JP2000202244A - 一酸化窒素含有排ガスの処理方法及びその処理装置 - Google Patents
一酸化窒素含有排ガスの処理方法及びその処理装置Info
- Publication number
- JP2000202244A JP2000202244A JP11006588A JP658899A JP2000202244A JP 2000202244 A JP2000202244 A JP 2000202244A JP 11006588 A JP11006588 A JP 11006588A JP 658899 A JP658899 A JP 658899A JP 2000202244 A JP2000202244 A JP 2000202244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- exhaust gas
- metal catalyst
- noble metal
- waste gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 186
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 title abstract 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 68
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010531 catalytic reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052680 mordenite Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 102100032566 Carbonic anhydrase-related protein 10 Human genes 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 101000867836 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 10 Proteins 0.000 description 1
- 101001062854 Rattus norvegicus Fatty acid-binding protein 5 Proteins 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 O2 の供給設備を設ける必要がなく、NH3
の消費量も抑え、十分にNOを還元してこれを無害化で
き、ランニングコストも安い、一酸化窒素含有排ガスの
処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 一酸化窒素(NO)含有排ガスを貴金属
触媒に接触させて前記NO含有排ガス中のNOを分解処
理するに際し、前記貴金属触媒の温度を150℃〜40
0℃とし、O2 を共存させず又は共存するO2 の量を前
記NOのモル数の1/4未満のモル数とし、かつ前記N
Oの1モルに対して2/3モル以上の割合のNH3 を存
在させて、一酸化窒素含有排ガスを処理する。
の消費量も抑え、十分にNOを還元してこれを無害化で
き、ランニングコストも安い、一酸化窒素含有排ガスの
処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 一酸化窒素(NO)含有排ガスを貴金属
触媒に接触させて前記NO含有排ガス中のNOを分解処
理するに際し、前記貴金属触媒の温度を150℃〜40
0℃とし、O2 を共存させず又は共存するO2 の量を前
記NOのモル数の1/4未満のモル数とし、かつ前記N
Oの1モルに対して2/3モル以上の割合のNH3 を存
在させて、一酸化窒素含有排ガスを処理する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一酸化窒素(N
O)を含有する排ガスの無害化処理方法およびその装置
に係り、特に半導体工業における化学蒸着(以下、CV
Dともいう)工程等から出る排ガス中の一酸化窒素を分
解除去し、無害化する方法およびその装置に関する。
O)を含有する排ガスの無害化処理方法およびその装置
に係り、特に半導体工業における化学蒸着(以下、CV
Dともいう)工程等から出る排ガス中の一酸化窒素を分
解除去し、無害化する方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工業では環境や人体に対して
有害な多種類のガスを使用する。そのため、こうした工
場の周辺では一般に環境汚染が懸念されている。特にC
VD工程等では窒素酸化物を使用し、窒素酸化物等を含
む排ガスが出る。これを除去方法としては例えば以下の
3つの例がある。 [1] NOを除去する方法としては、例えば、NH3 を用
いた選択的接触還元法がある。選択的接触還元法という
のは、V2O5−WO3−TiO2系の脱硝触媒を用い、N
H3 とO2 とにより選択的にNOをN2 とH2Oに分解
する方法である。 [2] また、NH3 とPd触媒を用いた脱硝法として、本
出願人は先に特願平9−098995号明細書に記載の
処理方法を提案している。 [3] 更に、ウイリアムら (J.L. Williams, I.M. Lachma
n, T.F. Rosenbusch &K.E. Zaun) は論題“Washcoat-in
-the-wall Honeycomb Catalysts For SCR ofNOx"におい
て、触媒A(TiO2/SiO2 と、Cu−モルデナイトと、Fe−
モルデナイトと、V2O5/Fe2O3との混合触媒)もしくは触
媒B(TiO2/SiO2 と、V2O5/Fe2O3との混合触媒)を用
い、触媒温度 350℃で、一酸化窒素NO (1000ppm)と,
アンモニアNH3(1000ppm)と,水蒸気H2O(10%)と
の混合ガスにおける酸素(O2)の量を0〜10%の範囲
で変化させた場合の前記一酸化窒素NOの変化率を測定
し、その結果を報告している〔Proc A & WNA Annu. Mee
t. (Air Waste Manage. Assoc.) 82巻 [6号] 89.96B.5.
