JP2000201031A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３元ＡＰＤの増倍率を最適値に設定する。
【解決手段】 温度検出回路８は３元ＡＰＤ１の温度を
検出する。ＲＯＭ９は、３元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧
と増倍率との関係を各温度ごとに記憶している。逆バイ
アス印加回路７は、逆バイアス制御回路６で決定された
逆バイアス電圧を３元ＡＰＤ１に印加する。逆バイアス
制御回路６は、温度検出回路８で検出された３元ＡＰＤ
１の温度に対応する逆バイアス電圧と増倍率との関係を
ＲＯＭ９から読み出し、この関係と３元ＡＰＤ１の受光
電力とピーク検出回路５で検出された振幅ピーク値に基
づいて、３元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧を決定する。
検出する。ＲＯＭ９は、３元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧
と増倍率との関係を各温度ごとに記憶している。逆バイ
アス印加回路７は、逆バイアス制御回路６で決定された
逆バイアス電圧を３元ＡＰＤ１に印加する。逆バイアス
制御回路６は、温度検出回路８で検出された３元ＡＰＤ
１の温度に対応する逆バイアス電圧と増倍率との関係を
ＲＯＭ９から読み出し、この関係と３元ＡＰＤ１の受光
電力とピーク検出回路５で検出された振幅ピーク値に基
づいて、３元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧を決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信回路に係
り、特に３元ＡＰＤを受光素子とする光受信回路に関す
るものである。
り、特に３元ＡＰＤを受光素子とする光受信回路に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光受信回路の受光素子とし
て、ＧａＩｎＡｓアバランシェフォトダイオード（以
下、３元ＡＰＤという）が知られている。図２に、この
３元ＡＰＤの逆バイアス電圧Ｖと増倍率Ｍとの関係を示
し、図３に、３元ＡＰＤの増倍率Ｍと帯域との関係を示
す。３元ＡＰＤは、ＳｉＡＰＤ等と比べて暗電流が小さ
いという特徴を有しているが、図２のように増倍率Ｍが
温度によって大きく変動し、また図３のように増倍率Ｍ
がＭｍｉｎを下回ると、その帯域が急激に劣化するとい
う欠点をもっている。
て、ＧａＩｎＡｓアバランシェフォトダイオード（以
下、３元ＡＰＤという）が知られている。図２に、この
３元ＡＰＤの逆バイアス電圧Ｖと増倍率Ｍとの関係を示
し、図３に、３元ＡＰＤの増倍率Ｍと帯域との関係を示
す。３元ＡＰＤは、ＳｉＡＰＤ等と比べて暗電流が小さ
いという特徴を有しているが、図２のように増倍率Ｍが
温度によって大きく変動し、また図３のように増倍率Ｍ
がＭｍｉｎを下回ると、その帯域が急激に劣化するとい
う欠点をもっている。
【０００３】そこで、従来の光受信回路では、このよう
な３元ＡＰＤの欠点を以下のようにして克服していた。
図４は、特開平５−１０２７４４号公報に開示された、
従来の光受信回路のブロック図である。図４の光受信回
路は、光信号を光電変換して電流信号を出力する３元Ａ
ＰＤ２１と、光電流を電圧信号に変換する前置増幅回路
２２と、その出力を等価増幅する等化増幅回路２３と、
等化増幅回路２３の出力信号の高周波成分を取り出すハ
イパスフィルタ２４と、ハイパスフィルタ２４で取り出
した高周波成分の振幅ピーク値を検出するピーク検出回
路２５と、３元ＡＰＤ２１の受光電力に応じて逆バイア
ス電圧を決定する逆バイアス制御回路２６と、逆バイア
ス制御回路２６の制御に従って３元ＡＰＤ２１に逆バイ
アス電圧を印加する逆バイアス印加回路２７とを有して
いる。
