JP2000077686A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
半導体装置の実装構造Info
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ側壁から光信号を伝達する事によ
り薄形化した半導体装置を、アイランド２２の裏面をプ
リント配線３３に固定する世湯に実装することで、光信
号のぶれと放熱性を改善した、光半導体装置の実装構造
を得る。 【解決手段】 少なくとも受光素子２をアイランド２１
上に固定し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２
５とする。発光素子３の上部に反射面２７を形成し、封
止体の側面２５ｂにレンズ２８を形成する。発光素子３
から発光された光信号６反射面２７で反射し、側面のレ
ンズ２８から出射する。封止体２５の裏面にはアイラン
ド２１、２２の裏面が露出する。露出した裏面をプリン
ト基板３０のプリント配線３３上に半田付け固定する。
り薄形化した半導体装置を、アイランド２２の裏面をプ
リント配線３３に固定する世湯に実装することで、光信
号のぶれと放熱性を改善した、光半導体装置の実装構造
を得る。 【解決手段】 少なくとも受光素子２をアイランド２１
上に固定し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２
５とする。発光素子３の上部に反射面２７を形成し、封
止体の側面２５ｂにレンズ２８を形成する。発光素子３
から発光された光信号６反射面２７で反射し、側面のレ
ンズ２８から出射する。封止体２５の裏面にはアイラン
ド２１、２２の裏面が露出する。露出した裏面をプリン
ト基板３０のプリント配線３３上に半田付け固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子と受光素
子とを個別に或いは同時に樹脂封止した光半導体装置の
実装構造に関するものであり、特に薄形化に関するもの
である。
子とを個別に或いは同時に樹脂封止した光半導体装置の
実装構造に関するものであり、特に薄形化に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ( Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ( Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
【０００３】ＩｒＤＡ規格によるデータ通信を利用する
ためには、接続すべき両方の機器に、赤外線信号を発す
る発光素子と、赤外線信号を受ける受光素子とを備える
必要がある。発光素子と受光素子とは、それぞれ別個の
パッケージとして電子機器に組み込まれる場合もある
し、両者が１つのパッケージに収納されたモジュールと
して供給される場合もある。
ためには、接続すべき両方の機器に、赤外線信号を発す
る発光素子と、赤外線信号を受ける受光素子とを備える
必要がある。発光素子と受光素子とは、それぞれ別個の
パッケージとして電子機器に組み込まれる場合もある
し、両者が１つのパッケージに収納されたモジュールと
して供給される場合もある。
【０００４】図４に、発光素子と受光素子とを１つのパ
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
【０００５】半導体チップで提供された受光素子２のホ
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電子機器における軽薄
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図４の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図４の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
【０００７】一方、図５に示すようにリードを折り曲げ
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、少なくとも１つの発光素子を固定するアイ
ランドと、前記アイランドの裏面側を露出するように前
記発光素子を封止した封止体と、を具備する半導体装置
を基板上に実装した半導体装置の実装構造であって、前
記基板の表面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜の表面
に前記アイランドの裏面を熱的に結合するように前記封
止体を固定することを特徴とするものである。
みて成され、少なくとも１つの発光素子を固定するアイ
ランドと、前記アイランドの裏面側を露出するように前
記発光素子を封止した封止体と、を具備する半導体装置
を基板上に実装した半導体装置の実装構造であって、前
