JP2000202384A - 異物除去方法及び異物除去装置 - Google Patents

異物除去方法及び異物除去装置

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JP2000202384A
JP2000202384A JP11005115A JP511599A JP2000202384A JP 2000202384 A JP2000202384 A JP 2000202384A JP 11005115 A JP11005115 A JP 11005115A JP 511599 A JP511599 A JP 511599A JP 2000202384 A JP2000202384 A JP 2000202384A
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JP
Japan
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substrate
foreign matter
pulsed laser
radiated
laser beam
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JP11005115A
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English (en)
Inventor
Masashi Okada
政志 岡田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】洗浄中は異物の除去が行われたかどうか確認で
きないため、洗浄工程の後に、洗浄が確実に行われたか
否かを検査する工程が必要になる。一度の洗浄工程で除
去できなかった場合には、さらに洗浄工程と検査工程を
行わなければならず、生産性が低下しコストが高くなる
という欠点があった。 【解決手段】異物の付着した被処理材に対してパルスレ
ーザー光を照射し、異物を除去する異物除去方法におい
て、前記被処理材の表面の観察を行いながら、パルスレ
ーザー光を照射することを特徴とする異物除去方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクル(マスク
とも言う)及び半導体素子や液晶表示素子を作製する基
板等に付着した異物を除去し、清浄化するための方法と
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子の微細な回路
パターンを作製する工程において、レチクルや基板等に
付着した異物は、これら微細な回路パターンの欠陥の原
因になる。この欠陥により、半導体素子、液晶表示素子
の機能に障害が生じ、不良品となる。現在のところ、基
板等に付着した異物は、化学的な効果を利用した液体に
よるウェット洗浄により除去されている。また、近年、
ウェット洗浄よりも工程数の少ない洗浄方法が望まれ、
ドライな環境における洗浄方法や装置の開発が行われて
いる。そのような装置として、パルスレーザー光をレチ
クルに照射して微粒子を除去する装置が、特公平6−9
5510に開示されている。この装置は、パルスレーザ
ー光をレチクルの表面に照射し、レチクル表面に付着し
ている微粒子を蒸発させたり、微粒子またはレチクル表
面の急激な熱膨張によって発生する加速度によって、微
粒子をレチクル表面から引き離して除去するものであ
る。また、洗浄対象物となる基板表面に水の膜を付着さ
せ、レーザー光を照射すると、基板表面の水の急激な蒸
発により発生する力の効果も加わり、さらに除去効果が
増すことがJournalofAppliedPhiy
sicsVol.71,P3515(1992)に示さ
れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、洗浄中は異物の除去が行われたかどうか
確認できないため、洗浄工程の後に、洗浄が確実に行わ
れたか否かを検査する工程が必要になる。一度の洗浄工
程で除去できなかった場合には、さらに洗浄工程と検査
工程を行わなければならず、生産性が低下しコストが高
くなるという欠点があった。本発明は、かかる技術の問
題点を解決するためになされたもので、ドライ環境にお
ける洗浄工程と検査工程を同時に行うことのできる異物
除去方法及び異物除去装置を提供することを目的とす
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第1の手段は、異物の付着した被処理材に対してパル
スレーザー光を照射し、異物を除去する異物除去方法に
おいて、前記被処理材の表面の観察を行いながら、パル
スレーザー光を照射することを特徴とする異物除去方法
(請求項1)である。
【0005】本手段においては異物の除去をしながら被
処理材の表面の状態を観察しているため洗浄工程と検査
工程を繰り返す必要が無くなり、生産性を高め、素子の
製造コストを低くすることが可能となる。前記課題を解
決するための第2の手段は、異物の付着した被処理材へ
パルスレーザー光を照射する事により異物を除去する異
物除去装置において、被処理材の表面を観察する手段を
設けたことを特徴とする異物除去装置(請求項2)であ
る。
【0006】本手段においては異物の除去をしながら被
処理材の表面の状態を観察しているため洗浄工程と検査
工程を繰り返す必要が無くなり、生産性を高め、素子の
製造コストを低くすることが可能となる。前記課題を解
決するための第3の手段は、前記第2の手段であって、
前記被処理材の表面を観察する手段は環境走査型電子顕
微鏡である事を特徴とする異物除去装置(請求項3)で
ある。
【0007】本手段においては、観察光学系として環境
走査型電子顕微鏡を用いているため、異物除去を行いな
がらも良好に被処理材の表面観察を行うことができる。
また、環境走査型電子顕微鏡は観察における分解能も高
いため精度よく小さな異物も観察することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態に係
る異物除去方法及び異物除去装置の構成図である。図1