な３元ＡＰＤの欠点を以下のようにして克服していた。
図４は、特開平５−１０２７４４号公報に開示された、
従来の光受信回路のブロック図である。図４の光受信回
路は、光信号を光電変換して電流信号を出力する３元Ａ
ＰＤ２１と、光電流を電圧信号に変換する前置増幅回路
２２と、その出力を等価増幅する等化増幅回路２３と、
等化増幅回路２３の出力信号の高周波成分を取り出すハ
イパスフィルタ２４と、ハイパスフィルタ２４で取り出
した高周波成分の振幅ピーク値を検出するピーク検出回
路２５と、３元ＡＰＤ２１の受光電力に応じて逆バイア
ス電圧を決定する逆バイアス制御回路２６と、逆バイア
ス制御回路２６の制御に従って３元ＡＰＤ２１に逆バイ
アス電圧を印加する逆バイアス印加回路２７とを有して
いる。
【０００４】逆バイアス制御回路２６は、通常、３元Ａ
ＰＤ２１の受光電力が大きくなるに従って、３元ＡＰＤ
２１の増倍率Ｍを下げるように、つまり３元ＡＰＤ２１
に印加する逆バイアス電圧を下げるように動作する。こ
のとき、増倍率Ｍを低下させる制御によって増倍率Ｍが
Ｍｍｉｎより小さくなると、等化増幅回路２３の出力信
号のうち高周波成分が低下し、帯域不足となる。図４の
光受信回路の出力信号、すなわち等化増幅回路２３の出
力信号をアイパターンで観測すると、増倍率ＭがＭｍｉ
ｎ〜Ｍｍａｘの範囲にあれば、図５（ａ）のようにアイ
は十分に開く。これに対し、増倍率ＭがＭｍｉｎより小
さくなると、帯域不足のために図５（ｂ）のようにアイ
が閉じる。
ＰＤ２１の受光電力が大きくなるに従って、３元ＡＰＤ
２１の増倍率Ｍを下げるように、つまり３元ＡＰＤ２１
に印加する逆バイアス電圧を下げるように動作する。こ
のとき、増倍率Ｍを低下させる制御によって増倍率Ｍが
Ｍｍｉｎより小さくなると、等化増幅回路２３の出力信
号のうち高周波成分が低下し、帯域不足となる。図４の
光受信回路の出力信号、すなわち等化増幅回路２３の出
力信号をアイパターンで観測すると、増倍率ＭがＭｍｉ
ｎ〜Ｍｍａｘの範囲にあれば、図５（ａ）のようにアイ
は十分に開く。これに対し、増倍率ＭがＭｍｉｎより小
さくなると、帯域不足のために図５（ｂ）のようにアイ
が閉じる。
【０００５】そこで、図４の光受信回路では、ハイパス
フィルタ２４によって等化増幅回路２３の出力信号の高
周波成分を取り出し、ピーク検出回路２５で高周波成分
の振幅ピーク値を検出する。そして、逆バイアス制御回
路２６は、このピーク検出回路２５によって検出された
ピーク値が所定のしきい値以下になると、３元ＡＰＤ２
１の増倍率Ｍを上げるように、つまり３元ＡＰＤ２１に
印加する逆バイアス電圧を上げるように動作する。こう
して、図４の光受信回路では、増倍率ＭがＭｍｉｎを下
回ることによる帯域の急激な劣化を防止して、図５
（ｂ）のようにアイが閉じることを防止している。
フィルタ２４によって等化増幅回路２３の出力信号の高
周波成分を取り出し、ピーク検出回路２５で高周波成分
の振幅ピーク値を検出する。そして、逆バイアス制御回
路２６は、このピーク検出回路２５によって検出された
ピーク値が所定のしきい値以下になると、３元ＡＰＤ２
１の増倍率Ｍを上げるように、つまり３元ＡＰＤ２１に
印加する逆バイアス電圧を上げるように動作する。こう
して、図４の光受信回路では、増倍率ＭがＭｍｉｎを下
回ることによる帯域の急激な劣化を防止して、図５
（ｂ）のようにアイが閉じることを防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光受信回路では、受光電力が大きくなったときに、増倍
率ＭをＭｍｉｎより大きくするために、３元ＡＰＤ２１
に過大な電流が流れることがあり、３元ＡＰＤ２１の劣
化を早めてしまうという問題点があった。また、経年変
化により３元ＡＰＤ２１が特性劣化して受光電力が低下
した場合にも、ダイナミックレンジを確保しようとして
増倍率Ｍを上げるため、３元ＡＰＤ２１の劣化をさらに
早めてしまうという問題点があった。また、３元ＡＰＤ