記基板の表面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜の表面
に前記アイランドの裏面を熱的に結合するように前記封
止体を固定することを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実装構造の説明に
先立ち、実装する半導体装置の構造を説明する。本実施
の形態で用いる半導体装置は、例えば、受光素子２と発
光素子３とを１つのパッケージに収納したもので、図２
にその構造を示す（Ａ）平面図と（Ｂ）ＡＡ線断面図
を、図３に裏面側から見たときの平面図を示した。
先立ち、実装する半導体装置の構造を説明する。本実施
の形態で用いる半導体装置は、例えば、受光素子２と発
光素子３とを１つのパッケージに収納したもので、図２
にその構造を示す（Ａ）平面図と（Ｂ）ＡＡ線断面図
を、図３に裏面側から見たときの平面図を示した。
【００１０】これらの図中、２１は受光素子２を搭載す
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
【００１１】受光素子２は、半導体チップとして提供さ
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面には電極パッドが形成さ
れ、ボンディングワイヤ２４によって電極パッドとリー
ド２３とが接続されている。
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面には電極パッドが形成さ
れ、ボンディングワイヤ２４によって電極パッドとリー
ド２３とが接続されている。
【００１２】発光素子３は、半導体チップとして提供さ
れた、例えば波長８７０ｎｍの赤外光を発光するＬＥＤ
チップである。ＬＥＤはチップの全体で発光し、全方位
に光が発散する素子である。そのため、チップを固着す
るアイランド２２を円錐形の「お椀」のような形状に加
工し、アイランド２２の中心部に固着した発光素子３か
らの光信号６をアイランド２２の傾斜した側壁で上方向
に反射させ、光を集めるような構造としている。前記ア
イランド２２はアノードまたはカソードの一方の端子と
なり、チップ表面に形成した電極パッドが他方の端子と
なる。他方の端子となる電極パッドは、ボンディングワ
イヤ２４により所定の箇所に接続されている。
れた、例えば波長８７０ｎｍの赤外光を発光するＬＥＤ
チップである。ＬＥＤはチップの全体で発光し、全方位
に光が発散する素子である。そのため、チップを固着す
るアイランド２２を円錐形の「お椀」のような形状に加
工し、アイランド２２の中心部に固着した発光素子３か
らの光信号６をアイランド２２の傾斜した側壁で上方向
に反射させ、光を集めるような構造としている。前記ア
イランド２２はアノードまたはカソードの一方の端子と
なり、チップ表面に形成した電極パッドが他方の端子と
なる。他方の端子となる電極パッドは、ボンディングワ
イヤ２４により所定の箇所に接続されている。
【００１３】各アイランド２１、２２に固着された発光
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて赤
外光あるいは紫外光に対して透明な樹脂でトランスファ
ーモールドされる。樹脂は封止体２５を構成し、封止体
２５の一表面には図３に示したように、アイランド２
１、２２の裏面が封止体２５表面と同一平面を成して露
出する。リード２３は封止体２５の一側面２５ａの中間
から外部に導出され、表面実装用途に適するように、Ｚ
字型に折り曲げられている。
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて赤
外光あるいは紫外光に対して透明な樹脂でトランスファ
ーモールドされる。樹脂は封止体２５を構成し、封止体
２５の一表面には図３に示したように、アイランド２
１、２２の裏面が封止体２５表面と同一平面を成して露
出する。リード２３は封止体２５の一側面２５ａの中間
から外部に導出され、表面実装用途に適するように、Ｚ
字型に折り曲げられている。
【００１４】そして、受光素子２のホトダイオード部分
ＰＤの上部には、樹脂を凹ませた凹部２６を形成し、凹
部２６の側壁によって反射面２７を構成している。この
反射面２７は、封止体２５の他の側面２５ｂから受光素
子２の表面に対して水平に入射した光信号６を、垂直下
方向に反射させて受光素子２のホトダイオード部分ＰＤ
に到達させる役割を果たす。反射面２７は、その境界に
おける材料の屈折率の違いにより反射面となり、封止体
２５の全体が梨地加工されているのに対して、反射面２
７の表面はそれより表面荒さが小さい鏡面加工としてい
る。反射率を向上するために、反射面２７の表面を遮光
性の金属被膜などで覆っても良い。反射面２７を形成す
る凹部２７は、封止体２５をトランスファーモールドす
