JP2000200051A - 配線の断線修復方法及び多層配線構造 - Google Patents
配線の断線修復方法及び多層配線構造Info
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Abstract
線欠陥修正の信頼性を向上すること。 【解決手段】画素の側方を通って断線の生じている本配
線13と前記本配線13に層間絶縁膜15を介して絶縁
される予備配線16とを互いの交差領域で接続する工程
を有する画像表示装置の画像表示装置の配線の断線修正
方法において、前記本配線13と前記予備配線の前記交
差領域に向けてレーザ42から第1の出力強度のレーザ
ビームを照射することにより、前記交差領域とその近傍
にある前記予備配線16、前記層間絶縁膜15及び前記
本配線13を通る孔44を開口する工程と、前記第1の
出力強度とは異なる第2の出力強度のレーザビームを前
記孔44に向けて照射して前記予備配線16と前記本配
線13の一部を融解して前記予備配線16と前記本配線
13を接続する工程とを含む。
Description
法及び多層配線構造に関し、より詳しくは、配線に断線
が生じた場合にその配線の機能を回復するための配線の
断線修復方法及び多層配線構造に関する。
P(plasma display panel)、FED(field emission di
splay)などのフラット型ディスプレイは、CRTに比べ
て奥行きを増やさずに大型化が可能なことから開発が進
み、実際に市場を獲得し始めている。それらの画像表示
の原理、構造は異なるが、画素の回りに配線が形成され
ている点で共通している。
工程において配線が断線することがあり、その断線は画
素欠損を招いて歩留り低下の原因となる。そこで、ディ
スプレイパネルにおいては、欠陥のある配線を救済する
ために表示領域の周辺に予備配線を設けておき、配線に
断線が存在する場合には、断線により信号が通じなくな
った配線経路に予備配線を介して信号を送れる状態に
し、これによりディスプレイパネルの歩留りを向上させ
ている。
ラインの一端が信号ドライバに接続されているが、ドレ
インバスラインに断線が生じた場合の対策として、ドレ
インバスラインの両端部を予備配線を介して導通させて
ドレインバスラインの欠陥を救済するといったリペア法
が採用されている。図1(a) は、LCDのドレインバス
ライン1と予備配線2を絶縁膜3を介して上下に配置し
た断面を示し、そのドレインバスライン1の両端部と予
備配線2の両端部は図1(b) に示すように表示領域の周
辺で交差するような構造となっている。
(b) に示す点Bで断線が生じた場合には、図1(c) に示
すように、ドレインバスライン1と予備配線2の交差領
域の中央に向けてレーザビームを上から1ショット照射
してドレインバスライン1、予備配線2及び絶縁膜3に
孔4を開けると同時にドレインバスライン1と予備配線
2の一部を融解させる。そして、ドレインバスライン1
と予備配線2のうち溶解した部分は孔4を通して流れて
互いに接続する。これによって、断線したドレインバス
ライン1は予備配線2を介して導通することになる。
絶縁膜を示している。
は、1ショットのレーザビームを照射しても予備配線2
とドレインバスライン1が接続しない場合には、同じ強
度のレーザビームを繰り返し照射することもある。その
ようなレーザビームの照射によれば、ドレインバスライ
ン1と予備配線2の交差部分が破壊されてしまう可能性
が高く、配線欠陥修復の信頼性が低かった。
の導通部分では、SEM観察しても孔4の内面に凹凸が
殆ど見られず、しかも下側の膜が、図2に示すようにめ
くれあがった状態で開口4の上の周辺に残り、その後に
異物としてパネル内に存在することになる。本発明の目
的は、配線欠陥修復の信頼性を向上することができる配
線の断線修復方法及び多層配線構造を提供することにあ
る。
図5に例示するように、断線の生じている本配線13と
前記本配線13に層間絶縁膜15を介して形成される予
備配線16とを互いの交差領域で接続する工程を有する
配線の断線修復方法において、前記本配線13と前記予
備配線の前記交差領域に向けてレーザ42から第1の出
力強度のレーザビームを照射することにより孔44を開
口する工程と、前記第1の出力強度とは異なる第2の出
力強度のレーザビームを前記孔44に向けて照射して前
記予備配線16と前記本配線13の一部を融解して前記
予備配線16と前記本配線13を接続する工程とを有す
ることを特徴とする配線の断線修復方法により解決す
る。
記レーザ42は、出力波長の変更によって出力強度を調
整できる特性を有していることを特徴とする。上記した
配線の断線修復方法において、前記レーザビームは、前
記第1の出力強度と前記第2の出力強度の間の第3の出
