richiedono l'impiego di una quantit? del fluido funzionale compresa tra circa 1 mg/1 e circa 700 mg/1, essendo preferiti valori compresi tra circa 3 mg/1 e circa 120 mg/1. Detto pr?cedimento, quando ? usato in depositi attivanti di rame lucido consente un livellamento e un'adesione migliori nelle aree di bassa densit? di corrente, cosicch? i pezzi di forma complessa possono essere placcati pi? vantaggiosamente utilizzando il procedimento e il metodo della presente invenzione in soluzioni ad alto tenore di acido/basso tenore di rame. Tipicamente, se utilizzato come metodo per depositi attivanti di rame lucido, detto procedimento richiede quantit? di disolfuro preferibilmente comprese tra circa 1 e circa 30 mg/1 di un disolfuro, essendo preferiti valori compresi tra circa 5 e 15 mg/1. I brillantanti, ad esempio le polietilenimmine quaternarie, sono utili in quantit? comprese tra circa 1 e circa 5 mg/1 e preferibilmente tra circa 1 e 2 mg/1 in dette soluzioni.
Per quanto riguarda le operazioni di placcatura in campo elettronico, ad esempio la placcatura di piastrine perforate per circuiti stampati e simili, il presente procedimento produce piastre del tipo a grana tra fine e satinata e costituisce un miglioramento nel livellamento delle imperfezioni superficiali, producendo nei fori rivestimenti uniformi di rame con eccellenti propriet? fisiche del deposito.
Quindi, per applicazioni di placcatura in campo elettronico i fluidi funzionali sono utilizzati in quantit? in generale comprese tra circa 20 e circa 2000 mg/1. Tipicamente si utilizzeranno da circa 40 a circa 150 mg/1. In una realizzazione preferita della presente invenzione si usano da 120 a circa 1000 rag/l di fluido funzionale. Malgrado non sia necessario, in una realizzazione preferita sono utili da circa 0,2 a circa 20 mg/1 di solfuri nei bagni di detti procedimenti di placcatura in campo elettronico. Si possono inoltre utilizzare piccole quantit? di brillantanti, ad esempio polietilenimmine quaternarie, in quantit? comprese tra circa 1 e circa 5 mg/1 nel procedimento della presente invenzione.
Per quanto riguarda le.applicazioni di barilatura in bagno galvanico della presente invenzione, in passato si ? dimostrato poco pratico da un punto di vista commerciale l'impiego della barilatura in bagno galvanico per depositi attivanti di rame e simili in soluzioni ad alto contenuto di acido/basso contenuto di rame. Tuttavia, nell'uso vantaggioso della presente invenzione ? ora possibile utilizzare la barilatura in bagno galvanico per la ramatura di pezzi complessi minori e simili. Nei sistemi di barilatura in bagno galvanico tipicamente si preferisce che il deposito attivante di rame sia pi? brillante e la duttilit? non ? importante come in alcune delle altre applicazioni. Tuttavia, l'adesione degli strati nella barilatura in bagno galvanico ? critica. Prima della presente invenzione l'adesione degli strati ? stata un grave problema che rendeva poco pratiche tali operazioni di placcatura. Nella presente invenzione questa inconveniente ? risolto utilizzando il fluido funzionale come sopra indicato in quantit? comprese tra circa 10 e circa 1200 mg/1. Tipicamente nella barilatura di pezzi in bagno galvanico nella presente invenzione si utilizzano da circa 40 a 700 mg/1 e preferibilmente da 60 a 600 mg/1. Quando si ricorre a fluidi funzionali di uno dei bagni sopra indicati, ? regola generale che siano necessarie per prestazioni valide quantit? maggiori di polimeri di peso molecolare pi? basso, mentre, laddove si faccia uso di fluidi funzionali di peso molecolare pi? elevato, ? possibile utilizzare quantit? pi? ridotte per conseguire i risultati desiderati.
Le aggiunte di fluidi funzionali della presente invenzione sono anche vantaggiose in quanto danno ottimi risultati in bagni decorativi includenti brillantanti, coloranti e altre sostanze di impiego comune in detti bagni. La presente invenzione pu? perci? essere usata in sistemi di produzione a basso contenuto di metallo/alto contenuto di acido gi? adottati per conseguire risultati migliori.