２１の増倍率Ｍは、図２のように温度によって大きく変
動する。しかし、従来の光受信回路では、このような温
度特性を考慮していないため、３元ＡＰＤ２１の増倍率
Ｍを最適値に設定できず、光受信回路の出力信号振幅が
不足することがあるという問題点があった。本発明は、
上記課題を解決するためになされたもので、３元ＡＰＤ
の増倍率を最適値に設定することができる光受信回路を
提供することを目的とする。
光受信回路では、受光電力が大きくなったときに、増倍
率ＭをＭｍｉｎより大きくするために、３元ＡＰＤ２１
に過大な電流が流れることがあり、３元ＡＰＤ２１の劣
化を早めてしまうという問題点があった。また、経年変
化により３元ＡＰＤ２１が特性劣化して受光電力が低下
した場合にも、ダイナミックレンジを確保しようとして
増倍率Ｍを上げるため、３元ＡＰＤ２１の劣化をさらに
早めてしまうという問題点があった。また、３元ＡＰＤ
２１の増倍率Ｍは、図２のように温度によって大きく変
動する。しかし、従来の光受信回路では、このような温
度特性を考慮していないため、３元ＡＰＤ２１の増倍率
Ｍを最適値に設定できず、光受信回路の出力信号振幅が
不足することがあるという問題点があった。本発明は、
上記課題を解決するためになされたもので、３元ＡＰＤ
の増倍率を最適値に設定することができる光受信回路を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光受信回路は、
３元ＡＰＤ（１）の光電流を電圧信号に変換する前置増
幅回路（２）と、前置増幅回路の出力信号を増幅するＡ
ＧＣ増幅回路（３）と、前置増幅回路の出力信号の高周
波成分を取り出すハイパスフィルタ（４）と、この高周
波成分の振幅ピーク値を検出するピーク検出回路（５）
と、３元ＡＰＤの温度を検出する温度検出回路（８）
と、３元ＡＰＤの逆バイアス電圧と増倍率との関係を各
温度ごとに記憶したメモリ（９）と、温度検出回路で検
出された３元ＡＰＤの温度に対応する逆バイアス電圧と
増倍率との関係をメモリから読み出し、この関係と３元
ＡＰＤの受光電力とピーク検出回路で検出された振幅ピ
ーク値に基づいて、３元ＡＰＤの逆バイアス電圧を決定
する逆バイアス制御回路（６）と、逆バイアス制御回路
で決定された逆バイアス電圧を３元ＡＰＤに印加する逆
バイアス印加回路（７）とを有するものである。
３元ＡＰＤ（１）の光電流を電圧信号に変換する前置増
幅回路（２）と、前置増幅回路の出力信号を増幅するＡ
ＧＣ増幅回路（３）と、前置増幅回路の出力信号の高周
波成分を取り出すハイパスフィルタ（４）と、この高周
波成分の振幅ピーク値を検出するピーク検出回路（５）
と、３元ＡＰＤの温度を検出する温度検出回路（８）
と、３元ＡＰＤの逆バイアス電圧と増倍率との関係を各
温度ごとに記憶したメモリ（９）と、温度検出回路で検
出された３元ＡＰＤの温度に対応する逆バイアス電圧と
増倍率との関係をメモリから読み出し、この関係と３元
ＡＰＤの受光電力とピーク検出回路で検出された振幅ピ
ーク値に基づいて、３元ＡＰＤの逆バイアス電圧を決定
する逆バイアス制御回路（６）と、逆バイアス制御回路
で決定された逆バイアス電圧を３元ＡＰＤに印加する逆
バイアス印加回路（７）とを有するものである。
【０００８】また、上記ＡＧＣ増幅回路（３）の出力信
号からクロック成分を抽出するクロック抽出回路（１
０）と、このクロック成分のレベルを検出するレベル検
出回路（１１）と、上記ＡＧＣ増幅回路の出力信号を一
定振幅にするために、レベル検出回路で検出されたクロ
ック成分のレベルを所定のしきい値と比較して、ＡＧＣ
増幅回路の利得を制御する比較回路（１２）とを有する
ものである。
号からクロック成分を抽出するクロック抽出回路（１
０）と、このクロック成分のレベルを検出するレベル検
出回路（１１）と、上記ＡＧＣ増幅回路の出力信号を一
定振幅にするために、レベル検出回路で検出されたクロ
ック成分のレベルを所定のしきい値と比較して、ＡＧＣ
増幅回路の利得を制御する比較回路（１２）とを有する
ものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施
の形態を示す光受信回路のブロック図である。本実施の
形態の光受信回路は、光信号を光電変換して電流信号を
出力する３元ＡＰＤ１と、３元ＡＰＤ１の光電流を電圧
信号に変換する前置増幅回路２と、前置増幅回路２の出
力信号を増幅するＡＧＣ増幅回路３と、前置増幅回路２
の出力信号の高周波成分を取り出すハイパスフィルタ４
と、ハイパスフィルタ４で取り出した高周波成分の振幅
ピーク値を検出するピーク検出回路５と、３元ＡＰＤ１
の現在の温度に対応する逆バイアス電圧と増倍率との関
係を後述するＲＯＭから読み出し、この関係と３元ＡＰ
Ｄ１の受光電力と後述する振幅ピーク値に基づいて、３
元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧を決定する逆バイアス制御
回路６と、逆バイアス制御回路６の制御に従って３元Ａ
ＰＤ１に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス印加回路
７と、３元ＡＰＤ１の温度を検出する温度検出回路８
と、３元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧Ｖと増倍率Ｍとの関
係（以下、Ｖ−Ｍ特性と呼ぶ）を各温度ごとに記憶した
ＲＯＭ９と、ＡＧＣ増幅回路３の出力信号からクロック
成分を抽出するクロック抽出回路１０と、このクロック
成分のレベルを検出するレベル検出回路１１と、レベル
検出回路１１で検出されたクロック成分のレベルを所定
のしきい値Ｖｔｈと比較し、ＡＧＣ増幅回路３の利得を
制御する比較回路１２とを有している。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施
の形態を示す光受信回路のブロック図である。本実施の
形態の光受信回路は、光信号を光電変換して電流信号を
出力する３元ＡＰＤ１と、３元ＡＰＤ１の光電流を電圧
信号に変換する前置増幅回路２と、前置増幅回路２の出
力信号を増幅するＡＧＣ増幅回路３と、前置増幅回路２
の出力信号の高周波成分を取り出すハイパスフィルタ４
と、ハイパスフィルタ４で取り出した高周波成分の振幅
ピーク値を検出するピーク検出回路５と、３元ＡＰＤ１
の現在の温度に対応する逆バイアス電圧と増倍率との関
係を後述するＲＯＭから読み出し、この関係と３元ＡＰ
Ｄ１の受光電力と後述する振幅ピーク値に基づいて、３
元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧を決定する逆バイアス制御
回路６と、逆バイアス制御回路６の制御に従って３元Ａ
ＰＤ１に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス印加回路
７と、３元ＡＰＤ１の温度を検出する温度検出回路８
と、３元ＡＰＤ１の逆バイアス電圧Ｖと増倍率Ｍとの関
係（以下、Ｖ−Ｍ特性と呼ぶ）を各温度ごとに記憶した
ＲＯＭ９と、ＡＧＣ増幅回路３の出力信号からクロック
成分を抽出するクロック抽出回路１０と、このクロック
成分のレベルを検出するレベル検出回路１１と、レベル
検出回路１１で検出されたクロック成分のレベルを所定
のしきい値Ｖｔｈと比較し、ＡＧＣ増幅回路３の利得を
制御する比較回路１２とを有している。
【００１０】次に、本実施の形態の光受信回路の動作に
ついて説明する。入力された光信号は、３元ＡＰＤ１に
よって光電流信号に変換される。３元ＡＰＤ１から出力
された光電流信号は、前置増幅回路２によって増幅され
電圧信号に変換される。逆バイアス印加回路７は、逆バ
イアス制御回路６の制御に従って３元ＡＰＤ１に逆バイ
アス電圧を印加する。
ついて説明する。入力された光信号は、３元ＡＰＤ１に
よって光電流信号に変換される。３元ＡＰＤ１から出力
された光電流信号は、前置増幅回路２によって増幅され
電圧信号に変換される。逆バイアス印加回路７は、逆バ
イアス制御回路６の制御に従って３元ＡＰＤ１に逆バイ
アス電圧を印加する。
【００１１】逆バイアス制御回路６は、通常、３元ＡＰ
Ｄ１の受光電力が大きくなるに従って、３元ＡＰＤ１の
増倍率Ｍを下げるように、つまり３元ＡＰＤ１に印加す
る逆バイアス電圧を下げるように動作する。こうして、
光受信回路の出力信号レベル（ＡＧＣ増幅回路３の出力
信号レベル）が一定となるように逆バイアス印加回路７
を制御している。
Ｄ１の受光電力が大きくなるに従って、３元ＡＰＤ１の
増倍率Ｍを下げるように、つまり３元ＡＰＤ１に印加す
る逆バイアス電圧を下げるように動作する。こうして、
光受信回路の出力信号レベル（ＡＧＣ増幅回路３の出力
信号レベル）が一定となるように逆バイアス印加回路７
を制御している。
【００１２】このとき、増倍率Ｍを低下させる制御によ
って増倍率ＭがＭｍｉｎより小さくなると、前置増幅回
路２の出力信号のうち高周波成分が低下し、図５（ｂ）
のようにアイが閉じて帯域不足となる。本実施の形態で
は、このような帯域の劣化を防止するために、ハイパス
フィルタ４によって前置増幅回路２の出力信号の高周波
成分を取り出し、ピーク検出回路５で高周波成分の振幅
ピーク値を検出する。
って増倍率ＭがＭｍｉｎより小さくなると、前置増幅回
路２の出力信号のうち高周波成分が低下し、図５（ｂ）
のようにアイが閉じて帯域不足となる。本実施の形態で
は、このような帯域の劣化を防止するために、ハイパス
フィルタ４によって前置増幅回路２の出力信号の高周波
成分を取り出し、ピーク検出回路５で高周波成分の振幅
ピーク値を検出する。
【００１３】そして、逆バイアス制御回路６は、このピ
ーク検出回路５によって検出されたピーク値が所定のし
きい値以下になると、３元ＡＰＤ１の増倍率Ｍを上げる
ように、つまり３元ＡＰＤ１に印加する逆バイアス電圧
を上げるように逆バイアス印加回路７を制御する。この
ようにして、増倍率ＭがＭｍｉｎを下回ることによる帯
域の急激な劣化を防止し、図５（ｂ）のようにアイが閉
じることを防止している。
ーク検出回路５によって検出されたピーク値が所定のし
きい値以下になると、３元ＡＰＤ１の増倍率Ｍを上げる
ように、つまり３元ＡＰＤ１に印加する逆バイアス電圧
を上げるように逆バイアス印加回路７を制御する。この
ようにして、増倍率ＭがＭｍｉｎを下回ることによる帯
域の急激な劣化を防止し、図５（ｂ）のようにアイが閉
じることを防止している。
【００１４】ただし、３元ＡＰＤ１の増倍率Ｍは、図２
のように温度によって大きく変動するため、このような
温度特性を考慮しないと、以上のような制御を適切に行
うことができなくなる。そこで、逆バイアス制御回路６
は、温度検出回路８で検出された３元ＡＰＤ１の現在の
温度に対応するＶ−Ｍ特性をＲＯＭ９から読み出す。そ
して、逆バイアス制御回路６は、このＶ−Ｍ特性に基づ
いて前述のように逆バイアス電圧を決定する。こうし
て、３元ＡＰＤ１の増倍率Ｍを最適値に設定することが
できる。なお、上記Ｖ−Ｍ特性は、使用する個々の３元
ＡＰＤ１に応じてＲＯＭ９に書き込まれる。
のように温度によって大きく変動するため、このような
温度特性を考慮しないと、以上のような制御を適切に行
うことができなくなる。そこで、逆バイアス制御回路６
は、温度検出回路８で検出された３元ＡＰＤ１の現在の
温度に対応するＶ−Ｍ特性をＲＯＭ９から読み出す。そ
して、逆バイアス制御回路６は、このＶ−Ｍ特性に基づ
いて前述のように逆バイアス電圧を決定する。こうし
て、３元ＡＰＤ１の増倍率Ｍを最適値に設定することが
できる。なお、上記Ｖ−Ｍ特性は、使用する個々の３元
ＡＰＤ１に応じてＲＯＭ９に書き込まれる。
【００１５】また、本実施の形態では、図４の等化増幅
回路２３と同等の機能をもつＡＧＣ増幅回路３の出力信
号からクロック成分を抽出するクロック抽出回路１０
と、このクロック成分のレベルを検出するレベル検出回
路１１と、レベル検出回路１１で検出されたクロック成
分のレベルを所定のしきい値Ｖｔｈと比較し、ＡＧＣ増
幅回路３の利得を制御する比較回路１２とを設けること
により、光受信回路の出力（ＡＧＣ増幅回路３の出力）
で一定振幅の信号が得られるようにした。
回路２３と同等の機能をもつＡＧＣ増幅回路３の出力信
号からクロック成分を抽出するクロック抽出回路１０
と、このクロック成分のレベルを検出するレベル検出回
路１１と、レベル検出回路１１で検出されたクロック成
分のレベルを所定のしきい値Ｖｔｈと比較し、ＡＧＣ増
幅回路３の利得を制御する比較回路１２とを設けること
により、光受信回路の出力（ＡＧＣ増幅回路３の出力）
で一定振幅の信号が得られるようにした。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、個々の３元ＡＰＤの特
性をメモリに書き込むため、３元ＡＰＤのばらつきを考
慮する必要がなくなり、３元ＡＰＤの温度が変動したと
しても、３元ＡＰＤの増倍率を最適値に設定することが
できる。その結果、３元ＡＰＤの劣化を早めることがな
くなる。
性をメモリに書き込むため、３元ＡＰＤのばらつきを考
慮する必要がなくなり、３元ＡＰＤの温度が変動したと
しても、３元ＡＰＤの増倍率を最適値に設定することが
できる。その結果、３元ＡＰＤの劣化を早めることがな
くなる。
【００１７】また、クロック抽出回路、レベル検出回
路、レベル検出回路及び比較回路を設けることにより、
光受信回路（ＡＧＣ増幅回路）の出力信号を一定振幅に
することができるので、出力信号振幅の不足を防止する
ことができる。また、３元ＡＰＤの特性が経年変化した
場合でも、電気で増幅してダイナミックレンジを一定と
するため、３元ＡＰＤの劣化を防止する効果を有する。
路、レベル検出回路及び比較回路を設けることにより、
光受信回路（ＡＧＣ増幅回路）の出力信号を一定振幅に
することができるので、出力信号振幅の不足を防止する
ことができる。また、３元ＡＰＤの特性が経年変化した
場合でも、電気で増幅してダイナミックレンジを一定と
するため、３元ＡＰＤの劣化を防止する効果を有する。
【図１】 本発明の実施の形態を示す光受信回路のブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】 ３元ＡＰＤの逆バイアス電圧と増倍率との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図３】 ３元ＡＰＤの増倍率と帯域との関係を示す図
である。
である。
【図４】 従来の光受信回路のブロック図である。
【図５】 光受信回路の出力信号のアイパターンを示す
図である。
図である。
１…３元ＡＰＤ、２…前置増幅回路、３…ＡＧＣ増幅回
路、４…ハイパスフィルタ、５…ピーク検出回路、６…
逆バイアス制御回路、７…逆バイアス印加回路、８…温
度検出回路、９…ＲＯＭ、１０…クロック抽出回路、１
１…レベル検出回路、１２…比較回路。
路、４…ハイパスフィルタ、５…ピーク検出回路、６…
逆バイアス制御回路、７…逆バイアス印加回路、８…温
度検出回路、９…ＲＯＭ、１０…クロック抽出回路、１
１…レベル検出回路、１２…比較回路。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/14 10/04 10/06
Claims (2)
- 【請求項１】 ３元ＡＰＤを受光素子とする光受信回路
において、 ３元ＡＰＤの光電流を電圧信号に変換する前置増幅回路
と、 前置増幅回路の出力信号を増幅するＡＧＣ増幅回路と、 前置増幅回路の出力信号の高周波成分を取り出すハイパ
スフィルタと、 この高周波成分の振幅ピーク値を検出するピーク検出回
路と、 ３元ＡＰＤの温度を検出する温度検出回路と、 ３元ＡＰＤの逆バイアス電圧と増倍率との関係を各温度
ごとに記憶したメモリと、 温度検出回路で検出された３元ＡＰＤの温度に対応する
逆バイアス電圧と増倍率との関係をメモリから読み出
し、この関係と３元ＡＰＤの受光電力とピーク検出回路
で検出された振幅ピーク値に基づいて、３元ＡＰＤの逆
バイアス電圧を決定する逆バイアス制御回路と、 逆バイアス制御回路で決定された逆バイアス電圧を３元
ＡＰＤに印加する逆バイアス印加回路とを有することを
特徴とする光受信回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の光受信回路において、 前記ＡＧＣ増幅回路の出力信号からクロック成分を抽出
するクロック抽出回路と、 このクロック成分のレベルを検出するレベル検出回路
と、 前記ＡＧＣ増幅回路の出力信号を一定振幅にするため
に、レベル検出回路で検出されたクロック成分のレベル
を所定のしきい値と比較して、ＡＧＣ増幅回路の利得を
制御する比較回路とを有することを特徴とする光受信回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001645A JP2000201031A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001645A JP2000201031A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201031A true JP2000201031A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11507268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11001645A Pending JP2000201031A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201031A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002084235A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Fujitsu Ltd | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
| US7332702B2 (en) | 2002-08-05 | 2008-02-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical receiver and a method for manufacturing the same |
| US7792434B2 (en) | 2005-09-07 | 2010-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical receiver |
| WO2012104448A1 (es) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | Universidad De Malaga | Aparato receptor láser basado en fotodiodo de avalancha termorregulado con control embebido |
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| CN104871456B (zh) * | 2012-10-29 | 2017-05-03 | 菲尼萨公司 | 光接收机中的集成电路 |
-
1999
- 1999-01-07 JP JP11001645A patent/JP2000201031A/ja active Pending
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