力強度で前記孔に向けてさらに照射されることを特徴と
する。
記予備配線16を保護絶縁膜20で覆い、該保護絶縁膜
20のうち前記交差領域の一部に位置合わせ用孔20a
を形成し、該位置合わせ用孔20aに向けて前記レーザ
ビームが照射されることを特徴とする。上記した配線の
断線修復方法において、図11、図12に例示するよう
に、前記交差領域における前記本配線13と前記予備配
線16のうち少なくとも一方に位置合わせ用孔20aを
形成し、該位置合わせ用孔20aに向けて前記レーザビ
ームが照射されることを特徴とする。
に延在し、且つ途中に切断部分の存在する本配線13
と、前記基板の周辺部に形成され且つ前記本配線13の
上又は下に絶縁膜を介して重ねられて形成された予備配
線16と、前記絶縁膜の孔44を通して前記予備配線1
6と前記本配線13を溶融状態で接続し、且つ該孔44
の内面に沿った断面に凹凸を有する接続部とを有するこ
とを特徴とする多層配線構造によって解決される。
3と前記予備配線16の交差領域には、前記本配線13
と前記予備配線16のいずれかに接続される導電性パッ
ド13f,13b,16a,16bが形成されるように
してもよい。次に、本発明の作用について説明する。本
発明によれば、本配線と予備配線を互いの交差領域にお
いて接続する際に、レーザビーム照射によって本配線と
予備配線に孔を設け、その後にその場所で、出力強度を
変化させたレーザビーム照射によって本配線と予備配線
とを融解するといった2段階で本配線と予備配線を接続
するようにしている。これにより、本線と予備配線は、
その交差領域において確実に接続することができ、配線
欠陥修復の信頼性が向上する。
ているが、それらのレーザビームの強度を変化させて調
整しているので、本配線と予備配線の交差部分の破壊を
未然に防止できる。また、本配線と予備配線の交差部分
にレーザビームを照射する場合には、本配線又は予備配
線の縁を目標にするとレーザビームの照射外れが防止さ
れる。さらに、本配線と予備配線の交差領域において、
本配線、予備配線、保護絶縁膜のいずれかに位置合わせ
用孔を形成しておけば、レーザビームの照射位置合わせ
が容易になる。
予備配線を接続すると、本配線と予備配線の接続部は、
レーザ照射毎に徐々に熔解されて昇華するので、本配線
と予備配線の接続部では膜のめくれあがりが存在しな
い。これにより、基板上に異物が残りにくくなる。しか
も、レーザ照射によって本配線と予備配線に形成された
孔の内面には凹凸が存在する。
察によって容易に判断できる。なお、本配線としては、
例えば液晶表示パネルにおけるゲートバスライン、ドレ
インバスラインなどがある。
を図面に基づいて説明する。 (第1の実施の形態)図3(a) は本発明の実施の形態に
係る液晶表示パネルのゲートバスラインとドレインバス
ラインと予備配線の配置の概要を示す平面図、図3(b)
は、ゲートバスラインとドレインバスラインの交差状態
を示す断面図、図3(c) は、ドレインバスラインとリペ
ア用の予備配線の配置関係を示す断面図である。なお、
ドレインバスラインは、データバスラインともよばれ
る。
基板11の上には、クロム、アルミニウムなどの金属よ
りなるゲートバスライン12とそのような金属よりなる
ドレインバスライン13がそれぞれ複数本形成されてい
る。複数のゲートバスライン12は、走査ドライバ30
に接続されるものであって互いに一定間隔をおいて所定
の方向に平行に配置される。また、複数のドレインバス
ライン13は、信号ドライバ31に接続されるものであ
って、ゲートバスライン12に交差する状態で、互いに
一定間隔をおいて平行に配置されている。
ン13は、図3(b) に示すように、第1の層間絶縁膜1
4を介して上下に絶縁されて配置されている。さらに、
ドレインバスライン13は、第2の層間絶縁膜15に覆
われ、この第2の層間絶縁膜15の上には図3(c) に示
すように予備配線16が形成されている。予備配線16
は、図3(a) に示すように、画素領域を迂回して複数の
ドレインバスライン13の上方を通るように、第1の透
明基板11の外周に沿ってU字状に形成されている。
は、図4(a) に示すようにドレインラインパッド13a
が形成され、このドレインラインパッド13aには信号
ドライバ31のデータ端子が接続される。さらに、複数
のゲートバスライン12と複数のドレインバスライン1
3のそれぞれの交差部分の近傍には図4(b),(c) に示す
ように薄膜トランジスタ(TFT(thin film transist
or))17が配置されている。
うちTFT17、バスライン12,13等が配置される
側の面は、第2の透明基板21上の透明性共通電極22
に対向して配置される。また、第2の透明基板21の上
には例えば3色のカラーフィルタ23が配置されてい