Si avr? un'ulteriore comprensione della presente invenzione facendo riferimento agli esempi seguenti, che sono ri-portati a titolo puramente illustrativo ma non limitativo.
Esempio I
Deposito attivante di rame
Viene preparato un bagno per deposito attivante di rame utilizzando 175 g/1 di solfato di rame pentaidrato; 195 g/1 di acido solforico; 60 mg/1 di ione cloruro; e 40 mg/1 di fluido funzionale (p.mol.4000; butiletere-polipropossietere-polietossietere con gruppi terminali ossidrilici). Panelli di ABS nichelati per riduzione vengono placcati con agitazione d'aria a 15 ASF (165 amp/m^) con una temperatura del bagno di circa 80?F (26'C). I depositi attivanti di rame su questi pezzi erano uniformi e a grana fine.
lucido con tutte le imperfezioni del metallo di base livellate dopo 30 minuti di azione del bagno.
Esempio III
Placcatura di piastrine per circuiti
Si prepar? un bagno elettrolitico usando 67,5 g/1 di sol-fato di rame pentaidrato; 172,5 g/1 di acido solforico concentrato; 60 mg/1 di ione cloruro e 680 mg/1 di fluido funzionale costituito da un polimero butossilico-propilossilico-etilossilico (peso molecolare 1100). Una piastrina laminata per circuiti rivestita di rame venne placcata a 24 ASF (265 amp/m2) con agitazione d?aria a 75?F (24,5?C). Il deposito di rame era uniforme, semi-brillante, a grana fine e molto duttile. Il deposito sopporta 10 cicli termici senza separazione, evidenziando le superiori caratteristiche fisiche del deposito di rame.
Esempio IV
Deposito attivante di rame acido
Si prepar? un bagno utilizzando 75 g/1 di solfato di rame pentaidrato; 187,5 g/1 di acido solforico concentrato; 65 mg/1 di ione cloruro; 80 mg/1 di fluido funzionale costituito da un polimero butilossilico-propilossilico-etilossilico (peso molecolare 1100); 1 mg/1 di sale sodico del .[3-solfopropil]2 disolfuro; 1,5 mg/1 di poli(sale ammonico quaternario alcanolico) secondo il brevetto USA 4.110.176. Panelli di ABS ramati per riduzione furono placcati utilizzando 15 ASF (165 amp/m^) Questi bagni vengono quindi utilizzati per formare bagni di ramatura della presente applicazione aggiungendo da 1 a 2.000 mg/1 di fluidi funzionali aventi funzionalit? butossiliche, etossiliche e propossiliche con pesi molecolari compresi tra 500 e 10.000. I pezzi placcati ottenuti rivelano una ramatura che d? depositi a grana fine con buona adesione, dutti-lit? e potere ricoprente.
Esempio VII
Piastrine per circuiti stampati
Si prepar? un bagno di placcatura usando 69 g/1 di sol-fato di rame pentaidrato; 225 g/1 di acido solforico e 80 mg/1 di cloruro. A questo bagno si aggiungono 700 mg/1 di 2,2-diraetil-2,2-difenolpropilene reagito con 12 moli di propilenossido e quindi con 20 moli di etilenossido, solfatato al 30-50% del contenuto finale di gruppi terminali ossidrilici, come sale ammonico. Le piastrine per circuiti laminate rivestite con rame vengono lavorate a 20 ASF (220 amp/m^). Il deposito era a grana fine, duttile, uniforme e mostrava eccellente spessore a bassa densit? di corrente.
Laddove la suddetta descrizione costituisce le realizzazioni preferite della presente invenzione, si deve osservare che l'invenzione ? suscettibile di modifiche, variazioni e cambiamenti senza discostarsi dalla portata e dal pieno significato delle rivendicazioni allegate.
con una temperatura del bagno di 85?F (29,5"C).
Il deposito attivante prodotto aveva buona duttilit? e adesione anche nelle aree di bassa densit? di corrente ed era pronto ad accettare successivi depositi di nichelio e cromo.