1〜89.96B.5.16 1989年〕。しかしながら、これら3つ
の方法はいずれの方法も、酸素(O2)共存下での窒素酸
化物の処理を前提としている。
有害な多種類のガスを使用する。そのため、こうした工
場の周辺では一般に環境汚染が懸念されている。特にC
VD工程等では窒素酸化物を使用し、窒素酸化物等を含
む排ガスが出る。これを除去方法としては例えば以下の
3つの例がある。 [1] NOを除去する方法としては、例えば、NH3 を用
いた選択的接触還元法がある。選択的接触還元法という
のは、V2O5−WO3−TiO2系の脱硝触媒を用い、N
H3 とO2 とにより選択的にNOをN2 とH2Oに分解
する方法である。 [2] また、NH3 とPd触媒を用いた脱硝法として、本
出願人は先に特願平9−098995号明細書に記載の
処理方法を提案している。 [3] 更に、ウイリアムら (J.L. Williams, I.M. Lachma
n, T.F. Rosenbusch &K.E. Zaun) は論題“Washcoat-in
-the-wall Honeycomb Catalysts For SCR ofNOx"におい
て、触媒A(TiO2/SiO2 と、Cu−モルデナイトと、Fe−
モルデナイトと、V2O5/Fe2O3との混合触媒)もしくは触
媒B(TiO2/SiO2 と、V2O5/Fe2O3との混合触媒)を用
い、触媒温度 350℃で、一酸化窒素NO (1000ppm)と,
アンモニアNH3(1000ppm)と,水蒸気H2O(10%)と
の混合ガスにおける酸素(O2)の量を0〜10%の範囲
で変化させた場合の前記一酸化窒素NOの変化率を測定
し、その結果を報告している〔Proc A & WNA Annu. Mee
t. (Air Waste Manage. Assoc.) 82巻 [6号] 89.96B.5.
1〜89.96B.5.16 1989年〕。しかしながら、これら3つ
の方法はいずれの方法も、酸素(O2)共存下での窒素酸
化物の処理を前提としている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記[1] の選択的接触
還元法は、還元剤としてNH3 を使用する。従来の選択
的接触還元法は、O2 存在下で行われている。O2 が全
く存在しないと還元反応は起こらず、O2 濃度が3〜4
%以上ないと反応は進まない。O2 濃度が3〜4%以上
があれば下式の反応が進行して排ガス中のNOが脱硝さ
れる。 4NO+4NH3 +O2 → 4N2 +6H2O
還元法は、還元剤としてNH3 を使用する。従来の選択
的接触還元法は、O2 存在下で行われている。O2 が全
く存在しないと還元反応は起こらず、O2 濃度が3〜4
%以上ないと反応は進まない。O2 濃度が3〜4%以上
があれば下式の反応が進行して排ガス中のNOが脱硝さ
れる。 4NO+4NH3 +O2 → 4N2 +6H2O
【0004】また、前記[2] のNH3 とPd触媒を用い
た脱硝法においても、O2 が数%共存することを前提と
しているため、O2 なしでのNOの脱硝効果には触れて
いない。NOの脱硝にO2 が必要であるとすると、排ガ
ス中にO2 がない場合、新たにO2 を供給する必要がで
てくる。そして、前記[2] のNH3 とPd触媒を用いる
方法では、過剰のO2 がNH3 を酸化分解するため、N
H3 のHが、NOのOのみでなく、O2 のOとも反応
し、NH3 が効率よくNOを分解することができない。
そのため、NH3 の供給量をNOの脱硝に必要な量以上
導入しなければならない。
た脱硝法においても、O2 が数%共存することを前提と
しているため、O2 なしでのNOの脱硝効果には触れて
いない。NOの脱硝にO2 が必要であるとすると、排ガ
ス中にO2 がない場合、新たにO2 を供給する必要がで
てくる。そして、前記[2] のNH3 とPd触媒を用いる
方法では、過剰のO2 がNH3 を酸化分解するため、N
H3 のHが、NOのOのみでなく、O2 のOとも反応
し、NH3 が効率よくNOを分解することができない。
そのため、NH3 の供給量をNOの脱硝に必要な量以上
導入しなければならない。
【0005】更に、前記[3] のウイリアムらの報告に記
載のグラフを図3に示した。図3のグラフでは、縦軸が
一酸化窒素NOの変化率(%)、横軸が混合ガスにおけ
