JP2000077454A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JP2000077454A JP10246022A JP24602298A JP2000077454A JP 2000077454 A JP2000077454 A JP 2000077454A JP 10246022 A JP10246022 A JP 10246022A JP 24602298 A JP24602298 A JP 24602298A JP 2000077454 A JP2000077454 A JP 2000077454A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 超音波振動を付与するワイヤボンディング工
程を含む半導体装置の製造方法において、ワイヤと基板
のワイヤボンディングパッドと間の接続強度を高めるこ
とができるようにする。 【解決手段】 ワイヤボンディングパッド２０ａ（２０
ｂ）を有する複数のリード端子部２０Ａ，…（２０Ｂ，
…）からなる配線パターンが、一面側に形成された基板
２Ａに、複数の端子部３０，…を有する半導体チップ３
を実装し、半導体チップ３の各端子部３０と各ワイヤボ
ンディングパッド２０ａ（２０ｂ）との間をワイヤ６′
によって結線する工程を含む半導体装置の製造方法にお
いて、各ワイヤボンディングパッド２０ａ（２０ｂ）
を、その一方向の寸法がこの一方向と直交する方向の寸
法よりも長手状とし、上記各ワイヤボンディングパッド
２０ａ（２０ｂ）にワイヤ６′をボンディングする際
に、上記一方向に振動の方向を合致させて超音波を付与
するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、配線パターンが
形成された基板上に半導体チップが実装され、この半導
体チップの端子部と配線パターンのワイヤボンディング
パッドとの間がワイヤによって結線された半導体装置を
製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年においては、半導体装置の小型化の
要請により、樹脂パッケージのサイズを半導体チップの
サイズにより近づけたＣＳＰ（Chip Size Pacage）と称
されるタイプの半導体装置の開発が盛んに行われてい
る。この種の半導体装置の一例を図１０に示すが、同図
に示した半導体装置１においては、ワイヤボンディング
パッド２０ａ（２０ｂ）を有する複数のリード端子部２
０Ａ，…（２０Ｂ，…）からなる配線パターンが形成さ
れた基板２上に、複数の端子部を有する半導体チップ３
が実装されており、半導体チップ３の各端子部と各リー
ド端子部２０Ａ（２０Ｂ）のワイヤボンディングパッド
２０ａ（２０ｂ）との間がワイヤ６によって結線されて
いる。そして、基板２の上面側おいて、半導体チップ３
およびワイヤ６を封止するようにして樹脂パッケージ５
が形成されている。
【０００３】上記構成の半導体装置１においては、半導
体チップ３の各端子部と各ワイヤボンディングパッド２
０ａ（２０ｂ）との間がワイヤ６によって結線されてい
るが、ワイヤ６によって結線する工程は以下に説明する
ファーストボンディングとセカンドボンディングとから
なる。図１１に示すように、ファーストボンディング
は、後において基板２となるべき領域が複数形成された
キャリアテープ２Ａなどに半導体チップ３を実装した状
態でこれを予め加熱しておき、キャピラリ８内に挿通さ
れたワイヤ６′の先端部を突出させ、突出したワイヤ
６′の先端部を溶融させて半導体チップ３の端子部３０
に圧着することによって行われる。このとき、半導体チ
ップ３やキャリアテープ２Ａの加熱温度を低くするとと
もに半導体チップ３の端子部３０とワイヤ６′との間の
接続強度を高めるべく、超音波が付与されることがあ
る。一方、セカンドボンディングは、引き続き半導体チ
ップ３やキャリアテープ２Ａを加熱しておき、キャリア
テープ２Ａのワイヤボンディングパッド２０ａ（２０
ｂ）に、キャピラリ８によってワイヤ６′を圧着するこ
とによって行われる。このセカンドボンディングにおい
てもファーストボンディングと同様に、ワイヤ６′の圧
着に際して超音波が付与されることがある。とくに、セ
カンドボンディングにおいては、ワイヤ６′を溶融させ
ずに直接的にワイヤボンディングパッド２０ａ（２０