において、1はパルスレーザー、2はパルスレーザー
光、3はレンズ、4は基板、6は環境走査型電子顕微鏡
(以下、ESEM)である。ESEM6には、基板ホルダー
5、レーザー光導入窓7、可動ステージ8、モニタ9、
電子銃10,電子光学系等を備えた鏡筒11、2次電子
検出器12が設けられている。
【0009】パルスレーザー1からのパルスレーザー光
2はレンズ3で集光され、基板4に照射される。基板4
は基板ホルダー5に設置され、基板ホルダー5は可動ス
テージ8上に設置されている。可動ステージ8は2次元
的に基板4を移動可能であり、基板4はESEM6の観察位
置に移動される。パルスレーザ光2は基板表面の観察位
置に照射されるように調整されている。ESEM6には、観
察位置にパルスレーザー光2を照射できるように、レー
ザー光導入窓7が設置されている。導入窓7はパルスレ
ーザー1の波長に対して透明なものが好ましく、レーザ
ー1として波長が2.5μm〜10μm(Er:YAG
レーザーやCO2レーザー等)のものを用いる場合は無
水合成石英やセレン化亜鉛等を用いる事が好ましい。ES
EM6での基板4の表面の観察像はモニタ9に表示され
る。
【0010】上記構成の異物除去方法及び異物除去装置
について動作を説明する。パルスレーザー1から、パル
スレーザー光2を基板4に照射すると、基板4の照射部
分は急激に熱膨張する。この時、基板4の表面に付着し
ている微粒子は、加速度が与えられ基板4の表面から離
脱する。ESEM6は電子銃10から出射した電子線を鏡筒
11で細く絞って基板4に照射し、基板4から発生する
2次電子を検出して試料の表面像を観察する走査型電子
顕微鏡の一種であるが、通常の走査型電子顕微鏡とは異
なり、高真空中(10-3〜10-4Pa程度)ではなく水
蒸気雰囲気中(200〜500Pa程度)で試料表面の
観察が行なえるものである。基板4の表面に付着した微
小な異物がモニタ9に写し出される。ESEM6は、通常の
走査型電子顕微鏡のように光に対して感度のある検出器
を用いていないので、観察時に試料に光を照射すること
が可能である。ESEM6での基板表面上の観察位置にパル
スレーザー光を照射することによって、基板表面に付着
した異物を除去する様子がモニタ9に写し出され、異物
の除去が行われたか否かを確認することができる。可動
ステージ8で基板4を2次元に動かすことができるの
で、基板表面の全領域で異物の観察を行いながら除去作
業を行うことができる。ESEM6は水蒸気雰囲気中で試料
観察を行えるので、試料の温度を下げることによって、
試料表面を結露させることができる。本発明において
も、基板を冷却し、基板表面に吸着水の膜を付けた状態
でパルスレーザー光を照射することによって、異物の除
去効果をあげることができる。このように、本発明の構
成では、異物の除去と検査を同時に行うことが可能であ
る。尚、本発明では基板表面を観察する手段としてES
EMを用いたが、レーザーの照射が基板表面4の観察に
影響しない手段で有れば他の手段を用いても良い。
【0011】パルスレーザー1としては、KrFレーザ
ー、ArFレーザー、XeClレーザー等のエキシマレ
ーザーや、YAGレーザー、窒素レーザーを用いること
ができる。これらのレーザーは水に吸収されにくいの
で、通常は基板表面に水の膜を形成して異物除去を行わ
ないので、ESEM6内は通常用いられているように高
真空であってもよい。上述の基板表面に水の膜を形成し
て異物の除去効果を向上させる場合は、二酸化炭素レー
ザーやEr:YAGレーザーのように、水に吸収を持つ
波長(2.5μm〜10μm程度)のものを用いること
が好ましい。パルスレーザー光2の強度としては、基板
4の表面を破壊しない程度が望ましく、1パルス当たり
数100mJ/cm2程度あれば良い。
【0012】本実施の形態では観察手段としてESEM
を用いた。観察手段としては、分解能の点からESEM
が好ましいが、必要とする分解能が得られれば他の観察
手段を用いることもできる。例えば、光学顕微鏡を用い
ることができる。但し、光学顕微鏡を用いる場合は、ク
リーニングを行う光が異物除去の観察を妨げる可能性が
ある。その場合にはクリーニングを行う波長をカットす
るフィルターを介して観察するように構成すれば良い。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の異物除去
方法および異物除去装置では、半導体素子や液晶表示素
子の製造工程において洗浄工程と検査工程を同時に行う
ことができるために、生産性を高め、コストを低くする
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る微粒子除去装置の構
成図である。
【符号の説明】
1…パルスレーザー 2…パルスレーザー光 3…レンズ 4…基板 5…基板ホルダー 6…環境走査型電子顕微鏡(ESEM) 7…レーザー光導入窓 8…可動ステージ 9…モニタ 10…電子銃 11…鏡筒 12…2次電子検出器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】異物の付着した被処理材に対してパルスレ
    ーザー光を照射し、異物を除去する異物除去方法におい
    て、 前記被処理材の表面の観察を行いながら、パルスレーザ
    ー光を照射することを特徴とする異物除去方法。
  2. 【請求項2】異物の付着した被処理材へパルスレーザー
    光を照射する事により異物を除去する異物除去装置にお
    いて、 被処理材の表面を観察する手段を設けたことを特徴とす
    る異物除去装置。
  3. 【請求項3】前記被処理材の表面を観察する手段は環境
    走査型電子顕微鏡である事を特徴とする異物除去装置。
JP11005115A 1998-12-18 1999-01-12 異物除去方法及び異物除去装置 Pending JP2000202384A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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