る酸素(O2)の割合(%)である。図3のグラフより分
かるように、触媒A,Bでは、酸素(O2)なしでの一酸
化窒素NOの変化率は0%であり、一酸化窒素NOは全
く変化していないことを示している。
載のグラフを図3に示した。図3のグラフでは、縦軸が
一酸化窒素NOの変化率(%)、横軸が混合ガスにおけ
る酸素(O2)の割合(%)である。図3のグラフより分
かるように、触媒A,Bでは、酸素(O2)なしでの一酸
化窒素NOの変化率は0%であり、一酸化窒素NOは全
く変化していないことを示している。
【0006】前記[1] の選択的接触還元法のようにO2
の存在が脱硝にとって不可欠であるとすると、O2 を供
給するための設備や維持管理のためのコストがかかる。
また、前記[2] の特願平9−098995号明細書に記
載の脱硝法のようにO2 の存在によりNH3 の消費量が
増えると、ランニングコストが大きくなるという問題点
がある。更に、前記[3] のウイリアムらに記載の触媒
A,Bを使った方法でも酸素O2 なしでは、一酸化窒素
NOは全く変化せず、前記[1], [2]と同様の問題を含ん
でいる。
の存在が脱硝にとって不可欠であるとすると、O2 を供
給するための設備や維持管理のためのコストがかかる。
また、前記[2] の特願平9−098995号明細書に記
載の脱硝法のようにO2 の存在によりNH3 の消費量が
増えると、ランニングコストが大きくなるという問題点
がある。更に、前記[3] のウイリアムらに記載の触媒
A,Bを使った方法でも酸素O2 なしでは、一酸化窒素
NOは全く変化せず、前記[1], [2]と同様の問題を含ん
でいる。
【0007】本発明は、O2 の供給設備を設ける必要が
なく、NH3 の消費量も抑え、十分にNOを還元してこ
れを無害化でき、ランニングコストも安い、一酸化窒素
含有排ガス中のNOの処理方法及びその装置を提供する
ことを目的とする。
なく、NH3 の消費量も抑え、十分にNOを還元してこ
れを無害化でき、ランニングコストも安い、一酸化窒素
含有排ガス中のNOの処理方法及びその装置を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の課題は以下の手段
で解決された。 1. 一酸化窒素(NO)含有排ガスを貴金属触媒に接
触させて前記NO含有排ガス中のNOを分解処理するに
際し、前記貴金属触媒の温度を150℃〜400℃と
し、酸素(O2)を共存させずまたは共存するO2 の量を
前記NOのモル数の1/4未満のモル数とし、かつ前記
NOの1モルに対して2/3モル以上の割合のアンモニ
ア(NH3)を存在させて行うことを特徴とする一酸化窒
素含有排ガスの処理方法。 2. 貴金属触媒を収容しこれを150℃〜400℃に
保つことが可能な容器と、一酸化窒素(NO)含有排ガ
スを前記容器に通す通路と、前記容器に、酸素(O2)を
共存させず又は共存するO2 の量を前記NOのモル数の
1/4未満のモル数とする手段と、前記容器に、前記N
Oの1モルに対して2/3モル以上の割合でアンモニア
(NH3)を供給する手段とを有することを特徴とする一
酸化窒素含有排ガスの処理装置。
で解決された。 1. 一酸化窒素(NO)含有排ガスを貴金属触媒に接
触させて前記NO含有排ガス中のNOを分解処理するに
際し、前記貴金属触媒の温度を150℃〜400℃と
し、酸素(O2)を共存させずまたは共存するO2 の量を
前記NOのモル数の1/4未満のモル数とし、かつ前記
NOの1モルに対して2/3モル以上の割合のアンモニ
ア(NH3)を存在させて行うことを特徴とする一酸化窒
素含有排ガスの処理方法。 2. 貴金属触媒を収容しこれを150℃〜400℃に
保つことが可能な容器と、一酸化窒素(NO)含有排ガ
スを前記容器に通す通路と、前記容器に、酸素(O2)を
共存させず又は共存するO2 の量を前記NOのモル数の
1/4未満のモル数とする手段と、前記容器に、前記N
Oの1モルに対して2/3モル以上の割合でアンモニア
(NH3)を供給する手段とを有することを特徴とする一
酸化窒素含有排ガスの処理装置。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を説明す
るが、本発明はこの形態に限定されない。本発明の実施
に当たっては例えば次のような充填塔を用いるとよい。
図1は、本発明の実施に当たって使用するのに適した充