る。そして、第1の透明基板11と第2の透明基板21
の間には液晶24が注入される。
ような構造を有し、そのドレインはドレインバスライン
13に接続され、そのソースはITO(indium tin oxi
de)などの光透過性導電材よりなる画素電極18に接続
されている。TFT17は、第1の透明電極11上で蓄
積コンデンサ電極(不図示)を覆う下地絶縁膜10の上
に形成されている。TFT17のゲート電極17gはゲ
ートバスライン12からその側方に突出した形状を有
し、そのゲート電極17gの上には多結晶シリコン又は
非晶質シリコンよりなるn型又はp型の動作半導体膜1
7aが形成されている。その動作半導体膜17aの上層
部には、動作半導体膜17aとは逆導電型のドレイン層
17dとソース層17sが溝17vによって互いに分離
されて形成されている。ドレイン層17dは、ドレイン
バスライン13からその側方に突出したドレイン電極1
3dに接続されている。また、ソース層17sの上には
画素電極18に延びるソース電極19が形成されてい
る。このような構成からなるTFT17は、第3の層間
絶縁膜15に覆われている。
バスライン13の両端近傍で交差するように配置されて
いる。その交差部分では、図5(a),(b) に示すようにド
レインバスライン13側にパッドを設けるか、又は、図
6(a),(b) に示すように予備配線16側にパッドを設け
ることが好ましい。即ち、ドレインバスライン13のデ
ータ端子実装側のうち予備配線16と交差する部分で
は、図5(a) に示すように、第1のパッド13fが形成
されている。また、ドレインバスライン13のデータ端
子非実装側のうち予備配線16と交差する部分では、図
5(b) に示すように、第2のパッド13bが形成されて
いる。なお、第3の層間絶縁膜15の下において、第1
及び第2のパッド13f,13bが別々に形成されるこ
とがある。例えば、第1のパッド13fとドレインバス
ライン13の間と、第2のパッド13bとドレインバス
ライン13の間とにそれぞれ絶縁膜(不図示)が形成さ
れる場合には、その絶縁膜中のビア(不図示)を介して
パッド13f、13bがドレインバスライン13に接続
される。
(b) に示すようにそれぞれ第3、第4のパッド16a、
16bを設けてもよい。ここで図6(a) は、予備配線1
6のうちドレインバスライン13のデータ端子実装側を
示し、図6(b) は、予備配線16のうちドレインバスラ
イン13のデータ端子非実装側を示している。なお、上
記したパッド13a,13b,13f,16a,16b
は全て導電材から構成されている。
て、ドレインバスライン13の1本に断線が発生した場
合に、ドレインバスライン13の機能を回復させる方法
を以下に説明する。まず、ドレインバスライン13を有
する第1の透明基板11を、図7に示すリペア装置のス
テージ41の上に載せる。ステージ41の上方には、レ
ーザビームを出力するレーザ42が配置され、そのレー
ザ42の出力とショット回数は制御回路43によって制
御される。また、レーザ42は、波長を制御することに
よってレーザビームの出力強度を変更できるような構造
となっている。レーザ42においては、図8に示すよう
に出力強度と出力波長がほぼガウス分布の関係となって
いる。
の発生したドレインバスライン13のうち予備配線16
と交差する部分をレーザ42の出射方向に位置させる。
その交差部の平面は、上記した図5(a) 、図5(b) 、図
6(a) 、又は図6(b) のようになっている。レーザ42
のレーザビーム照射領域に位置するその交差部分は、例
えば図9(a) に示す断面の状態になっている。
すデータ端子実装側のドレインバスライン13の第1の
パッド13fと予備配線16の交差領域のうち、予備配
線16の縁部の複数箇所のレーザビーム照射部Lに向け
てレーザビームを照射する。そのレーザビームの照射は
2段階に分けて行う。第1段階では、制御回路43によ
ってレーザ42の出力波長を図8の波長帯域II又はIII
になるように調整して0.5〜1.0mJ/pulse、好まし
くは0.7〜0.9mJ/pulseの大きさのレーザビームを
レーザ42から出力させて、そのレーザビームをレーザ
ビーム照射部Lに向けて照射する。これによって、図9
(b) に示すようにドレインバスライン13、予備配線1
6及び第3の層間絶縁膜15を通る孔44を形成する。
なお、同じ強度のレーザビームを複数回照射することに
より、図10(a) に示すように孔4を深くしてもよい。
く、予備配線16の融解部分が孔44内を通してドレイ
ンバスライン13の融解部分と一体化する可能性は低
い。そこで、第2段階では、制御回路43によりレーザ
42の出力波長を図8の波長帯域Iとなるように調整し
て、予備配線16とドレインバスライン13の構成材料