る際に、金型に凹部２６に対応する雄型部分を形成して
おくことによって形成するか、あるいは完成後に封止体
２５の表面を削ることで形成される。
ＰＤの上部には、樹脂を凹ませた凹部２６を形成し、凹
部２６の側壁によって反射面２７を構成している。この
反射面２７は、封止体２５の他の側面２５ｂから受光素
子２の表面に対して水平に入射した光信号６を、垂直下
方向に反射させて受光素子２のホトダイオード部分ＰＤ
に到達させる役割を果たす。反射面２７は、その境界に
おける材料の屈折率の違いにより反射面となり、封止体
２５の全体が梨地加工されているのに対して、反射面２
７の表面はそれより表面荒さが小さい鏡面加工としてい
る。反射率を向上するために、反射面２７の表面を遮光
性の金属被膜などで覆っても良い。反射面２７を形成す
る凹部２７は、封止体２５をトランスファーモールドす
る際に、金型に凹部２６に対応する雄型部分を形成して
おくことによって形成するか、あるいは完成後に封止体
２５の表面を削ることで形成される。
【００１５】更に、封止体２５の他の側面２５ｂには、
凸状のレンズ２８を形成している。レンズ２８は、反射
面２７での反射を考慮した上で、受光素子２のホトダイ
オード部分ＰＤの表面か或いはそれよりもやや深い位置
に焦点を持つような略円筒形の凸曲面（装置の外部から
観測して）とほぼ垂直な側壁を持つような形状で加工さ
れている。そして、図２（Ａ）に記載した光信号６の経
路からも明瞭に理解される様に、封止体２５の他の側面
２５ｂから導入した光信号６を、円筒曲面の中心軸に向
かって集光する役割を果たす。このレンズ２８は、封止
体２５を樹脂封止する際に、封止体２５と一体化するよ
うに形成するのが簡便であり、また、反射面２７と同様
に鏡面加工されている。
凸状のレンズ２８を形成している。レンズ２８は、反射
面２７での反射を考慮した上で、受光素子２のホトダイ
オード部分ＰＤの表面か或いはそれよりもやや深い位置
に焦点を持つような略円筒形の凸曲面（装置の外部から
観測して）とほぼ垂直な側壁を持つような形状で加工さ
れている。そして、図２（Ａ）に記載した光信号６の経
路からも明瞭に理解される様に、封止体２５の他の側面
２５ｂから導入した光信号６を、円筒曲面の中心軸に向
かって集光する役割を果たす。このレンズ２８は、封止
体２５を樹脂封止する際に、封止体２５と一体化するよ
うに形成するのが簡便であり、また、反射面２７と同様
に鏡面加工されている。
【００１６】尚、凸状のレンズ２８は、上下金型からの
樹脂の剥離性を考慮して、図２（Ｂ）に示したように、
その側壁に１〜５度のテーパ角度θを持たせても良い。
樹脂の剥離性を考慮して、図２（Ｂ）に示したように、
その側壁に１〜５度のテーパ角度θを持たせても良い。
【００１７】上記の受光素子２に対して、発光素子３側
にも同様に反射面２７と凸状のレンズ２８を配置する。
受光素子２側とはその曲率などの設計を異ならせるため
に各々別個に設ける事が可能である。受光素子２とは光
信号６の方向が逆であり、伝搬経路としては同じであ
る。つまり、発光素子３から発光した信号光６を反射面
２７で反射し、レンズ２８を介して封止体２５の側壁２
５ｂから外部に出射する機能を持つ。
にも同様に反射面２７と凸状のレンズ２８を配置する。
受光素子２側とはその曲率などの設計を異ならせるため
に各々別個に設ける事が可能である。受光素子２とは光
信号６の方向が逆であり、伝搬経路としては同じであ
る。つまり、発光素子３から発光した信号光６を反射面
２７で反射し、レンズ２８を介して封止体２５の側壁２
５ｂから外部に出射する機能を持つ。
【００１８】この様に、光信号６の伝達経路を折り曲げ
ることによって、係る装置をプリント基板上に表面実装
した時に、封止体２５の側面２５ｂから光信号６を伝搬
することができ、これによってプリント基板全体の高さ
を低く抑えることができ、電子機器の薄形化を推進する
ことができる。
ることによって、係る装置をプリント基板上に表面実装
した時に、封止体２５の側面２５ｂから光信号６を伝搬
することができ、これによってプリント基板全体の高さ
を低く抑えることができ、電子機器の薄形化を推進する
ことができる。
【００１９】尚、光半導体装置としては、受光素子２と
発光素子３の両方を封止した構造の他、発光素子３だけ
を封止した装置であっても良い。また、反射面２７を形
成するための形態として、反射面２７を持つ部分を凸状
に突起させたような形態でも良い。更に、レンズ２８の
形態は、円筒形レンズの他、球体レンズでも良い事は言
うまでもない。
発光素子３の両方を封止した構造の他、発光素子３だけ
を封止した装置であっても良い。また、反射面２７を形
成するための形態として、反射面２７を持つ部分を凸状
に突起させたような形態でも良い。更に、レンズ２８の
形態は、円筒形レンズの他、球体レンズでも良い事は言
うまでもない。
【００２０】而して、受光・発光素子２、３の上部に光
信号６を曲折する反射面２７を設けた半導体装置は、半
導体チップを「横置き」にできるので、封止体２５の高
さｔを小さくできるメリットがある。例えば、図４、図
５に示した従来の装置ではレンズ４、５の存在などによ
り４ｍｍ以下の高さを得ることが困難であったのに対
し、図２、図３に示した半導体装置では、装置全体の高
さｔを１．５ｍｍ程度にまで減じることが容易となっ
た。
信号６を曲折する反射面２７を設けた半導体装置は、半
導体チップを「横置き」にできるので、封止体２５の高
さｔを小さくできるメリットがある。例えば、図４、図
５に示した従来の装置ではレンズ４、５の存在などによ
り４ｍｍ以下の高さを得ることが困難であったのに対
し、図２、図３に示した半導体装置では、装置全体の高
さｔを１．５ｍｍ程度にまで減じることが容易となっ
た。
【００２１】以下に、上述の半導体装置を実装した、本
発明の１実施の形態を説明する。図１（Ａ）はプリント
基板３０の金属薄膜パターンを示す平面図で、図１
（Ｂ）（Ｃ）は実装時の半導体装置を示す断面図であ
る。尚、図１（Ｂ）は発光素子３の部分を示す断面図、
図１（Ｃ）は受光素子２の部分を示す断面図である。
発明の１実施の形態を説明する。図１（Ａ）はプリント
基板３０の金属薄膜パターンを示す平面図で、図１
（Ｂ）（Ｃ）は実装時の半導体装置を示す断面図であ
る。尚、図１（Ｂ）は発光素子３の部分を示す断面図、
図１（Ｃ）は受光素子２の部分を示す断面図である。
【００２２】図１（Ａ）を参照して、各電子部品を設置
するためのプリント基板３０の表面には、封止体２５の
各リード端子２３に対応するプリント配線３１と、アイ
ランド２１に対応するプリント配線３２、およびアイラ
ンド２２に対応するプリント配線３３が描画されてい
る。基板３０の表面には他にも、各電子部品間の回路接
続を行うためのプリント配線（図示せず）が多数描画さ
れている。プリント配線３１が各電子部品間の電気接続
を行うためのものであるのに対し、プリント配線３２、
３３は電気的に独立した島状のパターンで描画されてい
る。もちろん、回路素子間接続を行うためのパターンと
して兼用しても良い。
するためのプリント基板３０の表面には、封止体２５の
各リード端子２３に対応するプリント配線３１と、アイ
ランド２１に対応するプリント配線３２、およびアイラ
ンド２２に対応するプリント配線３３が描画されてい
る。基板３０の表面には他にも、各電子部品間の回路接
続を行うためのプリント配線（図示せず）が多数描画さ
れている。プリント配線３１が各電子部品間の電気接続
を行うためのものであるのに対し、プリント配線３２、
３３は電気的に独立した島状のパターンで描画されてい
る。もちろん、回路素子間接続を行うためのパターンと
して兼用しても良い。
【００２３】プリント配線３１、３２、３３に対して、
封止体２５を位置合わせして、その上に設置する。各リ
ード端子２３とプリント配線３１とが図示接続箇所３４
で半田付け固定され、加えて、アイランド２１とプリン
ト配線３２とが接続箇所３５で、アイランド２２とプリ
ント配線３３とが接続箇所３６で各々半田付け固定され
る。プリント配線３２、３３は少なくとも各アイランド
２１、２２よりも大きな面積で描画されている。封止体
２５はレンズ２８が外方を向くように基板３０の終端付
近に設置される。必要に応じて、レンズ２８の前方に光
学窓や光学レンズが配置される。尚、図１（Ｂ）によ
り、発光素子３を固定するアイランド２２の形状、即ち
円錐形の形状と、光信号６をアイランドの側壁２２ａで
反射して垂直方向に集光する機能とが理解される。
封止体２５を位置合わせして、その上に設置する。各リ
ード端子２３とプリント配線３１とが図示接続箇所３４
で半田付け固定され、加えて、アイランド２１とプリン
ト配線３２とが接続箇所３５で、アイランド２２とプリ
ント配線３３とが接続箇所３６で各々半田付け固定され
る。プリント配線３２、３３は少なくとも各アイランド
２１、２２よりも大きな面積で描画されている。封止体
２５はレンズ２８が外方を向くように基板３０の終端付
近に設置される。必要に応じて、レンズ２８の前方に光
学窓や光学レンズが配置される。尚、図１（Ｂ）によ
り、発光素子３を固定するアイランド２２の形状、即ち
円錐形の形状と、光信号６をアイランドの側壁２２ａで
反射して垂直方向に集光する機能とが理解される。
【００２４】各アイランド２１、２２の裏面を露出して
プリント配線３２、３３に半田付けすることは、以下の
効果を生む。第１に、リード端子２３とアイランド２
１、２２とで基板３０上に表面実装するので、図１
（Ｂ）に符号３７で示した封止体２５の上下方向のぶれ
を防止できる。このことは、反射させた光信号６の方向
性を確定し、実装時のぶれを防止する効果を生む。第２
に、半田付けによって熱的にも結合させたので、特に発
光素子３において、その放熱特性を改善できる効果を生
む。上記の半導体装置は、光信号６の伝達経路を屈折さ
せたことにより薄形化が可能な装置であるものの、封止
体２５を薄形化することにより樹脂の全体量が少なくな
り、その分だけ樹脂の熱容量が小さくなるものである。
ＬＥＤ素子は動作電流が１００〜４００ｍＡと比較的大
きく、その分発熱が大きいので、樹脂の熱容量が小さく
なることは、ＬＥＤチップの温度上昇を招く。本発明で
は、アイランド２２をプリント配線３３に熱的に結合す
ることによって、ＬＥＤチップの放熱特性を改善したも
のである。これにより、ＬＥＤ素子の発光特性を安定さ
せることができる。
プリント配線３２、３３に半田付けすることは、以下の
効果を生む。第１に、リード端子２３とアイランド２
１、２２とで基板３０上に表面実装するので、図１
（Ｂ）に符号３７で示した封止体２５の上下方向のぶれ
を防止できる。このことは、反射させた光信号６の方向
性を確定し、実装時のぶれを防止する効果を生む。第２
に、半田付けによって熱的にも結合させたので、特に発
光素子３において、その放熱特性を改善できる効果を生
む。上記の半導体装置は、光信号６の伝達経路を屈折さ
せたことにより薄形化が可能な装置であるものの、封止
体２５を薄形化することにより樹脂の全体量が少なくな
り、その分だけ樹脂の熱容量が小さくなるものである。
ＬＥＤ素子は動作電流が１００〜４００ｍＡと比較的大
きく、その分発熱が大きいので、樹脂の熱容量が小さく
なることは、ＬＥＤチップの温度上昇を招く。本発明で
は、アイランド２２をプリント配線３３に熱的に結合す
ることによって、ＬＥＤチップの放熱特性を改善したも
のである。これにより、ＬＥＤ素子の発光特性を安定さ
せることができる。
【００２５】このように、封止体２５の内部で光信号６
を曲折する半導体装置を実装することで、筐体の大幅な
薄形化が可能である。そして、アイランド２２裏面をプ
リント配線３３に接続することによって、封止体２５の
上下方向のぶれを解消し、更には発光素子の放熱性を改
善できるものである。
を曲折する半導体装置を実装することで、筐体の大幅な
薄形化が可能である。そして、アイランド２２裏面をプ
リント配線３３に接続することによって、封止体２５の
上下方向のぶれを解消し、更には発光素子の放熱性を改
善できるものである。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射面２７を設けることにより光信号６を反射させて受
光素子２に到達させる構成としたので、樹脂の側面２５
ｂから光信号６の出入斜を行える光半導体装置を実現で
きる利点を有する。この装置は、封止体２５の全体の高
さを低くできるので、プリント基板３０に実装したとき
に筐体３２の大幅な薄形化を実現できるものである。
反射面２７を設けることにより光信号６を反射させて受
光素子２に到達させる構成としたので、樹脂の側面２５
ｂから光信号６の出入斜を行える光半導体装置を実現で
きる利点を有する。この装置は、封止体２５の全体の高
さを低くできるので、プリント基板３０に実装したとき
に筐体３２の大幅な薄形化を実現できるものである。
【００２７】また、アイランド２２裏面をプリント配線
３３に半田付け固定した構成としたことにより、光信号
６の方向性のぶれをなくし、発光素子３の発光特性のば
らつきがない、実装構造を得ることができるものであ
る。
３３に半田付け固定した構成としたことにより、光信号
６の方向性のぶれをなくし、発光素子３の発光特性のば
らつきがない、実装構造を得ることができるものであ
る。
【図１】本発明を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）
断面図、（Ｃ）断面図である。
断面図、（Ｃ）断面図である。
【図２】本発明を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図
である。
である。
【図３】本発明を説明する平面図である。
【図４】従来例を説明する斜視図である。
【図５】従来例を説明する斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 落合 公 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA14 AA33 AA38 DA03 DA07 DA17 DA22 DA25 DA26 DA43 DA55 DA57 DA83 EE17 5F088 AA03 BA20 EA09 JA02 JA06 JA10 LA01
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも１つの発光素子を固定するア
イランドと、前記アイランドの裏面側を露出するように
前記発光素子を封止した封止体と、を具備する半導体装
置を基板上に実装した半導体装置の実装構造であって、 前記基板の表面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜の表
面に前記アイランドの裏面を熱的に結合するように前記
封止体を固定することを特徴とする半導体装置の実装構
造。 - 【請求項２】 少なくとも１つの発光素子を固定するア
イランドと、前記アイランドの裏面側を露出するように
前記発光素子を封止した封止体と、前記発光素子の上部
の前記封止体に形成した反射面とを具備し、前記発光素
子から発せられた光信号を前記反射面で反射して前記発
光素子の表面に対して水平方向に前記光信号を伝搬する
半導体装置を、基板上に実装した半導体装置の実装構造
であって、 前記基板の表面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜の表
面に前記アイランドの裏面を熱的に結合するように前記
封止体を固定することを特徴とする半導体装置の実装構
造。 - 【請求項３】 前記封止体の側面から外部接続用のリー
ド端子が導出され、前記リード端子と前記アイランド裏
面とで前記封止体の水平を維持するように前記基板上に
実装することを特徴とする請求項１または２記載の半導
体装置の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243778A JP2000077686A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 半導体装置の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243778A JP2000077686A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077686A true JP2000077686A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17108842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10243778A Pending JP2000077686A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | 半導体装置の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077686A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609592B1 (ko) | 2004-11-19 | 2006-08-08 | 서울반도체 주식회사 | 측면 방출 발광 다이오드 및 그것에 적합한 렌즈 |
| JP2007184642A (ja) * | 2007-03-28 | 2007-07-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| US7317181B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit |
| JP2009200531A (ja) * | 2001-04-10 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法 |
| JP2014042079A (ja) * | 2013-12-02 | 2014-03-06 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
-
1998
- 1998-08-28 JP JP10243778A patent/JP2000077686A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200531A (ja) * | 2001-04-10 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法 |
| US7317181B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit |
| KR100609592B1 (ko) | 2004-11-19 | 2006-08-08 | 서울반도체 주식회사 | 측면 방출 발광 다이오드 및 그것에 적합한 렌즈 |
| JP2007184642A (ja) * | 2007-03-28 | 2007-07-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
| JP2014042079A (ja) * | 2013-12-02 | 2014-03-06 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
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