填塔1の部分断面図の一例である。周壁にヒーター2を
内蔵した上下方向に延びる筒体を設け、多数の通気口を
設けた水平の仕切り板3a,3bで内部を上下に仕切っ
てある。仕切り板3aの上部には貴金属触媒処埋剤8を
充填した処理剤充填槽4を設け、仕切り板3bの上部に
はガス混合槽5を設けてある。ガス混合槽5内では排ガ
ス導入管6とアンモニア導入管7とがそれぞれ開口して
いる。なお、貴金属触媒処埋剤8の上部に、排ガスとア
ンモニアガスとを導入し混合するに充分な空間がある場
合には、処理剤充填槽4とガス混合槽5とを仕切ってい
る仕切り板3bは設けなくてもよい。そして、充填塔出
口からは処理剤充填槽4に通じている図示外の排気管が
充填塔1の外に延び、水スクラバー塔に至っている。
るが、本発明はこの形態に限定されない。本発明の実施
に当たっては例えば次のような充填塔を用いるとよい。
図1は、本発明の実施に当たって使用するのに適した充
填塔1の部分断面図の一例である。周壁にヒーター2を
内蔵した上下方向に延びる筒体を設け、多数の通気口を
設けた水平の仕切り板3a,3bで内部を上下に仕切っ
てある。仕切り板3aの上部には貴金属触媒処埋剤8を
充填した処理剤充填槽4を設け、仕切り板3bの上部に
はガス混合槽5を設けてある。ガス混合槽5内では排ガ
ス導入管6とアンモニア導入管7とがそれぞれ開口して
いる。なお、貴金属触媒処埋剤8の上部に、排ガスとア
ンモニアガスとを導入し混合するに充分な空間がある場
合には、処理剤充填槽4とガス混合槽5とを仕切ってい
る仕切り板3bは設けなくてもよい。そして、充填塔出
口からは処理剤充填槽4に通じている図示外の排気管が
充填塔1の外に延び、水スクラバー塔に至っている。
【0010】処理剤充填槽4には処理剤として貴金属触
媒を充填する。貴金属触媒処理剤8は、Al2O3 を主
成分とするアルミナ等の多孔質体に0.5〜1.0wt%
の割合で貴金属を担持させて使用するとよい。貴金属触
媒としては、例えば、Pd、Pt、Ruが挙げられ、好
ましくはPdである。貴金属触媒を担持する多孔質体の
形状は原則として問題にならないが、球状であると取り
扱い上好ましい。球体の粒径は3〜6mmが好ましい。6
mmを超えると単位体積当たり好ましい十分な反応接触表
面積を確保しにくい場合があり、必ずしも好ましいとは
言えない。3mm未満の場合、通気抵抗値が大きくなって
必ずしも好ましいとは言えない。貴金属触媒処理剤は1
50〜400℃で使用する。貴金属触媒処理剤は高温状
態で活性化する。アルミナ等に担持させた貴金属触媒処
理剤の耐熱温度は600℃ある。600℃以下であれば
その機能を発揮する。しかし、一般的な加熱式充填塔装
置の耐熱性やヒーターの電カコストなどを総合的に判断
すると400℃を超えて使用することは好ましくない。
150℃未満では十分な触媒機能を活用できず、好まし
くない。温度管理は熱電対などのセンサーを使用して行
うとよい。なお、排ガスやアンモニアガスの混合槽5内
への導入方向は下向流、上向流のいずれでもよい。
媒を充填する。貴金属触媒処理剤8は、Al2O3 を主
成分とするアルミナ等の多孔質体に0.5〜1.0wt%
の割合で貴金属を担持させて使用するとよい。貴金属触
媒としては、例えば、Pd、Pt、Ruが挙げられ、好
ましくはPdである。貴金属触媒を担持する多孔質体の
形状は原則として問題にならないが、球状であると取り
扱い上好ましい。球体の粒径は3〜6mmが好ましい。6
mmを超えると単位体積当たり好ましい十分な反応接触表
面積を確保しにくい場合があり、必ずしも好ましいとは
言えない。3mm未満の場合、通気抵抗値が大きくなって
必ずしも好ましいとは言えない。貴金属触媒処理剤は1
50〜400℃で使用する。貴金属触媒処理剤は高温状
態で活性化する。アルミナ等に担持させた貴金属触媒処
理剤の耐熱温度は600℃ある。600℃以下であれば
その機能を発揮する。しかし、一般的な加熱式充填塔装
置の耐熱性やヒーターの電カコストなどを総合的に判断
すると400℃を超えて使用することは好ましくない。
150℃未満では十分な触媒機能を活用できず、好まし
くない。温度管理は熱電対などのセンサーを使用して行
うとよい。なお、排ガスやアンモニアガスの混合槽5内
への導入方向は下向流、上向流のいずれでもよい。
【0011】上記の充填塔1を使用すると一酸化窒素
(NO)含有排ガスとアンモニアガスとは、ガス混合槽