ｂ）にワイヤ６′を圧着するためにファーストボンディ
ングに比べて接続強度が弱く、ワイヤ６′の圧着に際し
て超音波を付与する必要性が高い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、超音波
による振動には方向性があり、１つのキャリアテープ２
Ａに付与される超音波の振動方向が一義的に定められて
しまい、あるワイヤボンディングパッド２０ａ（２０
ｂ）に対してはキャリアテープ２Ａの幅方向に振動を与
え、他のワイヤボンディングパッド２０ｂ（２０ａ）に
対してはキャリアテープ２Ａの長手方向に振動を与える
のは困難である。このため、全てのワイヤボンディング
パッド２０ａ，…２０ｂ，…に対して、同じ方向に振動
する超音波を付与せざるをえない。
【０００５】ところが、従来の半導体装置１において
は、図１０に示したように各リード端子部２０Ａ（２０
Ｂ）が基板２の周縁部から半導体チップ３に向けて延び
るとともに、ワイヤボンディングパッド２０ａ（２０
ｂ）が半導体チップ３に向けて長辺が延びる長矩形状と
されている。すなわち、このような半導体装置１をキャ
リアテープ２Ａから製造するには、キャリアテープ２Ａ
としては、たとえばキャリアテープ２Ａの幅方向（図１
１の矢印方向）に延びるリード端子部２０Ｂのワイヤボ
ンディングパッド２０ｂがキャリアテープ２Ａの幅方向
に広がる一方、キャリアテープ２Ａの長手方向に延びる
リード端子部２０Ａのワイヤボンディング２０ａがキャ
リアテープ２Ａの長手方向に広がるものが使用される。
このため、たとえばキャリアテープ２Ａの幅方向に振動
する超音波を付与した場合には、キャリアテープ２Ａの
幅方向に延びるワイヤボンディングパッド２０ｂでは付
与された超音波の振動方向に長手状とされているため
に、超音波振動によってワイヤボンディングパッド２０
ｂがキャリアテープ２Ａの幅方向には移動しにくい。し
たがって、付与された超音波エネルギをワイヤ６′とワ
イヤボンディングパッド２０ｂとの間の接合エネルギと
して良好に利用することができる。一方、キャリアテー
プ２Ａの長手方向に延びるワイヤボンディングパッド２
０ａでは、超音波の振動方向であるキャリアテープ２Ａ
の幅方向の寸法が小さいために、超音波振動によってワ
イヤボンディングパッド２０ａがキャリアテープ２Ａの
幅方向には移動しやすい。したがって、付与された超音
波エネルギの一部がワイヤボンディングパッド２０ａの
移動させるためのエネルギとして消費され、付与された
超音波エネルギを有効に利用することができない。この
ように、従来の半導体装置１においては、超音波の振動
方向と同じ方向の寸法が小さいワイヤボンディングパッ
ド２０ａでは、付与した超音波エネルギを有効に利用で
きないためにワイヤ６′とワイヤボンディングパッド２
０ａとの間の接続強度が低いといった欠点があった。
【０００６】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、超音波振動を付与するワイヤボン
ディング工程を含む半導体装置の製造方法において、ワ
イヤと基板のワイヤボンディングパッドと間の接続強度
を高めることができるようにすることをその課題として
いる。
【０００７】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【０００８】すなわち、本願発明により提供される半導
体装置の方法は、ワイヤボンディングパッドを有する複
数のリード端子部からなる配線パターンが、絶縁性基材
の一面側に形成された基板に、複数の端子部を有する半
導体チップを実装し、上記半導体チップの各端子部と上
記各ワイヤボンディングパッドとの間をワイヤによって
結線する工程を含む半導体装置の製造方法であって、上
記各ワイヤボンディングパッドは、その一方向の寸法が
この一方向と直交する方向の寸法よりも長手状とされて
おり、かつ、上記各ワイヤボンディングパッドに上記ワ
イヤをボンディングする際に、上記一方向に振動の方向
を合致させて超音波を付与することを特徴としている。
なお、上記基板としては、ポリイミド樹脂製あるいはガ
ラスエポシキ樹脂製のものが好適に採用される。
【０００９】好ましい実施の形態においては、上記基板
は、長手状をしているとともに、上記各ワイヤボンディ
ングパッドは、その基板幅方向の寸法が基板長手方向の