Esempio V
Esempio di barilatura in bagno galvanico
Si formul? un bagno galvanico per barilatura utilizzando 75 g/1 di solfato di rame pentaidrato; 195 g/1 di acido solforico concentrato; 75 ppm (75 mg/1) di ione cloruro; 100 mg/1 di fluido funzionale (peso molecolare 1700); 2 mg/1 di 3,3-solfopropil disolfuro; 1 mg/1 di polietilene quaternario. La placcatura di piccoli pezzi di acciaio con un deposito attivante di rame alcalino privo di cianuro venne realizzata a 7-10 ASF (77-110 amp/m^) con densit? di corrente catodica media. La placcatura sui pezzi era brillante, uniforme, con buon livellamento e adesione tra gli strati. Questi pezzi accettarono in seguito senza difficolt? depositi di nichelio e cromo. Il deposito di rame era molto duttile, consentendo applicazioni di elettroformatura spessa.
Esempio VI
Si preparano bagni utilizzando le quantit? seguenti: (a) 20 g/1 di ioni rame; 225 g/1 di acido solforico; (b) 14 g/1 di ioni rame; 45 g/1 di acido solforico; (c) 45 g/1 di ioni rame; 100 g/1 di acido solforico; e (d) 15 g/1 di ioni rame; 262 g/1 di acido solforico.
Claims (18)
- Rivendicazioni: 1. Un bagno migliorato di ramatura per placcare rame su substrati, caratterizzato dal fatto che comprende: da circa 13 a circa 45 g/1 di ioni rame; da circa 45 e circa 262 g/1 di un acido con quantit? efficaci di un polimero plurifunzionale solubile nel bagno comprendente una tripla funzionalit? di etere, potendo uno dei legami etere essere de-rivato da un alcool, un bisfenolo A o un epossido e comprendendo inoltre gruppi eterei propossilici ed etossilici, for-nendo detti polimeri plurifunzionali un migliore livellamento delle imperfezioni superficiali, una migliore adesione e una migliore placcatura nelle aree di bassa densit? di corrente.
- 2. Il bagno di ramatura migliorato secondo la rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che una quantit? efficace del polimero funzionale comprende anche: da circa 1 a circa 2000 mg/1 di un fluido funzionale avente la formula:R-1 ? scelto dal gruppo formato da un gruppo alchiletere derivato da un alcool avente da circa 4 a circa 10 atomi di carbonio; un gruppo etere derivato da ima struttura di bisfenolo A; un gruppo etere derivato da una struttura epossidica; o loro miscele; e m ? scelto in modo da essere compreso tra circa 1 e circa 10;R4 ? scelto dal gruppo formato da H, CH3, un gruppo alchilico, un gruppo idrossialchilico, gruppi alchiletere aventi 1-3 atomi di carbonio, un gruppo alchilico polare, un costituente ionico o un gruppo alchilico avente un costituente ionico quale un acido carbossilico, un solfato, un solfonato, un fosfonato o uno ione di metallo alcalino e loro miscele, essendo n eo scelti in modo che il rapporto tra n eo sia compreso tra circa 1/2:1 e 1:30 e in modo che il fluido funzionale abbia un peso molecolare compreso tra circa 500 e 10.000.
- 3. Il bagno secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che detto peso molecolare di detto fluido funzionale ? compreso tra circa 1000 e circa 2.500.
- 4. Il bagno secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che detto fluido funzionale viene usato in quantit? comprese tra circa 1 e circa 1.000 mg/1.
- 5. Il bagno secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che detto rapporto tra n e o ? compreso tra circa 1:1 e circa 1:20.
- 6. Il bagno secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che R-1 ? un gruppo etere derivato da un alcool o epossido avente da circa 4 a circa 6 atomi di carbonio.
- 7. Il bagno secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che detto fluido funzionale viene usato in quantit? comprese tra circa 10 e circa 1.200 mg/1.
- 8. Il bagno secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che m ? compreso tra circa 1 e circa 3.
- 9. Un procedimento per depositare elettroliticamente un deposito di rame su un substrato, caratterizzato dal fatto che comprende le fasi seguenti: 1) fornire un bagno acido di ramatura migliorato avente da circa 15 a circa 45 g/1 di ioni rame, da circa 45 a circa 262 g/1 di un acido e un polimero plurifunzionale solubile nel bagno avente almeno un gruppo etere di 4-10 atomi di carbonio in catena derivato da un alcool e avente un bisfenolo A o una funzionalit? epossidica, propossilica ed etossilica contenuta in detta soluzione in quantit? efficaci per livellare le im-perfezioni e garantire una buona adesione e duttilit?; 2) fornire un substrato per la placcatura elettrolitica e immergere detto substrato nel bagno; e 3) sottoporre detto bagno a una corrente elettrolitica sufficiente per depositare il deposito di rame sul substrato, in modo che il deposito di rame abbia spessore e conducibilit? sufficienti a consentire qualunque eventuale altra lavorazione.