が融解して孔44内に流入する程度の大きさ0.8〜
1.8mJ/pulse、好ましくは1.2〜1.5mJ/pulseの
レーザビームをレーザ42から出力させてレーザビーム
照射部Lに向けて照射する。
図10(b) に示すように孔44内を流れてドレインバス
ライン13の融解部分と一体化する。これにより、配線
欠陥修復の信頼性が従来よりも向上する。このようなレ
ーザの照射を図5(b) に示すようなデータ端子非実装側
のドレインバスライン12と予備配線16に対しても行
う。なお、レーザビーム照射は、上記したようにデータ
端子実装側から行ってもよいし、或いはデータ非実装側
から行ってもよい。
くしてドレインバスライン13と予備配線16に孔44
を開け、その後にレーザ照射強度を高くしてドレインバ
スライン13と予備配線16のそれぞれの溶解部分を孔
44を通して互いに接続させると、断線のあるドレイン
バスライン(本配線)13の全体に、予備配線16を通
して信号ドライバ31から信号を送ることが可能にな
る。
照射部分に設定すると、レーザビーム照射箇所を見つけ
やすくなり、その縁を目印にしてレーザビームを照射す
ることができる。ところで、レーザビームの照射位置
は、予備配線16の縁に限るものではなく、例えばドレ
インバスライン13の縁に向けてレーザビームを照射す
るようにしてもよい。ドレインバスライン13は予備配
線16の下側に位置しているが、ドレインバスライン1
3の縁は図11(a) に示すように予備配線16では段と
なって現れるので、位置検出が容易である。予備配線1
6の縁に向けてレーザビームを2段階強度で照射した後
の断面形状は図11(b) のようになる。
上に予備配線16を1本だけ設けているが、並列に複数
本配置してもよい。また、上記した説明では、ドレイン
バスライン13と予備配線16を接続する例について説
明したが、ゲートバスライン12の両端を予備配線を介
して接続するようにしてもよい。また、上記した説明で
は、レーザビームの照射の際に、最初は照射強度を低く
し、最後の照射強度を高くしているが、その逆に、初め
は高く、その後に低くするようにしてもよい。初めは高
くその後に低くする場合には、初めが高くその後に低く
する場合に比べて配線間接続の安定性が悪いが、層間の
溶解はいずれもほぼ同じ効果が得られた。
て、照射強度を徐々に低くするか、或いは徐々に高くす
るような方法を採用してもよい。最初に高い強度でレー
ザショットすると、予備配線又は本配線が吹き飛ばされ
てバリ等などが発生するが、その後の低い強度のレーザ
ショットにより予備配線又は本配線が融解されてバリの
発生が見られなくなることが確認された。即ち、レーザ
がショット回数を重ねるとその通過時に熱による溶解が
起きる。
ーザショット方法を採用すると、最初のレーザショット
によりバリは発生せず、その後のレーザショットにより
予備配線と本配線が融解するので配線間接続に安定性が
ある。なお、低い強度で複数回のレーザショットを行っ
ても、パワー不足で層貫通、配線間短絡に至らない。 (第2の実施の形態)第1の実施の形態では、レーザを
照射する位置を予備配線16の縁及びその周辺に設定し
たが、本実施形態では、以下に説明するような構造を採
用して予備配線16の内部及びその周辺にレーザ照射位
置を設定してもよい。
護絶縁膜20のうち、予備配線16とドレインバスライ
ン13の交差領域の内部(例えば中央)に位置合わせ用
の孔20aを形成した構造を示している。また、図13
(a),(b) は、予備配線16とドレインバスライン13の
交差領域の内部において、ドレインバスライン13に第
1の位置合わせ用孔13xを設け、予備配線16に第2
の位置合わせ用孔16xを設けるとともに、第1の位置
合わせ用孔13xと第2の位置合わせ用孔16xを上下
に重なるようにした構造を示している。
ン13にレーザビームを照射する場合には、それらの位
置合わせ用孔20a,13x,16xに向けてレーザ4
2を向けると、レーザ照射の位置決めが容易になる。な
お、それらの位置合わせ用孔20a,13x,16x
は、いずれか一方が存在すれば、その孔の形跡が顕微鏡
等により見えるので、レーザビーム照射部分の位置合わ
せが容易になる。
16とドレインバスライン13を接続する場合には、位
置合わせ用の用孔20a,13x,16xに向けてレー
ザビームを照射して図14(a) に示すような孔45を予
備配線16及びドレインバスライン13に開ける。その
後に、レーザビームの強度を上げ、図14(b) に示すよ
うに、照射部分の予備配線16及びドレインバスライン
13を融解して互いを接続させる。
明したように、レーザ強度を2段階で変更して照射する
ことにより、バスラインと予備配線を接続したところ、
図15に示すSEM写真のようにその接続部分には膜の
めくり上がりは見ら無かったが、その接続部分の孔の内