5で混合しあって次第に処理剤充填槽4に移動し、15
0〜400℃の貴金属触媒と接触して反応する。この反
応式を下記式(1) に示す。 6NO+4NH3 → 5N2 +6H2O 式(1) このような反応は排ガス中にO2 がなくても理論量〔一
酸化窒素(NO)1モルに対してアンモニア(NH3)2
/3モル〕以上のNH3 が存在した場合のみ起こる。な
お、一酸化窒素(NO)含有排ガスとアンモニアガスと
の反応系において、NOのモル数の1/4以上のモル数
の酸素が共存する場合には、下記式(2) の反応が起こ
り、従来の、効率の悪いNOの分解方法となる。 4NO+4NH3 +O2 →4N2 +6H2O 式(2) それに対して、NOのモル数の1/4未満のモル数の酸
素が共存しているときは、前記式(1) の反応が主として
進行する。従って、効率よくNOを分解をするには、排
ガスとアンモニアガスとを、O2なしで、反応させるの
が最も好ましいが、NOのモル数の1/4未満のモル数
のO2 が排ガスとアンモニアガスとの反応系に共存して
いても本発明は実施可能である。
(NO)含有排ガスとアンモニアガスとは、ガス混合槽
5で混合しあって次第に処理剤充填槽4に移動し、15
0〜400℃の貴金属触媒と接触して反応する。この反
応式を下記式(1) に示す。 6NO+4NH3 → 5N2 +6H2O 式(1) このような反応は排ガス中にO2 がなくても理論量〔一
酸化窒素(NO)1モルに対してアンモニア(NH3)2
/3モル〕以上のNH3 が存在した場合のみ起こる。な
お、一酸化窒素(NO)含有排ガスとアンモニアガスと
の反応系において、NOのモル数の1/4以上のモル数
の酸素が共存する場合には、下記式(2) の反応が起こ
り、従来の、効率の悪いNOの分解方法となる。 4NO+4NH3 +O2 →4N2 +6H2O 式(2) それに対して、NOのモル数の1/4未満のモル数の酸
素が共存しているときは、前記式(1) の反応が主として
進行する。従って、効率よくNOを分解をするには、排
ガスとアンモニアガスとを、O2なしで、反応させるの
が最も好ましいが、NOのモル数の1/4未満のモル数
のO2 が排ガスとアンモニアガスとの反応系に共存して
いても本発明は実施可能である。
【0012】処理剤充填槽4を通過した混合ガスは、そ
こから延びる図示外の排出管を通じて水スクラバー塔に
至り、過剰の未反応のNH3 ガスを除去、環境に安全な
気体成分だけが大気中に拡散する。
こから延びる図示外の排出管を通じて水スクラバー塔に
至り、過剰の未反応のNH3 ガスを除去、環境に安全な
気体成分だけが大気中に拡散する。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれに限定されない。 実施例1 直径150mmのSUS製容器の外壁にセラミックヒータ
(ヒーター2)を設けて図1に示すような充填塔1を設
け、処理剤充填槽4には粒径3〜6mmの粒状のアルミナ
に0.5wt%の割合でPdを担持させた貴金属触媒処理
剤を充填した。充填槽4には熱電対温度センサーを装着
し、セラミックヒータ(ヒーター2)により貴金属(P
d)触媒処理剤を150℃〜360℃の範囲内の設定温
度に加熱した。ガス混合槽5内では排ガス導入管6とア
ンモニア導入管7からNO含有排ガスとNH3 ガスを導
入し、両者を混合した。NOとNH3 とN2 を合わせた
総ガス流量は50SLM、SVは200hr-1とした。NO
の入口ガス濃度は約1%、NH3ガスの導入量はNOガ
スの2/3倍モル量以上とした。出口での窒素酸化物
(NO、NO2 、N2O)と、NH3 と、O2 のガス濃
度を分析した。分析方法は、NO、NO2 、NH3 につ
いては検知管法、N2OはGC−MS法、O2 はGC−
TCD法を採った。通ガス時の出口ガスの分析結果を表
−1、表−2に示す。出口ガスのNO、NO2 、N2O
はいずれについても検出限界値以下にまで除去できてい
ることがわかった。
はこれに限定されない。 実施例1 直径150mmのSUS製容器の外壁にセラミックヒータ
(ヒーター2)を設けて図1に示すような充填塔1を設
け、処理剤充填槽4には粒径3〜6mmの粒状のアルミナ
に0.5wt%の割合でPdを担持させた貴金属触媒処理
剤を充填した。充填槽4には熱電対温度センサーを装着
し、セラミックヒータ(ヒーター2)により貴金属(P