- 10. Il procedimento secondo la rivendicazione 9, caratterizzato dal fatto che detto polimero funzionale ? un fluido funzionale corrisponde alla formula:in cui: R-| ? scelto dal gruppo formato da un gruppo etere derivato da una struttura alcolica avente da circa 4 a circa 10 atomi di carbonio; un gruppo etere derivato da una struttura di bisfenolo A; un gruppo etere derivato da una struttura epossidica; o loro miscele; e m ? scelto in modo da essere compreso tra circa 1 e circa 10;aR4 ? scelto dal gruppo formato da H, CH3, un gruppo alchilico, un gruppo idrossialchilico, gruppi alchiletere aventi 1-3 atomi di carbonio, un gruppo alchilico polare, un costituente ionico o un gruppo alchilico avente un costituente ionico quale un acido carbossilico, un solfato, un solfonato, un fosfonato o uno ione di metallo alcalino e loro miscele, essendo n eo scelti in modo che il rapporto tra ne o sia compreso tra circa 1/2:1 e 1:30 e in modo che il fluido funzionale abbia un peso molecolare compreso tra circa 500 e 10.000.
- 11. Il procedimento secondo la rivendicazione 10, caratterizzato dal fatto che detto fluido funzionale ha un peso molecolare compreso tra circa 1000 e circa 2.500.
- 12. Il procedimento secondo la rivendicazione 10, caratterizzato dal fatto che il bagno comprende inoltre un bagno per barilatura in bagno galvanico e che in detto bagno sono presenti da circa 10 a circa 1200 mg/1 di detto fluido funzionale.
- 13. Il procedimento secondo la rivendicazione 10, caratterizzato dal fatto che il bagno comprende inoltre un bagno per depositare rame da usare in applicazioni elettriche e comprende da circa 20 a circa 2000 mg/1 del fluido funzionale.
- 14. Il procedimento secondo la rivendicazione 10, caratterizzato dal fatto che il bagno comprende inoltre un bagno per deposito attivante di rame e comprende da circa 1 a circa 1000 mg/1.
- 15. Il procedimento secondo la rivendicazione 10, caratterizzato dal fatto che il rapporto tra n e o ? compreso tra circa 1:1 e circa 1:20.
- 16. Il procedimento secondo la rivendicazione 10, caratterizzato dal fatto che; R<| ? un gruppo alchiletere derivato da un alcool o epossido avente da circa 4 a circa 6 atomi di carbonio.
- 17. Il procedimento secondo la rivendicazione 10 caratterizzato dal fatto che m ? compreso tra circa 1 e circa 3.
- 18. Un bagno migliorato di ramatura per placcare rame su substrati, caratterizzato dal fatto che comprende: da circa 13 a circa 45 g/1 di ioni rame da circa 45 a circa 262 g/1 di un acido; quantit? efficaci di brillantanti e livellanti come additivi; e da circa 1 a circa 2000 g/1 di un fluido funzionale corrispondente alla formula: in cui:R-1 ? scelto dal gruppo formato da un gruppo alchiletere derivato da un alcool avente da circa 4 a circa 10 atomi di carbonio; un gruppo etere derivato da una struttura di bisfenolo A; un gruppo etere derivato da una struttura epossidica; o loro miscele; e m ? scelto in modo da essere compreso tra circa 1 e circa 3; R2 e R3 sono intercambiabili nel loro ordine entro la formula;R4 ? scelto dal gruppo formato da H, CH3, un gruppo alchilico, un gruppo idrossialchilico, gruppi alchiletere aventi 1-3 atomi di carbonio, un gruppo alchilico polare, un costituente ionico o un gruppo alchilico avente un costituente iodico quale un acido carbossilico, un solfato, un solfonato, un fosfonato o uno ione di metallo alcalino e loro miscele, es-sendo n eo scelti in modo che il rapporto tra n eo sia compreso tra circa 1/2:1 e 1:30 e in modo che il fluido funzio-nale abbia un peso molecolare compreso tra circa 500 e 10.000.
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