周には凹凸が見られた。なお、上記した実施形態では、
液晶表示パネルの本配線の断線修復方法について説明し
たが、その他のフラットパネルの画素周辺の配線の断線
の際にも上記した断線修復方法を適用してもよい。 {付 記} (1)画素の側方を通って断線の生じている本配線と前
記本配線に層間絶縁膜を介して形成される予備配線とを
互いの交差領域で接続する工程を有する配線の断線修復
方法において、前記本配線と前記予備配線の前記交差領
域に向けてレーザから第1の出力強度のレーザビームを
照射することにより孔を開口する工程と、前記第1の出
力強度とは異なる第2の出力強度のレーザビームを前記
孔に向けて照射して前記予備配線と前記本配線の一部を
融解して前記予備配線と前記本配線を接続する工程とを
有することを特徴とする配線の断線修復方法。 (2)前記第2の出力強度は、前記第1の出力強度より
も高いことを特徴とする(1)に記載の配線の断線修復
方法。 (3)前記孔を開口するための前記第1の出力強度の前
記レーザビームの照射は複数回行われることを特徴とす
る(1)に記載の配線の断線修復方法。 (4)前記レーザは、出力波長の変更により前記レーザ
ビームの出力強度を調整できる特性を有していることを
特徴とする(1)に記載の配線の断線修復方法。 (5)前記レーザビームは、前記第1の出力強度と前記
第2の出力強度の間の第3の出力強度で前記孔に向けて
さらに照射されることを特徴とする(1)に記載の配線
の断線修復方法。 (6)前記レーザビームの照射位置は、前記交差領域に
ある前記予備配線の縁又は前記本配線の縁であることを
特徴とする(1)に記載の配線の断線修復方法。 (7)前記予備配線を保護絶縁膜で覆い、該保護絶縁膜
のうち前記交差領域の一部に位置合わせ用孔を形成し、
該位置合わせ用孔に向けて前記レーザビームが照射され
ることを特徴とする(1)に記載の配線の断線修復方
法。 (8)前記交差領域における前記本配線と前記予備配線
のうち少なくとも一方に位置合わせ用孔を形成し、該位
置合わせ用孔に向けて前記レーザビームが照射されるこ
とを特徴とする(1)に記載の配線の断線修復方法。 (9)前記本配線は、液晶表示パネルのドレインバスラ
イン又はゲートバスラインであることを特徴とする
(1)に記載の配線の断線修復方法。 (10)前記予備配線は表示パネルの表示領域を迂回し
て該表示領域の周囲に形成されることを特徴とする
(1)に記載の配線の断線修復方法。 (11)前記交差領域には、前記本配線と前記予備配線
のいずれかに接続される導電性パッドが形成されている
ことを特徴とする(1)に記載の配線の断線修復方法。 (12)基板の上で、内部から周辺に延在し、且つ途中
に切断部分の存在する本配線と、前記基板の周辺に形成
され、前記本配線の上又は下に絶縁膜を介して重ねられ
て形成された予備配線と、前記絶縁膜の孔を通して前記
予備配線と前記本配線を溶融状態で接続し、且つ該孔の
内面に沿った断面に凹凸を有する接続部とを有すること
を特徴とする多層配線構造。 (13)前記本配線は、液晶表示パネルのドレインバス
ライン又はゲートバスラインであることを特徴とする
(12)に記載の多層配線構造。 (14)前記予備配線は、表示パネルの表示領域を迂回
して該表示領域の周囲に形成されることを特徴とする
(12)に記載の多層配線構造。 (15)前記本配線と前記予備配線のいずれかに接続さ
れる導電性パッドが前記交差領域に形成されていること
を特徴とする(12)に記載の多層配線構造。 (16)前記基板には、液晶表示パネルの液晶を挟んで
第2の基板が対向して配置されることを特徴とする(1
2)に記載の多層配線構造。
線と予備配線を互いの交差領域において接続する際に、
レーザビーム照射によって本配線と予備配線に孔を設
け、その後に、出力強度を変化させたレーザビーム照射
によって本配線と予備配線とを融解するといった2段階
で本配線と予備配線を接続するようにしたので、本線と
予備配線をその交差領域において確実に接続することが
でき、配線欠陥修復の信頼性を向上することができる。
ているが、それらのレーザビームの強度を変化させて調
整しているので、本配線と予備配線の交差部分の破壊を
未然に防止できる。
予備配線との配置関係を示す断面図、図1(b) は、その
バスラインと予備配線との配置関係を示す平面図、図1
(c) は、従来の配線の断線修復方法を示す断面図であ
る。
予備配線の接続状態を示すSEM写真である。
パネルにおいて、複数のバスラインと予備配線の配置関
係を示す平面図、図3(b) は、複数のバスラインの層構
造を示す断面図、図3(c) は、バスラインと予備配線の
層構造を示す断面図である。
パネルの分解斜視図、図4(b)は、その表示パネル内に
形成される1画素領域の構造を示す平面図、図4(c)