寸法よりも長手状とされており、上記各ワイヤボンディ
ングパッドに上記ワイヤをボンディングする際に、上記
基板の幅方向に振動の方向を合致させて超音波を付与す
る。なお、本願発明でいう「基板」は、半導体装置にお
ける基板の他、半導体装置の基板となるべき領域が複数
形成されたキャリアテープや集合基板をも含んでいる。
【００１０】上記製造方法では、全てのワイヤボンディ
ングパッドが一方向（たとえば基板の幅方向）に長手状
とされた基板が用いられ、しかもワイヤボンディングパ
ッドにワイヤをボンディングする際に付与される超音波
の振動の方向が上記一方向とされている。このように、
本願発明では、全てのワイヤボンディングパッドに対し
てワイヤボンディングパッドの長手方向に振動方向を合
わせて超音波が付与されるため、全てのワイヤボンディ
ングパッドが超音波の振動方向へ基板に対して相対的に
移動しにくくなされている。このため、付与した超音波
エネルギがさほどワイヤボンディングパッドの移動に消
費されることなくワイヤとワイヤボンディングパッドの
接合エネルギとして有効に利用できる。したがって、付
与する超音波の出力を大きくすることなく、ワイヤをワ
イヤボンディングパッドに圧し付ける際の荷重を大きく
することなく、しかも超音波の付与時間が短くてもワイ
ヤとワイヤボンディングとの間の良好な接合状態を達成
することができる。
【００１１】なお、上記各ワイヤボンディングパッドの
形状としては、長円形状、楕円形状あるいは長矩形状な
どが挙げられるが、長矩形状が好適に採用される。
【００１２】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を図面を参照して具体的に説明する。図１は、本願
発明に係る半導体装置の製造方法によって製造された半
導体装置の一例を表す全体斜視図、図２は、図１の半導
体装置を裏面側から見た全体斜視図、図３は、図１のII
I −III 線に沿う断面図である。なお、これらの図にお
いては、従来例を説明するために参照した図面に表され
ていた部材および要素などと同等なものには同一の符号
を付してある。
【００１４】図１ないし図３に示すように、上記半導体
装置１は、いわゆるＢＧＡ（Ball Grid Array ）型と称
されるものである。この半導体装置１は、絶縁性を有す
る基板２と、この基板２に実装された半導体チップ３と
を有しており、この半導体チップ３を封止するようにし
て樹脂パッケージ５が形成されている。
【００１５】図１および図２に良く表れているように、
上記基板２は、絶縁性を有するポリイミドなどの樹脂フ
ィルムによって矩形状に形成されており、その表面２１
には、複数のリード端子部２０Ａ，…，２０Ｂ，…から
なる配線パターンが形成されている。そして、基板の中
央部に集中して複数の貫通孔２４が格子状に配列形成さ
れているが、上記各リード端子部２０Ａ（２０Ｂ）は、
上記基板２の周縁端から連続して、その一端部がそれぞ
れの対応する貫通孔２４にまで至っている。すなわち、
各貫通孔２４は、上記各リード端子部２０Ａ（２０Ｂ）
の一端部によって上部開口が閉塞された恰好とされてお
り、上記各貫通孔２４を介して上記基板２の裏面側から
上記各リード端子部２０Ａ（２０Ｂ）の一端部が臨んで
いる。
【００１６】各リード端子部２０Ａは、ワイヤボンディ
ングパッド２０ａをそれぞれ有しており、これらのワイ
ヤボンディングパッド２０ａ，…は一方向（図１の矢印
方向）、すなわちリード端子部２０Ａが延びる方向と交
差する方向に長辺を有する長矩形状とされている。そし
て、それぞれのリード端子部２０Ａのワイヤボンディン
グパッド２０ａが千鳥状に配置されている。各リード端
子部２０Ｂもまたワイヤボンディングパッド２０ｂをそ
れぞれ有しており、これらのワイヤボンディングパッド
２０ｂ，…も上記一方向、すなわちリード端子部２０Ｂ
延びる方向に長辺を有する長矩形状とされている。もち
ろん、それぞれのリード端子部２０Ａ，…，２０Ｂ，…
は、互いに接触ないし交差しないように独立して形成さ
れており、また各貫通孔２４が形成された領域を覆うよ
うにして絶縁性を有する素材により保護膜を形成しても
よい。
【００１７】図３に示すように、上記半導体チップ３
は、その上面３ａに複数の端子部（図示略）が形成され
ているが、この半導体チップ３は絶縁性を有するエポキ