d)触媒処理剤を150℃〜360℃の範囲内の設定温
度に加熱した。ガス混合槽5内では排ガス導入管6とア
ンモニア導入管7からNO含有排ガスとNH3 ガスを導
入し、両者を混合した。NOとNH3 とN2 を合わせた
総ガス流量は50SLM、SVは200hr-1とした。NO
の入口ガス濃度は約1%、NH3ガスの導入量はNOガ
スの2/3倍モル量以上とした。出口での窒素酸化物
(NO、NO2 、N2O)と、NH3 と、O2 のガス濃
度を分析した。分析方法は、NO、NO2 、NH3 につ
いては検知管法、N2OはGC−MS法、O2 はGC−
TCD法を採った。通ガス時の出口ガスの分析結果を表
−1、表−2に示す。出口ガスのNO、NO2 、N2O
はいずれについても検出限界値以下にまで除去できてい
ることがわかった。
【0014】
【表1】
【0015】
【表2】
【0016】実施例2 実施例1と同じ装置を用いた。NOの入口ガス濃度は約
1%、NH3 ガスの導入量はNOガスの2/3倍モル量
以上の2%とした。セラミックヒータの温度を100
℃、150℃、200℃、300℃、350℃、400
℃、500℃と変化させて、触媒温度の影響を測定し
た。通ガス時の出口ガスの分析結果を表−3および図−
2に示す。分析方法は、実施例1と同様である。100
℃以下ではNO、NO2 が許容濃度(NOの許容濃度:
25ppm、NO2 の許容濃度:3ppm)を超えた。
150℃以上で、NO、NO2 、N2Oいずれについて
も検出限界値以下にまで除去できていることがわかっ
た。
1%、NH3 ガスの導入量はNOガスの2/3倍モル量
以上の2%とした。セラミックヒータの温度を100
℃、150℃、200℃、300℃、350℃、400
℃、500℃と変化させて、触媒温度の影響を測定し
た。通ガス時の出口ガスの分析結果を表−3および図−
2に示す。分析方法は、実施例1と同様である。100
℃以下ではNO、NO2 が許容濃度(NOの許容濃度:
25ppm、NO2 の許容濃度:3ppm)を超えた。
150℃以上で、NO、NO2 、N2Oいずれについて
も検出限界値以下にまで除去できていることがわかっ
た。
【0017】
【表3】
【0018】実施例3 実施例1と同じ装置を用いた。NOの入ロガス濃度は約
1%、NH3 ガスの導入量はNOガスのほぼ2/3倍モ
ル量の0.7%とした。通ガス時の出口ガスの分析桔果
を表−4に示す。分析方法は実施例1と同様である。N
H3 ガスの導入量をNOガスの少なくとも2/3倍モル
量とすれば、NO、NO2 、N2Oいずれについても検
出限界値以下にまで除去できていることがわかった。
1%、NH3 ガスの導入量はNOガスのほぼ2/3倍モ
ル量の0.7%とした。通ガス時の出口ガスの分析桔果
を表−4に示す。分析方法は実施例1と同様である。N
H3 ガスの導入量をNOガスの少なくとも2/3倍モル
量とすれば、NO、NO2 、N2Oいずれについても検
出限界値以下にまで除去できていることがわかった。
【0019】
【表4】
【0020】比較例1 実施例1と同じ装置を用いた。NOの入口ガス濃度を1
%、2%、4%と変化させた。NH3 濃度を上記NO濃
度に対応してそれぞれ0.5%、1%、2%とし、いず
れもNOガスの2/3倍モル量以下を導入した。通ガス
時の出口ガスの分析結果を表−5に示す。分析方法は実
施例1と同様である。いずれの場合も、30min後にN
Oがすべて許容濃度(25ppm)を越えてリークし
た。
%、2%、4%と変化させた。NH3 濃度を上記NO濃
度に対応してそれぞれ0.5%、1%、2%とし、いず
れもNOガスの2/3倍モル量以下を導入した。通ガス
時の出口ガスの分析結果を表−5に示す。分析方法は実
施例1と同様である。いずれの場合も、30min後にN
Oがすべて許容濃度(25ppm)を越えてリークし
た。
【0021】
【表5】
【0022】
【発明の効果】本発明に従い、一酸化窒素(NO)含有
排ガスを貴金属触媒に接触させて前記NO含有排ガス中
のNOを分解処理するに際し、前記貴金属触媒の温度を
150℃〜400℃とし、酸素(O2)を共存させず又は
共存するO2 の量を前記NOのモル数の1/4未満のモ
ル数とし、かつ前記NOの1モルに対して2/3モル以
上の割合のアンモニア(NH3)を存在させて行うことに
より、従来より少ないアンモニア量で一酸化窒素含有排
ガスを処理することができる。また、本発明によれば、