は、その1画素領域の構造を示す断面図である。
表示パネルに用いるバスラインと予備配線の配置関係を
示す平面図(その1)である。
表示パネルに用いるバスラインと予備配線の配置関係を
示す平面図(その2)である。
装置の概要図である。
装置の出力波長と出力強度の関係を示す図である。
ルにおけるバスラインと予備配線の接続方法を示す断面
図(その1)である。
パネルにおけるバスラインと予備配線の接続方法を示す
断面図(その2)である。
係る表示パネルにおけるバスラインと予備配線へのレー
ザ照射位置をバスラインの縁に合わせた例を示す断面図
である。
係る表示パネルにおけるバスラインと予備配線の配置関
係を示す断面図及び平面図(その1)である。
係る表示パネルにおけるバスラインと予備配線の配置関
係を示す断面図及び平面図(その2)である。
係る表示パネル内のバスラインと予備配線の接続方法を
示す断面図である。
接続部分の一例を示すSEM写真である。
トバスライン、13…ドレインバスライン、13b,1
3f…パッド、13x…孔、14,15…層間絶縁膜、
16…予備配線、16a,16b…パッド、16x…
孔、17…薄膜トランジスタ、18…画素電極、19…
層間絶縁膜、20…保護絶縁膜、20a…孔、21…第
2の透明基板、22…共通電極、23…カラーフィル
タ、24…液晶、30…走査ドライバ、31…信号ドラ
イバ、41…ステージ、42…レーザ、43…制御回
路、44,45…位置合わせ用孔。
Claims (7)
- 【請求項1】断線の生じている本配線と前記本配線に層
間絶縁膜を介して形成される予備配線とを互いの交差領
域で接続する工程を有する配線の断線修復方法におい
て、 前記本配線と前記予備配線の前記交差領域に向けてレー
ザから第1の出力強度のレーザビームを照射することに
より孔を開口する工程と、 前記第1の出力強度とは異なる第2の出力強度のレーザ
ビームを前記孔に向けて照射して前記予備配線と前記本
配線の一部を融解して前記予備配線と前記本配線を接続
する工程とを有することを特徴とする配線の断線修復方
法。 - 【請求項2】前記レーザは、出力波長の変更によって前
記レーザビームの出力強度を調整できる特性を有してい
ることを特徴とする請求項1に記載の配線の断線修復方
法。 - 【請求項3】前記レーザビームは、前記第1の出力強度
と前記第2の出力強度の間の第3の出力強度で前記孔に
向けてさらに照射されることを特徴とする請求項1に記
載の配線の断線修復方法。 - 【請求項4】前記予備配線を保護絶縁膜で覆い、該保護
絶縁膜のうち前記交差領域の一部に位置合わせ用孔を形
成し、該位置合わせ用孔に向けて前記レーザビームが照
射されることを特徴とする請求項1に記載の配線の断線
修復方法。 - 【請求項5】前記交差領域における前記本配線と前記予
備配線のうち少なくとも一方に位置合わせ用孔を形成
し、該位置合わせ用孔に向けて前記レーザビームが照射
されることを特徴とする請求項1に記載の配線の断線修
復方法。 - 【請求項6】基板の上で、内部から周辺に延在し、且つ
途中に切断部分の存在する本配線と、 前記基板の周辺に形成され、前記本配線の上又は下に絶
縁膜を介して重ねられて形成された予備配線と、 前記絶縁膜の孔を通して前記予備配線と前記本配線を溶
融状態で接続し、且つ該孔の内面に沿った断面に凹凸を
有する接続部とを有することを特徴とする多層配線構
造。 - 【請求項7】前記本配線と前記予備配線の交差領域に
は、前記本配線と前記予備配線のいずれかに接続される
導電性パッドが形成されていることを特徴とする請求項
6に記載の多層配線構造。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29254699A JP4465065B2 (ja) | 1998-10-30 | 1999-10-14 | 配線の断線修復方法 |
| KR1019990045975A KR100559803B1 (ko) | 1998-10-30 | 1999-10-22 | 배선의 단선 복구 방법 및 다층 배선 구조 |
| TW088118330A TW420797B (en) | 1998-10-30 | 1999-10-22 | Method of repairing disconnected wiring and multilevel wiring structure |
| US09/425,464 US6448533B1 (en) | 1998-10-30 | 1999-10-22 | Method of repairing disconnected wiring and multilevel wiring structure |