シ樹脂などの接着剤７を介して基板２に対して機械的に
接合されている。なお、半導体チップ３としては、たと
えばＩＣやＬＳＩなどのベアチップを用いることがで
き、接着剤７としては、常温硬化性のものでも、熱硬化
性のものでもよい。また、上記半導体チップ３は、図１
および図３に良く表れているように、上記半導体チップ
３の各端子部と上記各リード端子部２０Ａ（２０Ｂ）の
ワイヤボンディングパッド２０ａ（２０ｂ）との間が金
線などのワイヤ６を介して接続されており、このワイヤ
６によって上記半導体チップ３と上記各リード端子部２
０ａとの電気的な導通が図られている。
【００１８】図２および図３に示すように、上記基板２
の裏面２２には、上記各貫通孔２４に対応して複数の外
部端子部４が格子状に配列形成されている。これらの外
部端子部４は、たとえばハンダによって半球状に形成さ
れているが、上記各端子部２０ａとは上記貫通孔２４を
介して導通されており、結局、上記各外部端子部４が上
記半導体チップ３と導通していることになる。
【００１９】そして、上記基板２の上面側において、半
導体チップ３およびワイヤ６を封止するようにして、た
とえばエポキシ樹脂を用いた金型成形によって樹脂パッ
ケージ５が形成されている。
【００２０】このように構成された半導体装置１は、た
とえば回路基板などに実装されて使用されるが、上記各
外部端子部４がハンダボールとされていることから、上
記半導体装置１にはハンダリフローの手法などが好適に
採用される。
【００２１】次に、上記半導体装置１の製造方法につい
て図４ないし図９を参照しつつ説明する。なお、図４
は、図１ないし図３を参照して説明した半導体装置の製
造に使用されるキャリアテープの一例の要部を表す斜視
図、図５は、図４のキャリアテープに半導体チップを実
装する工程を説明するための図、図６および図７は、ワ
イヤボンディング工程を説明するための図、図８は、樹
脂パッケージング工程を説明するための図、図９は、外
部端子部を形成する工程を説明するための図である。ま
た、これらの図においては、従来例を説明するために参
照した図面に表されていた部材および要素などと同等な
ものには同一の符号を付してある。
【００２２】半導体装置１は、半導体チップ実装工程、
ワイヤボンディング工程、樹脂パッケージング工程、外
部端子部形成工程、およびキャリアテープ２Ａから半導
体装置１となるべき部分を切り離す工程などを経て製造
されるが、便宜上、半導体装置１の製造に使用されるキ
ャリアテープ２Ａについて先に説明する。
【００２３】このキャリアテープ２Ａは、ポリイミド樹
脂などによってたとえば短冊状に形成されており、図４
に示したようにその表面には複数のリード端子部２０
Ａ，…，２０Ｂ，…からなる配線パターンが繰り返し形
成されている。各配線パターンは、通電ライン２２によ
って囲まれる矩形領域２０内にそれぞれ形成されてお
り、各矩形領域２０には、図面上には明確に表れていな
いが中央部に集中して複数の貫通孔２４が形成されてい
る。各リード端子部２０Ａ（２０Ｂ）は、矩形領域２０
の内包側に向けて一端部が延びるとともに、これらの一
端部がそれぞれ対応する貫通孔２４にまで至っており、
各リード端子部２０Ａ（２０Ｂ）の一端部によって各端
通孔２４の上部開口が閉塞されている。各リード端子部
２０Ａは、キャリアテープ２Ａの幅方向（図４の矢印方
向Ａａ）に長い長矩形状とされたワイヤボンディングパ
ッド２０ａをそれぞれ有している。一方、各リード端子
部２０Ｂは、キャリアテープ２Ａの幅長手方向（図４の
矢印方向Ｂｂ）に長い長矩形状とされたワイヤボンディ
ングパッド２０ｂをそれぞれ有している。そして、各ワ
イヤボンディングパッド２０ｂは千鳥状に配置されてい
る。また、上記キャリアテープ２Ａの幅方向の両側部に
は、一定間隔毎に係止穴２５がそれぞれ連続して設けら
れている。すなわち、爪付きローラなどの回転体の爪部
が、上記係止穴２５に係止されるとともに、上記回転体
の回転によって上記キャリアテープ２Ａが連続または間
欠送りされるようになされている。なお、このような配
線パターンおよび通電ライン２２は、たとえば上記キャ
リアテープ２Ａの表面に銅皮膜を形成した後に、あるい
はキャリアテープ２Ａの表面に適宜の接着材などによっ
て銅箔を貼着した後にエッチング処理を施すことによっ
て形成することができる。
【００２４】上記のようなキャリアテープ２Ａに対して
は、まず半導体チップ実工程が行われる。この工程で
は、まず、たとえば上記各矩形領域２０の中央部に液状
ないし固体状のエポキシ樹脂などの熱硬化性の接着剤を
塗布ないし載置しておき、既存のチップマウンタなどを
用いて接着剤を介在させた状態で半導体チップ３がキャ
リアテープ２Ａ上に載置される。そして、ヒータなどを
用いて接着剤を溶融・熱硬化させることによって半導体
チップ３がキャリアテープ２Ａに実装されて図５に示し
たような状態とされる。
【００２５】次に、ワイヤボンディング工程が行われ
る。この工程は、ファーストボンディングとセカンドボ
ンディングからなり、図６に示したようにキャピラリ８
と呼ばれる治具が用いられる。具体的には、まず、キャ
リアテープ２Ａおよび半導体チップ３を予め加熱してお
き、この状態においてファーストボンディングが行われ
る。上記キャピラリ８内には、ワイヤ６′が挿通されて
おり、キャピラリ８から突出したワイヤ６′の先端部が
溶融させられてボール状とされ、これを半導体チップ３
の端子部３０に圧着することによってファーストボンデ
ィングが行われる。そして、端子部３０にワイヤ６′を
圧着する際には、振動方向がキャリアテープ２Ａの幅方
向（図６の矢印方向）、すなわちワイヤボンディングパ
ッド２０ａ（２０ｂ）の長手方向と同一方向とされた数
十ｋＨｚ程度の超音波がキャピラリ８を介して付与され
る。次いで、キャピラリ８からワイヤ６′を引き出しつ
つキャピラリ８をワイヤボンディングパッド２０ａ（２
０ｂ）にまで移動させる。このとき、ワイヤボンディン
グパッド２０ａ（２０ｂ）に振動方向がキャリアテープ
２Ａの幅方向と合致させられた超音波を付与しつつキャ
ピラリ８の先端部を圧し付けることによってセカンドボ
ンディングが行われて図７に示した状態とされる。
【００２６】ところで、超音波による振動には方向性が
あり、１つのキャリアテープ２Ａに付与される超音波の
振動方向が一義的に定められてしまい、あるワイヤボン
ディングパッド２０ａ（２０ｂ）に対してはキャリアテ
ープ２Ａの幅方向に振動を与え、他のワイヤボンディン
グパッド２０ｂ（２０ａ）に対してはキャリアテープ２
Ａの長手方向に振動を与えるのは困難である。このた
め、全てのワイヤボンディングパッド２０ａ，…２０
ｂ，…に対して、同じ方向の振動する超音波を付与せざ
るをえず、本実施形態では、キャリアテープ２Ａの幅方
向に振動する超音波を付与している。一方、全てのワイ
ヤボンディングパッド２０ａ，…，２０ｂ，…は、キャ
リアテープ２Ａの幅方向に長い長矩形状とされており、
全てのワイヤボンディングパッド２０ａ，…，２０ｂ，
…が超音波の振動方向であるキャリアテープ２Ａに対し
てその幅方向に相対的に移動しにくくなされている。し
たがって、付与した超音波エネルギがさほどワイヤボン
ディングパッド２０ａ（２０ｂ）の移動に消費されるこ
となくワイヤ６とワイヤボンディングパッド２０ａ（２
０ｂ）の接合エネルギとして有効に利用できる。このよ
うに、本実施形態では、付与する超音波の出力を大きく
することなく、ワイヤ６をワイヤボンディングパッド２
０ａ（２０ｂ）に圧し付ける際の荷重を大きくすること
なく、しかも超音波の付与時間が短くてもワイヤ６とワ
イヤボンディング２０ａ（２０ｂ）との間の良好な接合
状態を達成することができる。
【００２７】次いで、樹脂パッケージング工程を行う。
この工程では、キャリアテープ２Ａの上面側において半
導体チップ３、ワイヤ６を封入するようにして樹脂パッ
ケージ５が形成されて図８に示したような状態とされ
る。この工程には、型締め状態においてキャビティ空間
を形成する上下の金型を用いた、いわゆるトランスファ
モールド法などが好適に採用される。具体的には、まず
上記キャビティ空間内に上記半導体チップないしボンデ
ィングワイヤを収容した恰好で上記キャリアテープ２Ａ
を挟持して上下の金型の型締めを行う。そして、上記キ
ャビティ空間内にエポキシ樹脂などを溶融状態で注入し
た後に硬化させることにより、配線パターン形成領域
（矩形領域２０）の上面側にのみ上記樹脂パッケージ５
が形成される。
【００２８】続いて、外部端子部形成工程を行う。この
工程では、上記キャリアテープ２Ａの表裏を反転させ、
配線パターン形成領域（矩形領域２０）に裏面側、すな
わち格子状に配列形成された複数の貫通孔２４のそれぞ
れに外部端子部４が形成される。これらの各外部端子部
４は、図９に示したようにハンダボール４′をフラック
スとともに各貫通孔２４に対応させて載置し、それぞれ
のハンダボール４′を溶融・固化させることによって各
外部端子部４が形成される。このとき、各外部端子部４
は、溶融時のの表面張力によって半球状とされる。
【００２９】最後に、上記キャリアテープ２Ａから半導
体装置１となるべき部位を切り離すことによって図１な
いし図３に示したような個々の半導体装置１が得られ
る。
【００３０】なお、本実施形態では、付与する超音波の
振動方向がキャリアテープ２Ａの幅方向とされ、各ワイ
ヤボンディングパッド２０ａ（２０ｂ）が上記幅方向に
長辺を有する長矩形状とされていたが、付与する超音波
の振動方向をキャリアテープ２Ａの長手方向とし、各ワ
イヤボンディングパッド２０ａ（２０ｂ）を上記長手方
向に長辺を有する長矩形状としてもよい。もちろん、各
ワイヤボンディングパッド２０ａ（２０ｂ）は、超音波
の振動方向に長手状の形状とされていればよく、その形
状は長矩形状に限らず、長円形または楕円形などの形状
であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る半導体装置の製造方法によって
製造された半導体装置の一例を表す全体斜視図である。
【図２】図１の半導体装置を裏面側から見た斜視図であ
る。
【図３】図１のIII −III 線に沿う断面図である。
【図４】図１ないし図３の半導体装置の製造に使用され
るキャリアテープの一例の要部を表す斜視図である。
【図５】図４のキャリアテープに半導体チップを実装す
る工程を説明するための図である。
【図６】ワイヤボンディング工程を説明するための図で
ある。
【図７】ワイヤボンディング工程を説明するための図で
ある。
【図８】樹脂パッケージング工程を説明するための図で
ある。
【図９】外部端子部を形成する工程を説明するための図
である。
【図１０】従来の半導体装置の一例を表す要部斜視図で
ある。
【図１１】図１０の半導体装置を製造する方法における
ワイヤボンディング工程を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置 ２ 基板 ２Ａ キャリアテープ ３ 半導体チップ ３０ 端子部（半導体チップの） ６，６′ ワイヤ ２０ 矩形領域（配線パターン形成領域） ２０Ａ，２０Ｂ リード端子部 ２０ａ，２０ｂ ワイヤボンディングパッド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤボンディングパッドを有する複数
    のリード端子部からなる配線パターンが一面側に形成さ
    れた基板に、複数の端子部を有する半導体チップを実装
    し、上記半導体チップの各端子部と上記各ワイヤボンデ
    ィングパッドとの間をワイヤによって結線する工程を含
    む半導体装置の製造方法であって、 上記各ワイヤボンディングパッドは、その一方向の寸法
    がこの一方向と直交する方向の寸法よりも長手状とされ
    ており、かつ、 上記各ワイヤボンディングパッドに上記ワイヤをボンデ
    ィングする際に、上記一方向に振動の方向を合致させて
    超音波を付与することを特徴とする、半導体装置の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 上記基板は、長手状をしているととも
    に、上記各ワイヤボンディングパッドは、その基板幅方
    向の寸法が基板長手方向の寸法よりも長手状とされてお
    り、上記各ワイヤボンディングパッドに上記ワイヤをボ
    ンディングする際に、上記基板の幅方向に振動の方向を
    合致させて超音波を付与する、請求項１に記載の半導体
    装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 上記各ワイヤボンディングパッドは、長
    矩形状をしている、請求項１または２に記載の半導体装
    置の製造方法。
  4. 【請求項４】 上記基板は、上記絶縁性基材がポリイミ
    ド樹脂製あるいはガラスエポシキ樹脂製である、請求項
    １ないし３のいずれかに記載の製造方法。
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