O2 はNOの除去に使用しないので、O2 の供給設備を
設ける必要がなく、NH3 の消費量も抑え、十分にNO
を還元してこれを無害化でき、ランニングコストも安
い、一酸化窒素含有排ガスの処理方法及び装置を提供で
きる。
排ガスを貴金属触媒に接触させて前記NO含有排ガス中
のNOを分解処理するに際し、前記貴金属触媒の温度を
150℃〜400℃とし、酸素(O2)を共存させず又は
共存するO2 の量を前記NOのモル数の1/4未満のモ
ル数とし、かつ前記NOの1モルに対して2/3モル以
上の割合のアンモニア(NH3)を存在させて行うことに
より、従来より少ないアンモニア量で一酸化窒素含有排
ガスを処理することができる。また、本発明によれば、
O2 はNOの除去に使用しないので、O2 の供給設備を
設ける必要がなく、NH3 の消費量も抑え、十分にNO
を還元してこれを無害化でき、ランニングコストも安
い、一酸化窒素含有排ガスの処理方法及び装置を提供で
きる。
【図1】図1は、一酸化窒素含有ガスの無害化処理を行
う充填塔の一例の断面図である。
う充填塔の一例の断面図である。
【図2】図2は、実施例2で確認された触媒温度とNO
除去率との関係を示すグラフ図である。
除去率との関係を示すグラフ図である。
【図3】図3は、Proc A & WNA Annu. Meet. (Air Wast
e Manage. Assoc.) 82巻 [6号]89.96B.5.1〜89.96B.5.1
6 1989年に記載の、触媒A(TiO2/SiO2 と、Cu−モル
デナイトと、Fe−モルデナイトと、V2O5/Fe2O3との混合
触媒)もしくは触媒B(TiO2/SiO2 と、V2O5/Fe2O3との
混合触媒)を用い、触媒温度 350℃で、一酸化窒素NO
(1000ppm)と,アンモニアNH3(1000ppm)と,水蒸気H
2O(10%)との混合ガスにおける酸素(O2)の量を0〜
10%の範囲で変化させた場合の一酸化窒素NOの変化
率を示すグラフである。
e Manage. Assoc.) 82巻 [6号]89.96B.5.1〜89.96B.5.1
6 1989年に記載の、触媒A(TiO2/SiO2 と、Cu−モル
デナイトと、Fe−モルデナイトと、V2O5/Fe2O3との混合
触媒)もしくは触媒B(TiO2/SiO2 と、V2O5/Fe2O3との
混合触媒)を用い、触媒温度 350℃で、一酸化窒素NO
(1000ppm)と,アンモニアNH3(1000ppm)と,水蒸気H
2O(10%)との混合ガスにおける酸素(O2)の量を0〜
10%の範囲で変化させた場合の一酸化窒素NOの変化
率を示すグラフである。
1: 充填塔 2: ヒーター 3a,3b: 仕切り板 4: 処理剤充填槽 5: ガス混合槽 6: 排ガス導入管 7: アンモニア導入管 8: 貴金属触媒処埋剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4D048 AA06 AB02 AC04 AC06 BA03X BA30Y BA31X BA32Y BB01 BD01 CA01 CC38 CC52 DA03 DA11 DA13 4G069 AA03 AA08 AA15 BA01B BC72B BE17A BE17B CA02 CA10 CA13 DA06 EB18Y
Claims (2)
- 【請求項1】 一酸化窒素(NO)含有排ガスを貴金属
触媒に接触させて前記NO含有排ガス中のNOを分解処
理するに際し、前記貴金属触媒の温度を150℃〜40
0℃とし、酸素(O2)を共存させず又は共存するO2 の
量を前記NOのモル数の1/4未満のモル数とし、かつ
前記NOの1モルに対して2/3モル以上の割合のアン
モニア(NH3)を存在させて行うことを特徴とする一酸
化窒素含有排ガスの処理方法。 - 【請求項2】 貴金属触媒を収容しこれを150℃〜4
00℃に保つことが可能な容器と、一酸化窒素(NO)
含有排ガスを前記容器に通す通路と、前記容器に、酸素
(O2)を共存させず又は共存するO2 の量を前記NOの
モル数の1/4未満のモル数とする手段と、前記容器
に、前記NOの1モルに対して2/3モル以上の割合で
アンモニア(NH3)を供給する手段とを有することを特
徴とする一酸化窒素含有排ガスの処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006588A JP2000202244A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 一酸化窒素含有排ガスの処理方法及びその処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006588A JP2000202244A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 一酸化窒素含有排ガスの処理方法及びその処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000202244A true JP2000202244A (ja) | 2000-07-25 |
Family
ID=11642501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11006588A Pending JP2000202244A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 一酸化窒素含有排ガスの処理方法及びその処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000202244A (ja) |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP11006588A patent/JP2000202244A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4512238B2 (ja) | 廃ガス流から窒素酸化物を除去する方法 | |
| CN100488598C (zh) | 处理废气的方法和装置 | |
| JP3655802B2 (ja) | 廃水処理方法及び当該方法を用いた廃水処理装置 | |
| JP2007203290A (ja) | 排ガスの処理方法 | |
| KR101608720B1 (ko) | 배기가스 정화장치 | |
| JP2010058067A (ja) | 脱硝触媒の再生方法、脱硝触媒の再生装置およびこれを用いた排ガス処理装置 | |
| KR101097240B1 (ko) | 배기 가스 처리 방법 및 장치 | |
| JP3902670B2 (ja) | 排ガス中の窒素酸化物の除去方法 | |
| JPWO1998046334A1 (ja) | 排ガス中の窒素酸化物の除去方法 | |
| JP4629967B2 (ja) | N2o含有排ガスの処理方法およびその装置 | |
| KR20070010725A (ko) | 집진장치를 이용한 분진 및 질소산화물, 황산화물처리기술개발. | |
| JPH09234340A (ja) | 被酸化性窒素化合物含有排ガスの浄化方法 | |
| EP1228800A1 (en) | Process and apparatus for treating gas containing fluorine-containing compounds and CO | |
| JP2000202244A (ja) | 一酸化窒素含有排ガスの処理方法及びその処理装置 | |
| JPH0691138A (ja) | 排気ガス処理装置および方法 | |
| KR20060089277A (ko) | 복합형 세라믹필터 | |
| JP2001027112A (ja) | 脱硝装置 | |
| JP2003284918A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JP2002320863A (ja) | 触媒の再生方法 | |
| KR100828703B1 (ko) | 소각로용 질소산화물 처리장치 및 방법 | |
| JPH0710334B2 (ja) | Nf3 排ガス処理方法および装置 | |
| JP2001219078A (ja) | 触媒の再生方法 | |
| KR100406510B1 (ko) | 산화촉매를 이용한 질소산화물 제거장치 및 그 제거방법 | |
| CN221452181U (zh) | 一种等离子体废气净化装置 | |
| KR100451690B1 (ko) | 전자선조사에의한배기가스중의유해화합물제거방법및장치 |