| US10/190,381 US6593661B2 (en) | 1998-10-30 | 2002-07-03 | Method of repairing disconnected wiring and multilevel wiring structure |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31027398 | 1998-10-30 | ||
| JP10-310273 | 1998-10-30 | ||
| JP29254699A JP4465065B2 (ja) | 1998-10-30 | 1999-10-14 | 配線の断線修復方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200051A true JP2000200051A (ja) | 2000-07-18 |
| JP4465065B2 JP4465065B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=26559041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29254699A Expired - Fee Related JP4465065B2 (ja) | 1998-10-30 | 1999-10-14 | 配線の断線修復方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6448533B1 (ja) |
| JP (1) | JP4465065B2 (ja) |
| KR (1) | KR100559803B1 (ja) |
| TW (1) | TW420797B (ja) |
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| US8301290B2 (en) | 2009-10-22 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | System and method for correcting systematic parametric variations on integrated circuit chips in order to minimize circuit limited yield loss |
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| JP2590856B2 (ja) | 1987-01-27 | 1997-03-12 | 三菱電機株式会社 | 回路基板およびその修復方法 |
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-
1999
- 1999-10-14 JP JP29254699A patent/JP4465065B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-22 TW TW088118330A patent/TW420797B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-10-22 KR KR1019990045975A patent/KR100559803B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-22 US US09/425,464 patent/US6448533B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-03 US US10/190,381 patent/US6593661B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6593661B2 (en) | 2003-07-15 |
| KR20000029256A (ko) | 2000-05-25 |
| JP4465065B2 (ja) | 2010-05-19 |
| KR100559803B1 (ko) | 2006-03-15 |
| TW420797B (en) | 2001-02-01 |
| US20020174539A1 (en) | 2002-11-28 |
| US6448533B1 (en) | 2002-09-10 |
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Legal Events
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|
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |